JP6005517B2 - パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置 - Google Patents

Description

この発明は、パターン成形の工程が簡略されたパターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置に関する。

電子回路等の配線パターンを形成する方法として、フォトリソグラフィ法が知られている。フォトリソグラフィ法によれば、微細な配線パターンが形成された基板を得ることができる。
一方、印刷法により基板上に配線パターン等を形成するプリンタブルエレクトロニクスが知られている。例えば、所望のパターンにしたがって、導電性材料、樹脂バインダ、溶媒等を混合した分散液（インク）を基板上に塗布（印刷）した後、熱処理等を行うことにより、所望の配線パターンを基板上に形成することができる。
印刷法によれば、フォトリソグラフィ法に比して、プロセスを簡単なものとすることができる。例えば、下記の特許文献１には、基板の一面上にスクリーン印刷により導体を形成してなる配線基板およびそのような配線基板の製造方法が開示されている。
スクリーン印刷法による配線パターンの形成は、フォトリソグラフィ法を用いた場合と比べると、設備投資が少なくて済むという利点はあるが、使用するインクが、バインダを多く含有する物に限定されてしまう。例えば、導電性インクを使う場合には、膜厚を厚くしないと所望する導電性が得られないため、スクリーン印刷法は、透明導電膜の形成には不向きな方法である。そこで、膜厚のコントロールが容易で、かつパターン形成工程が簡略化可能な方法が求められていた。

特開２０１０−１６５７１５号公報

したがって、この発明の目的は、フォトリソグラフィ法や印刷法に比して、パターン成形の工程を簡略化できるパターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置を提供することにある。

第１の発明は、第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域に形成されたパターン層と
を備え、
パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
第２の領域が、パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して撥液性を有し、
凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体である。
第２の発明は、第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域に形成されたパターン層と
を備え、
基体の表面が、フッ素またはシリコーンを含有し、
パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体である。
第３の発明は、第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域に形成されたパターン層と
を備え、
基体の表面が、撥液膜を備え、
パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体である。
第４の発明は、第１の領域および第２の領域が形成された基体の表面に、パターン層形成用組成物を塗布する工程と、
第１の領域の毛管現象を利用して、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域にパターン層形成用組成物を連続的に残す工程と、
第１の領域に連続的に残ったパターン層形成用組成物を固化させることにより、第１の領域にパターン層を形成する工程と
を備え、
第１の領域が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなる凹凸形状を有し、該凹凸形状に毛管現象が発現し、
第２の領域が、パターン層形成用組成物に対して撥液性を有し、
構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体の製造方法である。
この発明では、基体が、第１の領域および第２の領域が形成された表面を有し、第１の領域には、パターン層が形成されている。第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域は、毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体の集合からなる。第１の領域の凹凸形状を、モスアイ（Ｍｏｔｈ−ｅｙｅ）と呼ばれる微細かつ緻密な凹凸形状としてもよい。第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域のみが毛管現象を発現するので、パターン層形成用組成物を基体の表面に塗布するだけで、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域にパターン層形成用組成物が連続的に残る。したがって、第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体をあらかじめ準備しておけば、第１の領域と第２の領域とでパターン層形成用組成物を自発的に塗り分けることができる。第１の領域にパターン層形成用組成物が残るのに対して、第２の領域にはパターン層形成用組成物が残らないので、第１の領域に残ったパターン層形成用組成物を固化させることにより、第１の領域に選択的にパターン層を形成することができる。
例えば、導電性材料を含有するパターン層形成用組成物を用いる場合には、第１の領域にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、複雑な工程を必要とせずに、所望の配線パターンや電極を形成することができる。第１の領域のみが毛管現象を発現するので、第２の領域は、配線パターン間を絶縁するための絶縁領域として機能する。
電極形状としては、ストライプ状、ダイヤモンド形状等の多角形状とされることが好ましい。または、それぞれ電極が形成された２枚の基板を対向させたときの電極形状もしくは表裏面にそれぞれ電極が形成された基板の電極形状が、メッシュ形状を構成していることが好ましい。
第１の領域に対して、パターン層を形成するパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、１２０°以上であり、第２の領域に対して、パターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、９５°以上であることが好ましい。構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であることが好ましい。

以上説明したように、この発明によれば、フォトリソグラフィ法や印刷法に比して、パターン成形の工程を簡略化することができる。

図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の一構成例を示すＡ−Ａ模式的断面図である。
図２Ａは、第１の領域の平面図である。図２Ｂは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２Ｃは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２Ｄは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２Ｅは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
図３Ａは、構造体の配置の他の構成例を示す平面図である。図３Ｂは、第１の領域に形成される構造体の配置が、ランダムとされた例を示す平面図である。図３Ｃは、第１の領域に形成される構造体の大きさおよび配置が、ランダムとされた例を示す平面図である。
図４は、構造体の集合の構成例を示す斜視図である。
図５Ａは、第１の領域に凹凸形状を転写するための原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示した原盤の一部を拡大して表す斜視図である。
図６Ａは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、図６Ａに示した第１の領域の一部を拡大して示す平面図である。
図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。
図８Ａ〜図８Ｃは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図９Ａ〜図９Ｃは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図１１Ａ〜図１１Ｄは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
図１２Ａおよび図１２Ｂは、第１の実施形態に係る配線基板の他の構成例を示す模式的断面図である。
図１３Ａは、この発明の第２の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１３Ｂは、この発明の第２の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示すＡ−Ａ模式的断面図である。図１３Ｃは、第２の実施形態に係る液晶表示素子の第１の領域の一部を拡大して示す模式的断面図である。
図１４は、この発明の第３の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す斜視図である。
図１５Ａは、この発明の第３の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。図１５Ｂは、第１の基体の一構成例を示す分解斜視図である。
図１６Ａは、この発明の第３の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。図１６Ｂは、第１の基体３２１Ａの一構成例を示す分解斜視図である。
図１７は、この発明の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的断面図である。
図１８Ａは、この発明の第５の実施形態に係るＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）カードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して示す平面図である。
図１９Ａは、この発明の第６の実施形態に係る表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１９Ｂは、図１９ＡにおけるＡ−Ａ模式的断面図である。
図２０Ａ〜図２０Ｅは、この発明の第６の実施形態に係る表示素子を構成するカラーフィルタの製造方法の一例を説明するための工程図である。

