JP2007156058A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】共通電極とその電源線の接続部分での電気的接続を維持する信頼性を高めること
ができる発光装置およびこれを有する電子機器を提供する。
【解決手段】基板３０上の発光領域ＡにＯＬＥＤ素子７０を有する画素回路が設けられ、
ＯＬＥＤ素子７０の共通電極７２に電位を供給するための第２電極用電源線１４０が発光
領域Ａの外側に配置されている。共通電極７２には、そのインピーダンスを低下させるた
めに補助配線１５０が接続されている。第２電極用電源線１４０は、共通電極７２が第２
電極用電源線１４０に重なって電気的に接続される部分を有しており、補助配線１５０が
この部分に重なって共通電極７２に直接接触している。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置およびこれを有する電子機器に関する。

発光素子の一種として、電界により励起して自己発光するエレクトロルミネッセント（
ＥＬ）素子が知られている。ＥＬ素子を用いた発光装置では、基板上に多数の画素回路が
マトリックス状に配置され、各画素回路にＥＬ素子が設けられている。ＥＬ素子は陽極と
陰極の間に挟まれた発光層を有する。発光層で発した光を放出する電極は、例えばＩＴＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）のような透明酸化物導電材料または金属の極めて
薄い膜から形成される。透明酸化物導電材料の抵抗は電極として普通に使用される金属導
電体よりも高い抵抗率を有し、金属の極めて薄い膜は断面積が小さいために抵抗が高い。

多数のＥＬ素子が設けられた基板では、基板における位置によって、ＥＬ素子に印加さ
れる電圧の降下がばらついてＥＬ素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。抵抗
が高い透明電極のために、特にその欠点が問題となる。このため、陽極または陰極を広大
な面積を有するようにして複数のＥＬ素子に共通にし、その電極の抵抗を下げて、ＥＬ素
子の輝度のばらつきを最小限に抑える技術が提案されている。

また、多数のＥＬ素子が設けられた基板上には、多数のＥＬ素子を区分する隔壁が設け
られる。上述の共通電極は、多数のＥＬ素子に共通なので隔壁をまたがる。このため、隔
壁と他の部分では共通電極に段差が生じて、共通電極が断線するおそれがある。特許文献
１に記載の技術では、基板の略全面にわたる導電性の保護膜で共通電極を覆うことによっ
て、共通電極に断線が生じたとしても、保護膜で断線部分の電気的接続を維持する。

特開平１１−７４０７３号公報

共通電極は、ＥＬ素子が配置された発光領域の外側に配置された電源線に接続される。
しかし、一般に共通電極が設けられる層はその電源線が設けられる層とは異なるので、こ
れらの接続部分と他の部分では段差がある。共通電極は、脆い材料で形成されたり、ある
いは薄く形成されることが多いので、この段差で共通電極が断線するおそれがある。

そこで、本発明は、共通電極とその電源線の接続部分での電気的接続を維持する信頼性
を高めることができる発光装置およびこれを有する電子機器を提供する。

本発明に係る発光装置は、基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記
複数の画素回路の各々は発光素子を有し、前記発光素子は第１電極、第２電極および前記
第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有し、前記第２電極は複数の画素回路に
共通に設けられた共通電極である発光装置であって、基板上の前記発光領域の外側に設け
られ、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線と、前記第２電極に電気的
に接続されているとともに前記第２電極用電源線に電気的に接続されている補助配線とを
備え、前記第２電極用電源線は、前記第２電極が前記第２電極用電源線に重なって電気的
に接続される部分を有しており、前記補助配線がこの部分に重なって前記第２電極に直接
接触している。

本発明によれば、第２電極が第２電極用電源線に重なって電気的に接続される部分と他
の部分で段差があって、第２電極にこのような段差による断線が生じたとしても、補助配
線がこの部分に重なって第２電極に直接接触しているために、補助配線によって第２電極
用電源線と第２電極の電気的接続が維持される。本明細書でいう発光素子としては、有機
発光ダイオードや無機発光ダイオード等が該当する。また、本明細書でいう補助配線とは
、第２電極つまり共通電極に重ねて電気的に接続され、共通電極の抵抗を下げる導電体の
ことである。

本発明において、前記画素回路は前記発光素子を発光させるための半導体素子を有して
おり、前記半導体素子と前記発光素子の間の層に配置され、前記半導体素子側の面と、前
記発光素子側の面とを有しており、前記半導体素子側の面の凹凸よりも前記発光素子側の
面の凹凸が小さい回路段差平坦化膜を備え、前記回路段差平坦化膜は、前記基板上の前記
発光領域およびその外側に配置されており、前記第２電極用電源線および前記第２電極は
、前記回路段差平坦化膜を挟んだ異なる層に形成されているとともに、前記基板上の前記
発光領域の外側の前記回路段差平坦化膜が配置されていない部分で電気的に接続されてい
ると好ましい。

