CN111083936B - 用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法 - Google Patents
用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111083936B CN111083936B CN201980003961.9A CN201980003961A CN111083936B CN 111083936 B CN111083936 B CN 111083936B CN 201980003961 A CN201980003961 A CN 201980003961A CN 111083936 B CN111083936 B CN 111083936B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal foil
- foil pattern
- adhesive layer
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 239
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 239
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 198
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009823 thermal lamination Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Abstract
根据本申请的一个实施方案的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板包括:透明基板;设置在透明基板上的粘合剂层;以及嵌入粘合剂层中的布线电极部和发光器件安装部,并且布线电极部包括第一金属箔图案并且包括在第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上的黑化层,以及发光器件安装部包括第二金属箔图案并且包括仅在第二金属箔图案的侧表面上的黑化层。
Description
技术领域
本申请要求于2018年8月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0096601号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本申请涉及用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法。
背景技术
近来,在韩国,仅通过先进的ICT技术和LED技术的融合在公园和市中心产生彩色标志和各种户外照明,以向市民提供信息和吸引力。特别地,利用ITO透明电极材料的透明LED显示器可以通过不可见的电线产生豪华的效果,在所述透明LED显示器中在玻璃与玻璃之间施加LED,或者将采用LED的透明膜附接在玻璃的一个表面上。因此,透明LED用于旅馆、百货商店等中的室内设计,并且在实现建筑物外墙的媒体立面方面具有日益增加的重要性。
随着智能设备的普及,对透明且带电并且用于触摸屏的透明电极的需求急剧增加,并且透明电极中最常用的透明电极是作为铟和锡的氧化物的氧化铟锡(ITO)。然而,作为ITO透明电极材料的主要原料的铟在世界范围内储量不足,仅在包括中国等的一些国家生产,并且具有高的生产成本。此外,电阻值不恒定地施加到ITO,因此,所表示的LED光不表示期望的亮度并且不是恒定的。因此,利用ITO的透明LED在用作具有高性能和低成本的透明电极材料方面受到限制。
确实,已经使用ITO作为透明电极材料,同时占据了最大的部分,但是由于经济和有限的性能的限制,不断进行利用新材料的研究和技术开发。作为下一代新材料引起关注的透明电极材料可以包括金属网格(网格金属)、纳米线(Ag纳米线)、碳纳米管(CNT)、导电聚合物、石墨烯等。其中,作为占替代ITO的材料的85%的新材料的金属网格具有低成本和高电导率,因此,金属网格的市场在利用方面得到扩大。
与现有的ITO透明显示器相比,利用金属网格的透明LED显示器更易于维护,表现出资源节省和防止环境污染,并且由于降低了制造成本而是经济的。此外,透明LED显示器可以被扩展并应用于各种用途,因此,由于新的透明电极材料,有可能将透明LED显示器应用于和用于各种产品。
发明内容
技术问题
本申请致力于提供用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法。
技术方案
本申请的一个实施方案提供了用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板,其包括:透明基板;设置在透明基板上的粘合剂层;以及嵌入粘合剂层中的布线电极部和发光器件安装部,其中布线电极部包括第一金属箔图案并且包括在第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上的黑化层,以及发光器件安装部包括第二金属箔图案并且包括仅在第二金属箔图案的侧表面上的黑化层。
此外,本申请的另一个实施方案提供了用于制造用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的方法,所述方法包括:形成包括透明基板、设置在透明基板上的粘合剂层和设置在粘合剂层上的金属箔的结构;通过使金属箔图案化来形成布线电极部的第一金属箔图案和发光器件安装部的第二金属箔图案;在第一金属箔图案和第二金属箔图案的上表面和侧表面两者上形成黑化层;通过在70℃至100℃的温度下对包括黑化层的结构进行热处理来使第一金属箔图案和第二金属箔图案嵌入粘合剂层中,并使第二金属箔图案的上表面暴露;以及去除设置在第二金属箔图案的上表面上的黑化层。
此外,本申请的又一个实施方案提供了包括用于发光器件显示器的嵌入式电极基板的透明发光器件显示器。
有益效果
根据本申请的一个实施方案,由于通过使用低成本金属箔形成金属箔图案,因此在制造用于透明发光器件显示器的电极基板时可以节约原料成本。特别地,根据本申请的一个实施方案,在粘合剂层上形成金属箔图案,然后在70℃至100℃的温度下热处理以制造其中金属箔图案嵌入粘合剂层中的嵌入式电极基板。
此外,根据本申请的一个实施方案,在粘合剂层上形成金属箔图案,然后在70℃至100℃的温度下热处理,以防止取决于金属箔表面的照度的电极基板的雾度增加。
此外,根据本申请的一个实施方案,由于在布线电极部的第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上设置有黑化层,因此可以降低用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的可见性。
此外,由于黑化层设置在布线电极部的第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上,而不设置在发光器件安装部的第二金属箔图案的上表面上,因此在制造透明发光器件显示器时保持设置在发光器件安装部上的焊料的附着力。
附图说明
图1是示意性地示出根据本申请的一个实施方案的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的图。
图2是示意性地示出根据本申请的一个实施方案的用于制造用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的方法的图。
图3和图4是分别示出作为本申请的一个实施方案的实施例1和2中的取决于粘合剂层的厚度的电极图案的嵌入特性的图。
图5和图6是分别示出作为本申请的一个实施方案的实施例1和比较例1中的电极图案的耐久性的比较的图。
