JP4823651B2 - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents
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Description
ボトムエミッション(Bottom Emission)方式は、発光素子からの光を発光素子のTFTが形成されている基板側から下方向に光を取り出す方法であり、トップエミッション(Top Emission)方式は発光素子からの光を、その逆の上方向に取り出す方式である。
本実施の形態では、発光素子の温度及び劣化を補償するための補償回路を有するボトムエミッション型の発光装置について説明する。
なお、リソグラフィ法等によりマスクパターンを転写する、とは、リソグラフィ法の他にインクジェット法を用いたマスクパターン転写技術、ナノインプリント法を用いたマスクパターン転写技術も含み、また感光性の有機膜(例えばアクリル・ポリイミド等)にマスクパターンを露光して現像することも含むものとして定義する。
22 線
23 線
31 線
32 線
101 定電流源
102 モニター素子
103 バッファアンプ
104 電流制御用TFT
105 発光素子
106 画素
107 ゲート信号線駆動回路
108 ソース信号線駆動回路
109 画素部
110 陰極
111 陽極
150 ソース信号線駆動回路
151 画素部
152 補償回路
153 ゲート信号線駆動回路
154 対向基板
155 シール材
156 密封空間
157 基板
158 配線
159 FPC
160 ICチップ
161 nチャネル型TFT
162 pチャネル型TFT
163 スイッチング用TFT
164 電流制御用TFT
165 透明電極
166 絶縁膜
167 有機化合物層
168 反射電極
169 発光素子
170 配線
171 透明電極
172 モニター素子
175 下地膜
176 絶縁膜
178 絶縁膜
180 電極
181 電極
200 透明電極
201 有機化合物層
202 絶縁膜
203 透明電極
204 反射電極
205 絶縁膜
213 透明電極
214 反射電極
300 透明電極
301 有機化合物層
302 絶縁膜
303 透明電極
305 絶縁膜
313 透明電極
2001 表示部
2006 表示部
Claims (8)
- バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第1の下部電極と、前記第1の下部電極上に設けられた第1の有機化合物層と、前記第1の有機化合物層上に設けられた第1の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第2の下部電極と、前記第2の下部電極上に設けられた第2の有機化合物層と、前記第2の有機化合物層上に設けられた第2の上部電極と、を有し、
前記第1及び第2の下部電極は、透明電極であり、
前記第2の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚は、前記第1の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚よりも薄く、
前記第2の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚をd1とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、d1はλ/4の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。 - バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第1の下部電極と、前記第1の下部電極上に設けられた第1の有機化合物層と、前記第1の有機化合物層上に設けられた第1の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第2の下部電極と、前記第2の下部電極上に設けられた第2の有機化合物層と、前記第2の有機化合物層上に設けられた第2の上部電極と、を有し、
前記第1及び第2の下部電極は、透明電極であり、
前記第2の下部電極の膜厚は、前記第1の下部電極の膜厚よりも薄く、
前記第2の下部電極の膜厚をd2とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、d2はλ/4の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。 - バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第1の下部電極と、前記第1の下部電極上に設けられた第1の有機化合物層と、前記第1の有機化合物層上に設けられた第1の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第2の下部電極と、前記第2の下部電極上に設けられた第2の有機化合物層と、前記第2の有機化合物層上に設けられた第2の上部電極と、を有し、
前記第1及び第2の上部電極は、透明電極であり、
前記第2の上部電極の膜厚は、前記第1の上部電極の膜厚よりも薄く、
前記第2の上部電極の膜厚をd3とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、d3はλ/4の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記第2の下部電極の膜厚は、前記第1の下部電極の膜厚よりも薄く、
前記第2の下部電極の膜厚をd4とした場合、d4はλ/4の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1、請求項2、又は請求項4のいずれか一項において、
前記第1及び第2の上部電極は、透明電極であり、
前記第2の上部電極の膜厚は、前記第1の上部電極の膜厚よりも薄く、
前記第2の上部電極の膜厚をd5とした場合、d5はλ/4の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1、請求項2、又は請求項4のいずれか一項において、
前記第1及び第2の上部電極は、反射電極であることを特徴とする発光装置。 - 第1の薄膜トランジスタと、
第2の薄膜トランジスタと、
第3の薄膜トランジスタと、
発光波長がλ 1 の第1の発光素子と、
発光波長がλ 2 の第2の発光素子と、
発光波長がλ 3 の第3の発光素子と、
発光波長がλ 1 の第1のモニター素子を有する第1の補償回路と、
発光波長がλ 2 の第2のモニター素子を有する第2の補償回路と、
発光波長がλ 3 の第3のモニター素子を有する第3の補償回路と、
多層膜と、を有し
前記第1のモニター素子は第1の領域に配置され、
前記第2のモニター素子は第2の領域に配置され、
前記第3のモニター素子は第3の領域に配置され、
前記第1乃至第3の発光素子は第4の領域に配置され、
前記第1の領域における前記多層膜の膜厚は、λ 1 /4の奇数倍のd 1 となるように形成され、
前記第2の領域における前記多層膜の膜厚は、λ 2 /4の奇数倍のd 2 となるように形成され、
前記第3の領域における前記多層膜の膜厚は、λ 3 /4の奇数倍のd 3 となるように形成され、
前記第4の領域における前記多層膜の膜厚は、d 4 となるように形成されている発光装置の作製方法であって、
前記第1乃至第3の薄膜トランジスタ上に前記多層膜を形成する第1の工程と、
前記多層膜上に前記第1乃至第3のモニター素子と前記第1乃至第3の発光素子とを形成する第2の工程と、を有し、
前記第1の工程は、
(A)前記第4の領域に第1の膜厚の第1の絶縁膜を形成する工程と、
(B)前記第1及び第4の領域に第2の膜厚の第2の絶縁膜を形成する工程と、
(C)前記第1、第2、及び第4の領域に第3の膜厚の第3の絶縁膜を形成する工程と、
(D)前記第1乃至第4の領域に第4の膜厚の第4の絶縁膜を形成する工程と、を有し、
(E)前記第1の絶縁膜は、前記第1の膜厚がd 4 −d 1 となるように形成され、
(F)前記第2の絶縁膜は、前記第2の膜厚がd 1 −d 2 となるように形成され、
(G)前記第3の絶縁膜は、前記第3の膜厚がd 2 −d 3 となるように形成され、
(H)前記第4の絶縁膜は、前記第4の膜厚がd 3 となるように形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第1の補償回路は、第1のバッファアンプと第1の定電流源とを有し、
前記第2の補償回路は、第2のバッファアンプと第2の定電流源とを有し、
前記第3の補償回路は、第3のバッファアンプと第3の定電流源とを有し、
前記第1のバッファアンプの一端には、前記第1のモニター素子及び前記第1の定電流源が電気的に接続されており、
前記第2のバッファアンプの一端には、前記第2のモニター素子及び前記第2の定電流源が電気的に接続されており、
前記第3のバッファアンプの一端には、前記第3のモニター素子及び前記第3の定電流源が電気的に接続されており、
前記第1のバッファアンプの他端には、前記第1の薄膜トランジスタを介して前記第1の発光素子が電気的に接続され、
前記第2のバッファアンプの他端には、前記第2の薄膜トランジスタを介して前記第2の発光素子が電気的に接続され、
前記第3のバッファアンプの他端には、前記第3の薄膜トランジスタを介して前記第3の発光素子が電気的に接続されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
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