この発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（配線基板に対する適用例）
２．第２の実施形態（液晶表示素子に対する適用例）
３．第３の実施形態（タッチパネルを備える表示装置に対する適用例）
４．第４の実施形態（電子ペーパーに対する適用例）
５．第５の実施形態（非接触型ＩＣカードに対する適用例）
６．第６の実施形態（表示素子に対する適用例）
７．変形例
＜１．第１の実施形態＞
［パターン基体の構成］
図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、この発明の第１の実施形態に係る配線基板の一構成例を示すＡ−Ａ模式的断面図である。以下では、配線基板の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
パターン基体は、例えば、配線基板、表示素子等である。配線基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板等が挙げられる。表示素子は、例えば、画像表示素子である。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ））素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）等が挙げられる。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１の実施形態に係る配線基板１は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された表面を有する基体３と、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１に形成されたパターン層１０とを備える。図１Ｂに示す例は、基体３を、基材層３Ａおよび形状層３Ｂの積層構造として構成した例である。第１の領域Ｒ１は、パターン層１０を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体５の集合から構成されている。なお、図１Ａでは、第１の領域Ｒ１に連続的に形成されたパターン層１０、例えば、配線パターンが、帯状の形状を有している例が示されているが、配線パターンの形状はこれに限定されるものではなく、回路設計等に応じて所望の形状とすることが可能である。（基体）
基体３は、例えば、基材層３Ａおよび形状層３Ｂの積層体である。基材層３Ａは、例えば、透明性または不透明性を有する。基材層３Ａの材料としては、例えば、プラスチック材料等の有機材料、ガラス、金属、セラミック、紙等の無機材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラス等（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散等の光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性等の諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレン等といったビニルモノマーとの共重合体等の（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）等のポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体等といった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）等が好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
基材層３Ａの形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、球状や自由曲面状、バルク状であってもよい。基材層３Ａがプラスチックフィルムである場合には、基材層３Ａは、例えば、上述の樹脂を押出成型、伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するキャスト成型等の方法で得ることができる。ここで、フィルムにはシートが含まれるものと定義する。
形状層３Ｂは、例えば、複数の構造体５が２次元配列されてなる層である。形状層３Ｂの表面は、基体３の表面を構成し、複数の構造体５が形成された領域が、第１の領域Ｒ１に対応する。
第１の領域Ｒ１は、パターン層１０を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する領域である。第１の領域Ｒ１は、パターン層１０を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体５の集合からなる。第１の領域Ｒ１は、パターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現するので、基体３の表面に対して、パターン層形成用組成物を塗布した際に、塗布されたパターン層形成用組成物は、第１の領域Ｒ１のみに連続的に残る。
一方、第２の領域Ｒ２は、パターン層１０を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現しない領域である。第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物が残るのに対して、第２の領域Ｒ２にはパターン層形成用組成物が残らないので、第１の領域Ｒ１に残ったパターン層形成用組成物を固化させることにより、第１の領域Ｒ１に選択的にパターン層１０を形成することができる。図１に示す構成例では、第２の領域Ｒ２が略平坦な面とされているが、パターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現しない範囲であれば、第２の領域Ｒ２が凹凸形状を有していてもよい。
なお、配線基板１を例えばフレキシブル基板とする場合等には、基体３が可撓性を有すると好ましい。
図２Ａは、第１の領域の平面図である。図２Ｂは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２Ｃは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２Ｄは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２Ｅは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
図１を参照して説明したように、基体３の表面のうち、第１の領域Ｒ１には、構造体５の集合からなる凹凸形状が形成されている。各構造体５は、第１の領域Ｒ１において、例えば、複数列のトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。図２Ａに示すように、Ｐ１は、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体５の配置ピッチ（ａ１〜ａ２間距離）を表す。Ｐ２は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体５の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±ξ方向における構造体５の配置ピッチ（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）を表す。この発明において、トラックとは、構造体５が列をなして直線状または曲線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、構造体５の集合が形成される基体５の主面において、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に直交する方向のことをいう。
図２に示す例では、構造体５は、隣接する２つのトラックＴ間において、例えば半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体５の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体５が配置されている。その結果、図２Ａに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体５の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体５が配置されている。一実施の形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
図３Ａは、構造体の配置の他の構成例を示す平面図である。図３Ｂは、第１の領域に形成される構造体の配置が、ランダムとされた例を示す平面図である。図３Ｃは、第１の領域に形成される構造体の大きさおよび配置が、ランダムとされた例を示す平面図である。
図３Ａに示す例では、第１の領域Ｒ１に形成された多数の構造体５が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている。ここで、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
図３Ｂに示すように、第１の領域Ｒ１に形成された多数の構造体５が、ランダムな配置とされていてもよい。または、図３Ｃに示すように、第１の領域Ｒ１に形成された多数の構造体５が、ランダムな大きさおよび配置とされていてもよい。もちろん、第１の領域Ｒ１に形成される多数の構造体５の大きさのみが、ランダムとされていてもよい。
そのほか、構造体５を、蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列するようにしてもよい。基体３上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持することができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波等を挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
このように、構造体５の配置パターンとして、六方格子パターンまたは準六方格子パターンに代えて、四方格子パターン、準四方格子パターン、ランダムなパターンまたはウォブルパターンを適用してもよい。
凹凸形状の毛管現象を利用し、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を連続的に残してパターン層１０を形成する観点からすると、構造体５が、例えば１５０ｎｍ以上１μｍ以下の配置ピッチＰで、隣接してまたは下部が重なって２次元配置されていることが好ましい。構造体５のアスペクト比Ａが、１．０以上３．０以下であることが好ましい。構造体の配置ピッチ、アスペクト比をこのような範囲にすることで、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域Ｒ１に毛管現象を発現させることができ、パターン層形成用組成物を第１の領域Ｒ１に連続的に残すことができるからである。
隣接する構造体５の下部同士を接合する、または、構造体底面の短径と長径の比（楕円率）を調整等して構造体５に歪みを付与することにより、充填率を向上させることができる。また、構造体５のアスペクト比Ａを１．８以下とすると、配線基板１の製造工程において、構造体５を金型等から剥離する際に構造体５が破壊されることを防止することができ、好ましい。
ここで、配置ピッチＰとは、平均配置ピッチを意味し、アスペクト比Ａとは、構造体の平均高さを平均配置ピッチで割った平均アスペクト比を意味する。平均配置ピッチおよび平均高さは、以下のようにして求めたものである。
まず、パターン層１０が形成される前またはパターン層１０が形成された後の配線基板１を、構造体５の頂部を含むように切断する。その断面を透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＴＥＭ））にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体５の配置ピッチ（図２Ａまたは図３Ａに示す配置ピッチＰ１またはＰ２）および構造体５の高さ（断面の凹凸形状における頂部と谷部の高さの差）を求める。この測定を配線基板１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ｐ_１、ｐ_２・・・ｐ_１０および測定値ｈ_１、ｈ_２・・・ｈ_１０をそれぞれ単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチおよび平均高さを求める。すなわち、平均配置ピッチおよび平均高さは、以下の式（１）および式（２）でそれぞれ示される関係により定義される。
（平均配置ピッチ）＝（ｐ_１＋ｐ_２＋・・・＋ｐ_１０）／１０ ・・・（１）
（平均高さ）＝（ｈ_１＋ｈ_２＋・・・＋ｈ_１０）／１０ ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ、Ｈ１：トラックの延在方向の構造体高さ、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±ξ方向（但し、ξ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ、Ｈ２：トラックの延在方向に対して±ξ方向の構造体高さである。構造体５が凹部である場合、上記式（２）における構造体高さは、構造体の深さとする。
なお、構造体５のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体５が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体５が基体３の主面上に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体５と、この構造体５とは異なる高さを有する構造体５とが基体３の主面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体５は、例えば基体３の主面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向等が挙げられる。
第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、１２０°以上であり、第２の領域Ｒ２にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、９５°以上であることが好ましい。パターン層形成用組成物を第１の領域Ｒ１に連続的に残すことができるからである。
既にパターン層１０が形成されている場合には、以下の手順により、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角を推定することができる。まず、配線基板１を断面観察し、第１の領域Ｒ１の断面形状をフィッティングする。次に、第２の領域Ｒ２にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角を測定する。次に、第１の領域Ｒ１の断面形状と、第２の領域Ｒ２にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角とをもとにして、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角を計算により求める。
ここで、本明細書中にいう接触角とは、θ／２法により求められる接触角を指す。θ／２法は、液滴が球の一部であると仮定し、液滴の端点と頂点とを結ぶ直線が表面となす角度を求め、該角度の２倍を接触角θとする測定法である。
図４は、構造体の集合の構成例を示す斜視図である。図４に示す例は、錐形形状の中央部の傾きが、底部および頂部より急峻とされた構造体の集合の例である。
構造体５の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。または、これらの頂部を切り落とした形状としてもよく、構造体５の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。なお、図４に示す例では、各構造体５は、それぞれ同一の大きさおよび／または形状を有しているが、構造体５の形状はこれに限定されるものではなく、２種以上の大きさおよび／または形状の構造体５が混在するように形成されていてもよい。後述するロール原盤露光装置を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体５の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックの延在方向と一致させることが好ましい。
構造体５の周縁部に裾部５ｆを設けてもよい。配線基板１の製造工程において、構造体５を金型等から容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部５ｆとは、構造体５の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。また、図４に示すように、構造体５の周囲の一部または全部に突出部５ｅを設けてもよい。