この場合には、第２電極用電源線および第２電極は回路段差平坦化膜を挟んだ異なる層
に形成されているために、第２電極が第２電極用電源線に重なって電気的に接続される部
分と他の部分で段差があるが、第２電極にこのような段差による断線が生じたとしても、
補助配線がこの部分に重なって第２電極に直接接触しているために、補助配線によって第
２電極用電源線と第２電極の電気的接続が維持される。本明細書でいう半導体素子として
は、例えば、トランジスタやダイオードが該当する。

さらに、前記第１電極と前記第２電極の間に配置されて、前記複数の発光素子を互いに
区分する複数の隔壁とを備え、前記基板上における内側には前記隔壁と前記回路段差平坦
化膜が重なって形成されている第１の領域があり、その外側には前記隔壁と前記回路段差
平坦化膜の一方が形成されている第２の領域があり、さらにその外側には前記隔壁も前記
回路段差平坦化膜も形成されていない第３の領域があり、前記第３の領域に前記第２電極
用電源線が配置されており、前記第２電極は、前記第１の領域、前記第２の領域および前
記第３の領域に重なると好ましい。
この態様では、基板上における内側には大きい高さの第１の領域があり、その外側には
やや高さが低い第２の領域があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域があ
ることにより、基板上における第２電極の高さを内側から外側に向けて漸減させ、緩やか
な曲線を描くように形成することができる。このため、第２電極の屈曲角度が緩和される
ので、第２電極の一部に応力が集中して破損することを抑制できる。

さらに、前記基板上における前記発光領域の外側に配置され、前記複数の画素回路の駆
動または検査に関係する信号を生成する周辺回路を備え、前記第２電極および前記補助配
線は、前記周辺回路を覆っており、前記周辺回路を覆う位置で積層されていると好ましい
。第２電極および補助配線が周辺回路を覆う位置で積層されることにより、第２電極と補
助配線が広い面積で面接触し、これらを低抵抗で接続できる。

本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備える。このような電子機器として、発
光装置を表示装置に適用したパーソナルコンピュータ、携帯電話機、および携帯情報端末
などが該当し、また、発光装置を光ヘッドに用いたプリンタや複写器が該当する。

以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。これらの
図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜第１実施形態＞
図１(Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図
であり、図１(Ｂ）は図１(Ａ）の状態の後に補助配線１５０および画素電極７６をさらに
形成した状態を示す平面図である。図１(Ａ）に示すように、この発光装置１は、パネル
１０とフレキシブル基板２０とを備える。パネル１０の端部には接続端子が形成され、こ
の接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic c
onductive film:異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介
して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、データ線駆動回路２００が設け
られており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電源電圧がパネル１０に供給
される。

パネル１０には、発光領域Ａと、その外側（つまり基板もしくはパネル１０の外周と発
光領域Aの間）の回路領域Ｂが設けられている。回路領域Ｂには走査線駆動回路１００Ａ
および１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０が形成されている。プリチャージ回路
１２０は書き込み動作に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための
回路である。走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０
は、発光領域Ａの周辺にある周辺回路である。但し、周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良
否を検査する検査回路（図示せず）を含んでもよいし、データ線駆動回路２００が回路領
域Ｂに設けられた周辺回路であってもよい。

発光領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交
差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯ
ＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含み、電流供給線１１３から給電を
受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。

図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャ
ネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯ
ＬＥＤ素子７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１
３に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ素子７０の陽極に接続される。また、
トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている
。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース
電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極
と接続される。

単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよ
び１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給
されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、デー
タ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ素子
７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

また、図１(Ａ）に示すように、回路領域Ｂの外周部側（つまり基板もしくはパネル１
０の外周と回路領域Bの間）には、コの字状の第２電極用電源線１４０が形成されている
。第２電極用電源線１４０は、後述するようにＯＬＥＤ素子の陰極（第２電極）に電源電
圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。ＯＬＥＤ素子
は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層
を含む）７４を有する（図４参照）。共通電極７２は、図１(Ｂ）に示すように発光領域
Ａおよび回路領域Ｂにわたって形成される。また、共通電極７２と第２電極用電源線１４
０とを接続する補助配線１５０が、回路領域Ｂにおいて周辺回路を覆うように形成される
。補助配線１５０は、発光領域Ａに設けられる補助配線の第１部分１５０ａと、回路領域
Ｂに設けられる補助配線の第２部分１５０ｂとを含んでいる。発光領域Ａでは補助配線１
５０の第１部分１５０ａと画素電極７６とが接触しないように、補助配線１５０の第１部
分１５０ａが格子状に形成されている。つまりＯＬＥＤ素子７０の間に補助配線１５０の
第１部分１５０ａとが配置されている。本明細書でいう補助配線とは、共通電極７２に重
ねて電気的に接続され、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。明確化のため、
図３に、図１(Ｂ）の一部を拡大して示す。