图7和图8是分别示出作为本申请的一个实施方案的根据实施例1和比较例2的取决于发光器件安装部中是否存在黑化层的焊料材料回流特性的比较的图。
图9是示意性地示出根据本申请的一个实施方案的第一金属箔图案的线宽、厚度和间距的图。
图10是示意性地示出根据本申请的一个实施方案的第一金属箔图案和第二金属箔图案的上表面和侧表面的图。
图11至图13是分别示出作为本申请的一个实施方案的实施例3至5中的电极图案的嵌入特性的图。
[附图标记说明]
10:透明基板
20:粘合剂层
30:布线电极部
40:发光器件安装部
50:黑化层
60:第一金属箔图案的线宽
70:第一金属箔图案的厚度
80:第一金属箔图案的间距
90:第一金属箔图案的上表面
100:第一金属箔图案的侧表面
110:第二金属箔图案的上表面
120:第二金属箔图案的侧表面
具体实施方式
在下文中,将详细描述本申请。
在本申请中,“透明”被认为意指“透明”在可见光区域(400nm至700nm)中具有约80%或更大的透射特性。
透明LED显示器通过信息提供服务和景观渲染向市民提供各种吸引力,并且在各个领域中对透明LED显示器的需求增加。迄今为止,确实已经使用ITO作为透明电极材料,同时占据了最大的部分,但是由于经济和有限的性能的限制,不断地进行利用新材料的研究和技术开发。
更具体地,在相关领域中实现透明LED显示器中,通过引入Ag纳米线或透明金属氧化物(ITO、IZO等)来形成透明电极线。然而,由于Ag纳米线或透明金属氧化物(ITO、IZO等)具有高电阻,因此在LED驱动数量方面存在限制,结果,在增加透明LED显示器的面积方面存在限制。此外,为了降低电阻,当Ag纳米线或透明金属氧化物的厚度增加时,存在透明LED显示器的差的透射率。
因此,在本申请中,旨在将金属电极应用于透明发光器件显示器的电极基板,以提供具有优异的电阻特性和可见性的透明发光器件显示器。当应用金属电极时,其在可以确保低电阻方面是有利的,但是由于反射率和黄色指数(yellow index,YI)的增加而使外观可见性增加。为了抑制这种现象,当在金属电极的表面上形成黑化层时,可能发生焊料在LED安装部上的附着力降低的问题。
此外,在应用于在透明基板上具有金属线的透明LED显示器的透明电极基板的情况下,需要确保70%或更大的透射率和0.5Ω/sq或更小的薄层电阻特性。为了确保透射率和薄层电阻特性,具有低的比电阻的铜沉积层需要具有1μm或更大的厚度。可以通过使用溅射、蒸镀和镀覆过程等在透明基板上形成1μm或更大的铜沉积层,但是在这种情况下,可能产生高沉积成本,并且可能发生在沉积过程期间铜沉积层的附着力的降低和下部透明基板的损坏。
此外,当通过使用粘合剂来层合低价铜箔和透明基板时,可以大大降低制造成本并且可以改善附着力,但是铜箔的表面粗糙度被转移到粘合剂的表面,因此,开口的雾度增加。
此外,通过将具有金属膜的透明基板选择性地去除为期望的形式的方案来制造用于一般透明电极的金属图案膜。因此,形成在透明基板上的金属图案具有与初始金属膜的厚度相同的高度,并且具有易受外部冲击影响的结构限制。为了解决这样的问题,提出了嵌入式电极基板,并且在需要与嵌入式电极基板的上部的电连接时,提出了用于制造具有半嵌入结构的金属图案的各种可用方法。
此外,为了制造具有优异的表面平坦度的嵌入式电极,可以使用这样的方法:其中在具有电极图案的透明基板上另外施加树脂层,然后去除存在于电极上的残留树脂层,或者在离型基板上形成电极图案然后在其上施加树脂层并固化,并且将电极转移到树脂层,但是在这种情况下,过程复杂并且制造成本增加。
在基于金属图案膜的透明电极基板中,金属特定的色感和高反射率增加了图案可见性而引起异物感,从而引入了用于减少异物感的黑化表面处理。在将器件安装在电极基板上时,通过使用焊料来施加可以电连接的附接层,并且热未充分地传递至黑化层上的焊料材料,因此,无法安装器件。因此,需要从发光器件安装部选择性地去除黑化层。
在相关领域中提出了选择性黑化方法,但是在嵌入金属图案之后不可能进行黑化,因此,需要用于在选择性黑化之后嵌入图案或者在嵌入图案之后选择性地去除黑化的方法。
因此,在本申请中,旨在提供用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板,其中电阻特性和可见性可以是优异的,并且可以保持LED安装部上的焊料附着力。
根据本申请的一个实施方案的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板包括:透明基板;设置在透明基板上的粘合剂层;以及嵌入粘合剂层中的布线电极部和发光器件安装部,并且布线电极部包括第一金属箔图案并且包括在第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上的黑化层,以及发光器件安装部包括第二金属箔图案并且包括仅在第二金属箔图案的侧表面上的黑化层。
在本申请的一个实施方案中,透明基板可以是具有优异的透明度、表面光滑度、易处理性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板,但不限于此,并且没有限制,只要其是电子器件中通常使用的透明基板即可。具体地,透明基板可以由以下制成:玻璃;氨基甲酸酯树脂;聚酰亚胺树脂;聚酯树脂;基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物树脂;和基于聚烯烃的树脂,例如聚乙烯或聚丙烯。此外,透明基板可以是具有80%或更大的可见光透射率的膜,例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环状烯烃聚合物(COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、乙酰赛璐珞等。透明基板的厚度可以为25μm至250μm,但不仅限于此。
在本申请的一个实施方案中,粘合剂层可以具有1.45至1.55的折射率并且在70℃或更高的温度下具有流动性。
在本申请中,可以通过棱镜耦合器(设备实例-Metricon Inc.的2010/M)、椭圆偏振计(设备实例-Horriba Scientific Inc.的UVISEL)、阿贝折射仪(设备实例-Kruss Inc.的AR4)等来测量粘合剂层的折射率。例如,可以通过使用棱镜耦合器测量在涂覆层上反射的光的量的变化来计算折射率。更具体地,通过诸如旋涂等的方法将待测量折射率的材料以几μm的厚度涂覆在玻璃或具有已知折射率的其他基板上,并使涂覆的样品与棱镜接触。此后,当激光入射到棱镜上时,大部分激光被完全反射,但是当满足特定的入射角和条件时,在界面上产生衰减波(消逝场),因此,光被耦合。当测量由检测器检测到的光的强度由于发生耦合而突然减小处的角度时,棱镜耦合器可以由与光的偏振模式有关的参数以及棱镜和基板的折射率自动计算粘合剂层的折射率。
此外,粘合剂层可以包含可热固化的粘合剂组合物或可UV固化的粘合剂组合物。更具体地,粘合剂层可以包含硅烷改性的环氧树脂、双酚A型苯氧基树脂、引发剂和硅烷偶联剂,但不仅限于此。
可以通过使用粘合剂组合物和通过诸如逗点涂覆、狭缝模头涂覆等的方法来形成粘合剂层,但不仅限于此。
粘合剂层的厚度可以为第一金属箔图案的厚度的至少2.5倍或2.5倍至5倍。更具体地,粘合剂层的厚度可以为8μm至100μm。
当满足粘合剂层的厚度范围时,在设置在粘合剂层上的金属箔图案的嵌入过程中,构成布线电极部的第一金属箔图案可以完全嵌入,而当粘合剂层的厚度在粘合剂层的厚度范围之外时,不可能使布线电极部完全嵌入,或者粘合剂层的流动性加剧,并且可能导致图案断开。更具体地,当与第一金属箔图案的厚度相比粘合剂层的厚度小于2.5倍时,不可能使第一金属箔图案完全嵌入,并且黑化层可能从布线电极部的上表面去除,因此,电极的可见性增加,并且在外观方面是不利的,并且气泡聚集在布线电极部之间的粘合剂层上,导致差的光学特性。此外,当与第一金属箔图案的厚度相比粘合剂层的厚度超过5倍时,在通过热层合过程的嵌入过程期间,粘合剂层的流动性加剧,因此,可能引起布线电极部图案的断开。
