JPWO2019026511A1 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

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Abstract

本開示の表示装置は、基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、を備える。そして、カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている。

Description

本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、一般に、有機ＥＬ素子を駆動する回路部を基板上に形成し、当該回路部を覆う状態で絶縁膜（層間膜）を設け、この絶縁膜上に有機ＥＬ素子を配列形成した構成となっている。そして、有機ＥＬ素子の上には、上部電極としてカソード電極が全画素共通の電極として成膜される。このカソード電極には、所定の電位を与える必要があるため、発光画素領域の外周部に、所定の電位が与えられたコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極にカソード電極を電気的に接続するようにしている。
カソード電極を回路部と電気的に接続するために、従来は、発光画素領域（表示領域）の外周部に、回路部と電気的に接続されたコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極にてカソード電極と回路部との電気的接続を行う構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。この構成において、発光画素領域の外周部に存在するコンタクト電極上には、カソード電極が蒸着マスクを用いて真空蒸着される。
特開２０１４−１９９７３９号公報
上述したように、蒸着マスクを用いてコンタクト電極上にカソード電極を真空蒸着する場合、回路部を形成した下地基板と蒸着マスクとのアライメント精度や基板の反り等の影響を受けて、下地基板と蒸着マスクとの位置にずれが生じる場合がある。従って、下地基板と蒸着マスクとのアライメント精度や基板の反り等を見込み、その上で、コンタクト電極とカソード電極との間のコンタクト抵抗を十分低くできるような領域を確保したサイズでコンタクト電極を設計する必要がある。このような理由から、発光画素領域の外周部にコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極にてカソード電極と回路部との電気的接続を行う構成は、表示パネルの狭額縁化の妨げの一因となる。
そこで、本開示は、表示パネルの狭額縁化を図りつつ、コンタクト電極を介してカソード電極に所定の電位を与えることができる表示装置、当該表示装置の製造方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている。また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、及び、
有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
を備える表示装置の製造に当たって、
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極を設け、
カソード電極を、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続する。
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成し、当該溝部において、その底部に設けられたコンタクト電極に対して、カソード電極を電気的に接続するようにすることで、発光画素領域内において、カソード電極に所定の電位を与えるパネル構造とすることができる。
本開示によれば、発光画素領域内において、カソード電極をコンタクト電極と電気的に接続することができるために、発光画素領域の外周部にコンタクト電極を設ける必要がない分だけ、表示パネルの狭額縁化を図りつつ、コンタクト電極を介してカソード電極に所定の電位を与えることができる。尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。 図３Ａは、従来例に係る表示パネル７０の平面構造を示す平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。 図４は、発光画素領域の対角長とコンタクト電極の占有比との関係を示す図である。 図５は、実施例１に係るパネル構造の要部の断面構造を示す切断部端面図である。 図６は、実施例１に係るパネル構造における溝部、コンタクト電極及び補助電極を示す拡大図である。 図７は、実施例１の変形例に係るパネル構造の要部の断面構造を示す切断部端面図である。 図８は、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせから成るパネル構造の要部の断面構造を示す断面図である。 図９は、実施例２に係るパネル構造の要部の断面構造を示す断面図である。 図１０は、実施例３に係る画素の形状例１を示す平面図である。 図１１は、実施例３に係る画素の形状例２を示す平面図である。 図１２は、実施例３に係る画素の形状例３を示す平面図である。 図１３は、実施例３に係る画素の形状例３の変形例を示す平面図である。 図１４は、実施例４に係る画素配列の一部を示す平面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃは、実施例５に係るパネル構造の製造方法（製造工程）の流れの概略を示す工程図（その１）である。 図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃは、実施例５に係るパネル構造の製造方法（製造工程）の流れの概略を示す工程図（その２）である。 図１７Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの正面図であり、図１７Ｂは、その背面図である。 図１８は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．従来例に係るパネル構造
３．実施形態の説明
３−１．実施例１
３−２．実施例２
３−３．実施例３
３−４．実施例４
３−５．実施例５
４．変形例
５．本開示の電子機器
５−１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
５−２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
＜本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、溝部の側壁に、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極を設ける構成とすることができる。
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、コンタクト電極に、発光画素領域全体に亘って同一の電位を与える構成とすることができる。あるいは又、発光画素領域を複数の領域に分割するとともに、コンタクト電極を複数の領域の各領域毎に電気的に分離し、複数の領域のコンタクト電極に、領域毎に異なる電位を与える構成とすることができる。
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、有機ＥＬ層について、複数色の単色発光有機ＥＬ材料にて画素単位で形成する構成とすることができる。あるいは又、有機ＥＬ層について、白色発光有機ＥＬ材料にて全画素共通に形成し、有機ＥＬ層から発光される白色光を、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光する構成とすることができる。
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、有機ＥＬ層を含む発光部の駆動回路部について、半導体基板上に形成する構成とすることができる。
＜本開示の表示装置＞
本開示の表示装置は、透明絶縁基板上に形成した薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：ＴＦＴ)や、シリコン半導体基板上に形成したＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタで、発光部（発光素子）を駆動して発光させる、所謂、アクティブマトリクス型表示装置である。
発光部として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子がある。電流駆動型の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を例示することができる。ここでは、一例として、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
有機ＥＬ表示装置の一般的な形態は、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御するというものである。そして、テレビジョンシステムやスマートフォンのディスプレイのような用途には、薄膜トランジスタのチャネル材料として、例えばアモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いるのが一般的である。一方、画素ピッチが例えば１０μｍ以下で、解像度が例えば２５００ｐｐｉ[pixels per inch]を超えるような高精細で、かつ小型の表示装置の場合には、シリコン基板等の半導体基板上に形成したＭＯＳトランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御する場合がある。
有機ＥＬ表示装置では、全画素共通に設けられた共通電極を例えば０Ｖに固定とし、有機ＥＬ層を挟んで共通電極の反対側に位置し、画素毎に設けられた個別電極に正電圧を印加することで、有機ＥＬ素子を発光させることになる。以下では、画素毎に設けられた個別電極をアノード電極と記述し、全画素共通に設けられた共通電極をカソード電極と記述する。
上記のように、カソード電極の電位（カソード電位）を０Ｖに固定する使い方が典型的な例であるが、この使い方に限定されるものではなく、例えばカソード電位を負電位に設定することで、アノード電極との電位差を、０Ｖに固定する場合よりも大きく設定し、輝度を上げるような使い方も可能である。以下に説明する実施形態では、限定されるものではないが、カソード電位を０Ｖに固定する使い方を基本とする。
［システム構成］
図１は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本開示の有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有する構成となっている。
周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と駆動線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1〜３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1〜３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３４（３４1〜３４n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
［画素回路］
図２は、本開示のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部（画素駆動回路部）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。これにより、有機ＥＬ素子２１のカソード電極には、共通電源線３４を通して所定の電位がカソード電位Ｖcathとして与えられる。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路部を、ガラス基板のような透明絶縁性基板上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
［従来例に係るパネル構造］
ここで、従来例に係る表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。図３Ａに、従来例に係る表示パネル７０の構造の平面図を示し、図３Ｂに、図３ＡのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図を示す。
表示パネル７０は、シリコン基板等の半導体基板７１上に、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部（図示せず）が形成され、当該回路部を覆う状態で絶縁膜である層間膜７２が成膜され、当該層間膜７２の上に有機ＥＬ素子２１が配列形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極としてカソード電極７３が全画素共通の電極として成膜されている。また、有機ＥＬ素子２１には画素毎に、下部電極としてアノード電極７４が設けられている。図２から明らかなように、アノード電極７４は画素単位で、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部と電気的に接続されている。
カソード電極７３には、所定の電位をカソード電位Ｖcathとして与える必要がある。具体的には、例えば図２の画素回路の構成を採る場合には、カソード電位Ｖcathの共通電源線３４に対してカソード電極７３を電気的に接続する必要がある。そのため、従来例に係る表示パネル７０のパネル構造にあっては、画素アレイ部３０の領域である発光画素領域の外周部に、所定の電位がカソード電位Ｖcathとして与えられたコンタクト電極７５を矩形環状に設け、当該コンタクト電極７５にカソード電極７３を電気的に接続するようにしている。
ここで、カソード電極７３は、発光画素領域の外周部に存在するコンタクト電極７５上に蒸着マスクを用いて真空蒸着によって形成される。この場合、回路部を形成した下地基板、即ち半導体基板７１と蒸着マスクとのアライメント精度や、半導体基板７１の反り等の影響を受けて、半導体基板７１と蒸着マスクとの位置にずれが生じる場合がある。従って、半導体基板７１と蒸着マスクとのアライメント精度や基板の反り等を見込み、その上で、コンタクト電極７５とカソード電極７３との間のコンタクト抵抗を十分低くできるような領域を確保したサイズでコンタクト電極７５を設計する必要がある。
発光画素領域（画素アレイ部３０の領域）の面積や、コンタクト電極７５の材料次第ではあるが、発光画素領域が例えば０．５インチ以下の表示パネルに対し、１ｍｍ程度のコンタクト電極７５の幅が必要になる場合がある。画素のより微細化（高精細化）、小チップ化に伴って、発光画素領域の面積が小さくなったとしても、コンタクト電極７５のサイズは大きく変化しないため、パネルサイズを占める相対的なコンタクト電極７５の幅の割合が大きくなり、表示パネルの狭額縁化の妨げとなる。
図４に、発光画素領域の対角長とコンタクト電極７５の占有比との関係を示す。ここでは、一例として、発光画素領域の平面視形状を正方形と仮定し、当該発光画素領域の対角長を横軸にとり、コンタクト電極７５の幅を１ｍｍと仮定した際のコンタクト電極７５の占有比を縦軸にとっている。コンタクト電極７５の占有比は、発光画素領域の面積＋コンタクト電極７５の面積に対するコンタクト電極７５の面積が占める割合である。
図４から明らかなように、発光画素領域の対角長が０．５インチ以下では、コンタクト電極７５の面積が占める割合は５０％近くを示している。すなわち、発光画素領域の外周部のコンタクト電極７５の領域を削減できれば、チップサイズを５０％程度小さくできることを示しており、それに伴ってコストの削減も可能となる。
＜実施形態の説明＞
そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ素子２１が配列形成される絶縁膜（層間膜７２）における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極７５を設けたパネル構造とする。そして、このパネル構造において、カソード電極７３を溝部にてコンタクト電極７５と電気的に接続する。これにより、有機ＥＬ素子２１のカソード電極７３には、溝部において、コンタクト電極７５を介して所定の電位がカソード電位Ｖcathとして与えられる。
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０におけるパネル構造によれば、発光画素領域内においてカソード電極７３をコンタクト電極７５と電気的に接続することができるため、発光画素領域の外周部にコンタクト電極７５を設ける必要がなく、その分だけ表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。これにより、図４の例の場合、チップサイズを５０％程度小さくでき、それに伴ってコストの削減（低コスト化）を図ることができる。以下に、本実施形態の具体的な実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０のパネル構造において、Ｒ，Ｇ，Ｂ等の単色発光有機ＥＬ材料を用いて有機ＥＬ層を形成した例である。図５は、実施例１に係るパネル構造の要部の断面構造を示す切断部端面図である。ここでは、互いに隣接して配置されるＲ，Ｇ，Ｂ３画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの断面構造を示している。
有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部が形成された半導体基板（図３Ｂ参照）上には、当該回路部を覆う状態で、絶縁膜である層間膜７２が形成されており、当該層間膜７２上には、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色の画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが隣接して配置されている。
画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、有機ＥＬ材料を真空蒸着することによって形成される。有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂには、下部電極としてアノード電極７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂが、画素毎に独立して層間膜７２上に設けられている。アノード電極７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂは、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部の配線７７、図２の回路例の場合には、駆動トランジスタのソース電極に繋がる配線７７に電気的に接続されている。アノード電極７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂの材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）とＡｇ（銀）との積層等による金属材料を用いることができる。更に、金属系材料や金属酸化物を用いることができる。金属系材料としては、Ａｌ系合金、例えば、Ｃｕ（銅）やＮｉ（ニッケル）やＮｄ（ネオジム）との合金やＡｇ合金を例示することができる。また、金属酸化物としては、例えば、ＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛）やＴｉＯｘ（酸化チタン）を例示することができる。
上記の画素配列において、層間膜７２におけるＲ，Ｇ，Ｂ単色の画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ間には、画素の配列方向に沿って溝部８０が、上記の配線７７を含む配線層に達する深さで形成されている。これにより、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々は、溝部８０によって分離された状態にある。溝部８０の底部には、コンタクト電極７５が設けられている。このコンタクト電極７５には発光画素領域全体に亘って、所定の電位、例えば０Ｖが電源供給端子（図示せず）を通して与えられる。
有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの上には、上部電極としてカソード電極７３が、真空蒸着にて画素単位で形成されている。カソード電極７３の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＭｇＡｇ等の材料を用いることができる。有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカソード電極７３を形成するとき、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカソード電極７３の蒸着の条件を変え、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカソード電極７３の蒸着粒子の回り込み量に差を作ることにより、カソード電極７３を溝部８０の側壁に沿って形成することができる。
ここで、蒸着の条件としては、真空度、蒸着速度、蒸着温度、蒸着分子（粒子）の進行方向などを例示することができる。蒸着粒子の進行方向については、制御板を用いることによって制御することができる。一例として、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの蒸着の条件として、制御板を使用して蒸着分子の直線性を上げてカバレッジ（被覆性）を悪くする一方、カソード電極７３の蒸着の条件として、制御板を用いずにカバレッジを上げる。これにより、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂよりもカソード電極７３の蒸着粒子の回り込み量を大きくすることができるため、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカソード電極７３の回り込み量に差を作ることができる。
上記のように、蒸着粒子の回り込み量に差を作り、カソード電極７３を溝部８０の側壁に沿って形成することにより、溝部８０の底部に設けられたコンタクト電極７５に対してカソード電極７３を電気的に接続することができる。そして、画素単位で成膜された有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各カソード電極７３の電位を、コンタクト電極７５の電位（本例では、０Ｖ）に設定することができる。これにより、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各カソード電極７３は、電位的に全画素共通の電極となる。
ここで、溝部８０の側壁、特に底部側の側壁に補助電極７８を設け、溝部８０の底部のコンタクト電極７５に加えて、溝部８０の側壁に導電性を持たせることが好ましい。これより、溝部８０の内部における、コンタクト電極７５に対するカソード電極７３の電気的な接続を、より確実なものとすることができる。
図６に、実施例１に係るパネル構造における溝部８０、コンタクト電極７５及び補助電極７８の拡大図を示す。コンタクト電極７５については、例えば、インジウム化合物、タングステン、銅、アルミニウム、チタン窒化物、タンタル窒化物等の導電性物質で形成することが望ましい。補助電極７８についても、コンタクト電極７５と同様に、例えば、インジウム化合物、タングステン、銅、アルミニウム、チタン窒化物、タンタル窒化物等の導電性物質で形成することが望ましい。
カソード電極７３の上には、画素配列の全面に亘って保護膜７６が真空蒸着にて成膜されている。保護膜７６の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）、又は、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）等の無機材料を用いることができる。この保護膜７６の成膜に関しても、カソード電極７３の成膜と同様に、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂよりも保護膜７６の蒸着粒子の回り込み量を大きくする。これにより、溝部８０の内部において、保護膜７６で画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの周囲端を閉塞させて、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを画素単位で分離させることができる。
上述したように、実施例１によれば、層間膜７２におけるＲ，Ｇ，Ｂの画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部８０の内部において、即ち、発光画素領域内において、コンタクト電極７５に対してカソード電極７３を電気的に接続することができる。これにより、蒸着マスクによる有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂとカソード電極７３の蒸着領域の作り分けが不要になり、セルフアライン的にカソード電極７３とコンタクト電極７５との接続が可能になる。その結果、発光画素領域の外周部にコンタクト電極７５を設ける必要がなくなるため、その分だけ表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）、それに伴う低コスト化を図ることができる。
また、溝部８０の内部において、保護膜７６で画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの周囲端を閉塞させることにより、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々を分離しつつ、画素毎に保護膜７６で有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各々を保護することができる。このことにより、フォトリソグラフィ技術による有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの加工が可能になるために、Ｒ，Ｇ，Ｂ単色有機ＥＬ材料を用いたＲ，Ｇ，Ｂ単色画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの作り分けが可能になる。更には、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々において、リーク電流を補助電極７８及びコンタクト電極７５へ引き込むことができるため、隣接画素の発光による混色を抑制することができる。
実施例１に係るパネル構造の変形例を図７に示す。カソード電極７３とコンタクト電極７５とは一部が接触していればよい。従って、図７に示すように、溝部８０の中心に対して、層全体が片寄った構造とすることも可能である。
尚、本実施例では、保護膜７６を１層の構造としたが、これに限られるものではなく、２層以上の多層構造とすることも可能である。保護膜７６を多層構造とすることにより、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各々の保護性の向上を図ることができる。
ところで、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの形成手法には大きく分けて二種類ある。その一つは、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの単色発光有機ＥＬ材料を蒸着マスクで作り分けて画素（副画素）単位で有機ＥＬ層を形成する手法である。他の一つは、図８に示すように、複数色の発光スペクトルを持つ白色（Ｗ）発光有機ＥＬ材料を、発光画素領域の全面に亘って蒸着して白色有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ層）２１Ｗを全画素（副画素）共通に形成し、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの分光スペクトルを持つカラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂによって分光する手法である。
前者は、カラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを介さずに、Ｒ，Ｇ，Ｂの単色発光を直接取り出す構造であるために、発光効率が高いという特長を有している。但し、蒸着マスクのアライメント精度に限界があり、１００μｍ以下の画素ピッチには適さない。一方で、後者は、蒸着マスクのアライメント精度は前者ほど必要はなく、１０μｍ以下の画素ピッチにも適用可能である。しかしながら、白色の有機ＥＬ素子２１Ｗの発光をカラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂで分光する際に、光のロスが生じるために、発光効率が１／３以下に下がることが課題である。
これに対し、実施例１に係るパネル構造によれば、フォトリソグラフィ技術による有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの加工が可能になることから、Ｒ，Ｇ，Ｂ単色有機ＥＬ素子を用いたＲ，Ｇ，Ｂ単色画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの作り分けが可能となる。これにより、カラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを介さずに、Ｒ，Ｇ，Ｂ等の単色発光を直接取り出すことができるため、発光効率の高い表示パネルを実現できる。また、カソード電極７３の蒸着時の蒸着マスクと基板との相対的なズレを見込んでコンタクト電極７５を設計する必要がないため、１０μｍ以下の画素ピッチにも適用可能となる。
［実施例２］
実施例２は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０のパネル構造において、白色発光有機ＥＬ材料を用いて有機ＥＬ層を形成した例である。図９は、実施例２に係るパネル構造の要部の断面構造を示す断面図である。ここでは、互いに隣接して配置されるＲ，Ｇ，Ｂ３画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの断面構造を示している。
実施例１に係るパネル構造では、Ｒ，Ｇ，Ｂの単色発光有機ＥＬ材料を用いて有機ＥＬ層を形成しているのに対し、実施例２に係るパネル構造では、白色発光有機ＥＬ材料を用いて有機ＥＬ層を形成している。すなわち、実施例２に係るパネル構造は、図８に示すパネル構造と同様に、白色有機ＥＬ素子２１Ｗと複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂとの組み合わせから成る。従って、実施例２に係るパネル構造は、カラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを介してＲ，Ｇ，Ｂの単色発光を取り出す構造であるために、実施例１に係るパネル構造に比べて発光効率が低い。
発光効率が低いものの、実施例２に係るパネル構造においても、層間膜７２におけるＲ，Ｇ，Ｂの画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ間に、画素の配列方向に沿って溝部８０を形成し、当該溝部８０の内部において、コンタクト電極７５に対してカソード電極７３を電気的に接続する構成を採っている。これにより、発光画素領域の外周部にコンタクト電極７５を設ける必要がなくなるため、表示パネル７０の狭額縁化、それに伴う低コスト化を図ることができる。また、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々において、リーク電流を補助電極７８及びコンタクト電極７５へ引き込むことができるため、隣接画素の発光による混色を抑制することができる。
［実施例３］
実施例３は、画素２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の各種の平面形状の例である。図１０は、実施例３に係る画素２０の形状例１を示す平面図であり、図１１は、実施例３に係る画素２０の形状例２を示す平面図であり、図１２は、実施例３に係る画素２０の形状例３を示す平面図である。
図１０に示す形状例１は、画素２０の平面形状がハニカム形状（正六角形）の例である。このハニカム形状の画素２０が配置されて成る画素配列において、溝部８０は、画素２０の外周に沿って形成される。図１１に示す形状例２は、画素２０の平面形状が正方形状の例である。この正方形状の画素２０が配置されて成る画素配列において、溝部８０は、行方向及び列方向の両方向に沿って形成される。但し、行方向及び列方向の両方向に限られるものではなく、画素配列がＲ，Ｇ，Ｂストライプ配列の場合には、溝部８０を一方向（列方向）に沿って形成するようにしてもよい。図１２に示す形状例３は、画素２０の平面形状が列方向に長い長方形状の例である。この長方形状の画素２０が配置されて成る画素配列において、溝部８０は、行方向及び列方向の両方向に沿って形成される。但し、行方向及び列方向に限られるものではなく、画素配列がＲ，Ｇ，Ｂストライプ配列の場合には、図１３に示すように、溝部８０を一方向（列方向）に沿って形成するようにしてもよい。
［実施例４］
実施例４は、実施例３の変形例であり、溝部８０の他の例である。図１４は、実施例４に係る画素配列の一部を示す平面図である。
実施例３では、ハニカム形状の画素２０、正方形状の画素２０、又は、長方形状の画素２０が配置されて成る画素配列において、行方向及び列方向に沿って形成された溝部８０に対して、全画素共通の電位を与える構成となっていた。これに対し、実施例４では、発光画素領域である画素アレイ部３０が複数の領域に分割され、当該複数の領域毎に異なる電位を溝部８０に与えることが可能な構成となっている。
図１４の例では、理解を容易にするために、一つの領域を例えば３×３画素のサイズとし、当該サイズの領域５００が複数行列状に配置されており、これら複数の領域５００に対して溝部８０が領域毎に電気的に分離されて設けられている。領域５００毎に電気的に分離された溝部８０には、領域５００毎に設けられたコンタクト部を介して所定の電位が与えられる。
行列状に配置された複数の領域５００において、列方向にｉ番目、行方向にｊ番目の領域５００i,jを例に挙げると、当該領域５００i,jの中央部における溝部８０の交差部に設けられた例えば２つのコンタクト部５０１，５０２を介して所定の電位が溝部８０に与えられる。本例では、１つの領域５００i,jに対して２箇所にコンタクト部を設けるとしたが、これは一例に過ぎず、１箇所に設けるようにしてもよいし、３箇所以上、例えば画素２０毎に設けるようにしてもよい。
また、溝部８０に与える電位は、発光画素領域全体に亘って同一の電位であってもよいし、各領域５００毎に異なる電位であってもよい。換言すれば、発光画素領域を複数の領域５００に分割するとともに、当該領域５００毎に溝部８０を電気的に分離することにより、複数の領域５００の各溝部８０に対して異なる電位を与えることが可能になる。その結果、複数の領域５００の各溝部８０に与える電位を領域５００単位で制御することで、領域５００毎に、完全黒表示でリーク電流を低減したり、表示ムラのための補正を行ったりするなど、領域５００単位での表示制御が可能になる。
［実施例５］
実施例５は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０のパネル構造、例えば実施例１に係るパネル構造の製造方法の例である。図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃは、実施例５に係るパネル構造の製造方法（製造工程）の流れを示す工程図（その１）であり、図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃは、当該パネル構造の製造方法の流れを示す工程図（その２）である。
図１５Ａの工程に至る前に、半導体基板（図３Ｂ参照）上に、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部、及び、当該回路部の配線７７やコンタクト電極７５等の配線層が形成され、更に、アノード電極７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂが下部電極として形成された状態にある。
そして、図１５Ａの工程では、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間膜７２におけるＲ，Ｇ，Ｂ単色の画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ間に、画素の配列方向に沿って溝部８０を形成する。また、溝部８０の側壁、特に底部側の側壁に、例えばコンタクト電極７５と同じ材料によって補助電極７８を形成する。このとき、補助電極７８は、コンタクト電極７５と電気的に接続された状態となる。
図１５Ｂの工程では、例えば緑色の有機ＥＬ素子２１Ｇに対応する有機ＥＬ層を真空蒸着にて形成し、次いで、カソード電極７３を上部電極として真空蒸着にて形成する。このとき、有機ＥＬ素子２１Ｇ及びカソード電極７３の蒸着の条件を変え、有機ＥＬ素子２１Ｇ及びカソード電極７３の蒸着粒子の回り込み量に差を作ることで、カソード電極７３を溝部８０の側壁に沿って形成することができる。これにより、カソード電極７３は、補助電極７８を介してコンタクト電極７５と電気的に接続された状態となる。
図１５Ｃの工程では、カソード電極７３を保護する保護膜７６を成膜する。図１６Ａの工程では、フォトレジスト８１を用いて、緑色画素２０Ｇの発光領域をフォトリソグラフィでパターニングし、次に、図１６Ｂの工程では、緑色画素２０Ｇの発光領域をエッチングする。そして、図１６Ｃの工程では、フォトレジスト８１を除去する。しかる後、図１５Ｂの工程に戻り、図１５Ｂ以降の工程の処理を、例えば赤色、青色の順に実行し、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｂを形成する。
尚、上述した実施例５に係るパネル構造の製造方法では、緑色、赤色及び青色の順に有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）を形成するとしたが、これは一例に過ぎず、その色の順番は任意である。
＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定したが、これに限られるものではなく、ガラス基板のような透明絶縁性基板上に形成することも可能である。
また、上記の実施形態では、画素回路として、図２に示した回路構成を例示したが、これに限られるものではなく、必要に応じて、トランジスタを増やしたりすることも可能である。例えば、駆動トランジスタ２２のドレイン電極と電流排出先ノード（例えば、共通電源線３４）との間にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタにより、画素２０の非発光期間に有機ＥＬ素子２１が発光しないように制御するようにすることも可能である。
また、上記の実施形態では、発光画素領域の外周部にコンタクト電極を全く設けないパネル構造の場合について説明したが、発光画素領域の外周部にコンタクト電極を設けた上で、溝部８０にてカソード電極７３をコンタクト電極７５と電気的に接続する構成を採ることも可能である。この構成を採ることにより、当該構成を採らない場合に比べて、発光画素領域の外周部に設けるコンタクト電極の幅を狭くできるため、その分だけ表示パネル７０の狭額縁化を図ることができる。
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器本体の小型化に寄与できる。
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。
（具体例１）
図１７は、本開示の電子機器の具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１７Ａにその正面図を示し、図１７Ｂにその背面図を示す。
本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。
そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例２］
図１８は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。
上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ−１］基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置。
［Ａ−２］溝部の側壁には、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極が設けられている、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−３］コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
上記［Ａ−１］又は上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−４］発光画素領域は、複数の領域に分割され、コンタクト電極は、複数の領域の各領域毎に電気的に分離されており、
複数の領域のコンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
上記［Ａ−１］又は上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−５］有機ＥＬ層は、複数色の単色発光有機ＥＬ材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−６］有機ＥＬ層は、白色発光有機ＥＬ材料にて全画素共通に形成されており、
有機ＥＬ層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−７］有機ＥＬ層を含む発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−６］に記載の表示装置。
≪Ｂ．表示装置の製造方法≫
［Ｂ−１］基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、及び、
有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
を備える表示装置の製造に当たって、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極を設け、
カソード電極を、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ−２］溝部の側壁に、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極を形成する、
上記［Ｂ−１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−３］コンタクト電極に、発光画素領域全体に亘って同一の電位を与える、
上記［Ｂ−１］又は上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−４］発光画素領域を複数の領域に分割するとともに、コンタクト電極を複数の領域の各領域毎に電気的に分離し、
複数の領域のコンタクト電極に、領域毎に異なる電位を与える、
上記［Ｂ−１］又は上記［Ｂ−２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−５］有機ＥＬ層を、複数色の単色発光有機ＥＬ材料にて画素単位で形成する、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−６］有機ＥＬ層を、白色発光有機ＥＬ材料にて全画素共通に形成し、
有機ＥＬ層で発光される白色光を、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光する、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ−７］有機ＥＬ層を含む発光部の駆動回路部を、半導体基板上に形成する、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−６］に記載の表示装置の製造方法。
≪Ｃ．電子機器≫
［Ｃ−１］基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ−２］溝部の側壁には、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極が設けられている、
上記［Ｃ−１］に記載の電子機器。
［Ｃ−３］コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
上記［Ｃ−１］又は上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−４］発光画素領域は、複数の領域に分割され、コンタクト電極は、複数の領域の各領域毎に電気的に分離されており、
複数の領域のコンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
上記［Ｃ−１］又は上記［Ｃ−２］に記載の電子機器。
［Ｃ−５］有機ＥＬ層は、複数色の単色発光有機ＥＬ材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ｃ−１］乃至上記［Ｃ−４］に記載の電子機器。
［Ｃ−６］有機ＥＬ層は、白色発光有機ＥＬ材料にて全画素共通に形成されており、
有機ＥＬ層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
上記［Ｃ−１］乃至上記［Ｃ−４］に記載の電子機器。
［Ｃ−７］有機ＥＬ層を含む発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ｃ−１］乃至上記［Ｃ−６］に記載の電子機器。
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・画素（副画素）、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｗ）・・・有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・半導体基板、７２・・・層間膜、７３・・・カソード電極（上部電極）、７４（７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂ）・・・アノード電極（下部電極）、７５・・・コンタクト電極、７６・・・保護膜、７７・・・回路部の配線、７８・・・補助電極、８０・・・溝部、９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ・・・カラーフィルタ

Claims (9)

  1. 基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
    有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
    絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
    溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
    を備え、
    カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
    表示装置。
  2. 溝部の側壁には、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極が設けられている、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 発光画素領域は、複数の領域に分割され、コンタクト電極は、複数の領域の各領域毎に電気的に分離されており、
    複数の領域のコンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 有機ＥＬ層は、複数色の単色発光有機ＥＬ材料にて画素単位で形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  6. 有機ＥＬ層は、白色発光有機ＥＬ材料にて全画素共通に形成されており、
    有機ＥＬ層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
    請求項１に記載の表示装置。
  7. 有機ＥＬ層を含む発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  8. 基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、及び、
    有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
    を備える表示装置の製造に当たって、
    絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極を設け、
    カソード電極を、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続する、
    表示装置の製造方法。
  9. 基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機ＥＬ層、
    有機ＥＬ層の上に成膜されたカソード電極、
    絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
    溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
    を備え、
    カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
    表示装置を有する電子機器。
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