この実施形態の発光装置１は、トップエミッションの形式で構成されており、発光機能
層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は、透明材料から形
成されている。このため、回路領域Ｂを共通電極７２によって遮光することはできない。
一方、上述した補助配線１５０には、導電性および遮光性を有する金属が用いられるため
、補助配線１５０によって遮光が可能である。これにより、周辺回路に光が入射して光電
流が発生することを抑制できる。また、補助配線１５０は、発光領域Ａの画素電極７６と
同一の工程で形成される。したがって、回路領域Ｂに遮光性を付加するために特別な工程
は不要である。

図４に発光装置１の部分断面図を示す。同図において、発光領域ＡにはＯＬＥＤ素子７
０が形成される一方、回路領域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される
。同図において発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。同図に示すように、基板
３０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、および６０が
形成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０はｐチャネ
ル型である。トランジスタ４０，５０は走査線駆動回路１００Ａの一部であり、トランジ
スタ６０とＯＬＥＤ素子７０は単位回路Ｐの一部である。

トランジスタ４０、５０、および６０は、基板３０の表面に形成された酸化珪素を主体
とする下地保護層３１の上に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０
１、５０１および６０１が形成される。シリコン層４０１、５０１および６０１を覆うよ
うに、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例
えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層４０１、５０１
および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が設けられる。トランジ
スタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ族元素がドーピングさ
れ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。ここで、Ｖ族元素がドー
ピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。

トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５
０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、
ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される
。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂ
となる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６
２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。

第１層間絶縁層３３が、ゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３
２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに
、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電
極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホ
ールを介してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。また、これらの電
極と同一の工程で第２電極用電源線１４０、データ線１１２および電流供給線１１３が形
成される。これらの電極および第２電極用電源線１４０などは導電性を有するアルミニウ
ム等の材料で形成される。

回路保護膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、
ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０を覆うように第１層間絶縁層３３の
上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率
が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料で
あってもよいし、水素を含んでいても良い。回路保護膜３４により、トランジスタ４０、
５０、および６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極や
ドレイン電極の下に形成してもよい。

回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。回路段差平坦化膜３５は
、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小
さい。つまり、トランジスタ４０，５０，６０、走査線１１１、データ線１１２、電流供
給線１１３などにより生ずる凹凸を平坦化するために、回路段差平坦化膜３５は用いられ
る。回路段差平坦化膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子
材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、
フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪
素等の無機材料から化学気相成長法（chemical vapor deposition: CVD）により回路段差
平坦化膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は化
学気相成長法によって膜を形成した場合、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様
であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングに
よって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹
凸の影響を受け難いので回路段差平坦化膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹
凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を回路段差平坦化膜３５に
用いることもできる。

回路段差平坦化膜３５上には、発光領域Ａで画素電極７６（第１電極）および補助配線
の第１部分１５０ａを形成すると同時に、回路領域Ｂに補助配線の第２部分１５０ｂを形
成する。即ち、画素電極７６と補助配線１５０とは同一の層において、同一の材料を用い
て同時に形成される。この実施形態における画素電極７６はＯＬＥＤ素子７０の陽極であ
り、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してト
ランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料
としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれ
らの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光
を共通電極７２に向けて反射する。この場合には、補助配線１５０もこれらの材料から形
成される。

また、画素電極７６としては、仕事関数が高いＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ
（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ_２のような酸化導電材料からなる光透過性、導
電性を備えた第１層と、反射性の金属、例えばアルミニウムからなる第２層とを含み、発
光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。この場合には、補助配線１５０は
、第１層と第２層の両方を有してもよいし、これらのうちいずれかの層を有していてもよ
い。

補助配線１５０は、回路領域Ｂにおいて、回路保護膜３４に形成されたコンタクトホー
ルを介して第２電極用電源線１４０と接続される。図示のように、第２電極用電源線１４
０上には、回路段差平坦化膜３５が形成されず、回路保護膜３４にコンタクトホールを形
成するだけで、補助配線１５０の第２部分１５０ｂを第２電極用電源線１４０に直接接触
させることができる。

次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極
７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。
隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複
数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。つまり隔壁３７は複数の
発光素子を区分する。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の材料である。
この場合、パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパ
ターニングしても良い。隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが同時に形成される。発光領
域３７において、このコンタクトホールＣＨを介して補助配線１５０の第１部分１５０ａ
と後述する共通電極７２が接続される。また、回路領域Ｂにおける補助配線１５０の第２
部分１５０ｂの上には、隔壁３７と同一の層が設けられていない。

次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光
層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分
子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送
層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を
備えていてもよい。

