JP2009229967A - 液晶表示装置 - Google Patents

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JP2009229967A JP2008077387A JP2008077387A JP2009229967A JP 2009229967 A JP2009229967 A JP 2009229967A JP 2008077387 A JP2008077387 A JP 2008077387A JP 2008077387 A JP2008077387 A JP 2008077387A JP 2009229967 A JP2009229967 A JP 2009229967A
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Toshinori Uehara
利範 上原
Hayato Kurasawa
隼人 倉澤
Shuhei Yoshida
周平 吉田
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Abstract

【課題】電源がオフ状態であっても所定の文字や絵、模様等を視認できるようにした液晶
表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置1Aは、液晶を挟持して対向配置された一対の基板を
備え、前記一対の基板のそれぞれに光反射領域15及び光透過領域16を有するサブ画素
10Aが複数形成された表示領域を有していると共に、バックライトを備えた液晶表示装
置1Aにおいて、前記複数のサブ画素10Aのそれぞれの前記光反射領域15及び光透過
領域16は互いに独立して駆動され、電源オフ時に特定画像を継続して表示させる際に、
前記光反射領域15を一旦直流駆動して前記特定画像を表示した後に電源オフ状態とする
ことを特徴とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に電源がオフ状態(液晶表示装置が非駆動状態)で
あっても文字、企業のロゴマーク、花柄、市松模様などを含む予め定めた表示させたい画
像や、電源オフ状態とする前に表示していた任意の画像を表示できるようにした液晶表示
装置に関する。
液晶表示装置は、多くはバックライトを使用して液晶層を透過してきた光によって所定
の画像を表示する透過型のものが使用されているが、画像表示に外光を利用する反射型の
もの及び透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型のもの(下記特許文献1〜3参照)も
知られている。このうち、半透過型の液晶表示装置は、一つの画素領域内に画素電極を備
えた光透過領域と画素電極及び反射板の両方を備えた光反射領域を有している。そして、
暗い場所においてはバックライトを点灯して光透過領域を利用して画像を表示し、明るい
場所においてはバックライトを点灯することなく光反射領域において外光を利用して画像
を表示するものである。そのため、半透過型の液晶表示装置は、常時バックライトを点灯
する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有して
いる。この半透過型の液晶表示装置は、携帯電話など、特に中小型の電子機器の表示部と
して広く用いられている。
このような従来例の半透過型液晶表示装置の一具体例を図6及び図7を用いて説明する
。なお、図6は従来例のVA(Vertical Alignment)モードの半透過型液晶表示装置の一
サブ画素分の概略平面図である。図7は図6のVII−VII線に沿った模式断面図である。
この従来例のVAモードの半透過型液晶表示装置1Bのアレイ基板ARは、透明な絶縁
性を有するガラス基板11上に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の走査
線12が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線12間の略中央には補助
容量線21が平行して形成されている。そして、走査線12からはTFTのゲート電極G
が延設されている。
また、ガラス基板11上には、走査線12、補助容量線21、ゲート電極Gを覆うよう
にして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜14が積層されている。ゲ
ート電極Gの上にはゲート絶縁膜14を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどから
なる半導体層22が形成され、またゲート絶縁膜14上にはアルミニウムやモリブデン等
の金属からなる複数の信号線13が走査線12と交差するようにして形成され、この信号
線13からは薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)のソース電極Sが延設
され、このソース電極Sは半導体層22と接触している。更に、信号線13及びソース電
極Sと同一の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Dがゲート絶縁膜14上に設けられ
ており、このドレイン電極Dも半導体層22と接触している。
ここで、走査線12と信号線13とに囲まれた領域が1サブ画素10Bに相当し、通常
はRGBの3サブ画素で1画素(1ピクセル)を構成する。そしてゲート電極G、ゲート
絶縁膜14、半導体層22、ソース電極S、ドレイン電極Dによってスイッチング素子と
なるTFTが構成され、それぞれのサブ画素10BにこのTFTが形成される。この場合
、ドレイン電極Dと補助容量線21によって各画素の補助容量を形成することになる。