在本申请的一个实施方案中,第一金属箔图案的面向透明基板的表面的十点平均粗糙度Rz可以大于0.5μm。
在本申请的一个实施方案中,布线电极部可以包括第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部。此外,第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部全部可以包括其中线宽、线高和间距彼此相同的第一金属箔图案,并且第一金属箔图案可以设置在透明基板上的除发光器件安装部之外的有效屏幕部的整个区域中。在本申请中,线高具有与厚度相同的含义。
在本申请中,第一金属箔图案的线宽彼此相同的事实意指线宽的标准偏差为20%或更小,优选10%或更小,并且更优选5%或更小。此外,在本申请中,第一金属箔图案的线高彼此相同的事实意指线高的标准偏差为10%或更小,优选5%或更小,并且更优选2%或更小。此外,在本申请中,第一金属箔图案的间距彼此相同的事实意指间距的标准偏差为10%或更小,优选5%或更小,并且更优选2%或更小。
在本申请的一个实施方案中,第一金属箔图案可以设置在透明基板上的除其中设置有发光器件的区域之外的有效屏幕部的整个区域中。更具体地,第一金属箔图案可以设置在与透明基板上的全部面积相比面积为80%或更大的区域中,或者设置在面积为99.5%或更小的区域中。此外,基于透明基板的全部面积,第一金属箔图案可以设置在面积为除设置在透明基板上的FPCB焊盘部区域和发光器件焊盘部区域之外的面积的80%或更大的区域中,或者设置在面积为99.5%或更小的区域中。在本申请中,FPCB焊盘部区域可以包括用于施加外部电源的FPCB焊盘部,并且面积可以是FPCB焊盘部的总面积或更大或者FPCB焊盘部的总面积的3倍或更小。此外,在本申请中,发光器件部部区域可以包括电极焊盘部,并且面积可以是电极焊盘部的总面积的1.5倍或更大或者电极焊盘部的总面积的3倍或更小。
信号电极布线部可以设置在第一公共电极布线部与第二公共电极布线部之间。
在本申请的一个实施方案中,第一公共电极布线部可以是(+)公共电极布线部,第二公共电极布线部可以是(-)公共电极布线部。此外,第一公共电极布线部可以是(-)公共电极布线部,第二公共电极布线部可以是(+)公共电极布线部。
在本申请的一个实施方案中,沟道形成为这样的结构:其中信号电极布线部在(+)公共电极布线部与(-)公共电极布线部之间通过,并且电极线对于各发光器件不单独地出来,并且可以连接至(+)公共电极布线部和(-)公共电极布线部作为公共电极。
发光器件安装部是设置在其上通过使用焊料安装有发光器件的位置处的部件,并且可以在透明基板上设置两个或更多个发光器件安装部,并且发光器件的数量可以通过考虑到透明发光器件显示器的用途而由本领域技术人员适当地选择,并且没有特别限制。更具体地,发光元件的数量与电极的电阻有关,电极可以充分地具有低电阻,并且显示器的面积越大,发光器件的数量可以增加。当在相同面积中增加发光器件的数量时,分辨率变高,并且当在相同间隔下增加发光器件的数量时,显示器的面积增加,结果,可以减少电源单元的电线。因此,发光器件的数量可以通过考虑到透明发光器件显示器的用途而由本领域技术人员适当地选择。
在本申请的一个实施方案中,两个或更多个发光器件可以串联连接至信号电极布线部,并且可以串联连接至第一公共电极布线部和第二公共电极布线部。第一公共电极布线部和第二公共电极布线部可以提供足够的电流量以驱动发光器件,并且在发送发光器件的颜色信号的情况下,可以仅用低电流来发送信号,结果,第一公共电极布线部和第二公共电极布线部可以串联连接至信号电极布线部。当不同于本申请的结构,第一公共电极布线部和第二公共电极布线部分别并联连接至电源单元的电极以通过各电极驱动所有发光器件和所有发光器件的信号时,各个电极宽度全部必须彼此不同以根据发光器件的布置距离(连接至最远的发光器件的电极的宽度最大)调整电阻值,并且由于因为设置有多个发光器件的特征造成的电极布置区域的空间限制而难以配置具有低电阻的电极。
在本申请的一个实施方案中,第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部的第一金属箔图案可以分别通过断开部彼此分开。断开部意指其中第一金属箔图案的一部分被断开以破坏电连接的区域。断开部的宽度可以意指彼此间隔开的第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部的最相邻的末端之间的距离。断开部的宽度可以为80μm或更小、60μm或更小、40μm或更小、或者30μm,但不仅限于此。断开部的宽度可以为5μm或更大。
根据本申请的一个实施方案,使分别将第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部的第一金属箔图案分开的断开部的宽度最小化以减少布线认识。
在本申请的一个实施方案中,发光器件安装部可以包括第二金属箔图案并且包含与第一金属箔图案相同的材料。
第二金属箔图案的线宽可以为100μm或更大,或者可以在100μm至1,000μm的范围内,但不仅限于此。
在本申请中,发光器件安装部是设置在其上通过使用焊料安装有发光器件的位置处的部件,并且各发光器件安装部可以包括电连接至第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部的至少四个电极焊盘部。至少四个电极焊盘部可以包括两个信号电极焊盘部、一个第一公共电极焊盘部和一个第二公共电极焊盘部。两个信号电极焊盘部各自可以设置在信号电极布线部的末端作为发光器件的信号输入输出焊盘部,并且第一公共电极焊盘部和第二公共电极焊盘部可以分别设置在第一公共电极布线部和第二公共电极布线部的末端。
此外,电极焊盘部还可以包括在透明基板上的至少一个电容器焊盘部。在本申请的一个实施方案中,电极焊盘部可以包括两个电容器焊盘部。电容器焊盘部是附接有电容器的焊盘,并且电容器可以用于使供应给发光器件的电流稳定。
至少四个电极焊盘部的每个可以不包括金属网格图案,并且每个焊盘部的整个区域可以由金属制成。更具体地,由于电极焊盘部是被焊接的发光器件覆盖的部,因此电极焊盘部可以不包括金属网格图案,并且各焊盘部的整个区域可以由金属制成。
至少四个电极焊盘部之间的各间隔可以在0.1mm至1mm的范围内。通过考虑之后在焊膏的丝网印刷以形成发光器件时的容差,提供该间隔以防止短路。
电极焊盘部和电容器焊盘部的形状没有特别限制,并且可以是矩形。此外,电极焊盘部和电容器焊盘部的尺寸可以为0.1mm2至1mm2,但不仅限于此。
四个电极焊盘部可以接合至一个发光器件。即,在本申请的一个实施方案中,当在透明基板上设置多个发光器件时,每个发光器件可以接合至四个电极焊盘部。
在本申请的一个实施方案中,电极焊盘部的第一金属箔图案可以是金属网格图案。作为金属网格图案,可以使用本领域的图案形状。更具体地,金属网格图案可以包括多边形图案,该多边形图案包括三角形、四方形、五边形、六边形和八边形中的一种或更多种形状。
金属网格图案可以包括直线、曲线或由直线或曲线构成的闭合曲线。
由于第一金属箔图案设置在透明基板的上表面的除其中设置有发光器件安装部的区域之外的有效屏幕部的整个区域中,因此可以确保允许的最大布线区域,因此,可以改善透明发光器件显示器的电阻特性。更具体地,第一金属箔图案的薄层电阻可以为0.1Ω/sq或更小。
第一金属箔图案的间距可以为100μm至1,000μm、或100μm至600μm、和100μm至300μm,但是该间距可以由本领域技术人员根据期望的透射率或电导率来调整。
第一金属箔图案的材料没有特别限制,但是优选包含至少一种类型的金属和金属合金。第一金属箔图案可以包含金、银、铝、铜、钕、钼、镍、或其合金,但不仅限于此。特别地,第一金属箔图案和第二金属箔图案可以包括铜箔图案或铝箔图案。