形状層３Ｂは、原盤の凹凸形状を転写材料に光転写または熱転写することにより形成される。光転写として、例えば、ＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）転写を行う場合、転写材料としては、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤等を含むものを用いることができる。
紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマー等からなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレート等を挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレート等を挙げることができる。
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等を挙げることができる。
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等を挙げることができる。
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ _３等の金属酸化物微粒子を挙げることができる。
機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤等を挙げることができる。
熱転写を行う場合、転写材料としては、例えば、熱で軟化し成形後に冷却固化する熱可塑性樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を用いることができる。
上述した例では、基体３が、例えば、基材層３Ａおよび形状層３Ｂの積層体として構成されるものとして説明を行ったが、これに限られない。例えば、第１の領域Ｒ１に凹凸形状が一体的に形成された基板等を基体３として用いてもよい。基体３の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法等を用いることができる。
ここで、基体３の表面がフッ素またはシリコーンを含有するようにすると、第２の領域Ｒ２の撥液性が高まり、第１の領域にパターン層形成用組成物が残るのに対して、第２の領域にはパターン層形成用組成物が残らないようになりやすい。
基体３の表面がフッ素を含有するようにするために、具体的には、形状層３Ｂに、例えばフルオロアルキル基を有する化合物を含有させてもよい。例えば、形状層３Ｂの表面に、フルオロアルキル基を有する化合物を含有する撥液膜を形成してもよい。フルオロアルキル基を有する化合物としては、例えば、パーフルオロポリエーテルやフルオロアルキル基を有する（メタ）アクリレートを挙げることができる。フルオロアルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、パーフルオロオクチルエチルアクリレート等が挙げられるが、特に制限はなく、２種以上を組み合わせてもよい。第２の領域Ｒ２に対して選択的に撥液膜が形成されていてもよい。
熱転写を行う場合は、例えば、基体３にフッ素を含有する材料を含有させておいてもよい。このような材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等を用いることができる。
基体３の表面がシリコーンを含有するようにするために、形状層３Ｂの表面に、シリコーン樹脂で構成される撥液膜を形成してもよい。シリコーン樹脂としては、ＳｉとＯからできたシロキサン結合を基本骨格とし、側鎖に有機基を有するオルガノポリシロキサン類を用いることができる。
熱転写を行う場合は、例えば、基体３にシリコーンポリマーやシリコーンオイルを分散させておいてもよい。
（パターン層）
パターン層１０は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１に形成されている。後述するように、パターン層１０は、基体３の表面にパターン層形成用組成物を塗布し、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域にパターン層形成用組成物を連続的に残し、該第１の領域に残ったパターン層形成用組成物を固化させることにより形成される。なお、第２の領域Ｒ２にはパターン層形成用組成物が残らないことが好ましいが、例えば、パターン層形成用組成物が導電性材料を含有する場合、第２の領域Ｒ２が絶縁領域として機能する範囲であれば、パターン層形成用組成物が不連続的に残っていてもよい。
第１の領域上に形成されるパターン層１０は、例えば、電極配線パターンや透明電極パターン等を形成する。具体的には、タッチパネル等のデバイスの透明電極、デバイスの電極配線、または、タッチパネル等のメッシュ状透明電極および引き回し電極配線の組み合わせ等を構成する。
パターン層形成用組成物は、いわゆる導電性インクであって、例えば、導電材料を含有し、必要に応じて、バインダ、溶媒を含有する。パターン層形成用組成物が、分散助剤、硬化促進剤、レベリング剤、沈降防止剤、導電性材料の被覆材、カップリング剤や消泡剤等の添加剤をさらに含有していてもよい。パターン層形成用組成物が導電性材料を含有する場合には、パターン層１０は、配線パターン（導電パターン部）または電極として機能する。パターン層形成用組成物が、例えば樹脂等のバインダを含有する場合、導電性材料間が互いに接触するようにして導電性材料が固定されることが好ましい。
パターン層形成用組成物に含有される導電性材料は、配線基板１の用途に応じて、適宜選択することができる。導電性材料としては、無機系または有機系の導電性材料を用いることができる。無機系の導電性材料としては、金属ナノ粒子、透明酸化物半導体またはカーボンナノチューブ等を挙げることができる。金属材料としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、白金、ニッケル、アルミニウム、クロム、ニオブ、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、およびオスミウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属微粒子またはこれらの合金を挙げることができ、高電気導電性を有することから、金、銀、銅が好ましい。これらの金属は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。特に、銀の微粒子を用いる場合には、エレクトロマイグレーションの影響を低減するために、２種以上の金属微粒子を併用することが好ましい。
金属ナノ粒子は金属化合物微粒子であってもよい。金属ナノ粒子の形状は、特に限定されないが、球状や鱗片状のものが好ましい。また、導電性および分散性の観点から、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均粒径を有することが好ましく、２ｎｍ以上４０ｎｍ以下の平均粒径を有することがより好ましい。なお、平均粒子径が２ｎｍ以上であると、合成が容易となる。平均粒子径が４０ｎｍ以下であると、金属ナノ粒子を焼結させるとしたときには、金属ナノ粒子を構成する金属の融点よりも低い温度で焼結させることができる。金属化合物微粒子としては、酸化銀、酸化銅、酸化パラジウム、酸化白金等の酸化金属微粒子が好ましく、中でも酸化銀、酸化銅微粒子が好ましい。
パターン層１０が透明導電層である場合には、透明導電層は、例えば、透明酸化物半導体を主成分とする無機透明導電層である。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ_２、ＩｎＯ_２、ＺｎＯおよびＣｄＯ等の二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ _３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））等が挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さ等の観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましく、ＩＴＯナノ粒子を導電性材料として使用することができる。透明導電層は、例えば、導電性高分子を主成分とする有機透明導電層である。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系等の導電性高分子材料を用いることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）にポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を用いることが好ましい。
バインダとしては、樹脂材料を用いることができる。樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはエネルギー線照射型樹脂を用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、アルカリ樹脂等を挙げることができる。または、これらの内の２種以上の混合系で使用することもできる。エネルギー線としては、例えば、電子線、紫外線、可視光線、ガンマ線、電子線などを用いることができ、生産設備の観点から、紫外線が好ましい。
溶媒としては、導電性材料およびバインダを分散できるものであれば特に限定されない。例えば、溶媒として、揮発性の溶剤を用いることができる。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン等のエーテル系化合物；プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン等の極性化合物を挙げることができる。これらのうち、導電性材料の分散性と分散液の安定性から、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましい。そのほか、溶媒として水を用いてもよい。
なお、配線パターンとして形成されたパターン層１０の表面抵抗が、１０００Ω／□以下であることが好ましい。１０００Ω／□以下であると、パターン層１０を配線または電極として用いる場合に好適である。
（ロール原盤の構成）
図５Ａは、第１の領域に凹凸形状を転写するための原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示した原盤の一部を拡大して表す斜視図である。第１の領域に凹凸形状を転写するための原盤としては、例えば、ロール原盤を用いることができる。図５Ａおよび図５Ｂに示すロール原盤５１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒｍ１および第２の領域Ｒｍ２が設定されている。図５Ａおよび図５Ｂでは、第１の領域Ｒｍ１および第２の領域Ｒｍ２が、周方向に向かってリング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒｍ１および第２の領域Ｒｍ２の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする配線等のパターン、すなわち第１の領域に形成されるパターン層１０の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤５１の材料は、例えば金属やガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
図６Ａは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、図６Ａに示した第１の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤５１の第１の領域Ｒｍ１には、例えば、凹部である構造体５５が所定のピッチで多数配置され、第２の領域Ｒｍ２には、例えば、凹部である構造体５５が形成されずに略平面状とされている。第１の領域Ｒｍ１の多数の構造体５５は、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてｂ１〜ｂ７の各点に構造体５５の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように配置されている。このような六方格子パターンまたは準六方格子パターンは、後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、角速度一定（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ））で適切な送りピッチでパターニングすることにより記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成することが可能である。
（露光装置の構成）
図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図７を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。
レーザー光源７１は、記録媒体としての原盤５１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光８５を発振するものである。レーザー光源７１から出射されたレーザー光８５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ（ＥＯＭ））７２へ入射する。電気光学素子７２を透過したレーザー光８５は、ミラー７３で反射され、変調光学系７５に導かれる。
ミラー７３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー７３を透過した偏光成分はフォトダイオード７４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子７２を制御してレーザー光８５の位相変調を行う。
変調光学系７５において、レーザー光８５は、集光レンズ７６により、ガラス（ＳｉＯ _２）等からなる音響光学素子（Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ（ＡＯＭ））７７に集光される。レーザー光８５は、音響光学素子７７により強度変調され発散した後、レンズ７８によって平行ビーム化される。変調光学系７５から出射されたレーザー光８５は、ミラー８１によって反射され、移動光学テーブル８２上に水平かつ平行に導かれる。
移動光学テーブル８２は、ビームエキスパンダ８３、および対物レンズ８４を備えている。移動光学テーブル８２に導かれたレーザー光８５は、ビームエキスパンダ８３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ８４を介して、原盤５１上のレジスト層へ照射される。原盤５１は、スピンドルモータＭに接続されたターンテーブルＴの上に載置されている。そして、原盤５１を回転させるとともに、レーザー光８５を原盤５１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光８５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光８５の移動は、移動光学テーブル８２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
露光装置は、図２Ａに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構４７を備えている。制御機構４７は、フォーマッタ４９とドライバ４０とを備える。フォーマッタ４９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光８５の照射タイミングを制御する。ドライバ４０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子７７を制御する。
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、音響光学素子７７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル８２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）８３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ８４を介して原盤５１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
［パターン基体の製造方法］
以下、図８〜図１１を参照しながら、この発明の第１の実施形態に係る配線基板１の製造方法の各工程について説明する。なお、この製造方法において転写工程以降の一部または全部のプロセスは、生産性を考慮して、ロールツーロールにより行うことが好ましい。（レジスト成膜工程）
