JPWO2018216432A1 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備える表示装置において、カソード電極を、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続する。

Description

本開示は、表示装置及び電子機器に関する。

近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、画素の発光部（発光素子）として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。

画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、一般に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を用いて基板上に形成された回路部を覆う状態で絶縁膜が設けられ、この絶縁膜上に有機ＥＬ素子が配列形成された構成となっている。また、有機ＥＬ素子の上には、上部電極としてカソード電極が全画素共通に成膜される。カソード電極については、回路部と電気的に接続する必要がある。

カソード電極を回路部と電気的に接続するために、従来は、有効画素領域（表示領域）の外周部にコンタクト領域を設け、当該コンタクト領域にてカソード電極と回路部との電気的接続を行う構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１４−１９９７３９号公報

ところで、カソード電極と回路部との電気的接続を行う目的で有効画素領域の外周部に設けられるコンタクト領域は、表示パネルの額縁（パネル周縁部）の幅の律速要因となっている。表示パネルの額縁幅が大きいと、理収（理論的収率）が減ることによる製造コストの上昇につながる上、表示装置搭載製品のデザインに制限がかかるため、デバイスとしての商品性を低下させることになる。

そこで、本開示は、有効画素領域の外周部に、カソード電極と回路部との電気的接続を行うコンタクト領域を設けるに当たって、表示パネルの狭額縁化を図ることが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備え、
カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続されている。また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。

有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、カソード電極をコンタクト電極と電気的に接続する構成を採ることで、カソード電極を、有機ＥＬ層の成膜エリアよりも大きいサイズで成膜する必要がなくなるため、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面の製造ばらつきと、カソード電極１０９の成膜エリアの端面の製造ばらつきとを足し算が考える必要がなくなる。その結果、有効画素領域の外側に必要となるコンタクト領域の面積を、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも外側でコンタクト電極とコンタクトをとる場合に比べて縮小できる。

本開示によれば、有効画素領域の外周部に、カソード電極と回路部との電気的接続を行うコンタクト領域を設けるに当たって、コンタクト領域の面積を縮小できるため、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。

図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。 図３は、表示パネルの周縁部の断面構造の一例を示す断面図である。 図４は、有機ＥＬ層の断面構造の一例を示す断面図である。 図５Ａは、従来例に係るカソード電極のコンタクト構造について説明する平面視での概略構成図であり、図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す断面図である。 図６Ａは、実施例１に係るカソード電極のコンタクト構造を示す平面視での概略構成図であり、図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す断面図であり、図６Ｃは、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す断面図である。 図７Ａは、実施例２に係るカソード電極のコンタクト構造における凹凸形状の凸部の別の形状の一例を示す平面視での概略構成図であり、図７Ｂは、別の形状の他の例を示す平面視での概略構成図である。 図８は、実施例３に係るカソード電極のコンタクト構造を示す平面視での概略構成図である。 図９Ａは、表示パネルの中央部と周縁部との電圧降下差に伴う発光輝度の差を示す図であり、図９Ｂは、カソードコンタクト電極の電源供給端子からの距離の違いに伴う発光輝度の差を示す図である。 図１０は、実施例４に係るカソード電極のコンタクト構造を示す平面視での概略構成図である。 図１１Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの正面図であり、図１１Ｂは、その背面図である。 図１２は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。

以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．表示パネルの断面構造
２−４．カソード電極のコンタクト構造について
２−５．実施例１（本開示の表示装置）
２−６．実施例２（実施例１の変形例）
２−７．実施例３（実施例１の変形例）
２−８．実施例４（実施例１の変形例）
３．変形例
４．本開示の電子機器
４−１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
４−２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
５．本開示がとることができる構成

＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及び電子機器にあっては、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部について、辺方向において凹凸形状を有する構成とすることができる。そして、カソード電極について、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部における凹凸形状の凹部にてコンタクト電極と電気的に接続されている構成とすることができる。