第一金属箔图案的厚度没有特别限制,但在第一金属箔图案的电导率和形成方法的经济性方面可以为3μm或更大、或者3μm至20μm。
第一金属箔图案的线宽可以为50μm或更小、30μm或更小、25μm或更小、或者20μm或更小,但不仅限于此。第一金属箔图案的线宽越小,在透射率和电线认识方面可能是有利的,但是可能导致电阻减小,并且在这种情况下,当第一金属箔图案的厚度增加时,可以改善电阻减小。第一金属箔图案的线宽可以为5μm或更大。
第一金属箔图案的开口率(即,未被图案覆盖的面积比率)可以为70%或更大、85%或更大、或者95%或更大。
根据本申请的一个实施方案,将其中线宽、线高和间距相同的第一金属箔图案施加到第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部以减少布线认识。当第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部的第一金属箔图案的线宽、间距和线高不同时,布线电极部的认识可能不期望地增加。
此外,在下图9中示意性地示出了根据本申请的一个实施方案的第一金属箔图案的线宽60、厚度70和间距80。可以通过使用本领域已知的方法来测量第一金属箔图案的线宽、厚度和间距。例如,可以使用通过观察SEM截面来测量线宽、厚度和间距的方法,用非接触表面形状测量器(光学轮廓仪)来测量线宽、厚度和间距的方法,用触针表面台阶测量器(α台阶或表面轮廓仪)来测量线宽、厚度和间距的方法,等等。此外,可以通过测微计或厚度计来测量线宽、厚度和间距。
此外,下图10中示意性地示出了根据本申请的一个实施方案的第一金属箔图案和第二金属箔图案的上表面和侧表面。
根据本申请的一个实施方案,布线电极部的第一金属箔图案包括在上表面和侧表面两者上的黑化层,并且发光器件安装部的第二金属箔图案包括仅在侧表面上的黑化层。即,发光器件安装部的第二金属箔图案在上表面上不包括黑化层。如下所述,在第一金属箔图案和第二金属箔图案的上表面和侧表面两者上形成黑化层之后,可以选择性地去除形成在第二金属箔图案的上表面上的黑化层。
在本申请的一个实施方案中,第一金属箔图案的线宽可以为30μm或更小,并且第一金属箔图案在粘合剂层中的嵌入程度可以为90%或更大。在本申请中,嵌入程度可以意指基于第一金属箔图案的全部上部面积,第一金属箔图案的嵌入粘合剂层中的上部面积的比率,并且面积的大小可以通过显微镜观察来计算。嵌入的上部面积意指其中第一金属箔图案没有暴露的上部面积。
在热层合方案的图案嵌入过程中,粘合剂层瞬间变为接近于液相的状态,结果,粘合剂层穿透离型膜和金属箔图案的上界面。在本申请的一个实施方案中,在嵌入过程之后的显微镜观察时,可以看出,粘合剂层甚至穿透第二金属箔图案的上部约30μm,以覆盖图案的外周,但是由于发光器件安装部的线宽为500μm或更大,因此金属箔图案未完全嵌入,但是由于布线电极部图案的线宽窄至20μm或更小,因此布线电极部可以由于穿透电极的上部的粘合剂层而完全嵌入。
根据本申请的一个实施方案,嵌入式电极基板中的不具有第一金属箔图案和第二金属箔图案的区域的雾度可以为3%或更小。
下图1中示意性地示出了根据本申请的一个实施方案的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板。如下图所示,根据本申请的一个实施方案的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板包括:透明基板10;设置在透明基板10上的粘合剂层20;以及嵌入粘合剂层20中的布线电极部30和发光器件安装部40,并且布线电极部30包括第一金属箔图案并且包括在第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上的黑化层50,发光器件安装部40包括第二金属箔图案并且包括仅在第二金属箔图案的侧表面上的黑化层50。
根据本申请的一个实施方案的用于制造用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的方法包括:形成包括透明基板、设置在透明基板上的粘合剂层和设置在粘合剂层上的金属箔的结构;通过使金属箔图案化来形成布线电极部的第一金属箔图案和发光器件安装部的第二金属箔图案;在第一金属箔图案和第二金属箔图案的上表面和侧表面两者上形成黑化层;通过在70℃至100℃的温度下对包括黑化层的结构进行热处理来使第一金属箔图案和第二金属箔图案嵌入粘合剂层中,并使第二金属箔图案的上表面暴露;以及去除设置在第二金属箔图案的上表面上的黑化层。
在本申请的一个实施方案中,形成包括设置在透明基板上的粘合剂层和设置在粘合剂层上的金属箔的结构可以包括在金属箔上形成粘合剂层并在粘合剂层上形成透明基板,或者在透明基板上形成粘合剂层并在粘合剂层上形成金属箔。
在本申请的一个实施方案中,通过使金属箔图案化来形成布线电极部的第一金属箔图案和发光器件安装部的第二金属箔图案可以采用本领域已知的方法,例如光刻工艺。更具体地,用于形成第一金属箔图案和第二金属箔图案的方法可以包括在金属箔上形成抗蚀剂图案,然后蚀刻金属箔,并释放抗蚀剂图案,但不仅限于此。
第一金属箔图案和第二金属箔图案可以由包括至少一个具有相对高的十点平均粗糙度(Rz)的无光泽表面的金属箔制造。在这种情况下,金属箔的无光泽表面面向透明基板。
在本申请的一个实施方案中,可以通过使用包含铜、硒、钴、镍、锰、镁、钠、其氧化物及其氢氧化物中的至少一者的镀覆溶液的镀覆工艺来进行黑化层的形成。镀覆工艺可以是电解镀覆工艺、化学镀覆工艺等。
在本申请的一个实施方案中,可以通过在70℃至100℃的温度下热处理来使第一金属箔图案和第二金属箔图案嵌入粘合剂层中。特别地,根据本申请的一个实施方案,可以制造这样的嵌入式电极基板:其中通过在70℃至100℃的温度下热处理,第一金属箔图案和第二金属箔图案通过与具有优异的表面平坦度的膜热层合而嵌入到粘合剂层中。
在本申请的一个实施方案中,在70℃至100℃的温度下的热处理可以通过热层合工艺来进行,并且在这种情况下,可以将层合辊的温度设定为70℃至100℃。此外,层合速度可以以每分钟0.3m或更大至1m或更小来进行。特别地,在本申请的一个实施方案中,当第一金属箔图案的线宽为20μm或更小并且第二金属箔图案的线宽为100μm或更大时,第一金属箔图案与第二金属箔图案之间的嵌入程度的差异可以是足够的。
此外,在热处理之前粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)可以大于0.5μm,并且在热处理之后粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)可以为0.1μm或更小。此外,在热处理之前粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)可以大于0.5μm或小于3μm。此外,在热处理之后粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)可以大于0μm至0.1μm。当Rz为0.5μm或更小时,粘合剂层的表面由于低的不平整度而具有金属箔的独特的高反射率。因此,难以降低由其制造的透明电极基板的反射率,因此在由于高反射率而使图案容易被眼睛识别方面是不利的。此外,当Rz为0.5μm或更小时,金属箔与粘合剂层之间的附着力降低,结果,在形成金属箔图案的过程(光刻过程)期间,金属箔图案从粘合剂层释放。
即,当在透明基板上设置粘合剂层然后层合低价金属箔时,金属箔的表面粗糙度被转移到粘合剂层的表面,结果,最终产品的雾度可能增加。因此,根据本申请的一个实施方案,在粘合剂层上形成金属箔图案,然后在70℃至100℃的温度下与具有优异表面平坦度的膜热层合,以防止取决于金属箔表面的照度的透明电极基板的雾度增加。
根据本申请的一个实施方案的用于制造嵌入式电极基板的方法包括使粘合剂层完全固化。粘合剂层的完全固化可以包括在120℃或更高的温度下使粘合剂层热固化,或者使粘合剂层UV固化。