まず、図８Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤５１を準備する。このロール原盤５１は、例えばガラス原盤である。次に、図８Ｂに示すように、ロール原盤５１の表面にレジスト層６３を形成する。レジスト層６３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。
（露光工程）
次に、図８Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤５１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）８５をレジスト層６３に照射する。このとき、レーザー光８５をロール原盤５１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤５１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光８５を照射する。この際、配線パターンに対応する第１の領域Ｒ１のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、配線パターン間の絶縁領域に対応する第２の領域Ｒ２は露光せず、非露光部とする。レーザー光８５の軌跡に応じた潜像５４は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。
潜像５４は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像５４は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤５１を回転させながら、レジスト層６３上に現像液を滴下して、図９Ａに示すように、レジスト層６３を現像処理する。図示するように、レジスト層６３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光８５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）５４に応じたパターンがレジスト層６３に形成される。これにより、第１の領域Ｒｍ１のレジスト層６３には、六方格子パターン、または準六方格子パターン等の開口部が形成されるのに対して、第２の領域Ｒｍ２のレジスト層６３には、開口部が形成されず、第２の領域Ｒ２全体はレジスト層６３に覆われた状態が維持される。すなわち、第１の領域Ｒ１のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。
（エッチング工程）
次に、ロール原盤５１の上に形成されたレジスト層６３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤５１の表面をエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒｍ１では、開口部を介してエッチングが進行し、図９Ｂに示すように、第１の領域の領域Ｒｍ１には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状等の構造体（凹部）５５が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒｍ２では、この領域全体がレジスト層６３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばウェットエッチングやドライエッチングを用いることができる。
以上により、目的とするロール原盤５１が得られる。
（転写工程）
次に、図９Ｃに示すように、光転写または熱転写により、ロール原盤５１の第１の領域の領域Ｒｍ１に形成された構造体（凹部）５５を転写する。光転写として、例えば、ＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）転写を行う場合、例えば、樹脂フィルム等からなる基材層３Ａに転写材料６５を塗布し、該塗布された転写材料６５をロール原盤５１と密着させながら紫外線等を照射する。転写材料６５が硬化することにより形状層３Ｂが形成された後、基材層３Ａおよび形状層３Ｂが一体となった基体３を剥離する。
なお、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性等をより改善するために、必要に応じて、基材層３Ａの表面に下塗り層の形成、ＵＶ照射処理、コロナ処理等の表面処理を施すようにしておいてもよい。下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタン等が挙げられる。
（塗布工程）
次に、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された基体３の表面に、パターン層形成用組成物１３を塗布する。図１０Ａに示すように、パターン層形成用組成物１３が入れられた槽に基体３を浸ける。基体３を引き上げると、図１０Ｂに示すように、基体３の表面にパターン層形成用組成物１３が乗り、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された基体３の表面にパターン層形成用組成物１３を塗布することができる。図１０Ａおよび図１０Ｂに示す例では、ディップコートの場合を説明したが、パターン層形成用組成物１３の塗布方法としてはディップコートに限られず、例えば、スピンコート、ロールコート、グラビアコート、マイクログラビアコート、ダイコート等を適用することができる。
（パターン層形成用組成物を残す工程）
次に、パターン層形成用組成物１３が塗布された基体３の表面において、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１にパターシ層形成用組成物１３を連続的に残す。図１１Ａに示すように、パターン層形成用組成物１３が入れられた槽から基体３を引き上げた直後は、基体３の表面にパターン層形成用組成物１３が乗った状態である。ここで、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域が、パターン層形成用組成物１３に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有している。そのため、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、基体３の表面に塗布されたパターン層形成用組成物１３は、自発的に第１の領域Ｒ１に凝集するのに対して、第２の領域Ｒ２にはパターン層形成用組成物１３が残らない。
（パターン層形成工程）
次に、第１の領域Ｒ１に連続的に残ったパターン層形成用組成物１３を固化させる。具体的には、パターン層形成用組成物１３を加熱、乾燥、焼成またはこれらの組み合わせを必要に応じて行うことができる。または、レーザー照射、プラズマ処理、エネルギー線照射等により、第１の領域Ｒ１に連続的に残ったパターン層形成用組成物１３を固化させるようにしてもよい。
これにより、図１１Ｄに示すように、第１の領域Ｒ１にパターン層１０が形成される。例えば、パターン層形成用組成物１３が導電性材料を含有する場合には、導電性材料間が緻密になり、パターン層１０を配線パターンまたは電極とすることができる。なお、パターン層１０の層厚は、パターン層形成用組成物１３中の溶媒の比率またはパターン層形成用組成物１３塗布時のウェット膜厚によりコントロールが可能である。
上述した工程を経て、第１の領域Ｒ１上にパターン層１０が形成された配線基板１を得ることができる。基体３の表面に塗布されたパターン層形成用組成物１３は、自発的に第１の領域Ｒ１に凝集するのに対して、第２の領域Ｒ２にはパターン層形成用組成物１３が残らない。すなわち、第１の領域Ｒ１に形成されたパターン層１０は配線パターンまたは電極として機能するのに対して、第２の領域Ｒ２は上記配線間の絶縁領域として機能する。
上述した製造方法によれば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された表面を有する基体３をあらかじめ準備しておけば、パターン層形成用組成物１３を基体３の表面に塗布するだけで、配線部分に選択的にパターン層形成用組成物１３を残すことができる。したがって、配線パターンまたは電極を形成する工程を簡略化でき、生産性を向上させることができる。また、配線パターンは、微細なパターン、大面積のパターンまたはこれらの組み合わせであってもよい。パターン層形成用組成物１３を領域に応じて塗り分ける必要がないので、メッシュ状の透明電極パターンおよび引き回し配線パターンの組み合わせ等を一括して形成することも可能となる。例えば、大型のディスプレイパネルに適用することもできる。
［第１の実施形態の変形例］
図１２Ａおよび図１２Ｂは、第１の実施形態に係る配線基板の他の構成例を示す模式的断面図である。図１２Ａに示す配線基板１は、基体３の両主面に第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を設定し、両領域のうち、第１の領域Ｒ１にのみ連続的にパターン層１０を形成することで、基体３の両面に配線が形成されている。図１２Ｂに示すように、基体３の第１の領域Ｒ１にスルーホール（貫通孔）ＴＨを形成し、このスルーホールＴＨにパターン層形成用組成物を注入等して導電層を形成し、基体３の両面に形成された回路等の配線を電気的に接続するようにしてもよい。
上述の一構成例では、基体３の両面に配線を形成しているので、より多くの回路を配線基板１に形成することが可能となる。また、複数個の配線基板１を、スペーサを介して重ねた状態でパターン層１０の形成を行えば、多層の配線基板とすることもできる。
＜２．第２の実施形態＞
図１３Ａは、この発明の第２の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１３Ｂは、この発明の第２の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示すＡ−Ａ模式的断面図である。図１３Ｃは、第２の実施形態に係る液晶表示素子の第１の領域の一部を拡大して示す模式的断面図である。図１３Ａに示すように、第２の実施形態に係る液晶表示素子２０１は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の基体２１１Ａおよび第２の基体２１１Ｂと、第１の基体２１１Ａおよび第２の基体２１１Ｂの間に配置された液晶層９０とを備える。
第１の基体２１１Ａの両主面のうち、第２の基体２１１Ｂに対向する一主面には、帯状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における第１の基体２１１Ａの表面構造は、上述の第１の実施形態における基体３の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、透明導電層であるパターン層２１０Ｘが形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層２１０Ｘを形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体２１５の集合から構成されている。したがって、第１の基体２１１Ａの両主面のうち、第２の基体２１１Ｂに対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２００Ｘがストライプ状に形成されている。
第２の基体２１１Ｂの両主面のうち、第１の基体２１１Ａに対向する一主面には、帯状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における第２の基体２１１Ｂの表面構造は、上述の第１の実施形態における基体３の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、透明導電層であるパターン層２１０Ｙが形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層２１０Ｙを形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体２１５の集合から構成されている。したがって、第２の基体２１１Ｂの両主面のうち、第１の基体２１１Ａに対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２００Ｙがストライプ状に形成されている。
第１の基体２１１Ａの第１の領域Ｒ１と、第２の基体２１１Ｂの第１の領域Ｒ１とは、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基体２１１Ａの横電極２００Ｘと、第２の基体２１１Ｂの縦電極２００Ｙとは、互いに直交する関係にある。
第２の実施形態では、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域Ｒ１に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、液晶表示素子の透明電極を作製することができる。
例えば、第１の領域Ｒ１に形成された凹凸形状をモスアイ（Ｍｏｔｈ−ｅｙｅ）と呼ばれる微細かつ緻密な凹凸形状とし、図１３Ｃに示すように、第１の領域Ｒ１に形成された構造体２１５の集合と透明導電層との表面形状が、ほぼ相似形状であると、好ましい。すなわち、構造体の配置ピッチを反射の低減を目的とする波長以下とするとともに、横電極２００Ｘおよび縦電極２００Ｙとして機能する第１の領域Ｒ１の透明導電層が、第１の領域Ｒ１に形成された構造体２１５の形状に倣った形状とされることが好ましい。透明導電層の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。なお、図１３Ｃは、第１の基体２１１Ａにおける第１の領域の一部を拡大して模式的に示しているが、第２の基体２１１Ｂについても同様である。
透明導電層が、第１の領域Ｒ１に形成された構造体２１５の形状に倣った形状とされる場合には、第１の領域Ｒ１におけるパターン層の平均層厚が４０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。４０ｎｍ以下であると、反射率、透過率の劣化による視認性の悪化の影響を抑えられるからである。
パターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現しない範囲で、第２の領域Ｒ２に構造体の集合を形成してもよい。この場合、第２の領域Ｒ２に形成される構造体をサブ波長構造体とすると、第１の領域Ｒ１に形成された透明電極をより目立たなくすることができ、好ましい。
＜３．第３の実施形態＞
図１４は、この発明の第３の実施形態に係る情報入力装置の一構成例を示す斜視図である。第３の実施形態に係る情報入力装置は、タッチパネルを備える表示装置である。図１４に示すように、表示装置３０２Ｄ上にタッチパネル（情報入力装置）３０１が設けられている。表示装置３０２Ｄとタッチパネル３０１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル３０１の表面にフロントパネル（表面部材）３０３Ｄをさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル３０１とフロントパネル（表面部材）３０３Ｄとは、例えば粘着剤により貼り合わされる。
表示装置３０２Ｄとしては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ
Ｐａｎｅｌ（ＰＤＰ））、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ））ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＳＥＤ））等の各種表示装置を用いることができる。タッチパネル３０１は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。
図１５Ａは、この発明の第３の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル３０１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の基体３１１Ａと第２の基体３１１Ｂとを備える。
図１５Ｂは、第１の基体の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基体３１１Ｂは、第１の基体３１１Ａとほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基体３１１Ａの両主面のうち、第２の基体３１１Ｂに対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における第１の基材３１１Ａの表面構造は、上述の実施形態のいずれかにおける基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、透明導電層であるパターン層が形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体の集合から構成されている。したがって、第１の基体３１１Ａの両主面のうち、第２の基体３１１Ｂに対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）３００Ｘがストライプ状に形成されている。
