JP2020535629A - 透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板およびその製造方法に関する。
透明基材;前記透明基材上に備えられた接着層;ならびに前記接着層の内部に埋め込まれた配線電極部および発光素子実装部を含み、
前記配線電極部は、第1金属箔パターンを含み、前記第1金属箔パターンの上部面および側面ともに黒化層を含み、
前記発光素子実装部は、第2金属箔パターンを含み、前記第2金属箔パターンの側面にのみ黒化層を含むものである透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板を提供する。
透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔(metal foil)を含む構造体を形成するステップと、
前記金属箔をパターニングして、第1金属箔パターンを含む配線電極部および第2金属箔パターンを含む発光素子実装部を形成するステップと、
前記第1金属箔パターンおよび第2金属箔パターンの上部面および側面ともに黒化層を形成するステップと、
前記黒化層を含む構造体を70℃〜100℃の温度で熱処理して、前記第1金属箔パターンおよび第2金属箔パターンを前記接着層の内部に埋め込むが、前記第2金属箔パターンの上部面は露出させるステップと、
前記第2金属箔パターンの上部面に備えられた黒化層を除去するステップとを含む透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板の製造方法を提供する。
本出願において、「透明」とは、可視光線領域(400nm〜700nm)において約80%以上の透過率特性を有することを意味する。
本出願の一実施態様において、前記第1共通電極配線部は、(+)共通電極配線部であり、前記第2共通電極配線部は、(−)共通電極配線部であってもよい。また、前記第1共通電極配線部は、(−)共通電極配線部であり、前記第2共通電極配線部は、(+)共通電極配線部であってもよい。
<実施例1>
本出願に用いた原材料は、一般的に、CCL(Cu Clad laminated)で広く知られた構造と同一の銅箔貼り合わせフィルムであり、接着層を透明基材に形成した後、銅箔と熱貼り合わせして製造した。接着層用コーティング溶液は、シラン変性エポキシ樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、およびフェノキシ樹脂をそれぞれ35:33:30の重量比率で投入し、MEK(methyl ethyl ketone)で希釈して製造した。用意された溶液を100μmの厚さのPETフィルム上にコンマコーティングと130℃で3分間高温乾燥工程により接着層を25μmの厚さに形成した。ILJIN MATERIALS社のLPF製品は、CCL作製時に、銅箔(厚さ8μm)と接着層との物理的な結合に有利となるように一方の面にノジュールが形成されているマット(Matt)面を有しており、この面が接着層に対向するように、100℃の温度を有するロールラミネータを用いて1.0m/minの速度で貼り合わせることにより、銅箔貼り合わせフィルムを製造した。
実施例1において、接着層の厚さを30μmに形成したことを除けば、前記実施例1と同様に行った。
実施例1において、第1金属箔パターンの共通電極配線部パターンをピッチが長軸400μm、短軸200μmの長方形のブロック形状に調節したことを除けば、前記実施例1と同様に行った。
実施例3において、第1金属箔パターンの線幅を約30μmに形成したことを除けば、前記実施例3と同様に行った。
実施例3において、第1金属箔パターンの線幅を約40μmに形成したことを除けば、前記実施例3と同様に行った。
実施例1において、金属パターンを接着層に埋め込むための熱貼り合わせ工程を行わないことを除けば、前記実施例1と同様に行った。
実施例1において、第2金属箔パターンの表面の黒化層を除去する工程を行わないことを除けば、前記実施例1と同様に行った。
1)金属パターンの埋め込み特性評価
実施例1および2の金属パターンの接着層内の埋め込み度を評価し、その結果を下記の図3および図4に示した。より具体的には、下記の図3は、実施例1の接着層の気泡を観察した結果と金属パターンの交差部を観察した結果であり、接着層に気泡が発生せず、第1金属箔パターンは接着層に90%の埋め込み度を有することを確認することができた。また、下記の図4は、実施例2の接着層の気泡を観察した結果と金属パターンの交差部を観察した結果であり、接着層に気泡が発生せず、第1金属箔パターンは接着層に99%の埋め込み度を有することを確認することができた。
実施例1および比較例1の金属パターンの外力による耐久性を比較した。前記耐久性は、重量500g、速度300mm/s、距離15mmの条件で鉛筆硬度を測定する方法で行った。鉛筆硬度に応じて垂直な方向に配置された金属パターンの変形、断線発生の有無で判断して、その結果を下記の図5および図6に示した。
実施例1および比較例2に対して、発光素子実装部の黒化層除去の有無によるソルダー材料のリフロー特性を評価し、その結果を下記の図7および図8に示した。
20:接着層
30:配線電極部
40:発光素子実装部
50:黒化層
60:第1金属箔パターンの線幅
70:第1金属箔パターンの厚さ
80:第1金属箔パターンのピッチ
90:第1金属箔パターンの上部面
100:第1金属箔パターンの側面
110:第2金属箔パターンの上部面
120:第2金属箔パターンの側面
Claims (16)
- 透明基材;前記透明基材上に備えられた接着層;ならびに前記接着層の内部に埋め込まれた配線電極部および発光素子実装部を含み、
前記配線電極部は、第1金属箔パターンを含み、前記第1金属箔パターンの上部面および側面ともに黒化層を含み、
前記発光素子実装部は、第2金属箔パターンを含み、前記第2金属箔パターンの側面にのみ黒化層を含むものである透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。 - 前記接着層の厚さは、前記第1金属箔パターンの厚さ対比2.5倍以上である、請求項1に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記接着層は、シラン変性エポキシ樹脂、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、開始剤、およびシランカップリング剤を含むものである、請求項1または2に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記透明基材に対向する前記第1金属箔パターンの面の十点平均粗さ(Rz)は0.5μm超過である、請求項1から3のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記第1金属箔パターンの線幅は50μm以下であり、ピッチは100μm〜1,000μmであり、厚さは3μm〜20μmである、請求項1から4のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記第1金属箔パターンの線幅は30μm以下であり、
前記第1金属箔パターンは、接着層に90%以上の埋め込み度を有し、
前記埋め込み度は、第1金属箔パターンの上部面積全体を基準として接着層の内部に埋め込まれた第1金属箔パターンの上部面積の比率を意味するものである、請求項1から5のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。 - 前記第1金属箔パターンおよび第2金属箔パターンは、銅箔パターンまたはアルミニウム箔パターンを含むものである、請求項1から6のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記配線電極部は、第1共通電極配線部、第2共通電極配線部、および信号電極配線部を含むものである、請求項1から7のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記第1共通電極配線部、第2共通電極配線部、および信号電極配線部は、それぞれ前記第1金属箔パターンを含み、