下图2中示意性地示出了根据本申请的一个实施方案的用于制造用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的方法。
此外,本申请的一个实施方案提供了透明发光器件显示器,其包括用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板。
透明发光器件显示器可以具有这样的结构:其中在用于透明发光器件显示器的电极基板的发光器件安装部上设置焊料,并且在焊料上设置发光器件。用于制造透明发光器件显示器的方法可以采用本领域已知的方法,不同之处在于使用根据本申请的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板。
发明实施方式
在下文中,将通过实施例描述本说明书中公开的实施方案。然而,实施方案的范围不旨在受以下实施例限制。
<实施例>
<实施例1>
通过在透明基板上形成粘合剂层然后将该粘合剂层与铜箔热层合来制造在本申请中使用的通常为铜箔层合膜(其与广泛知晓的覆Cu层合体(CCL)的结构相同)的原料。通过以35∶33∶30的重量比分别投入硅烷改性的环氧树脂、双酚A环氧树脂和苯氧基树脂并用甲基乙基酮(MEK)稀释投入的树脂来制备用于粘合剂层的涂覆溶液。通过将制备的溶液逗点涂覆在厚度为100μm的PET膜上并在130℃下进行高温干燥过程3分钟来形成厚度为25μm的粘合剂层。Iljin Materials Inc.的LPF产品具有在其一个表面上具有结节(nodule)的无光泽表面,从而在制造CCL时有利于铜箔(厚度为8μm)和粘合剂层的物理联接,并且表面通过使用温度为100℃的辊式层合机以1.0m/分钟的速度层合以便面向粘合剂层,以制造铜箔层合膜。
在100℃的温度下,将干膜抗蚀剂(dry film resist,DFR)热层合到制造的铜箔层合膜的铜箔的上部,通过使用负型光掩模以及与第一金属箔图案和第二金属箔图案相对应的准直曝光装置,用250mJ/cm2的光量的波长为365nm的UV进行曝光。通过其中顺序地进行显影、蚀刻和剥离的湿法过程在粘合剂层的上部形成不均匀结构的金属图案。在各个过程中使用的所有溶液都保持在室温下。使用1.0重量%的Na2CO3水溶液作为显影溶液,蚀刻溶液为包含氯化铁和盐酸的混合溶液,剥离溶液为2.0重量%的NaOH水溶液。将金属图案膜浸入黑化溶液中以在图案化的金属表面上形成黑化层。作为黑化溶液,使用通过以10重量%稀释YMT Inc.的YBM-100而获得的水溶液,并将该黑化溶液喷洒到图案膜上,并且该过程在其中可见光平均反射率小于20%的条件下进行。
通过使用100℃的辊式层合机以0.5m/分钟的速度热层合金属图案膜和厚度为50μm的离型PET膜(Optiver Korea Inc.的SLF050-060),以使粘合剂层的表面平坦化并使金属图案嵌入粘合剂层中。在层合离型膜的同时进行UV固化,并以5,000mJ/cm2的光量将波长为365nm的UV照射至PET膜表面。在固化完成之后,移除离型膜并进行半嵌入,并向嵌入的图案膜的表面喷洒基于盐酸和氯化铁的蚀刻剂,以从第二金属箔图案的上部暴露的表面去除黑化层。在室温过程下在10秒内去除发光器件安装部上的黑化层以制造嵌入的金属图案膜。
所制造的粘合剂层的折射率为1.48,并且第一金属箔图案的面向PET的表面的十点平均粗糙度(Rz)为1.63μm至2.54μm。此外,第一金属箔图案的线宽为20μm,间距为300μm,厚度为8μm,第二金属箔图案的线宽为500μm。
<实施例2>
在实施例2中,与实施例1类似地进行实施例2,不同之处在于粘合剂层的厚度为30μm。
<实施例3>
与实施例1类似地进行实施例3,不同之处在于将在实施例1中的第一金属箔图案的公共电极布线部图案调整为具有其中在长轴上的间距为400μm且在短轴上的间距为200μm的矩形块状。
<实施例4>
与实施例3类似地进行实施例4,不同之处在于在实施例3中第一金属箔图案的线宽为约30μm。
<实施例5>
与实施例3类似地进行实施例5,不同之处在于在实施例3中第一金属箔图案的线宽为约40μm。
<比较例1>
与实施例1类似地进行比较例1,不同之处在于不进行在实施例1中的用于使金属图案嵌入粘合剂层中的热层合过程。
<比较例2>
与实施例1类似地进行比较例2,不同之处在于不进行在实施例1中的从第二金属箔图案的表面去除黑化层的过程。
<实验例>
1)金属图案嵌入特性评估
评估实施例1和2中金属图案在粘合剂层中的嵌入程度,并且评估结果示于图3和4中。更具体地,下图3示出了观察实施例1中的粘合剂层的气泡的结果和观察金属图案的交叉部的结果,并且在粘合剂层中没有产生气泡,并且可以看出第一金属箔图案在粘合剂层中的嵌入程度为90%。此外,下图4示出了观察实施例2中的粘合剂层的气泡的结果和观察金属图案的交叉部的结果,并且在粘合剂层中没有产生气泡,并且可以看出第一金属箔图案在粘合剂层中的嵌入程度为99%。
此外,评估实施例3和4和实施例5中金属图案在粘合剂层中的嵌入程度,并且评估结果示于图11至13中。更具体地,下图11示出了观察实施例3的布线部电极的形状的结果,并且可以看出布线部电极在粘合剂层中的嵌入程度为95%。此外,下图12示出了观察实施例4的布线部电极的形状的结果,并且可以看出粘合剂层的嵌入程度为90%。此外,下图13示出了观察实施例5的布线部电极的形状的结果,并且可以看出布线部电极在粘合剂层中的嵌入程度为85%。因此,为了使第一金属箔图案在粘合剂层中的嵌入程度为90%或更大,更优选第一金属箔图案的线宽为30μm或更小。
2)比较由于外力导致的金属图案的耐久性
比较实施例1和比较例1中由于外力导致的金属图案的耐久性。在500g的重量、300mm/秒的速度和15mm的距离的条件下通过用于测量铅笔硬度的方法来比较耐久性。根据铅笔硬度确定在垂直方向上设置的金属图案是否变形和爆裂,并且结果示于下图5和6中。
更具体地,下图5示出了根据实施例1的结果,并且在4B、2B和HB的所有铅笔硬度的情况下,金属图案均没有变形或爆裂。此外,下图6示出了根据比较例1的结果,并且在4B、2B和HB的所有铅笔硬度的情况下,金属图案均变形或爆裂。
3)焊料材料回流特性评估
对于实施例1和比较例2,评估取决于是否从发光器件安装部中去除黑化层的焊料材料回流特性,并且结果示于下图7和8中。
更具体地,下图7示出了根据实施例1的结果,下图8示出了根据比较例2的结果。
如结果,根据本申请的一个实施方案,由于通过使用低成本金属箔来形成金属箔图案,因此在制造用于透明发光器件显示器的电极基板时可以节省原料成本。特别地,根据本申请的一个实施方案,在粘合剂层上形成金属箔图案,然后在70℃至100℃的温度下热处理以制造其中金属箔图案嵌入粘合剂层中的嵌入式电极基板。
此外,根据本申请的一个实施方案,在粘合剂层上形成金属箔图案,然后在70℃至100℃的温度下热处理,以防止取决于金属箔表面的照度的电极基板的雾度增加。
此外,根据本申请的一个实施方案,由于在布线电极部的第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上设置黑化层,因此可以降低用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的可见性。
此外,由于黑化层仅设置在布线电极部的第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上,而不设置在发光器件安装部的第二金属箔图案的上表面上,因此在制造透明发光器件显示器时保持设置在发光器件安装部上的焊料的附着力。
Claims (12)
1.一种用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板,包括:
透明基板;
设置在所述透明基板上的粘合剂层;以及
嵌入所述粘合剂层中的布线电极部和发光器件安装部,