信号線13、TFT、ゲート絶縁膜14を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる
保護絶縁膜23が積層され、この保護絶縁膜23上に、有機絶縁膜からなり、光反射領域
15の表面に微細な凹凸部が形成され、光透過領域16の表面は平坦となされた層間膜1
7が積層されている。なお、図6及び図7においては光反射領域15における層間膜17
の表面の凹凸部は省略してある。そして保護絶縁膜23と層間膜17には、TFTのドレ
イン電極Dに対応する位置にコンタクトホール20が形成されている。
そして、それぞれの画素において、コンタクトホール20上及び層間膜17の表面の一
部分には、光反射領域15に例えばアルミニウム金属からなる反射板18が設けられ、こ
の反射板18の表面及び光透過領域16の層間膜17の表面には例えばITO(Indium T
hin Oxide)ないしIZO(Indium Zinc Oxide)からなる画素電極19が形成され、更に
、画素電極19の表面には全ての画素を覆うように垂直配向膜(図示せず)が積層されて
いる。
また、カラーフィルタ基板CFは、透明な絶縁性を有するガラス基板25の表示領域上
に、それぞれの画素に対応して形成される赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のうち何
れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層26が設けられている。また、光反射
領域15と光透過領域16とで同じ厚さのカラーフィルタ層26を使用するため、光反射
領域15のカラーフィルタ層26の一部分に所定の厚さのトップコート27が設けられて
いる。このトップコート27は、光反射領域15の全体にわたって設けられており、その
厚さは光反射領域15における液晶層の厚さいわゆるセルギャップが光透過領域16のセ
ルギャップの半分となるようにされている。そして、カラーフィルタ層26及びトップコ
ート27の表面には共通電極25及び垂直配向膜(図示せず)が順次積層されている。
そして、前記アレイ基板AR及びカラーフィルタ基板CFを互いに対向させ、両基板の
周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶LCを充填することによりVAモードの半透過型液晶表示装置1Bとなる。なお、
アレイ基板ARの下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバッ
クライト装置が配置されている。
このVAモードの半透過型液晶表示装置1Bは、画素電極19と対向電極25との間に
電界が印加されていないときは、液晶LCは垂直方向に配向するため、バックライトから
の光を透過させないので暗表示となる。また、画素電極19と対向電極25との間に電界
が印加されているときは、液晶LCは垂直方向から傾くためにバックライトからの光を透
過させるようになり、所定の画像が表示されるようになる。
特開平11−101992号公報 特開2006−276111号公報 特開2006−276112号公報
近年では、電子機器のデザイン性の向上が強く求められているため、例えば携帯電話に
おいて、待ち受け画面等に任意の画像を表示するだけではなく、メーカーロゴや特定の模
様など、多種多様な画像が表示されている。液晶表示装置の表示部に画像を表示する際に
は、電源がオンの状態で液晶表示装置を駆動して表示する必要がある。しかしながら、従
来の液晶表示装置では、電源をオフにしたときには何も表示されない状態になってしまう
ため、電源がオフの時には画像を表示することができない。従って、待ち受け画面等を長
時間表示するには特定の画素を長時間駆動し続ける必要があるため、その分だけ消費電力
が多くなってしまう。
このように待ち受け画面等を長時間表示する場合、上述のような半透過型液晶表示装置
であれば、バックライトを点灯せずに反射型として駆動すればよいが、それでも表示時間
が長くなれば長くなるほどそれに比例して消費電力は大きくなる。しかも、透過型の液晶
表示装置では、待ち受け画面等を表示する場合であってもバックライトを点灯しないと視
認できないため、消費電力は膨大なものとなる。このような消費電力の増大は、携帯電話
機等の小型の電子機器にとっては重大な問題となる。
近年、電源がオフの時にも所定の文字や絵、模様等を表示しておくことができるように
し、表示部を含めた機器全体のデザイン性を高めようとする提案がなされている。そのた
めには、液晶表示装置の電源がオフの時にも何等かの画像を表示できるようにする必要が
ある。しかしながら、従来は、電源がオンの時に実質的に正常な画像表示ができ、電源が
オフの時に何等かの画像を表示できるような液晶表示装置は知られていなかった。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、電源がオフ状態のときであっても、文字、
企業のロゴマーク、花柄、市松模様などを含む予め定めた表示させたい画像や、電源オフ
状態とする前に表示していた任意の画像を表示することができる、幅広い表現力を備えた
表示特性の高い液晶表示装置を提供することにある。
本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置された一対の基板を備え、前記一対
の基板のそれぞれに光反射領域及び光透過領域を有するサブ画素が複数形成された表示領
域を有していると共に、バックライトを備えた液晶表示装置において、前記複数のサブ画
素のそれぞれの前記光反射領域及び光透過領域は互いに独立して駆動され、電源オフ時に
特定画像を継続して表示させる際に、前記光反射領域を一旦直流駆動して前記特定画像を
表示した後に電源オフ状態とすることを特徴とする。