第２の基体３１１Ｂの両主面のうち、第１の基体３１１Ａに対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における第２の基体３１１Ｂの表面構造は、上述の実施形態のいずれかにおける基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、透明導電層であるパターン層が形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体の集合から構成されている。したがって、第２の基体３１１Ｂの両主面のうち、第１の基体３１１Ａに対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）３００Ｙがストライプ状に形成されている。
第１の基体３１１Ａの第１の領域Ｒ１と、第２の基体３１１Ｂの第１の領域Ｒ１とは、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基体３１１Ａの横電極３００Ｘと、第２の基体３１１Ｂの縦電極３００Ｙとは、互いに直交する関係にある。
図１６Ａは、この発明の第３の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基体３２１Ａと第２の基体３２１Ｂとを備える。
図１６Ｂは、第１の基体３２１Ａの一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基体３２１Ｂは第１の基体３２１Ａとほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基体３２１Ａの両主面のうち、第２の基体３２１Ｂに対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は、第２の領域Ｒ２により隔てられている。第２の基体３２１Ｂの両主面のうち、第１の基体３２１Ａに対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における第１の基体３２１Ａおよび第２の基体３２１Ｂの表面構造は、上述の実施形態のいずれかにおける基体の表面構造と同様である。
第１の基体３２１Ａの第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基体３２１Ｂの第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ１および単位領域Ｃ２の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
第１の基体の表面および第２の基体の表面のそれぞれにおいて、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、透明導電層であるパターン層が形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体の集合から構成されている。したがって、第１の基体３２１Ａの両主面のうち、第２の基体３２１Ｂに対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）３０２Ｘが配列されている。また、第２の基体３２１Ｂの両主面のうち、第１の基体３２１Ａに対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）３０２Ｙが配列されている。横電極３０２Ｘおよび縦電極３０２Ｙは、第２の領域Ｒ２と同様の形状を有する。
第１の基体３２１Ａの横電極３０２Ｘと第２の基体３２１Ｂの縦電極３０２Ｙとは互いに直交する関係にある。第１の基体３２１Ａと第２の基体３２１Ｂとを重ね合わせた状態において、第１の基体３２１Ａの第１の領域Ｒ１と、第２の基体３２１Ｂの第２の領域Ｒ２とが重ね合わされ、第１の基体３２１Ａの第２の領域Ｒ２と、第２の基体３２１Ｂの第１の領域Ｒ１とが重ね合わされる。
第３の実施形態では、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域Ｒ１に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、タッチパネルの透明電極を作製することができる。さらに、パターン層形成用組成物を領域によって塗り分ける必要がないため、複雑な工程を必要とせず、透明電極パターンおよび引き回し配線パターンを一括して形成することもできる。
＜４．第４の実施形態＞
図１７は、この発明の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的断面図である。この表示装置４０１は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の基体４１１Ａと、第１の基体４１１Ａと対向配置された第２の基体４１１Ｂと、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０２とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対してこの発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置されたパターン基体間に媒質層が設けられた構成であればこの発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気等の気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子等の部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外にこの発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパー等が挙げられる。
マイクロカプセル層４０２は、多数のマイクロカプセル４２０を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子および白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
第１の基体４１１Ａは、第２の基体４１１Ｂと対向する面ＳＡに、第１の領域および第２の領域を備え、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域には、第１の透明導電層４１０Ａを備える。第２の基体４１１Ｂは、第１の基体４１１Ａと対向する面ＳＢに、第１の領域および第２の領域を備え、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域には、第２の透明導電層４１０Ｂを備える。必要に応じて、粘着剤等の貼合層４３０を介して、第１の基体４１１Ａをガラス等の支持体４４０に貼り合わせるようにしてもよい。
第１の透明導電層４１０Ａおよび第２の透明導電層４１０Ｂは、電子ペーパー４０１の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式等が挙げられる。
第４の実施形態では、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、電子ペーパーの透明電極を作製することができる。さらに、パターン層形成用組成物を領域によって塗り分ける必要がないため、複雑な工程を必要とせず、透明電極パターンおよび引き回し配線パターンを一括して形成することもできる。
＜５．第５の実施形態＞
図１８Ａは、この発明の第５の実施形態に係るＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）カードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して示す平面図である。このＩＣカード５０１は、いわゆる非接触型ＩＣカードであり、基材５１１と、アンテナコイル５０２と、ＩＣチップ５０３とを備える。アンテナコイル５０２の両端がＩＣチップ５０３に対して接続されている。また、基材５１１の両面には、外装材（図示省略）が設けられている。
基材５１１の形状としては、フィルム状、シート状、基板状を用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、ＩＣカード５０１に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。基材５１１の材料としては、耐久性や利便性等の観点から、フレキシブル性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステルを用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
基材５１１の一主面の周縁部には、例えば、第１の領域Ｒ１と第１の領域Ｒ２とが交互に螺旋状に形成されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における基材５１１の表面構造は、上述の実施形態のいずれかのパターン基体における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、導電層であるパターン層が形成されている。第１の領域Ｒ１には、パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体の集合から構成されている。したがって、基材５１１の一主面の周縁部には、連続的に形成された導電層からなるアンテナコイル５０２が、第１の領域Ｒ１の形状に倣って形成されている。なお、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のそれぞれに、アスペクト比等の異なる構造体を形成するようにしてもよい。
外装材は、ＩＣカードの表面および裏面を構成するものであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチルテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、配向ＰＥＴ等の高分子材料を主成分とするが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
アンテナコイル５０２は、基材５１１上に複数回巻回されて形成されたループコイル形状の電磁誘導コイルであり、その両端はＩＣチップ５０３に接続されている。アンテナコイル５０２は、リーダ／ライタから発せられる交流磁界を受信して交流電圧を誘起し、その交流電圧をＩＣチップ５０３に供給する。
ＩＣチップ５０３は、アンテナコイル５０２から供給される電力により駆動し、ＩＣカード５０１内の各部を制御する。例えば、ＩＣチップ５０３は、アンテナコイル５０２を介してリーダ／ライタと通信を行う。具体的には、リーダ／ライタとの相互認証やデータのやり取り等を行う。
第５の実施形態では、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、ＩＣカードのアンテナコイルを作製することができる。さらに、パターン層形成用組成物を領域によって塗り分ける必要がないため、複雑な工程を必要とせずＩＣカードの生産性を向上することができる。
＜６．第６の実施形態＞
図１９Ａは、この発明の第６の実施形態に係る表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１９Ｂは、図１９ＡにおけるＡ−Ａ模式的断面図である。図１９Ａに示すように、第６の実施形態に係る表示素子６０１は、パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示素子であり、偏光フィルタ６０４および基体６０３の積層体と、透明基板６３３および偏光フィルタ６４４の積層体とが、所定間隔を離して対向配置されている。基体６０３および透明基板６３３の間には、液晶分子６２２を備える液晶層６０２が配置される。バックライトからの光Ｌｂは、偏光フィルタ６４４、透明基板６３３、液晶層６０２、着色層６２０、基体６０３、偏光フィルタ６０４を順に通過して観察される。ここでは、表示素子として、液晶表示素子に対してこの発明を適用した例について説明するが、表示素子はこの例に限定されるものではなく、カラーフィルタが設けられた構成であればこの発明は適用可能である。液晶表示素子以外にこの発明を適用可能な表示素子としては、例えばＥＬ素子等が挙げられる。
基体６０３の両主面のうち、透明基板６３３に対向する一主面には、赤色、緑色、青色の波長帯の光をそれぞれ透過する着色層６２０ｒ、６２０ｇ、６２０ｂおよび透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極６００Ｘがストライプ状に形成されている。透明基板６３３の両主面のうち、基体６０３に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極６００Ｙがストライプ状に形成されている。
基体６０３の両主面のうち、透明基板６３３に対向する一主面には、網目状の第１の領域Ｒ１が設定され、第１の領域Ｒ１に区画されるようにして、第２の領域Ｒ２が設定されている。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２における基体６０３の表面構造は、上述の実施形態のいずれかにおける基体３の表面構造と同様である。図１９Ｂに示すように、例えば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１には、遮光層である黒色層６１０が形成されている。第１の領域Ｒ１は、黒色層６１０を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有しており、該凹凸形状は、複数の構造体６１５の集合から構成されている。第２の領域Ｒ２には、着色層６２０ｒ、６２０ｇ、６２０ｂが形成される。したがって、基体６０３、着色層６２０および黒色層６１０により、表示装置のカラーフィルタが構成される。黒色層６１０は、いわゆるブラックマトリックスを構成している。
図２０Ａ〜図２０Ｅは、この発明の第６の実施形態に係る表示素子を構成するカラーフィルタの製造方法の一例を説明するための工程図である。
まず、図２０Ａに示すように、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された基体６０３を準備する。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１に複数の構造体６１５の集合が形成されている。
次に、図２０Ｂに示すように、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された基体６０３の表面に、パターン層形成用組成物６１３を塗布する。
次に、パターン層形成用組成物６１３が塗布された基体６０３の表面において、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物６１３を連続的に残す。第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のうち、第１の領域Ｒ１が、パターン層形成用組成物６１３に対して毛管現象を発現する凹凸形状を有している。そのため、基体６０３の表面に塗布されたパターン層形成用組成物６１３は、自発的に第１の領域Ｒ１に凝集するのに対して、第２の領域Ｒ２にはパターン層形成用組成物１３が残らない。
パターン層形成用組成物６１３に混合する顔料として、例えば、黒色着色剤を用いることができる。黒色着色剤としては、例えば、カーボンブラックやチタンブラック等を挙げることができる。
次に、図２０Ｃに示すように、加熱、乾燥、焼成、レーザー照射、プラズマ処理またはエネルギー線照射等により、第１の領域Ｒ１に連続的に残ったパターン層形成用組成物６１３を固化させ、黒色層６１０を形成する。
次に、図２０Ｄに示すように、着色層６２０ｒ、６２０ｇ、６２０ｂを形成する。着色層６２０ｒ、６２０ｇ、６２０ｂの形成には、エッチング法、染色法、電着法、印刷法等の公知の方法を用いることができる。
次に、図２０Ｅに示すように、透明電極６００Ｘを形成する。透明電極６００Ｘの形成方法としては、例えば、ドライプロセスまたはウエットプロセスによる成膜方法を用いることができる。具体的な成膜方法としては、例えば、化学的作製法、または物理的作製法を用いることができる。化学的作製法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スプレー法、ディップ法、粉末塗布法などを挙げることができる。物理的作製法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、パルスレーザ蒸着法などを用いることができる。なお、着色層６２０ｒ、６２０ｇ、６２０ｂの保護のために、オーバーコート層を形成してから透明電極６００Ｘを形成するようにしてもよい。
第６の実施形態では、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域Ｒ１に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、表示素子のカラーフィルタを作製することができる。