其中所述布线电极部包括第一金属箔图案并且包括在所述第一金属箔图案的上表面和侧表面两者上的黑化层,
所述发光器件安装部包括第二金属箔图案并且包括仅在所述第二金属箔图案的侧表面上的所述黑化层,
其中所述第一金属箔图案的线宽为30μm或更小,以及所述第二金属箔图案的线宽为100μm或更大,
所述第一金属箔图案在所述粘合剂层中的嵌入程度为90%或更大,以及
所述嵌入程度意指基于所述第一金属箔图案的全部上部面积,所述第一金属箔图案的嵌入所述粘合剂层中的上部面积的比率,
其中通过在70℃至100℃的温度下对包括所述黑化层的结构进行热处理来使所述第一金属箔图案和所述第二金属箔图案嵌入所述粘合剂层中,并使所述第二金属箔图案的上表面暴露,在热处理前所述粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)大于0.5μm;
其中所述第一金属箔图案的面向所述透明基板的表面的十点平均粗糙度(Rz)大于0.5μm,以及
其中热处理之后所述粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)为0.1μm或更小;以及
其中所述粘合剂层的厚度为所述第一金属箔图案的厚度的2.5倍至5倍。
2.根据权利要求1所述的嵌入式电极基板,其中所述粘合剂层包含硅烷改性的环氧树脂、双酚A型苯氧基树脂、引发剂和硅烷偶联剂。
3.根据权利要求1所述的嵌入式电极基板,其中所述第一金属箔图案的间距为100μm至1,000μm,以及所述第一金属箔图案的厚度为3μm为20μm。
4.根据权利要求1所述的嵌入式电极基板,其中所述第一金属箔图案和所述第二金属箔图案包括铜箔图案或铝箔图案。
5.根据权利要求1所述的嵌入式电极基板,其中所述布线电极部包括第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部。
6.根据权利要求5所述的嵌入式电极基板,其中所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部各自包括所述第一金属箔图案,
所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的所述第一金属箔图案分别通过断开部彼此分开,以及
所述断开部的宽度为80μm或更小。
7.根据权利要求6所述的嵌入式电极基板,其中所述发光器件安装部包括电连接至所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的至少四个电极焊盘部。
8.根据权利要求7所述的嵌入式电极基板,其中所述至少四个电极焊盘部包括两个信号电极焊盘部、一个第一公共电极焊盘部和一个第二公共电极焊盘部。
9.一种制造用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板的方法,所述方法包括:
形成包括透明基板、设置在所述透明基板上的粘合剂层和设置在所述粘合剂层上的金属箔的结构;
通过使所述金属箔图案化来形成布线电极部的第一金属箔图案和发光器件安装部的第二金属箔图案;
在所述第一金属箔图案和所述第二金属箔图案的上表面和侧表面两者上形成黑化层;
通过在70℃至100℃的温度下对包括所述黑化层的结构进行热处理来使所述第一金属箔图案和所述第二金属箔图案嵌入所述粘合剂层中,并使所述第二金属箔图案的上表面暴露;以及
去除设置在所述第二金属箔图案的所述上表面上的所述黑化层,
其中所述第一金属箔图案的线宽为30μm或更小,以及所述第二金属箔图案的线宽为100μm或更大,
所述第一金属箔图案在所述粘合剂层中的嵌入程度为90%或更大,以及
所述嵌入程度意指基于所述第一金属箔图案的全部上部面积,所述第一金属箔图案的嵌入所述粘合剂层中的上部面积的比率,
其中在所述热处理之前所述粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)大于0.5μm,以及
在所述热处理之后所述粘合剂层的表面的十点平均粗糙度(Rz)为0.1μm或更小;以及
其中所述粘合剂层的厚度为所述第一金属箔图案的厚度的2.5倍至5倍。
10.根据权利要求9所述的方法,其中形成包括设置在所述透明基板上的所述粘合剂层和设置在所述粘合剂层上的所述金属箔的所述结构包括:
在所述金属箔上形成所述粘合剂层并在所述粘合剂层上形成所述透明基板,或者
在所述透明基板上形成所述粘合剂层并在所述粘合剂层上形成所述金属箔。
11.根据权利要求9所述的方法,其中通过使用包含铜、硒、钴、镍、锰、镁、钠、其氧化物及其氢氧化物中的至少一者的镀覆溶液的镀覆工艺来进行所述黑化层的形成。
12.一种透明发光器件显示器,包括:
根据权利要求1至8中任一项所述的用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0096601 | 2018-08-20 | ||
KR20180096601 | 2018-08-20 | ||
PCT/KR2019/010548 WO2020040518A1 (ko) | 2018-08-20 | 2019-08-20 | 투명 발광소자 디스플레이용 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111083936A CN111083936A (zh) | 2020-04-28 |
CN111083936B true CN111083936B (zh) | 2023-11-07 |
Family
ID=69593233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980003961.9A Active CN111083936B (zh) | 2018-08-20 | 2019-08-20 | 用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10923644B2 (zh) |
EP (1) | EP3651216B1 (zh) |
JP (1) | JP6965436B2 (zh) |
KR (1) | KR102216418B1 (zh) |
CN (1) | CN111083936B (zh) |
WO (1) | WO2020040518A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230043398A (ko) | 2021-09-24 | 2023-03-31 | 한국기계연구원 | 마이크로 엘이디 표시모듈 및 이의 제조방법 |
CN114020171B (zh) * | 2021-11-05 | 2022-07-12 | 深圳市志凌伟业光电有限公司 | 金属感测电极结构的制作方法、触控显示设备及移动终端 |
CN114639309A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-06-17 | 蚌埠晶显科技有限公司 | 一种柔性透明显示屏及其制作方法 |
CN114489378A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-13 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 金属网格触摸屏及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005067362A1 (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Nippon Denkai, Ltd. | 電磁波シールドフィルタ用銅箔及び電磁波シールドフィルタ |
CN101123852A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 三井金属矿业株式会社 | 电路基板及其制造方法 |
