JP2021015954A - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021015954A JP2021015954A JP2020055139A JP2020055139A JP2021015954A JP 2021015954 A JP2021015954 A JP 2021015954A JP 2020055139 A JP2020055139 A JP 2020055139A JP 2020055139 A JP2020055139 A JP 2020055139A JP 2021015954 A JP2021015954 A JP 2021015954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- thin film
- film transistor
- semiconductor film
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 204
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 485
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 388
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 127
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 33
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 296
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 36
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 29
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 18
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 102100032566 Carbonic anhydrase-related protein 10 Human genes 0.000 description 4
- 101000867836 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 10 Proteins 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
以下において、本開示の、酸化物半導体薄膜トランジスタを含むTFT基板の構成及びその製造方法について説明する。本開示のTFT基板は様々な装置に適用することができ、例えば、センサ装置や表示装置に適用することができる。
[表示装置構成]
図1は、液晶表示パネル1の構成例を示す。液晶表示パネル1は、薄膜トランジスタ(TFT)と液晶に電界を印加するための画素電極が形成されるTFT基板10と、対向基板20と、TFT基板10と対向基板20とを接合するシール部30を含む。TFT基板10と対向基板20との間には、液晶材料が封入されている。画素電極との間で液晶に与える電界を形成する共通電極は、TFT基板10又は対向基板20上に形成されている。
図2は、液晶表示装置のTFT基板の断面構成例を模式的に示す。図2は、TFT基板100における、表示領域150の外側において周辺回路が設置される周辺回路領域110内の一つの第1酸化物半導体TFT130と、画素で構成される表示領域150内の一つの第2酸化物半導体TFT170とを、例として示している。第1酸化物半導体TFT130は、例えば、走査ドライバ内の酸化物半導体TFTである。第2酸化物半導体TFT170は、データ信号を与える各画素を選択するためのスイッチTFTである。
図2が示すTFT基板100の製造方法の例を説明する。図3Aに示すように、TFT基板100の製造方法は、CVD法等により、絶縁基板113上に下地層115を約100nm成膜する。次に、下地層115上にゲート電極131、171を含む金属層(ゲート電極層)を形成する。具体的には、スパッタ法等により金属膜を約300nm形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。さらに、製造方法は、ゲート電極層を覆うように、第1絶縁層117を、CVD法等により、約300nm成膜する。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例及びその製造方法を説明する。図4は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例200を模式的に示す。以下においては、図2に示す構成例との差異を主に説明する。
図4が示すTFT基板200の製造方法の例を説明する。図5Aに示すように、TFT基板200の製造方法は、CVD法等により、絶縁基板113上に下地層115を成膜する。製造方法は、下地層115にゲート電極131、171を含む金属層(ゲート電極層)を形成する。具体的には、スパッタ法等により金属膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。さらに、製造方法は、ゲート電極層を覆うように、第1絶縁層117を、CVD法等に成膜する。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例及びその製造方法を説明する。図6は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例300を模式的に示す。図6は、TFT基板300における、画素で構成される表示領域350内の一つの第1酸化物半導体TFT370と、表示領域350の外側において周辺回路が設置される周辺回路領域310内の一つの第2酸化物半導体TFT330とを、例として示している。なお、図6において、第1酸化物半導体TFT370及び第2酸化物半導体TFT330を覆う層間絶縁層及び画素電極は省略されている。
図6が示すTFT基板300の製造方法の例を説明する。図7Aに示すように、TFT基板300の製造方法は、CVD法等により、絶縁基板313上に下地層である第1絶縁層315を成膜する。製造方法は、第1絶縁層315上に、第1酸化物半導体膜373を含む酸化物半導体層(第1酸化物半導体層)を形成する。具体的には、スパッタ法等により酸化物半導体膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。これにより、酸化物半導体膜のパターンが形成される。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例及びその製造方法を説明する。図8は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例400を模式的に示す。以下においては、図2に示す構成例との差異を主に説明する。
図8が示すTFT基板400の製造方法の例を説明する。図9Aに示すように、図3A及び図3Bを参照して説明したステップを実行した後、製造方法は、第1酸化物半導体膜133を覆うように、CVD法等により、第2絶縁層419を成膜する。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例及びその製造方法を説明する。図10は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例500を模式的に示す。以下においては、図2に示す構成例との差異を主に説明する。
図10が示すTFT基板500の製造方法の例を説明する。図11Aに示すように、図3A及び図3Bを参照して説明したステップを実行した後、製造方法は、第1酸化物半導体膜133を覆うように、CVD法等により、第2絶縁層519を成膜する。