本発明の液晶表示装置においては、複数のサブ画素のそれぞれは光反射領域及び光透過
領域を備えているため、半透過型の液晶表示装置として作動する。そして、本発明の液晶
表示装置は、複数のサブ画素のそれぞれの光反射領域及び光透過領域は独立して駆動され
るようになっている。このような構成は、光透過領域の画素電極と光反射領域の画素電極
及び反射板とを電気的に分離し、それぞれ別個に駆動する構成となすことにより達成でき
る。
加えて、本発明の液晶表示装置は、電源オフ時に特定画像を継続して表示させる際に、
前記光反射領域を一旦直流駆動して前記特定画像を表示した後に電源オフ状態としている
。液晶表示装置を直流駆動すると、液晶の駆動用電極間に一定の極性の電荷が蓄積される
ため、いわゆる焼き付き現象が生じる。本発明の液晶表示装置では、電源オフ時に特定画
像を継続して表示させる際に、反射領域を一旦直流駆動して特定画像を表示した後に電源
オフ状態としているため、電源オフ時には、反射領域が直流駆動された際に表示された特
定画像を焼き付き現象によって表示された状態とすることができる。なお、電源オン時に
光反射領域に焼き付き現象が残っていても、光透過領域で通常の画像表示を行う際には、
反射領域の焼き付き現象はほとんど目立たないので、表示画質に実質的に影響を与えない
従って、本発明の液晶表示装置によれば、電源オフ時に、表示用の消費電力がゼロの状
態で、光反射領域において所定の特定画像を長時間表示し続けることができるようになる
また、本発明の液晶表示装置においては、前記複数のサブ画素のそれぞれは、前記光透
過領域及び光反射領域毎にそれぞれ異なる走査線に接続されている独立したスイッチング
素子により駆動されることが好ましい。
複数のサブ画素のそれぞれが光透過領域及び光反射領域毎にそれぞれ異なる走査線に接
続されている独立したスイッチング素子により駆動されていれば、それぞれのサブ画素毎
の走査線を適宜選択することにより、光反射領域のみ駆動したり、光透過領域のみ駆動し
たり、或いは、光反射領域及び光透過領域を同時に駆動状態したりすることができるよう
になる。なお、本発明におけるスイッチング素子としては、TFTや薄膜ダイオードTF
D(Thin Film Diode)等を使用できる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記特定画像は、予め定めた所定の画像又は
電源オフ直前に表示していた画像とすることができる。
本発明の液晶表示装置においては、光反射領域を一旦直流駆動して特定画像を表示する
と、電源オフ時に光反射領域においてこの特定画像を表示し続けることができる。そのた
め、この特定画像に制限はなく、特定画像を文字、企業のロゴマーク、花柄、市松模様な
どを含む予め定めた表示させたい画像とすることができるほか、電源オフ状態とする前に
表示していた任意の画像を表示させることができるようになる。そのため、本発明の液晶
表示装置によれば、電源オフ時にも幅広い表現力を備えた表示特性の高い液晶表示装置画
得られる。なお、電源オフ時に予め定めた所定の画像と電源オフ直前に表示していた画像
のどちらを表示させるかを使用者が選択できるようにするとよい。また、前記特定画像が
予め定めた表示させたい画像とするのであれば、この画像のデータをメモリ等の記憶手段
に記憶させておけばよい。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記複数のサブ画素は縦電界方式で駆動され
るものであり、前記複数のサブ画素のそれぞれは前記光反射領域に補助容量が形成されて
おり、前記バックライトが点灯されている際には前記光透過領域及び前記光反射領域が同
時に駆動され、電源オン時の前記バックライト非点灯時には前記光反射領域のみが駆動さ
れることが好ましい。
縦電界方式の液晶表示装置には補助容量を形成することが必要であるので、光透過領域
及び光反射領域を別個に駆動するようにすると、光透過領域及び光反射領域の両方に補助
容量を形成する必要が生じる。光反射領域に形成する補助容量は開口度に影響を与えない
が、光透過領域に補助容量を形成すると開口度が小さくなる。そのため、本発明の液晶表
示装置によれば、バックライトが点灯されている際に光透過領域及び光反射領域を同時に
駆動するようにすれば、光透過領域に補助容量を形成しなくてもすむので、光透過率が小
さくならず、明るい表示が可能となる。また、電源オン時のバックライト非点灯時に光反
射領域のみ駆動する場合は、光反射領域に補助容量が形成されているために正常に表示が
できると共に、表示に使用されない光透過領域が駆動されないため、従来の半透過型液晶
表示装置を反射表示する場合よりも消費電力を低減することができるようになる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記複数のサブ画素は、それぞれ横電界方式
で駆動されるものであることが好ましい。
横電界方式の液晶表示装置は、直流駆動すると焼き付き現象が特に大きく現れるため、
本発明の効果が特に顕著に奏される。
本発明の液晶表示装置が横電界方式のものであるとき、前記複数のサブ画素は、前記バ
ックライトが点灯されている際には前記光透過領域のみが駆動され、電源オン時の前記バ
ックライト非点灯時には前記光反射領域のみが駆動されることが好ましい。
縦電界方式の液晶表示装置は補助容量を形成する必要があるが、横電界方式の液晶表示
装置は、電極配置の関係上副次的に補助容量が形成されるため、あえて補助容量を形成し
なくてもすむ。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、バックライトが点灯されてい
る際には光透過領域のみ駆動することができ、また、電源オン時のバックライト非点灯時
に光反射領域のみ駆動することができるので、いずれの場合にも表示に使用されない表示