CN101449633A (zh) * | 2006-03-24 | 2009-06-03 | 宇部兴产株式会社 | 用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜 |
WO2012011491A1 (ja) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | パナソニック電工株式会社 | 導電性フィルム |
KR20120021759A (ko) * | 2010-08-16 | 2012-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널 |
CN103582304A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 透明印刷电路板及其制作方法 |
JP2017045855A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 大日本印刷株式会社 | フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のled表示装置 |
JP2017069471A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 大日本印刷株式会社 | 発光素子用基板、モジュール及び発光素子用基板の製造方法 |
JP2017211826A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04263493A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
TW513820B (en) | 2001-12-26 | 2002-12-11 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and its manufacturing method |
KR20040081225A (ko) | 2003-03-14 | 2004-09-21 | 엘지마이크론 주식회사 | 디스플레이 장치용 전자파 차폐필터의 제조방법 |
TWI403761B (zh) * | 2005-02-15 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 透光性導電性膜之製法 |
JP5017851B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2012-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2008024887A (ja) | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Bridgestone Corp | 光学フィルタ用粘着層、光学フィルタ及びこれを備えたディスプレイ並びにプラズマディスプレイパネル |
JP2008030992A (ja) | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Canon Inc | 基板の製造方法、配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子源および画像表示装置 |
JP4702904B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2011-06-15 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びそのプリント配線板の製造方法 |
EP2009977A3 (en) * | 2007-05-09 | 2011-04-27 | FUJIFILM Corporation | Electromagnetic shielding film and optical filter |
KR20090019387A (ko) | 2007-08-21 | 2009-02-25 | 엘지마이크론 주식회사 | 광학 필터 및 이의 제조 방법 |
EP2234469A4 (en) * | 2007-12-12 | 2013-05-15 | Bridgestone Corp | OPTICAL FILTER, OPTICAL FILTER FOR ONE DISPLAY, DISPLAY EQUIPPED WITH SUCH A FILTER AND PLASMA DISPLAY SHIELD |
JP2010021480A (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Bridgestone Corp | ディスプレイ用光学フィルタ、及びこれを用いたディスプレイ |
JP5548428B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-07-16 | 藤森工業株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム |
JP5652252B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
US9513730B2 (en) * | 2011-05-20 | 2016-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Conductive substrate and touch panel comprising same |
JP2013235315A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネルセンサ |
US9483147B2 (en) | 2013-03-30 | 2016-11-01 | Shenzhen O-Film Tech Co., Ltd. | Monolayer touch screen and method for manufacturing the same |
CN103412661B (zh) | 2013-03-30 | 2015-04-08 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 单层触摸屏及其制备方法 |
KR20150033169A (ko) | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치 |
KR101422270B1 (ko) | 2014-01-13 | 2014-07-24 | 와이엠티 주식회사 | 터치 스크린 센서용 메탈 메쉬의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 터치 스크린 센서 |
JP2015197543A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 実装基板および電子機器 |
KR102427146B1 (ko) | 2014-06-24 | 2022-07-28 | 가부시키가이샤 브이티에스 터치센서 | 터치 센서 기판, 터치 패널, 표시 장치 및 터치 센서 기판의 제조 방법 |
CN106538072B (zh) | 2014-06-30 | 2019-12-17 | 3M创新有限公司 | 具有降低的可见度的金属微结构及其制备方法 |
KR101784406B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2017-10-12 | 금호전기주식회사 | 투명 전광 장치 |