表示領域(画素回路)内において、信頼性向上のために、バンドギャップが大きい酸化物半導体TFTが主に(過半数)使用される。一方、周辺回路において、回路サイズ縮小のために、移動度が大きい酸化物半導体TFTが主に(過半数)使用される。酸化物半導体TFTに求められる特性に応じて、表示領域内の一部の酸化物半導体TFTは、移動度が大きい酸化物半導体TFTであり得、周辺回路内の一部の酸化物半導体TFTは、バンドギャップが小さい酸化物半導体TFTであり得る。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例を説明する。図14は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例600を模式的に示す。以下においては、図2に示す構成例との差異を主に説明する。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例を説明する。図15は、液晶表示装置のTFT基板の他の断面構成例700を模式的に示す。以下においては、図6に示す構成例との差異を主に説明する。
図15が示すTFT基板700の製造方法の例を説明する。図16Aに示すように、TFT基板700の製造方法は、CVD法等により、絶縁基板313上に下地層である第1絶縁層315を成膜する。製造方法は、第1絶縁層315上に、第1酸化物半導体膜373を含む酸化物半導体層(第1酸化物半導体層)を形成する。具体的には、スパッタ法等により酸化物半導体膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。これにより、酸化物半導体膜のパターンが形成される。
[TFT基板の構成]
以下において、TFT基板の他の構成例を説明する。図17は、トップエミッション型OLED表示装置のTFT基板の画素部の断面構成例800を模式的に示す。
Claims (18)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された、第1絶縁層と、
前記絶縁基板上に形成され、第1酸化物半導体膜を含む、第1薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成され、前記第1絶縁層より上層である第2絶縁層と、
前記絶縁基板上に形成され、前記第1酸化物半導体膜と組成が異なる第2酸化物半導体膜を含む、第2薄膜トランジスタと、
を含み、
前記第1酸化物半導体膜の少なくとも一部は、前記第1絶縁層上に接して形成され、
前記第1絶縁層は、前記第1酸化物半導体膜が接触している前記第1酸化物半導体膜より下の絶縁層において最も上の絶縁層であり、
前記第2酸化物半導体膜の少なくとも一部は、前記第2絶縁層上に接して形成され、
前記第2絶縁層は、前記第2酸化物半導体膜が接触している前記第2酸化物半導体膜より下の絶縁層において最も上の絶縁層である、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの一方の薄膜トランジスタに、主に負ゲートバイアスが印加され、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの他方の薄膜トランジスタに、主に正ゲートバイアスが印加される、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項2に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップより大きく、
前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度よりも大きい、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1酸化物半導体膜の全部は、前記第1絶縁層上に接して形成されており、
前記第2酸化物半導体膜の全部は、前記第2絶縁層上に接して形成されている、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1絶縁層の一部は、前記第1薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に含まれ、
前記第1絶縁層の一部及び前記第2絶縁層の一部は、前記第2薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に含まれる、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記薄膜トランジスタ基板は表示装置の部品であり、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの一方の薄膜トランジスタは表示領域内の画素回路に含まれ、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの他方の薄膜トランジスタは、前記表示領域外の周辺回路に含まれる、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップより大きく、
前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度よりも大きい、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項7に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記一方の薄膜トランジスタは、スイッチ薄膜トランジスタであり、
前記他方の薄膜トランジスタは、シフトレジスタ内の出力駆動トランジスタである、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度より大きく、
前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップよりも大きく、
前記一方の薄膜トランジスタは、前記画素回路内において発光素子への電流を制御する駆動薄膜トランジスタであり、
前記他方の薄膜トランジスタは、静電保護素子である、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度より大きく、
前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップよりも大きく、
前記一方の薄膜トランジスタは、前記画素回路内において発光素子への電流を制御する駆動薄膜トランジスタであり、
前記他方の薄膜トランジスタは、シフトレジスタに含まれ、
前記他方の薄膜トランジスタのソース/ドレインは電源電位が与えられ、
前記他方の薄膜トランジスタのゲートは、前段の出力が入力される、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記薄膜トランジスタ基板は表示装置の部品であり、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタは、表示領域外の周辺回路に含まれ、
前記第1薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記第2薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップより大きく、
前記第2薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記第1薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度よりも大きい、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1薄膜トランジスタは、静電保護素子であり、
前記第2薄膜トランジスタは、シフトレジスタ内の出力駆動トランジスタである、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1酸化物半導体膜又は前記第2酸化物半導体膜の少なくとも一方が容量の電極の一部を構成している、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項13に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記容量を構成する前記第1酸化物半導体膜の一部は前記第1薄膜トランジスタの第1酸化物半導体膜が延伸したものである、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項13に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記容量を構成する前記第2酸化物半導体膜の一部は前記第2薄膜トランジスタの第2酸化物半導体膜が延伸したものである、
薄膜トランジスタ基板。 - 請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板であって、
前記第1酸化物半導体膜の一部と、前記第2酸化物半導体膜の一部と、前記第2絶縁層の一部が容量を構成している、
薄膜トランジスタ基板。 - 薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
絶縁基板上に第1絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層を形成した後に、第1薄膜トランジスタのチャネル領域を含む第1酸化物半導体層を形成し、
前記第1酸化物半導体層を覆うように第2絶縁層を形成し、
前記第2絶縁層が前記第1酸化物半導体層を覆う状態において、第2薄膜トランジスタのチャネル領域を含む第2酸化物半導体層を形成する、
ことを含む、製造方法。 - 請求項17に記載の製造方法であって、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップは、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域のバンドギャップより大きく、
前記他方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度は、前記一方の薄膜トランジスタの酸化物半導体膜のチャネル領域の移動度よりも大きい、
製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010662297.3A CN112216705A (zh) | 2019-07-11 | 2020-07-10 | 薄膜晶体管衬底 |
US16/925,477 US11342364B2 (en) | 2019-07-11 | 2020-07-10 | Thin-film transistor substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019128954 | 2019-07-11 | ||
JP2019128954 | 2019-07-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021015954A true JP2021015954A (ja) | 2021-02-12 |
JP2021015954A5 JP2021015954A5 (ja) | 2023-03-14 |
Family
ID=74530750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020055139A Pending JP2021015954A (ja) | 2019-07-11 | 2020-03-25 | 薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021015954A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113629070A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板 |
WO2023286168A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
-
2020
- 2020-03-25 JP JP2020055139A patent/JP2021015954A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286168A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
CN113629070A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11557520B2 (en) | Display device including a test unit | |
EP3331019B1 (en) | Display device | |
JP4591451B2 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
TWI543376B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
TW201803128A (zh) | 陣列基板結構與顯示裝置 | |
TW202005080A (zh) | 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器及顯示像素 | |
US11342364B2 (en) | Thin-film transistor substrate | |
KR20210016114A (ko) | 표시 장치 | |
KR20190027978A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20210016111A (ko) | 표시 장치 | |
KR20210010696A (ko) | 표시 장치 | |
JP2021015954A (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
US20240096287A1 (en) | Display apparatus | |
CN113439298B (zh) | 显示装置 | |
TWI402799B (zh) | 顯示裝置 | |
US20220157919A1 (en) | Display substrate, display panel, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
JP2023081291A (ja) | 電源供給回路およびこれを含む表示装置 | |
WO2021005855A1 (ja) | 表示装置 | |
JP4823651B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法 | |
CN114628456A (zh) | 有机发光显示装置 | |
KR102138690B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
US10475872B2 (en) | Display device with light blocking layer and manufacturing method thereof | |
TWI836608B (zh) | 顯示裝置 | |
US20230306903A1 (en) | Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
WO2024050839A1 (zh) | 显示基板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230306 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240311 |