前記第1共通電極配線部、第2共通電極配線部、および信号電極配線部の第1金属箔パターンは、それぞれ断線部によって互いに分離され、
前記断線部の幅は80μm以下である、請求項8に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。 - 前記発光素子実装部は、前記第1共通電極配線部、第2共通電極配線部、および信号電極配線部と電気的に連結される少なくとも4つの電極パッド部を含むものである、請求項9に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 前記少なくとも4つの電極パッド部は、2つの信号電極パッド部、1つの第1共通電極パッド部、および1つの第2共通電極パッド部を含むものである、請求項10に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板。
- 透明基材、前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔(metal foil)を含む構造体を形成するステップと、
前記金属箔をパターニングして、第1金属箔パターンを含む配線電極部および第2金属箔パターンを含む発光素子実装部を形成するステップと、
前記第1金属箔パターンおよび第2金属箔パターンの上部面および側面ともに黒化層を形成するステップと、
前記黒化層を含む構造体を70℃〜100℃の温度で熱処理して、前記第1金属箔パターンおよび第2金属箔パターンを前記接着層の内部に埋め込むが、前記第2金属箔パターンの上部面は露出させるステップと、
前記第2金属箔パターンの上部面に備えられた黒化層を除去するステップとを含む透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板の製造方法。 - 前記透明基材上に備えられた接着層、および前記接着層上に備えられた金属箔(metal foil)を含む構造体を形成するステップは、
金属箔上に接着層を形成し、前記接着層上に透明基材を形成するステップ、または
透明基材上に接着層を形成し、前記接着層上に金属箔を形成するステップを含ものである、請求項12に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板の製造方法。 - 前記熱処理するステップの前の前記接着層の表面の十点平均粗さ(Rz)は0.5μm超過であり、
前記熱処理するステップの後の前記接着層の表面の十点平均粗さ(Rz)は0.1μm以下である、請求項12または13に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板の製造方法。 - 前記黒化層を形成するステップは、銅、セレン、コバルト、ニッケル、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、これらの酸化物、およびこれらの水酸化物のうちの1種以上を含むめっき溶液を用いためっき工程により行われるものである、請求項12から14のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の透明発光素子ディスプレイ用埋め込み型電極基板を含む透明発光素子ディスプレイ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023161537A (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-07 | ジュンチョル コ | Smpsと一体化した透明ledディスプレイ装置とその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102681185B1 (ko) | 2021-09-24 | 2024-07-04 | 한국기계연구원 | 마이크로 엘이디 표시모듈 및 이의 제조방법 |
CN114020171B (zh) * | 2021-11-05 | 2022-07-12 | 深圳市志凌伟业光电有限公司 | 金属感测电极结构的制作方法、触控显示设备及移动终端 |
CN114639309A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-06-17 | 蚌埠晶显科技有限公司 | 一种柔性透明显示屏及其制作方法 |
CN114489378A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-13 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 金属网格触摸屏及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04263493A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2007156058A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
WO2008096464A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板及びそのプリント配線板の製造方法 |
JP2013235315A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネルセンサ |
JP2015197543A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 実装基板および電子機器 |
JP2017211826A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW513820B (en) * | 2001-12-26 | 2002-12-11 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and its manufacturing method |
KR20040081225A (ko) | 2003-03-14 | 2004-09-21 | 엘지마이크론 주식회사 | 디스플레이 장치용 전자파 차폐필터의 제조방법 |
WO2005067362A1 (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Nippon Denkai, Ltd. | 電磁波シールドフィルタ用銅箔及び電磁波シールドフィルタ |
TWI403761B (zh) | 2005-02-15 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 透光性導電性膜之製法 |
WO2007111268A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ube Industries, Ltd. | 銅配線ポリイミドフィルムの製造方法および銅配線ポリイミドフィルム |
JP2008024887A (ja) | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Bridgestone Corp | 光学フィルタ用粘着層、光学フィルタ及びこれを備えたディスプレイ並びにプラズマディスプレイパネル |
JP2008030992A (ja) | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Canon Inc | 基板の製造方法、配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子源および画像表示装置 |
JP2008047655A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
EP2009977A3 (en) * | 2007-05-09 | 2011-04-27 | FUJIFILM Corporation | Electromagnetic shielding film and optical filter |
KR20090019387A (ko) | 2007-08-21 | 2009-02-25 | 엘지마이크론 주식회사 | 광학 필터 및 이의 제조 방법 |
CN101897247A (zh) * | 2007-12-12 | 2010-11-24 | 株式会社普利司通 | 光学滤波器、显示器用光学滤波器以及具有该光学滤波器的显示器和等离子体显示器面板 |
JP2010021480A (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Bridgestone Corp | ディスプレイ用光学フィルタ、及びこれを用いたディスプレイ |
JP5548428B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-07-16 | 藤森工業株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム |
TWI466139B (zh) * | 2010-07-22 | 2014-12-21 | Panasonic Corp | 導電性薄膜的製造方法 |
KR101398385B1 (ko) * | 2010-08-16 | 2014-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널 |
JP5652252B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
US9513730B2 (en) * | 2011-05-20 | 2016-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Conductive substrate and touch panel comprising same |
CN103582304B (zh) | 2012-07-30 | 2016-08-03 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 透明印刷电路板及其制作方法 |
US9483147B2 (en) | 2013-03-30 | 2016-11-01 | Shenzhen O-Film Tech Co., Ltd. | Monolayer touch screen and method for manufacturing the same |
CN103412661B (zh) * | 2013-03-30 | 2015-04-08 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 单层触摸屏及其制备方法 |
KR20150033169A (ko) | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치 |
KR101422270B1 (ko) | 2014-01-13 | 2014-07-24 | 와이엠티 주식회사 | 터치 스크린 센서용 메탈 메쉬의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 터치 스크린 센서 |
TWI666582B (zh) | 2014-06-24 | 2019-07-21 | 日商Vts觸控感測器股份有限公司 | 觸控感測器基板之製造方法 |
SG11201610858RA (en) * | 2014-06-30 | 2017-01-27 | 3M Innovative Properties Co | Metallic microstructures with reduced-visibility and methods for producing same |
KR101784406B1 (ko) | 2015-02-25 | 2017-10-12 | 금호전기주식회사 | 투명 전광 장치 |
CN113130725B (zh) * | 2015-03-31 | 2024-09-24 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
JP6558034B2 (ja) | 2015-04-03 | 2019-08-14 | 大日本印刷株式会社 | Led素子用のフレキシブル多層回路基板及びそれを用いたledドットマトリックス表示装置 |
JP6620464B2 (ja) | 2015-08-26 | 2019-12-18 | 大日本印刷株式会社 | フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のled表示装置 |
JP6572083B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-09-04 | 大日本印刷株式会社 | 発光素子用基板、モジュール及び発光素子用基板の製造方法 |
US10407236B2 (en) | 2015-12-21 | 2019-09-10 | Philip Morris Products S.A. | Container for consumer goods with sliding inner frame |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
KR102529665B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2023-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
CN109390456A (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-26 | 亿光电子工业股份有限公司 | 一种led封装结构及其制造方法 |
-
2019
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04263493A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2007156058A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
WO2008096464A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板及びそのプリント配線板の製造方法 |
JP2013235315A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネルセンサ |
JP2015197543A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 実装基板および電子機器 |
JP2017211826A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023161537A (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-07 | ジュンチョル コ | Smpsと一体化した透明ledディスプレイ装置とその製造方法 |
Also Published As
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