CN107438899B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-04-30 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
JP6558034B2 (ja) | 2015-04-03 | 2019-08-14 | 大日本印刷株式会社 | Led素子用のフレキシブル多層回路基板及びそれを用いたledドットマトリックス表示装置 |
MX2018007318A (es) | 2015-12-21 | 2018-09-11 | Philip Morris Products Sa | Contenedor para bienes de consumo con armazon interno deslizable. |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
KR102529665B1 (ko) | 2016-07-07 | 2023-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
CN109390456A (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-26 | 亿光电子工业股份有限公司 | 一种led封装结构及其制造方法 |
-
2019
- 2019-08-20 US US16/643,466 patent/US10923644B2/en active Active
- 2019-08-20 CN CN201980003961.9A patent/CN111083936B/zh active Active
- 2019-08-20 JP JP2020509025A patent/JP6965436B2/ja active Active
- 2019-08-20 KR KR1020190101670A patent/KR102216418B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-20 EP EP19842853.4A patent/EP3651216B1/en active Active
- 2019-08-20 WO PCT/KR2019/010548 patent/WO2020040518A1/ko unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005067362A1 (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Nippon Denkai, Ltd. | 電磁波シールドフィルタ用銅箔及び電磁波シールドフィルタ |
CN101449633A (zh) * | 2006-03-24 | 2009-06-03 | 宇部兴产株式会社 | 用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜 |
CN101123852A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 三井金属矿业株式会社 | 电路基板及其制造方法 |
WO2012011491A1 (ja) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | パナソニック電工株式会社 | 導電性フィルム |
KR20120021759A (ko) * | 2010-08-16 | 2012-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널 |
CN103582304A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 透明印刷电路板及其制作方法 |
JP2017045855A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 大日本印刷株式会社 | フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のled表示装置 |
JP2017069471A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 大日本印刷株式会社 | 発光素子用基板、モジュール及び発光素子用基板の製造方法 |
JP2017211826A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、タッチパネル、カラーフィルタ基板、及び表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200021425A (ko) | 2020-02-28 |
JP6965436B2 (ja) | 2021-11-10 |
US20200365784A1 (en) | 2020-11-19 |
US10923644B2 (en) | 2021-02-16 |
KR102216418B1 (ko) | 2021-02-17 |
JP2020535629A (ja) | 2020-12-03 |
WO2020040518A1 (ko) | 2020-02-27 |
EP3651216A4 (en) | 2020-07-01 |
EP3651216A1 (en) | 2020-05-13 |
CN111083936A (zh) | 2020-04-28 |
EP3651216B1 (en) | 2024-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111083936B (zh) | 用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法 | |
KR102129674B1 (ko) | 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법 | |
CN102290506B (zh) | 具有图形化透明薄膜电极的led模块制造工艺 | |
JP6005517B2 (ja) | パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置 | |
KR102364569B1 (ko) | 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이 | |
TWI506497B (zh) | 單層觸控屏及其製造方法 | |
CN110637345B (zh) | 用于透明发光器件显示器的电极基底及其制造方法 | |
JP2016085870A (ja) | 透明導電基材の製造方法およびタッチパネルセンサ | |
KR20180045712A (ko) | 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서 | |
US11716818B2 (en) | Embedded-type transparent electrode substrate and method for manufacturing same | |
KR102361783B1 (ko) | 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법 | |
KR20200118581A (ko) | 투명 기판, 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |