JP2005135991A5

JP2005135991A5 -

Info

Publication number: JP2005135991A5
Application number: JP2003367639A
Authority: JP
Filing date: 2003-10-28
Publication date: 2006-11-30
Anticipated expiration: 2023-10-28

Claims

第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴと、
第１の配線と、
前記第１のＴＦＴ乃至前記第３のＴＦＴ、及び前記第１の配線を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接するように形成された第２乃至第７の配線と、
前記第２乃至第７の配線を覆って、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に接するように形成された第８乃至第１０の配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に接するように形成され、なおかつ前記第１０の配線に接続された表示素子と、を有し、
前記第１の配線は、接続端子部に設けられ、且つ前記第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴのゲート電極と同一の層で形成され、
前記第２の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の配線と接続され、
前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第４の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第５の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第６の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第７の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、
前記第８の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第２の配線と接続され、
前記第９の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第４の配線及び前記第５の配線と接続され、
前記第１０の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第７の配線と接続され、
前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第８の配線は前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内で接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線の接続部の面積は、前記第２の配線と前記第８の配線の接続部の面積より大きいことを特徴とする半導体表示装置。
第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴと、
第１の配線と、
前記第１のＴＦＴ乃至前記第３のＴＦＴ、及び前記第１の配線を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接するように形成された第２乃至第６の配線と、
前記第２乃至第６の配線を覆って、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に接するように形成された第７乃至第９の配線と、
前記第２の層間絶縁膜上に接するように形成され、なおかつ前記第９の配線に接続された表示素子と、を有し、
前記第１の配線は、接続端子部に設けられ、且つ前記第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴのゲート電極と同一の層で形成され、
前記第２の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の配線と接続され、
前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第４の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方に接続され、且つ前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、前記第２のＴＦＴのゲート電極にダイオード接続され、
前記第５の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第６の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、
前記第７の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第２の配線と接続され、
前記第８の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第４の配線と複数箇所で接続され、
前記第９の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第６の配線と接続され、
前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第７の配線は前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内で接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線の接続部の面積は、前記第２の配線と前記第７の配線の接続部の面積より大きいことを特徴とする半導体表示装置。
請求項１又は請求項２において、
前記表示素子は発光素子であり、
前記発光素子は第１の電極と、前記第１の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第２の電極と、を有し、
前記第２の電極は透光性を有することを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記表示素子は発光素子であり、
前記発光素子は第１の電極と、前記第１の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は透光性を有することを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第２の層間絶縁膜は塗布法を用いて形成されたことを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第２の層間絶縁膜は、積層された絶縁膜で形成され、前記積層された絶縁膜のいずれか１層は塗布法を用いて形成されたことを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第２の層間絶縁膜は、有機樹脂膜または無機絶縁膜を有することを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第２の層間絶縁膜は、シロキサン系の材料を用いて形成された絶縁膜を有することを特徴とする半導体表示装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記半導体表示装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、記録媒体を備えた画像再生装置のいずれか一に用いられていることを特徴とする半導体表示装置。
第１乃至第３のＴＦＴと、第１の配線とを形成し、
前記第１のＴＦＴ乃至前記第３のＴＦＴ、及び前記第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に第２乃至第７の配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に前記第２乃至第７の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に第８乃至第１０の配線を形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に前記第１０の配線に接続するように表示素子を形成し、
前記第１の配線は、接続端子部に形成され、且つ前記第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴのゲート電極と同一の層で形成され、
前記第２の配線は、前記接続端子部に形成され、且つ前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の配線と接続され、
前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第４の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第５の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第６の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第７の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、
前記第８の配線は、前記接続端子部に形成され、且つ前記第２の配線と接続され、
前記第９の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第４の配線及び前記第５の配線と接続され、
前記第１０の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第７の配線と接続され、
前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第８の配線は前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内で接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線との接続部の面積は、前記第２の配線と前記第８の配線との接続部の面積より大きいことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
第１乃至第３のＴＦＴと、第１の配線とを形成し、
前記第１のＴＦＴ乃至前記第３のＴＦＴ、及び前記第１の配線を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に第２乃至第６の配線を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上に前記第２乃至第６の配線を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に第７乃至第９の配線を形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に前記第９の配線に接続するように表示素子を形成し、
前記第１の配線は、接続端子部に設けられ、且つ前記第１のＴＦＴ乃至第３のＴＦＴのゲート電極と同一の層で形成され、
前記第２の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１の配線と接続され、
前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、ゲート電極にダイオード接続され、
前記第４の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方に接続され、且つ前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と、前記第２のＴＦＴのゲート電極にダイオード接続され、
前記第５の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の他方と接続され、
前記第６の配線は、前記第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３のＴＦＴが有するソース領域又はドレイン領域の一方と接続され、
前記第７の配線は、前記接続端子部に設けられ、且つ前記第２の配線と接続され、
前記第８の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第４の配線と複数箇所で接続され、
前記第９の配線は、前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第６の配線と接続され、
前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第７の配線は前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内で接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線との接続部の面積は、前記第２の配線と前記第７の配線との接続部の面積より大きいことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
請求項１０又は請求項１１において、
前記第２の層間絶縁膜は塗布法により形成されることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
請求項１０又は請求項１１において、
前記第２の層間絶縁膜は、塗布法により形成された絶縁膜、及び前記絶縁膜上の窒化珪素膜を有することを特徴とする半導体表示装置の作製方法。