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
（サンプル１−１）
まず、成形面のうち、第１の領域Ｒｍ１に凹状のナノ構造体が形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面のうち、第１の領域に凸状のナノ構造体が多数形成された樹脂シート（以下、パターン基体と適宜称する。）が得られた。構造体の配置ピッチＰは２５０ｎｍ、アスペクト比Ａは１．０であった。なお、構造体の配置は、六方格子パターンとした。また、第１の領域および第２の領域の比であるライン／スペースの比（以下、Ｌ／Ｓと適宜記載する。）は、０．５ｍｍ／０．５ｍｍに設定した。
次に、パターン基体をパターン層形成用組成物に浸漬することにより、パターン基体の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された表面に対して、パターン層形成用組成物を塗布した。以下に、パターン層形成用組成物の組成を示す。
導電性材料：Ａｇナノ粒子（粒子径：１０ｎｍ）、５重量％
バインダ：オクタデカンチオール、１重量％
溶媒：エチレングリコール、９４重量％
以下、上記組成のパターン層形成用組成物を、分散液Ａと記載する。
分散液Ａをパターン基体に１μＬ滴下したところ、以下の値が得られた。
第１の領域Ｒ１に分散液Ａを滴下したときの接触角θ１：１２５°
第２の領域Ｒ２に分散液Ａを滴下したときの接触角θ２：９７°
以下に、接触角の測定に用いた測定装置を示す。
測定装置：協和界面科学株式会社製 接触角計ＣＡ−ＸＥ型
次に、分散液Ａを塗布したパターン基体を、２５℃の条件下で１０ｍｉｎ放置し、第１の領域Ｒ１に分散液Ａを残した後、１２０℃の条件下で６０ｍｉｎ焼成を行い、サンプル１−１のパターン基体を得た。
（サンプル１−２）
アスペクト比Ａを１．２としたこと以外は、サンプル１−１と同様にして、サンプル１−２のパターン基体を得た。分散液Ａをパターン基体に１μＬ滴下したところ、以下の値が得られた。
第１の領域Ｒ１に分散液Ａを滴下したときの接触角θ１：１４５°
第２の領域Ｒ２に分散液Ａを滴下したときの接触角θ２：９９°
（サンプル１−３）
配置ピッチＰを３００ｎｍとしたこと以外は、サンプル１−１と同様にして、サンプル１−３のパターン基体を得た。分散液Ａをパターン基体に１μＬ滴下したところ、以下の値が得られた。
第１の領域Ｒ１に分散液Ａを滴下したときの接触角θ１：１２７°
第２の領域Ｒ２に分散液Ａを滴下したときの接触角θ２：９６°
（サンプル１−４）
パターン層形成用組成物を以下に示す組成のものとしたこと以外は、サンプル１−１と同様にして、サンプル１−４のパターン基体を得た。以下に、パターン層形成用組成物の組成を示す。
導電性材料：Ａｇナノ粒子（粒子径：１０ｎｍ）、５重量％
バインダ：オクタデカンチオール、１重量％
溶媒：オクタン、９４重量％
以下、上記組成のパターン層形成用組成物を、分散液Ｂと記載する。
なお、分散液Ｂをパターン基体に１μＬ滴下したところ、以下の値が得られた。
第１の領域Ｒ１に分散液Ｂを滴下したときの接触角θ１：５４°
第２の領域Ｒ２に分散液Ｂを滴下したときの接触角θ２：６０°
（サンプル１−５）
アスペクト比Ａを０．６としたこと以外は、サンプル１−１と同様にして、サンプル１−５のパターン基体を得た。分散液Ａをパターン基体に１μＬ滴下したところ、以下の値が得られた。
第１の領域Ｒ１に分散液Ａを滴下したときの接触角θ１：１１６°
第２の領域Ｒ２に分散液Ａを滴下したときの接触角θ２：９７°
（パターン性の評価）
サンプル１−１〜サンプル１−５について、パターンの形成に問題がないかどうかを評価した。パターン性の判定は、所望のパターンが得られているかどうかを、目視により確認する方法を採った。
表１に、サンプル１−１〜サンプル１−５の評価結果を示す。表１において、パターン性の評価結果欄に「○」印が附されたサンプルとされたものは、所望のパターンに沿ったパターン層（導電層）の形成が確認されたものである。一方、パターン性の評価結果欄に「×」印が附されたサンプルとされたものは、連続的な導電層が形成できていなかったものである。

表１から以下のことがわかった。
サンプル１−４およびサンプル１−５に係るパターン基体では、第１の領域上に連続的に導電層が形成できていなかったことに対して、サンプル１−１〜サンプル１−３に係るパターン基体では、所望のパターンに沿った導電層の形成が確認できた。したがって、パターン層形成用組成物に対して、第１の領域Ｒ１に形成された凹凸形状による毛管現象を利用し、第１の領域Ｒ１にパターン層形成用組成物を連続的に残すことにより、第１の領域Ｒ１上に選択的に導電パターン部を形成し、配線基板等の導電パターンを作製することができる。
すなわち、ナノインプリント等でパターンを転写し、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が形成された表面を有する基体をあらかじめ準備しておけば、パターン層形成用組成物を基体の表面に塗布するだけで、配線部分に選択的にパターン層形成用組成物を残すことができる。したがって、パターン成形の工程を簡略化することができる。
＜７．変形例＞
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
上述の実施形態では、ロール原盤に形成された構造体を転写する例を説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、矩形状原盤やディスク状原盤等を使用してもよい。
また、上述の実施形態では、第１の領域に形成される構造体の例として凸形状を例示したが、例えば、図３Ａに示す凸形状を反転して凹形状とした構造体を用いてもよい。
また、上述の実施形態では、片面または両面に配線および／または電極が形成された単層のパターン基体に対してこの発明を適用した例を説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、多層のパターン基体に対しても適用可能である。
また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線および／または電極を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。
パターン層は、配線および／または電極に限らず、有機・無機トランジスタ素子、メモリ素子、アンテナの放射部材等の形成にも用いることができる。必要に応じ、パターン層に金属層をメッキ等によりさらに積層してもよい。そのほかにも、赤外線反射コーティング、紫外線反射コーティング、金・銀等による装飾用コーティング、触媒のコーティングとしての適用も可能である。
また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対してこの発明を適用した例について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対してもこの発明は適用可能である。
また、上述の実施形態では、顔料を含有するパターン層形成用組成物を用い、表示素子のカラーフィルタに対してこの発明を適用した例を説明したが、この発明はこの例に限定されるものではない。例えば、顔料としては、黒色着色剤に限られず、その他の色の着色剤を用いてもよく、例えば、電子機器等の筺体に模様を形成し、電子機器等に意匠性を付与することもできる。
また、上述の実施形態では、電子機器の一例として情報入力装置または表示装置にこの発明を適用する例について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、表示素子や配線素子（例えばプリント基板）等を備える種々の電子機器に対して適用可能である。
上述した例のほか、メンブレンスイッチ、キーパッド、太陽電池、医療用機器の配線および／または電極の形成やイメージセンサのカラーフィルタの形成に適用することもできる。また、配線や電極、素子等を樹脂等により封止し、ウェアラブル・エレクトロニクスに適用することもできる。

１ 配線基板
３ 基体
３Ａ 基材層
３Ｂ 形状層
５ 構造体
１０ パターン層
１３ パターン層形成用組成物
Ｒ１ 第１の領域
Ｒ２ 第２の領域
２０１ 液晶表示素子
３０１ タッチパネル（情報入力装置）
３０２Ｄ 表示装置
６０１ 表示素子
６１０ 黒色層

Claims (15)

1. 第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
   上記第１の領域および第２の領域のうち、上記第１の領域に形成されたパターン層と
   を備え、
   上記パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
   上記第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
   上記第２の領域が、上記パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して撥液性を有し、
   上記凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
   上記構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
   上記構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体。
2. 第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
   上記第１の領域および第２の領域のうち、上記第１の領域に形成されたパターン層と
   を備え、
   上記基体の表面が、フッ素またはシリコーンを含有し、
   上記パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
   上記第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
   上記凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
   上記構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
   上記構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体。
3. 第１の領域および第２の領域が形成された表面を有する基体と、
   上記第１の領域および第２の領域のうち、上記第１の領域に形成されたパターン層と
   を備え、
   上記基体の表面が、撥液膜を備え、
   上記パターン層が、配線パターン層または透明電極であり、
   上記第１の領域が、毛管現象を発現する凹凸形状を有し、
   上記凹凸形状が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなり、
   上記構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
   上記構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体。
4. 上記第１の領域に対して、上記パターン層を形成するパターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、１２０°以上であり、
   上記第２の領域に対して、上記パターン層形成用組成物を滴下したときの接触角が、９５°以上である請求項１から３のいずれかに記載のパターン基体。
5. 上記格子パターンは、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンである請求項１から４のいずれかに記載のパターン基体。
6. 上記基体の表面に対して、上記パターン層を形成するパターン層形成用組成物を塗布した際に、該塗布されたパターン層形成用組成物が、上記第１の領域のみに連続的に残る請求項１から５のいずれかに記載のパターン基体。
7. 上記凹凸形状が、上記パターン層を形成するパターン層形成用組成物に対して毛管現象を発現する請求項１から６のいずれかに記載のパターン基体。
8. 上記パターン層が、導電性材料を含む請求項１から７のいずれかに記載のパターン基体。
9. 上記導電性材料が、透明酸化物半導体、金属または導電性高分子である請求項８に記載のパターン基体。
10. 上記パターン層が、上記凹凸形状に倣った形状を有する請求項９に記載のパターン基体。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパターン基体を備える情報入力装置。
12. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパターン基体を備える表示装置。
13. 上記パターン層が、パターン層形成用組成物を上記表面に塗布し、上記凹凸形状の毛管現象を利用して、上記第１の領域および上記第２の領域のうち上記第１の領域に上記パターン層形成用組成物を連続的に残し、該第１の領域に残ったパターン層形成用組成物によりパターン層を形成して得られる請求項１から３のいずれかに記載のパターン基体。
14. 第１の領域および第２の領域が形成された基体の表面に、パターン層形成用組成物を塗布する工程と、
    上記第１の領域の毛管現象を利用して、上記第１の領域および上記第２の領域のうち、上記第１の領域に上記パターン層形成用組成物を連続的に残す工程と、
    上記第１の領域に連続的に残ったパターン層形成用組成物を固化させることにより、上記第１の領域にパターン層を形成する工程と
    を備え、
    上記第１の領域が、格子パターンをなすように配置された複数の構造体の集合からなる凹凸形状を有し、該凹凸形状に毛管現象が発現し、
    上記第２の領域が、上記パターン層形成用組成物に対して撥液性を有し、
    上記構造体の配置ピッチが、１５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、
    上記構造体のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であるパターン基体の製造方法。
15. 上記パターン層を形成する工程において、上記パターン層が、上記パターン層形成用組成物を加熱、レーザー照射、プラズマ処理またはエネルギー線照射することにより形成される請求項１４に記載のパターン基体の製造方法。

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