上述した好ましい構成を含む本開示表示装置及び電子機器にあっては、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状の凸部について、矩形形状、三角形形状、又は、孤形状を有する構成とすることができる。また、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、凸部のピッチに粗密がある構成とすることができる。このとき、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、辺の中央部の凸部のピッチが密であり、辺の端部の凸部のピッチが粗である構成とすることが好ましい。

更に、上述した好ましい構成を含む本開示表示装置及び電子機器にあっては、カソード電極について、電源供給端子を有する構成とすることができる。そして、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、カソード電極の電源供給端子に近い側の凸部のピッチが粗であり、電源供給端子から遠い側の凸部のピッチが密である構成とすることが好ましい。

＜本開示の表示装置＞
本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor）を例示することができる。

ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。

［システム構成］
図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本開示の有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有する構成となっている。

周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。

表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。

有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１₁〜３１_m）と駆動線３２（３２₁〜３２_m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３₁〜３３_n）が画素列毎に配線されている。

走査線３１₁〜３１_mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２₁〜３２_mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３₁〜３３_nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。

書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１₁〜３１_m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ₁〜ＷＳ_m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。

駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２₁〜３２_m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ₁〜ＤＳ_m）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。

信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖ_sigと基準電圧Ｖ_ofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖ_ofsは、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖ_ofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。

信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖ_sig／基準電圧Ｖ_ofsは、信号線３４（３４₁〜３４_n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖ_sigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

［画素回路］
図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。

図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃ_elは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。

有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。

また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖ_ddが印加される。

但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。

上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖ_sigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖ_ddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。

保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖ_sigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。

補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖ_ddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖ_sigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thにする作用を為す。

［表示パネルの断面構造］
表示パネル７０の周縁部の断面構造の一例を図３に示す。ここで例示する表示パネル７０は、例えば、白色光を発光する白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせによって、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光がパネル上面（基板１０１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（所謂、トップエミッション型）の表示パネルである。

表示パネル７０を構成する基板１０１上の領域は、複数の画素２０がマトリクス状に配置されて成る、画素アレイ部３０に相当する有効画素領域（表示領域）１０１Ａと、有効画素領域１０１Ａの周辺（外縁側／外周側）に位置する周辺領域１０１Ｂとから成る。有効画素領域１０１Ａ内には、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６から成る画素駆動回路１０２Ａが設けられている。周辺領域１０１Ｂ内には、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る周辺回路１０２Ｂが設けられている。そして、画素駆動回路１０２Ａや周辺回路１０２Ｂの回路部及び金属層１０２Ｃを含む回路層１０２が基板１０１上に形成されている。

表示パネル７０は、回路層１０２上に、例えば、無機絶縁層層１０３、有機絶縁層１０４、アノード電極１０５（同じ層の導電層１０６を含む）、有機絶縁層１０７、有機ＥＬ層１０８、カソード電極１０９、保護層１１０、充填剤層（接着層）１１１、シール材１１２、及び、ブラックマトリクス層１１３がこの順に積層された積層構造を有している。尚、ブラックマトリクス層１１３と同じ層には、カラーフィルタ１１５（図４参照）が画素単位で設けられている。また、この積層構造上には封止用基板１１４が貼り合わされており、積層構造が封止されるようになっている。

上記の積層構造において、アノード電極１０５及び導電層１０６は、同一工程及び同一材料によって形成された導電膜であり、開口１１５によって互いに分離され、両領域間が電気的に非導通となっている。また、導電層１０６は、アノード電極１０５側の端部において、回路層１０２の金属層１０２Ｃと電気的に接続されている。

金属層１０２Ｃは、画素駆動回路１０２Ａや周辺回路１０２Ｂの回路部に対する配線層としての機能を有するとともに、当該回路部に対してカソード電極１０９を電気的に接続する（コンタクトをとる）ための配線層（電極）としての機能を有する。図３において、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面からカソード電極１０９の成膜エリアの端面までの領域が、カソードコンタクト電極としての機能を有する導電層１０６とカソード電極１０９とのコンタクトをとるコンタクト領域Ｘとなる。金属層１０２Ｃの材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ）等の金属元素の単体または合金を用いることができる。

無機絶縁層１０３は、回路層１０２上にほぼ一様に形成されている。この無機絶縁層１０３の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）または酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料を用いることができる。

有機絶縁層１０４，１０７はそれぞれ、画素間絶縁層として機能するものであり、有機絶縁層１０４が下層側、有機絶縁層１０７が上層側に形成されている。下層側の有機絶縁層１０４は、基板１０１上において、有効画素領域１０１Ａからその外部領域（例えば、周辺領域１０１Ｂを介して基板１０１の端部）まで延在するように形成されている。上層側の有機絶縁層１０７は、有効画素領域１０１Ａから周辺領域１０１Ｂの一部（例えば、有効画素領域１０１Ａ寄りの周辺領域１０１Ｂまで形成され、その端面は有機ＥＬ層１０８によって覆われている。有機絶縁層１０４，１０７の材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ノボラック樹脂又はシロキサン等の有機材料を用いることができる。

アノード電極１０５、有機ＥＬ層１０８及びカソード電極１０９は、前述した白色有機ＥＬ素子を構成する積層構造となっている。アノード電極１０５は、有効画素領域１０１Ａ内においては各色の画素２０毎に設けられている。また、有効画素領域１０１Ａの外部領域（主に、周辺領域１０１Ｂ）には、このアノード電極１０５が延在して形成されるとともに、開口１１５によって切断された導電層１０６がほぼ一様に形成されている。すなわち、アノード電極１０５および導電層１０６は、同一工程及び同一材料によって形成される。アノード電極１０５および導電層１０６としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）と銀（Ａｇ）との積層等による金属材料を用いることができる。

有機ＥＬ層１０８は、導電層１０６及び有機絶縁層１０７上に、有効画素領域１０１Ａから周辺領域１０１Ｂの一部にまで延在するように形成されている。有機ＥＬ層１０８の具体的な構造の詳細については後述する。

カソード電極１０９は、透明電極からなり、有効画素領域１０１Ａ内において各画素２０に共通の電極として設けられている。カソード電極１０９の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の材料を用いることができる。

カソード電極１０９は、基板１０１上において、有効画素領域１０１Ａからその外部領域（例えば、周辺回路１０２Ｂの端部）まで延在するように形成されている。具体的には、カソード電極１０９は、有機絶縁層１５２の端面を覆う部分を介して導電層１０６上に設けられた有機ＥＬ層１０８よりも拡張して形成されている。そして、この拡張領域において、アノード電極１０５と導電層１０６とが直接積層されている。

また、カソード電極１０９は、上記のように周辺領域１０１Ｂにおいて導電層１０６と直接積層されている。これにより、前述したコンタクト領域Ｘにおいて、カソード電極１０９と金属層１０２Ａとが導電層１０６を介して電気的に接続されている。このように、コンタクト領域Ｘを、有効画素領域１０１Ａを囲むように設けることにより、表示パネル７０の中央部の輝度の低下を抑えることができる。

保護層１１０は、カソード電極１０９上に形成されるとともに、例えば周辺回路１０２Ｂ、無機絶縁層１０３、有機絶縁層１０４、導電層１０６及びカソード電極１０９の端面を覆うように基板１０１上まで連続して形成されている。この保護層１１０の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）、又は、酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料を用いることができる。

充填剤層１１１は、保護層１１０の上にほぼ一様に形成されており、接着層として機能するものである。この充填剤層１１１の材料としては、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等を用いることができる。

シール材１１２は、基板１０１の端部（端縁部）に配設されており、基板１０１と封止用基板１１４との間の各層を外部から封止するための部材である。シール材１１２の材料としても、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等を用いることができる。

封止用基板１１４は、充填剤層１１１及びシール材１１２と共に、白色有機ＥＬ素子を封止する。封止用基板１１４は、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素から出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。この封止用基板１１４における基板１０１側の面上には、各画素２０に対応する位置にそれぞれ、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタが設けられ、各画素２０の間に遮光膜としてブラックマトリクス層１１３が設けられている。

これにより、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素内の各白色有機ＥＬ素子から発せられた白色光が、上記した各色のカラーフィルタを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ出射されるようになっている。また、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素内、並びに、その間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

有機ＥＬ層１０８の具体的な構造の詳細について、図４を用いて説明する。図４は、有機ＥＬ層１０８の断面構造の一例を示す断面図である。

図４に示すように、有機ＥＬ層１０８は、アノード電極１０５の側から順に、正孔注入層１０８１、正孔輸送層１０８２、発光層１０８３、電子輸送層１０８４、及び、電子注入層１０８５を積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層１０８３以外の層は必要に応じて設ければよい。正孔注入層１０８１は、正孔注入効率を高めるとともに、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層１０８２は、発光層１０８３への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１０８３は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１０８４は、発光層１０８３への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１０８５は、電子注入効率を高めるためのものである。尚、有機ＥＬ層１０８の構成材料としては、一般的な低分子又は高分子有機材料を用いることができ、特に限定されない。

上述したように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、基板１０１上に形成された回路部（画素駆動回路１０２Ａや周辺回路１０２Ｂ）を覆う状態で有機絶縁層１０４が設けられ、この有機絶縁層１０４上に有機ＥＬ素子２１が形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の下に、下部電極としてアノード電極１０５が画素単位で設けられているのに対し、有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極としてカソード電極１０９が全画素共通に設けられている。

［カソード電極のコンタクト構造について］
カソード電極１０９については、基板１０１上に形成された回路部と電気的に接続する必要がある。この電気的接続を実現するために、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、有効画素領域（表示領域）１０１Ａの外周部にコンタクト領域Ｘを設け、当該コンタクト領域Ｘにてカソード電極１０９と回路部との電気的接続を行うようにしている（図３参照）。より具体的には、カソード電極１０９は、有機絶縁層１０４上に形成された、カソードコンタクト電極としての機能を有する導電層１０６を介して、回路層１０２の金属層１０２Ｃと電気的に接続されている。

カソード電極１０９のコンタクト領域Ｘは、表示パネル７０の額縁（パネル周縁部）の幅の律速要因となっている。従って、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面、及び、カソード電極１０９の成膜エリアの端面の製造ばらつきを考慮して、以下の条件を満たす額縁幅にする必要がある。
・有機ＥＬ層１０８が必ず有効画素領域１０１Ａ上を被覆し、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面がコンタクト領域Ｘ上に存在する。これは、回路層１０２の段差の影響によって、カソード電極１０９が所謂段切れし、電気的にオープンになることを防止するためである。
・カソードコンタクト電極（即ち、導電層１０６）とカソード電極１０９とのコンタクト抵抗の低抵抗化のために、コンタクト領域Ｘが所望の幅（面積）満たす。

図３に示したカソード電極１０９のコンタクト構造は、従来例に相当する。以下に、カソード電極１０９のコンタクト構造の従来例について、図５Ａ，図５Ｂを用いて具体的に説明する。図５Ａは、従来例に係るカソード電極のコンタクト構造について説明する平面視での概略構成図であり、図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ線に沿った断面図である。

上記の条件を満たす額縁幅にするために、従来例に係るカソード電極のコンタクト構造では、カソード電極１０９を、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアよりも大きいサイズで、下地段差による段切れを防止するために、端部がテーパー状になるように成膜している。そして、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面よりも外側のコンタクト領域Ｘにおいて、カソード電極１０９をカソードコンタクト電極である導電層１０６と電気的に接続するようにしている。

図５Ａにおいて、白抜きの矢印は、カソード電極１０９とカソードコンタクト電極との間の電流パスを表している。従来例に係るカソード電極１０９のコンタクト構造では、電流パスは、有機ＥＬ層１０８上のカソード電極１０９を通るので、下地段差の影響を受けず段切れは発生しない。

但し、従来例に係るカソード電極１０９のコンタクト構造では、カソード電極１０９を有機ＥＬ層１０８の成膜エリアよりも大きいサイズで成膜し、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面よりも外側でカソードコンタクト電極とコンタクトをとるようにしているために、次のような不具合が生じる。

すなわち、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面の製造ばらつきと、カソード電極１０９の成膜エリアの端面の製造ばらつきとを足し算で考える必要があるため、有効画素領域（表示領域）１０１Ａの外側に必要となるコンタクト領域Ｘの面積が大きくなり、必然的に、表示パネル７０の額縁幅も大きくなる。表示パネル７０の額縁幅が大きいと、理収が減ることによる製造コストの上昇につながる上、表示装置搭載製品のデザインに制限がかかるため、デバイスとしての商品性を低下させることになる。

そこで、本実施形態では、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面よりも内側において、カソード電極１０９をカソードコンタクト電極である導電層１０６と電気的に接続するようにしている。これにより、カソード電極１０９を、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアよりも大きいサイズで成膜する必要がなくなるため、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面の製造ばらつきと、カソード電極１０９の成膜エリアの端面の製造ばらつきとを足し算が考える必要がなくなる。

その結果、有効画素領域１０１Ａの外側に必要となるコンタクト領域Ｘの面積を、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面よりも外側でカソードコンタクト電極とコンタクトをとる場合に比べて縮小できるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。そして、表示パネル７０の狭額縁化により、理収が増えるため製造コストの低減を図ることができるととも、表示装置搭載製品のデザインにかかる制限を抑制できるため、デバイスとしての商品性の向上を図ることができる。

特に、表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いたマイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）では、基板１０１のサイズ（チップサイズ）に対して有効画素領域１０１Ａの占める割合が小さいため、有効画素領域１０１Ａの外周部のサイズの影響が顕著になる。このような観点からも、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる本技術は、特にマイクロディスプレイに有用なものとなる。

以下に、コンタクト領域Ｘの面積を縮小し、表示パネル７０の狭額縁化を図るためのカソード電極１０９のコンタクト構造の具体的な実施例について説明する。

［実施例１］
実施例１は、コンタクト領域Ｘの面積を縮小し、表示パネル７０の狭額縁化を図るためのカソード電極１０９のコンタクト構造の一例である。実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造の平面視での概略構成を図６Ａに示し、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った断面構造を図６Ｂに示し、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面騨面を図６Ｃに示す。

図６Ａから明らかなように、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部は、辺方向（図の上下左右方向）において凹凸形状（所謂、櫛歯形状）を有している。このコンタクト構造において、凹凸形状の凸部１０８_{_1}は、矩形形状を有している。すなわち、凸部１０８_{_1}は、その側面が有効画素領域１０１Ａに対して垂直な形状となっている。

また、カソード電極１０９は、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアと同じサイズで成膜されている。すなわち、本実施例では、カソード電極１０９の成膜エリアと有機ＥＬ層１０８の成膜エリアとが同サイズとなっている。但し、カソード電極１０９の成膜エリアは、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアと同サイズである必要はなく、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアよりも小さいサイズであってもよい。

有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部が凹凸形状を有するコンタクト構造において、カソード電極１０９は、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面（凸部１０８_{_1}の頂面）よりも内側、より具体的には、凹凸形状の凹部１０８_{_2}にてカソードコンタクト電極（導電層１０６）と電気的に接続されている。

上述したように、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部を凹凸形状とし、その凹部１０８_{_2}にてカソード電極１０９をカソードコンタクト電極と電気的に接続するようにしたことで、カソード電極１０９を、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアと同サイズ又はそれよりも小さいサイズで成膜できる。これにより、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端面よりも外側でカソードコンタクト電極とコンタクトをとっていた場合に、当該成膜エリアの端面から外側に突出していた分だけ、コンタクト領域Ｘの面積を縮小できるために、表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。また、電流パスは、有機ＥＬ層１０８上のカソード電極１０９を通るため段切れは発生しない。これらの作用、効果については、以下の実施例においても同様である。

［実施例２］
実施例２は、実施例１の変形例であり、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部の凹凸形状の凸部１０８_{_1}の別の形状例である。実施例２に係るカソード電極のコンタクト構造における凹凸形状の凸部１０８_{_1}の別の形状の一例を図７Ａに示し、別の形状の他の例を図７Ｂに示す。

実施例１では、凸部１０８_{_1}が矩形形状を有しているのに対し、図７Ａに示す例では、凸部１０８_{_1}は、三角形形状を有している。すなわち、凸部１０８_{_1}は、その側面が有効画素領域１０１Ａに対して斜めの形状となっている。図７Ｂに示す例では、凸部１０８_{_1}は、円弧や楕円孤等を含む孤形状を有している。

上述したように、凸部１０８_{_1}が三角形形状又は孤形状を有することで、矩形形状を有する場合に比べて、有機ＥＬ層１０８の成膜端（成膜エリアの端部）の周囲長を長くできる。そして、有機ＥＬ層１０８の成膜端の周囲長が長くできることで、電流パスの幅が拡がり、当該電流パスにおける抵抗値を下げることができるため、有機ＥＬ素子２１の電圧降下を抑えることができる。これにより、有機ＥＬ素子２１の駆動電圧の低電圧化を図ることができるため、有機ＥＬ表示装置１０全体の消費電力の低減が可能となる。

［実施例３］
実施例３は、実施例１の変形例であり、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部の凹凸形状において、矩形形状の有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの辺の位置に応じて凸部１０８_{_1}のピッチに粗密を設ける例である。実施例３に係るカソード電極１０９のコンタクト構造の平面視での概略構成を図８に示す。

実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造では、凸部１０８_{_1}のピッチが一定であるのに対し、実施例３に係るカソード電極１０９のコンタクト構造では、矩形形状の有機ＥＬ層１０８の成膜エリアにおいて、各辺の凸部１０８_{_1}のピッチに粗密を設けるようにしている。より具体的には、矩形形状の有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの各辺において、辺の中央部の凸部１０８_{_1}のピッチを密とし、端部に向かうに従って凸部１０８_{_1}のピッチを疎としている。

表示パネル７０では、パネル中心に近づくほど電圧降下が大きくなるため、図９Ａに示すように、表示パネル７０において、パネル周縁部の発光輝度に比べて、パネル中心部の発光輝度が低下する。

これに対して、例えば、矩形形状の有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの各辺において、辺の中央部の凸部１０８_{_1}のピッチを密とし、端部に向かうに従って凸部１０８_{_1}のピッチを疎とすることで、辺の中央部の有機ＥＬ層１０８の成膜端の周囲長を、辺の端部よりも長くできる。これにより、辺の中央部の電流パスの幅が辺の端部よりも拡がり、当該電流パスにおける抵抗値を下げることができる。その結果、辺の中央部と端部での電圧降下差を小さくできるため、表示パネル７０のパネル面全体に亘って発光輝度の均一化を図ることができる。

尚、実施例３では、凸部１０８_{_1}の形状が矩形形状の実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造に適用した場合を例に挙げたが、凸部１０８_{_1}の形状が三角形形状又は孤形状の実施例２に係るカソード電極１０９のコンタクト構造に対しても同様に適用可能である。

また、凸部１０８_{_1}のピッチが一定である実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造において、辺の中央部の凸部１０８_{_1}の形状を矩形形状に代えて、三角形形状又は孤形状とすることによっても、実施例３と同様の作用、効果を得ることができる。すなわち、例えば、矩形形状の有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの各辺において、辺の端部の凸部１０８_{_1}の形状を矩形形状と、中央部の凸部１０８_{_1}の形状を三角形形状又は孤形状とすることで、辺の中央部の有機ＥＬ層１０８の成膜端の周囲長を、辺の端部よりも長くできる。従って、実施例３と同様の作用、効果を得ることができる。

［実施例４］
実施例４は、実施例１の変形例であり、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの端部の凹凸形状において、カソードコンタクト電極の電源供給端子からの距離に応じて凸部１０８_{_1}のピッチに粗密を設ける例である。実施例３に係るカソード電極１０９のコンタクト構造の平面視での概略構成を図１０に示す。

図１０に示すように、カソードコンタクト電極である導電層１０６は、表示パネル７０の外部の電源部（接地を含む）に電気的に接続される例えば２つの電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}を有している。カソードコンタクト電極が電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}を有する表示パネル７０では、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}から遠くなるほど電圧降下が大きくなるため、図９Ｂに示すように、表示パネル７０において、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}に近い側の発光輝度に比べて、遠い側の発光輝度が低下する。

これに対して、実施例４に係るカソード電極１０９のコンタクト構造では、有機ＥＬ層１０８の成膜エリアの凹凸形状において、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}に近い側の凸部１０８_{_1}のピッチを粗とし、遠い側の凸部１０８_{_1}のピッチを密としている。これにより、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}から遠い側の有機ＥＬ層１０８の成膜端の周囲長を近い側よりも長くできるため、遠い側の電流パスの幅が近い側よりも拡がり、当該電流パスにおける抵抗値を下げることができる。その結果、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}に近い側と遠い側での電圧降下差を小さくできるため、表示パネル７０のパネル面全体に亘って発光輝度の均一化を図ることができる。

尚、ここでは、カソードコンタクト電極である導電層１０６が電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}を、表示パネル７０の一辺（図１０では、上辺）に有する場合を例に挙げたが、表示パネル７０の二辺（図１０では、上辺及び下辺）に有する場合もある。この場合は、例えば、表示パネル７０の上辺側及び下辺側の凸部１０８_{_1}のピッチを同じに設定し、表示パネル７０の右辺側及び左辺側の凸部１０８_{_1}ピッチについて、辺の中央部を密とし、端部側を疎とすることが好ましい。

また、実施例４では、凸部１０８_{_1}の形状が矩形形状の実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造に適用した場合を例に挙げたが、凸部１０８_{_1}の形状が三角形形状又は孤形状の実施例２に係るカソード電極１０９のコンタクト構造に対しても適用可能である。

また、凸部１０８_{_1}のピッチが一定である実施例１に係るカソード電極１０９のコンタクト構造において、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}から遠い側の凸部１０８_{_1}の形状を矩形形状に代えて、三角形形状又は孤形状とすることによっても、実施例４と同様の作用、効果を得ることができる。すなわち、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}に近い側の凸部１０８_{_1}の形状を矩形形状と、遠い側の凸部１０８_{_1}の形状を三角形形状又は孤形状とすることで、電源供給端子１０６_{_1}，１０６_{_2}から遠い側の有機ＥＬ層１０８の成膜端の周囲長を、近い側よりも長くできる。従って、実施例４と同様の作用、効果を得ることができる。

＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、シリコンのような半導体上に形成することを想定したが、これに限られるものではなく、ガラスのような絶縁体上に形成することも可能である。

また、上記の実施形態では、画素回路として、図２に示した回路構成を例示したが、これに限られるものではなく、必要に応じて、トランジスタを増やしたりすることも可能である。例えば、駆動トランジスタ２２のドレイン電極と電流排出先ノード（例えば、共通電源線３４）との間にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタにより、画素２０の非発光期間に有機ＥＬ素子２１が発光しないように制御するようにすることも可能である。

＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。

このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器本体の小型化に寄与できる。

本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。

（具体例１）
図１１は、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１１Ａにその正面図を示し、図１１Ｂにその背面図を示す。

本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。

そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

［具体例２］
図１２は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。

本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。

鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。

上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。

＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ−１］基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備え、
カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置。
［Ａ−２］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部は、辺方向において凹凸形状を有しており、
カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部における凹凸形状の凹部にてコンタクト電極と電気的に接続されている、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−３］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状の凸部は、矩形形状、三角形形状、又は、孤形状を有する、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−４］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、凸部のピッチに粗密がある、
上記［Ａ−２］又は上記［Ａ−３］に記載の表示装置。
［Ａ−５］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、辺の中央部の凸部のピッチが密であり、辺の端部の凸部のピッチが粗である、
上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−６］カソード電極は、電源供給端子を有しており、
有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、カソード電極の電源供給端子に近い側の凸部のピッチが粗であり、電源供給端子から遠い側の凸部のピッチが密である、
上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ−１］基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備え、
カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｂ−２］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部は、辺方向において凹凸形状を有しており、
カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部における凹凸形状の凹部にてコンタクト電極と電気的に接続されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−３］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状の凸部は、矩形形状、三角形形状、又は、孤形状を有する、
上記［Ｂ−２］に記載の電子機器。
［Ｂ−４］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、凸部のピッチに粗密がある、
上記［Ｂ−２］又は上記［Ｂ−３］に記載の電子機器。
［Ｂ−５］有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、辺の中央部の凸部のピッチが密であり、辺の端部の凸部のピッチが粗である、
上記［Ｂ−４］に記載の電子機器。
［Ｂ−６］カソード電極は、電源供給端子を有しており、
有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、カソード電極の電源供給端子に近い側の凸部のピッチが粗であり、電源供給端子から遠い側の凸部のピッチが密である、
上記［Ｂ−４］に記載の電子機器。

１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、１０１・・・基板、１０１Ａ・・・有効画素領域（表示領域）、１０１Ｂ・・・周辺領域、１０２・・・回路層、１０２Ａ・・・画素駆動回路、１０２Ｂ・・・周辺回路、１０３・・・無機絶縁層層、１０４・・・有機絶縁層、１０５・・・アノード電極（下部電極）、１０６・・・導電層（カソードコンタクト電極）、１０６_{_1}，１０６_{_2}・・・電源供給端子、１０７・・・有機絶縁層、１０８・・・有機ＥＬ層、１０８_{_1}・・・凹凸形状の凸部、１０８_{_2}・・・凹凸形状の凹部、１０９・・・カソード電極（上部電極）、１１０・・・保護層、１１１・・・充填剤層（接着層）、１１２・・・シール剤、１１３・・・ブラックマトリクス層、１１４・・・封止用基板、１１５カラーフィルタ

Claims (7)

1. 基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
   有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
   有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備え、
   カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続されている、
   表示装置。
2. 有機ＥＬ層の成膜エリアの端部は、辺方向において凹凸形状を有しており、
   カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端部における凹凸形状の凹部にてコンタクト電極と電気的に接続されている、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状の凸部は、矩形形状、三角形形状、又は、孤形状を有する、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、凸部のピッチに粗密がある、
   請求項２に記載の表示装置。
5. 有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、辺の中央部の凸部のピッチが密であり、辺の端部の凸部のピッチが粗である、
   請求項４に記載の表示装置。
6. カソード電極は、電源供給端子を有しており、
   有機ＥＬ層の成膜エリアの端部の凹凸形状において、カソード電極の電源供給端子に近い側の凸部のピッチが粗であり、電源供給端子から遠い側の凸部のピッチが密である、
   請求項４に記載の表示装置。
7. 基板上に形成された回路部の上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
   有機ＥＬ層の上に全画素共通に成膜されたカソード電極、及び、
   有効画素領域の外周部に設けられ、カソード電極を回路部と電気的に接続するコンタクト電極を備え、
   カソード電極は、有機ＥＬ層の成膜エリアの端面よりも内側において、コンタクト電極と電気的に接続されている、
   表示装置を有する電子機器。