次に、発光領域Ａおよび回路領域Ｂにわたって補助配線１５０および発光機能層７４を
覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透明であり、ＯＬ
ＥＤ素子７０からの光は、共通電極７４を透過して図中上側の方向に射出される。この実
施形態の共通電極７２をすべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能させるため、共通電
極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、
アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。ま
た、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望まし
い。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極
７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。

また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数
が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、ＩＴＯ（indium tin oxi
de）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ_２のような酸化導電材料からなる
光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であ
ってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ_２のような酸化導電材料は緻密な素材であり
、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が発光
領域Ａおよび回路領域Ｂにわたって形成されているため、発光領域Ａの単位回路Ｐおよび
回路領域Ｂの周辺回路が、後述する発光素子段差平坦化膜８２で発生するガスまたは外気
から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上
記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れ
ているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに
、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第
２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記
の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し
、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。

また、共通電極７２を形成するに先立って、隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成
される。このコンタクトホールＣＨを介して発光領域３７において補助配線の第１部分１
５０ａと共通電極７２が接続される。発光領域Ａにおいて格子状に形成される補助配線の
第１部分１５０ａ（図１(Ｂ）参照）に共通電極７２が接続されることにより、共通電極
７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができる。これに加えて、補助配線の第
２部分１５０ｂは、回路領域Ｂにおいて隔壁３７により覆われていないため共通電極７２
と広い面積で面接触するので、接続抵抗を下げることができる。したがって、電源インピ
ーダンスを大幅に低減することが可能となる。

次に、共通電極７２を覆うように電極保護膜８０が形成される。電極保護膜８０は、回
路保護膜３４と同様に、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料
から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよ
いし、水素を含んでいても良い。さらに、電極保護膜８０を覆うように発光素子段差平坦
化膜８２が形成される。発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する面の凹
凸よりも、電極保護膜８０と反対側にある面の凹凸が小さくなるように形成された層、つ
まりコンタクトホールＣＨ、隔壁３７およびＯＬＥＤ素子７０で生じた段差を平坦化する
膜である。回路段差平坦化膜３５と同様に、酸化珪素等の無機材料から蒸着により発光素
子段差平坦化膜８２を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよいが、回路
段差平坦化膜３５に関して述べたのと同じ理由から、例えばウレタン、アクリル、エポキ
シ、またはシアノアクリレート等の有機化合物で発光素子段差平坦化膜８２を形成するこ
とが好ましい。また、隔壁３７が温度により伸縮しても、後述するガスバリア層８４が割
れないように、隔壁３７と類似の熱膨張係数を有する有機化合物で発光素子段差平坦化膜
８２を形成することが好ましい。発光素子段差平坦化膜８２として有機化合物を用いる場
合には、硬化する際や硬化後において発光素子段差平坦化膜８２により発生するガスまた
は不純物が下層に浸透する可能性があるが、電極保護膜８０によってこれを防止し、ＯＬ
ＥＤ素子７０の寿命を低下させないようにすることができる。

くわえて、発光素子段差平坦化膜８２を覆うようにガスバリア層８４を形成する。ガス
バリア層８４の材料には、例えば窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料
から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよ
いし、水素を含んでいても良い。ガスバリア層８４は、高密度プラズマ気相成長法によっ
て、高密度で硬度の大きい薄膜として形成される。ガスバリア層８４によって、外気や水
分が発光装置１の内部に浸入することが防がれる。つまり、ガスバリア層８４は、発光素
子段差平坦化膜８２と電極保護膜８０で囲まれたＯＬＥＤ素子７０の各々をさらに外気か
ら遮断する。発光素子段差平坦化膜８２およびガスバリア層８４は、周辺回路（トランジ
スタ４０，５０を有する走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２
０）の領域全体を覆っている。

以上のようにこの実施形態では、電極保護膜８０、発光素子段差平坦化膜８２およびガ
スバリア層８４を備えた薄膜封止構造により、ＯＬＥＤ素子７０を外気から保護している
。基板３０の外端縁には、回路段差平坦化膜３５が形成されず、この外端縁で、緻密でガ
ス透過率が低い材料から形成された回路保護膜３４に、やはり緻密でガス透過率が低い材
料から形成された電極保護膜８０が接合されている。これは、回路段差平坦化膜３５は、
密度が比較的低くガス透過率が比較的高い有機高分子材料から形成されることが多く、こ
のような回路保護膜３４と電極保護膜８０の間に回路段差平坦化膜３５が介在していると
、この有機高分子材料を通って、外気がＯＬＥＤ素子７０に到達するおそれがあるためで
ある。

薄膜封止構造の代わりに、封止ガラスまたは封止缶により、ＯＬＥＤ素子７０を保護し
てもよい。上記と同様の理由により、封止ガラスまたは封止缶を使用する場合にも、基板
３０の外端縁には、回路段差平坦化膜３５が形成されず、この外端縁で、緻密でガス透過
率が低い材料から形成された回路保護膜３４に、封止ガラスまたは封止缶が接合される。

上記のように、補助配線１５０の第２部分１５０ｂは、回路領域Ｂの回路段差平坦化膜
３５が形成されていない領域において、回路保護膜３４に形成されたコンタクトホールを
介して第２電極用電源線１４０と接続される。共通電極７２は、発光領域Ａおよび回路領
域Ｂにわたって形成され、回路領域Ｂで補助配線１５０の第２部分１５０ｂの全体に面接
触するので、第２電極用電源線１４０に重なる部分でも、第２部分１５０ｂに面接触して
いる。但し、第２電極用電源線１４０に重ならない部分では、共通電極７２および補助配
線１５０は、第２電極用電源線１４０に対して、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜
３４を挟んだ異なる層に形成されている。従って、共通電極７２が第２電極用電源線１４
０に重なって電気的に接続される部分と他の部分で段差があるので、この段差により共通
電極７２に断線が生ずるおそれがある。しかし、共通電極７２にこのような段差による断
線が生じたとしても、補助配線１５０がこの部分に重なって共通電極７２に直接、面接触
しているために、補助配線１５０によって第２電極用電源線１４０と共通電極７２の電気
的接続が維持される。

図４に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回路段差平坦
化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁３７がなく
回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側には隔壁
３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従って、基板上
の回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側にはやや高
さが低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域Ｂ３が
ある。隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３には、第２電
極用電源線１４０が配置されている。一方、共通電極７２は、第１の領域Ｂ１、第２の領
域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なる。従って、基板３０上における共通電極７２の高さ
を内側から外側に向けて漸減させ、緩やかな曲線を描くように形成することができる。こ
のため、共通電極７２の屈曲角度が緩和されるので、共通電極７２の一部に応力が集中し
て破損することを抑制できる。

＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態においては、補助配線１５０を発光領域Ａに形成されるＯＬＥＤ
素子７０の構成要素である画素電極７６と同時に形成した。これに対して、第２実施形態
は、ＯＬＥＤ素子７０の形成とは、独立して補助配線１５０を形成する。

図５に第２実施形態に係る発光装置２の断面図を示す。この図に示すように、補助配線
１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成され、補助配線１５０および共通電極
７２を覆うように電極保護膜８０が形成される。逆に、補助配線１５０を共通電極７２の
下に面接触するように形成してもよい。
補助配線１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成されるのであれば、共通電
極７２を形成する際に、補助配線１５０の段差や補助配線１５０の応力により共通電極７
２が断線する虞がない。一方、補助配線１５０を共通電極７２の下に面接触するように形
成する場合には、発光機能層７４を形成する前に、隔壁３７上に形成することができる。
この場合には、発光機能層７４が形成されていないため、フォトリソグラフィなどにより
補助配線１５０のパターンを形成することができ、トランジスタ４０、５０、６０や走査
線１１１などの配線と同様の精度で補助配線１５０を形成することができる。

補助配線１５０の材料は、遮光性と導電性を有する。具体的には、第１実施形態と同様
でよいし、共通電極７２と同じ材料でもよい。補助配線１５０は、回路領域Ｂにおいて共
通電極７２と面で接触するので、接続抵抗を下げることができる。したがって、電源イン
ピーダンスを大幅に低減することが可能となる。また、補助配線１５０は発光領域Ａにお
いてＯＬＥＤ素子７０が形成されない領域に配置される。例えば、補助配線１５０は隔壁
３７の上に形成される。したがって、第１実施形態のように発光領域Ａにおいて、コンタ
クトホールＣＨを形成して共通電極７２と補助配線１５０とを接続する必要がない。コン
タクトホールＣＨを形成する場合には、コンタクトホールＣＨの内面に共通電極７２およ
び電極保護膜８０を形成する必要があるので、構造が複雑となり信頼性が低下する。これ
に対して、第２実施形態では、補助配線１５０を隔壁３７の上に形成したので、構造を簡
素化し信頼性を向上させることができる。

また、この実施形態においては、共通電極７２の端部において補助配線１５０が共通電
極７２の外に突出しており、さらに外側を電極保護膜８０が覆っている。このように形成
することによって、パネル１０の端部から入り込む水分や空気が共通電極７２の面に沿っ
て発光機能層７４に到達することを抑制することができる。この実施の形態では、画素電
極７６は不透明な反射性のものであるが、画素電極７６を透明導電材料から形成して、デ
ュアルエミッションを実現してもよい。

この実施の形態でも、基板３０の外端縁には、回路段差平坦化膜３５が形成されず、こ
の外端縁で、緻密でガス透過率が低い材料から形成された回路保護膜３４に、やはり緻密
でガス透過率が低い材料から形成された電極保護膜８０が接合されている。これは、回路
段差平坦化膜３５は、密度が比較的低くガス透過率が比較的高い有機高分子材料から形成
されることが多く、このような回路保護膜３４と電極保護膜８０の間に回路段差平坦化膜
３５が介在していると、この有機高分子材料を通って、外気がＯＬＥＤ素子７０に到達す
るおそれがあるためである。電極保護膜８０、発光素子段差平坦化膜８２およびガスバリ
ア層８４を備えた薄膜封止構造の代わりに、封止ガラスまたは封止缶を使用する場合にも
、基板３０の外端縁には、回路段差平坦化膜３５が形成されず、この外端縁で、緻密でガ
ス透過率が低い材料から形成された回路保護膜３４に、封止ガラスまたは封止缶が接合さ
れる。

共通電極７２の端部（共通電極７２の下に補助配線１５０がある場合には補助配線１５
０の第２部分１５０ｂ）は、回路領域Ｂの回路段差平坦化膜３５が形成されていない領域
において、回路保護膜３４に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４
０と接続される。補助配線１５０は、共通電極７２に面接触するので、第２電極用電源線
１４０に重なる部分でも、補助配線１５０の第２部分１５０ｂは共通電極７２に面接触し
ている。但し、第２電極用電源線１４０に重ならない部分では、共通電極７２および補助
配線１５０は、第２電極用電源線１４０に対して、回路段差平坦化膜３５および回路保護
膜３４を挟んだ異なる層に形成されている。従って、共通電極７２が第２電極用電源線１
４０に重なって電気的に接続される部分と他の部分で段差があるので、この段差により共
通電極７２に断線が生ずるおそれがある。しかし、共通電極７２にこのような段差による
断線が生じたとしても、補助配線１５０がこの部分に重なって共通電極７２に直接、面接
触しているために、補助配線１５０によって第２電極用電源線１４０と共通電極７２の電
気的接続が維持される。

図５に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回路段差平坦
化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁３７がなく
回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側には隔壁
３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従って、基板上
の回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側にはやや高
さが低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域Ｂ３が
ある。隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３には、第２電
極用電源線１４０が配置されている。一方、共通電極７２は、第１の領域Ｂ１、第２の領
域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なる。従って、基板３０上における共通電極７２の高さ
を内側から外側に向けて漸減させ、緩やかな曲線を描くように形成することができる。こ
のため、共通電極７２の屈曲角度が緩和されるので、共通電極７２の一部に応力が集中し
て破損することを抑制できる。

＜第３実施形態＞
図６(Ａ）は、本発明の第３実施形態に係る発光装置３の構成の一部を示す概略平面図
であり、図６(Ｂ）は図６(Ａ）の状態の後に共通電極７２をさらに形成した状態を示す平
面図であり、図７は、図６(Ｂ）の状態の後に補助配線１５０をさらに形成した状態を示
す平面図である。図８は発光装置３の部分断面図である。

上述した第１実施形態では、図１に示すように回路領域Ｂにおいて周辺回路（走査線駆
動回路１００Ａ、１００Ｂ、プリチャージ回路１２０）の外側に第２電極用電源線１４０
を設けたが、第３実施形態では、第２電極用電源線１４０を周辺回路と発光領域Ａとの間
に設けている。第２電極用電源線１４０と共通電極７２は、図６(Ｂ）に示すようにコン
タクトホールＣＨで接続されている。

図８に示すように、回路領域Ｂから発光領域Ａに延びる走査線１１１の少なくとも第２
電極用電源線１４０と重なる部分は、第２電極用電源線１４０とは異なる高さに配置され
ており、両者の間は第１層間絶縁層３３で絶縁されている。図示しないが、データ線１１
２の少なくとも第２電極用電源線１４０と重なる部分や電流給電線１１３の少なくとも第
２電極用電源線１４０と重なる部分も同様である。走査線１１１、データ線１１２、ある
いは電流給電線１１３の少なくとも第２電極用電源線１４０と重なる部分は、ゲート絶縁
層３２の上にゲート電極４２、５２、および６２と同一の材料から同時に形成される（図
示しないが、他の実施形態でも同様である）。そして、第１層間絶縁層３３の上に第２電
極用電源線１４０が形成される。

共通電極７２を形成するに先立って、第２電極用電源線１４０に重なっている最も外側
の隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成される。コンタクトホールＣＨは隔壁３７お
よび回路段差平坦化膜３５を貫通して第２電極用電源線１４０に到達する。このコンタク
トホールＣＨを介して第２電極用電源線１４０に共通電極７２が直接接触し電気的に接続
される。

共通電極７２上には補助配線１５０が重なって密着している。補助配線１５０は、隔壁
３７に重なる位置にのみ配置されている。従って、発光領域Ａにおいては、補助配線１５
０の第１部分１５０ａは画素電極７６に接触しないように格子状に形成されている。回路
領域Ｂにおいて、補助配線１５０の第２部分１５０ｂは、最も外側の隔壁３７に重なる位
置に配置され、第２電極用電源線１４０にも重なっている。補助配線１５０および共通電
極７２は、最も外側にある隔壁３７で終端し、周辺回路には重ならない。隔壁３７に重な
る位置で、補助配線１５０はコンタクトホールＣＨにも入っており、コンタクトホールＣ
Ｈ内で共通電極７２が第２電極用電源線１４０に直接接触する部分に重なって第２電極用
電源線１４０に直接接触している。共通電極７２のインピーダンスを下げるため、補助配
線１５０の材料としては抵抗率が小さい導電材料が好ましい。但し、共通電極７２と同じ
材料で形成してもよい。

この実施形態では、周辺回路（走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ
回路１２０）には共通電極７２も補助配線１５０も重なっていないため、周辺回路と共通
電極７２または補助配線１５０の隙間に寄生容量が発生することがない。従って、周辺回
路から伝送される信号（例えば走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ内のシフトレジスタが
上記のように走査線１１１を選択するために発生するシフトパルス）の劣化を抑制するこ
とができる。

この実施の形態では、基板３０の外端縁だけでなく、回路領域Ｂの大部分の領域には、
回路段差平坦化膜３５が形成されず、周辺回路上の領域にて、緻密でガス透過率が低い材
料から形成された回路保護膜３４に、やはり緻密でガス透過率が低い材料から形成された
電極保護膜８０が接合されている。また、周辺回路上の領域にて、回路保護膜３４に、や
はり緻密でガス透過率が低い材料から形成されたガスバリア層８４が接合されている。

上述のように第２電極用電源線１４０に重なる位置では、共通電極７２はコンタクトホ
ールＣＨに入っており第２電極用電源線１４０に直接接触している。しかし、第２電極用
電源線１４０に重ならない部分では、共通電極７２および補助配線１５０は、第２電極用
電源線１４０に対して、回路段差平坦化膜３５（および場所により隔壁３７）を挟んだ異
なる層に形成されている。このように、コンタクトホールＣＨでは他の部分との段差が生
じるために、これに伴い共通電極７２に段差による断線が生ずることがある。しかし、共
通電極７２にこのような段差による断線が生じたとしても、コンタクトホールＣＨ内で補
助配線１５０が共通電極７２に重なって直接接触しているために、補助配線１５０によっ
て第２電極用電源線１４０と共通電極７２の電気的接続が維持される。

＜変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が
可能である。
また、上述した各実施形態においては、共通電極７２はＯＬＥＤ素子７０の陰極であっ
たが、陽極であってもよい。
さらに、上述した各実施形態において、補助配線１５０および画素電極７６を、遮光性
を有する金属材料、例えばアルミニウムの層と、透明酸化物導電材料、例えばＩＴＯ、Ｉ
ＺＯ、またはＺｎＯ_２等の層の２層で構成してもよい。このような透明酸化物導電材料は
ガス透過率が低いため、例えば、外気や硬化後の発光素子段差平坦化膜８２で発生するガ
スや不純物から、周辺回路を保護することができる。
くわえて、上述した各実施形態において発光領域Ａに補助配線１５０を格子状に配置し
たが、これを設けなくてもよい。
上述した各実施形態においては、すべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として単一の共通電
極７２が設けられているが、複数の共通電極を設けて、それぞれの共通電極が異なるＯＬ
ＥＤ素子７０の陰極となるように配置してもよい。

上述した実施の形態においては、第１の領域B１では隔壁３７と回路段差平坦化膜３５
が重なって形成され、第２の領域B２では隔壁３７がなく回路段差平坦化膜３５が形成さ
れ、第３の領域B３では隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない。但し、第
１の領域B１では隔壁３７と回路段差平坦化膜３５が重なって形成され、第２の領域B２で
は回路段差平坦化膜３５がなく隔壁３７が形成され、第３の領域B３では隔壁３７も回路
段差平坦化膜３５も形成されていないような変形も可能である。特に、第２および第３実
施形態をこのように変形してもよい。このように変形すると、第１の領域B１と第２の領
域B２の境界における共通電極７２の屈曲角度が緩和され、この部分への応力集中が抑制
される。

上述した実施の形態においては、第２電極用電源線１４０に共通電極７２が重なってお
り、この重なり部分にて補助配線１５０が共通電極７２に重なっているが、第２電極用電
源線１４０に共通電極７２が重ならず、これらの間を補助配線１５０で接続してもよい。
共通電極７２を陰極として用いる場合には、その材料は一般に仕事関数が低く反応性が高
いので、できる限り封止部分（ガスバリア層８４と基体（電極保護膜８４）の接触する部
分）から遠ざけることが好ましい。第２電極用電源線１４０に共通電極７２が重ならない
ようにすれば、共通電極は基板上の内側の部分で終端させることができ、封止部分から共
通電極７２を遠い位置に配置することが容易である。
この場合には、周辺回路は、共通電極７２により覆われていなくてもよいが、上述した
実施の形態と同様に、周辺回路を覆うように共通電極７２と補助配線１５０が配置され、
周辺回路上において共通電極７２と補助配線１５０が積層されていれば、共通電極７２と
補助配線１５０が広い面積で面接触し、これらを低抵抗で接続できる。

＜応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図９は、上記実施
形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成
を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１
と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボ
ード２００２が設けられている。この発光装置１（１Ａ，２，３）はＯＬＥＤ素子７０を
用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。

図１０に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３
０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装
置としての発光装置１（１Ａ，２，３）を備える。スクロールボタン３００２を操作する
ことによって、発光装置１（１Ａ，２，３）に表示される画面がスクロールされる。

図１１に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１お
よび電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１（１Ａ，２，３）を備
える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報
が発光装置１に表示される。

本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図９から図１１に示したものの
ほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページ
ャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電
話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して
潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプ
レーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に補助配線および画素電極をさらに形成した状態を示す平面図である。 同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。 図１(Ｂ）の一部の拡大図である。 同装置の部分断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の部分断面図である。 （Ａ）は本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に共通電極をさらに形成した状態を示す平面図である。 図６(Ｂ）の状態の後に補助配線をさらに形成した状態を示す平面図である。 同装置の部分断面図である。 本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。

符号の説明

１，１Ａ，２，３…発光装置、３０…基板、７０…ＯＬＥＤ素子（発光素子、有機ＥＬ
素子）、３４…回路保護膜、３５…回路段差平坦化膜、３７…隔壁、７２…共通電極（第
２電極）、７４…発光機能層、７６…画素電極（第１電極）、８０…電極保護膜、８２…
発光素子段差平坦化膜、８４…ガスバリア層、１００Ａ，１００Ｂ…走査線駆動回路（周
辺回路）、１１１…走査線、１１２…データ線、１１３…電源供給線、１２０…プリチャ
ージ回路（周辺回路）、１４０…第２電極用電源線、１５０…補助配線、Ａ…発光領域、
Ｂ…回路領域、Ｂ１…第１の領域、Ｂ２…第２の領域、Ｂ３…第３の領域、Ｐ…単位回路
（画素回路）。

Claims (5)

1. 基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記複数の画素回路の各々は発
   光素子を有し、前記発光素子は第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極の
   間に挟まれた発光層を有し、前記第２電極は複数の画素回路に共通に設けられた共通電極
   である発光装置であって、
   基板上の前記発光領域の外側に設けられ、前記第２電極に電位を供給するための第２電
   極用電源線と、
   前記第２電極に電気的に接続されているとともに前記第２電極用電源線に電気的に接続
   されている補助配線とを備え、
   前記第２電極用電源線は、前記第２電極が前記第２電極用電源線に重なって電気的に接
   続される部分を有しており、前記補助配線がこの部分に重なって前記第２電極に直接接触
   していることを特徴とする発光装置。
2. 前記画素回路は前記発光素子を発光させるための半導体素子を有しており、
   前記半導体素子と前記発光素子の間の層に配置され、前記半導体素子側の面と、前記発
   光素子側の面とを有しており、前記半導体素子側の面の凹凸よりも前記発光素子側の面の
   凹凸が小さい回路段差平坦化膜を備え、
   前記回路段差平坦化膜は、前記基板上の前記発光領域およびその外側に配置されており
   、
   前記第２電極用電源線および前記第２電極は、前記回路段差平坦化膜を挟んだ異なる層
   に形成されているとともに、前記基板上の前記発光領域の外側の前記回路段差平坦化膜が
   配置されていない部分で電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光
   装置。
3. 前記第１電極と前記第２電極の間に配置されて、前記複数の発光素子を互いに区分する
   複数の隔壁とを備え、
   前記基板上における内側には前記隔壁と前記回路段差平坦化膜が重なって形成されてい
   る第１の領域があり、その外側には前記隔壁と前記回路段差平坦化膜の一方が形成されて
   いる第２の領域があり、さらにその外側には前記隔壁も前記回路段差平坦化膜も形成され
   ていない第３の領域があり、
   前記第３の領域に前記第２電極用電源線が配置されており、
   前記第２電極は、前記第１の領域、前記第２の領域および前記第３の領域に重なること
   を特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記基板上における前記発光領域の外側に配置され、前記複数の画素回路の駆動または
   検査に関係する信号を生成する周辺回路を備え、
   前記第２電極および前記補助配線は、前記周辺回路を覆っており、前記周辺回路を覆う
   位置で積層されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発
   光装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。

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