JP2005338812A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005338812A5
JP2005338812A5 JP2005128989A JP2005128989A JP2005338812A5 JP 2005338812 A5 JP2005338812 A5 JP 2005338812A5 JP 2005128989 A JP2005128989 A JP 2005128989A JP 2005128989 A JP2005128989 A JP 2005128989A JP 2005338812 A5 JP2005338812 A5 JP 2005338812A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
wiring
film
display device
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005128989A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4849821B2 (ja
JP2005338812A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005128989A priority Critical patent/JP4849821B2/ja
Priority claimed from JP2005128989A external-priority patent/JP4849821B2/ja
Publication of JP2005338812A publication Critical patent/JP2005338812A/ja
Publication of JP2005338812A5 publication Critical patent/JP2005338812A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4849821B2 publication Critical patent/JP4849821B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (10)

  1. 基板上に設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されたソース配線及びドレイン配線と、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接する第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
    前記電界発光層に接する第2の導電膜と、を有し、
    前記第2の絶縁膜は遮光性を有し、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。
  2. 基板上に設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されたソース配線及びドレイン配線と、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に設けられた第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接続された第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
    前記電界発光層に接する第2の導電膜とを有し、
    前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有し、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線と前記第1の導電膜の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。
  3. 基板上に設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されたソース配線及びドレイン配線と、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に設けられた第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接続された接続配線と、
    前記接続配線に接する第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
    前記電界発光層に接する第2の導電膜とを有し、
    前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有し、
    前記ソース配線及び前記ドレイン配線と前記接続配線の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1において、前記第1の絶縁膜は無機材料からなり、前記第2の絶縁膜は有機材料からなり、かつ炭素を含むことを特徴とする表示装置。
  5. 請求項又は請求項において、
    前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜は有機材料からなり、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は炭素を含むことを特徴とする表示装置。
  6. 請求項2又は請求項において、
    前記第1の導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、
    前記隔壁層は第4の絶縁膜と第5の絶縁膜の積層膜からなり、
    前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする表示装置。
  7. 請求項2又は請求項3において、
    前記第1の導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、
    前記隔壁層は第4の絶縁膜と第5の絶縁膜の積層膜からなり、
    前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有し、
    前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜は有機材料からなり、前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜の一方又は両方は炭素を含むことを特徴とする表示装置。
  8. 請求項乃至請求項のいずれか一項において、
    前記合金材料は、炭素と珪素の一方又は両方を含むことを特徴とする表示装置。
  9. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記第1の導電膜、前記電界発光層及び前記第2の導電膜を含む発光素子は、前記基板と反対の方向に光を発することを特徴とする表示装置。
  10. 請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
JP2005128989A 2004-04-28 2005-04-27 表示装置、電子機器 Expired - Fee Related JP4849821B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005128989A JP4849821B2 (ja) 2004-04-28 2005-04-27 表示装置、電子機器

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004134905 2004-04-28
JP2004134905 2004-04-28
JP2005128989A JP4849821B2 (ja) 2004-04-28 2005-04-27 表示装置、電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005338812A JP2005338812A (ja) 2005-12-08
JP2005338812A5 true JP2005338812A5 (ja) 2008-03-21
JP4849821B2 JP4849821B2 (ja) 2012-01-11

Family

ID=35492404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005128989A Expired - Fee Related JP4849821B2 (ja) 2004-04-28 2005-04-27 表示装置、電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4849821B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8148895B2 (en) * 2004-10-01 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
JP2007165214A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7977862B2 (en) * 2005-12-21 2011-07-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
KR100759666B1 (ko) 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR100688792B1 (ko) 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
JP2009076536A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Mitsubishi Electric Corp Al合金膜、電子デバイス及び電気光学表示装置用アクティブマトリックス基板
US7977678B2 (en) * 2007-12-21 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
JP2010135300A (ja) * 2008-11-10 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法
JP5141912B2 (ja) * 2009-02-10 2013-02-13 三菱マテリアル株式会社 上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲット
KR102620013B1 (ko) 2016-07-01 2024-01-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62240738A (ja) * 1986-04-11 1987-10-21 Nippon Mining Co Ltd 半導体配線材料用n、c含有アルミニウム合金
EP1553205B1 (en) * 1995-10-12 2017-01-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputter target for forming thin film interconnector and thin film interconnector line
JP2000172198A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP4090746B2 (ja) * 2001-01-29 2008-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP2003089864A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
JP3904997B2 (ja) * 2001-09-28 2007-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP2004071432A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005338812A5 (ja)
JP2007073499A5 (ja)
JP2021073521A5 (ja)
JP2016054298A5 (ja) 半導体装置および電子機器
JP2011171287A5 (ja) フレキシブル発光装置、電子機器
JP2005135991A5 (ja)
JP2011171288A5 (ja) フレキシブル発光装置
JP2015159114A5 (ja) 半導体装置及び電子機器
JP2010040522A5 (ja)
JP2010153813A5 (ja) 発光装置
JP2010040520A5 (ja)
JP2005332773A5 (ja)
JP2011029176A5 (ja)
JP2010170108A5 (ja) 半導体装置
JP2013058484A5 (ja) El表示装置
JP2012138382A5 (ja) 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012048264A5 (ja) 半導体装置
JP2007525713A5 (ja)
JP2013175470A5 (ja)
JP2008107807A5 (ja) 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012124175A5 (ja)
JP2014220246A5 (ja)
JP2007213065A5 (ja)
JP2004127933A5 (ja)
JP2010245032A5 (ja)