領域が駆動されないため、従来の半透過型液晶表示装置の場合に比すると消費電力を低減
することができるようになる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記光反射領域を直流駆動する際、電源オフ
時に予め指定された特定画像を継続して表示させる時間に比例して直流駆動電圧を高くす
ることが好ましい。
本発明の液晶表示装置においては、直流駆動時に液晶の駆動用電極間に一定の極性の電
荷が蓄積されるが、この蓄積された電荷は時間の経過と共に減少するので、時間の経過と
共に表示された特定画像は薄くなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、電源オ
フ時に予め指定された特定画像を継続して表示させる時間に比例して直流駆動する際の駆
動電圧を高くしたため、特定画像が見えなくなるまでの時間を長くすることができるよう
になる。なお、この電源オフ時に予め指定された特定画像を継続して表示させる時間は、
最低限の長さの時間を決めておき、この最低限の長さを超える時間が指定された場合に、
駆動電圧を高くするようにすると、焼き付き現象による液晶表示装置への悪影響を抑制す
ることができるので、好ましい。また、予め指定された特定画像を継続して表示させる時
間は、使用者が任意に設定できるデフォルト値として予め記憶手段に記憶しておくもので
あってもよい。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記光反射領域を直流駆動する際、予め直流
駆動によって表示させる特定画像を記憶する記憶手段と電源オフ時からの経過時間をカウ
ントする計時手段を用い、電源オフ時から所定の時間毎に前記記憶手段から特定画像を読
み出し、前記光反射領域を一旦直流駆動して前記特定画像を表示した後に再度電源オフ状
態とするものであることが好ましい。
本発明の液晶表示装置においては、直流駆動時に液晶の駆動用電極間に一定の極性の電
荷が蓄積されるが、この蓄積された電荷は時間の経過と共に減少するので、時間の経過と
共に特定画像の表示が薄くなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、所定の時間
毎に光反射領域を一旦直流駆動して前記特定画像を表示した後に再度電源オフ状態とする
ものであるため、薄くなった表示を回復でき、電源オフ時に任意の長時間に亘って特定画
像を表示し続けることができる。しかも、本発明の液晶表示装置は、電源オフ時に極一部
の構成のみを駆動させておけばすむので、あまり消費電力を増大させることがない。
以下、図面を参照して比較例を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以
下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてVAモー
ドの半透過型液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこのVAモード及の半液晶
表示装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実
施形態のものにも等しく適応し得るものである。なお、この明細書における説明のために
用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表
示されているものではない。
図1は本発明の実施形態のVAタイプの半透過型液晶表示装置の全体構成を示す平面図
である。図2は図1の1サブ画素分の概略平面図である。図3は図2のIII−III線に沿っ
た断面図である。図4は本発明のVAタイプの半透過型液晶表示装置駆動波形を示す図で
ある。図5Aは本発明の半透過型液晶表示装置の電源オフ前の表示状態を示す平面図であ
り、図5Bは電源オフ後の表示状態を示す平面図である。
[実施形態]
まず、本発明の実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aの例を図1〜図3を
用いて説明する。図1に示すように、この半透過型液晶表示装置1Aは、液晶パネルLP
と、バックライトBLとを主体として構成されている。そして、液晶パネルLPとバック
ライトBLとは平面視で重なるように配置されており、図1では液晶パネルLPのみが示
されている。
この液晶パネルLPは、アレイ基板ARとカラーフィルタ基板CFとがシール材2によ
って貼り合わされると共に、このシール材2によって区画された領域内に液晶LCが封入
された構成になっている。シール材2の一部には液晶LCを注入する注入口2aが設けら
れており、この注入口2aは封止材2bにより封止されている。シール材2の内側の領域
には、遮光性材料からなる遮光膜(周辺見切り)BMが設けられている。周辺見切りBM
の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域DAになっている。また、表示領域D
Aには、複数のサブ画素10Aがマトリクス状に設けられている。
アレイ基板ARの周縁部は、カラーフィルタ基板CFから張り出した張出領域になって
いる。この張出領域のうち図1中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動
回路3が形成されている。図1の上辺側には、左右の走査線駆動回路3の間を接続する配
線4が引き回されている。図1の中央下辺側には、データ信号を生成する信号線駆動回路
5と、外部の回路等に接続するための接続端子6とが形成されている。走査線駆動回路3
と外部の回路等に接続するための接続端子6との間の領域には、両者を接続する配線7が
形成されている。また、カラーフィルタ基板CFの各角部には、アレイ基板ARとカラー
フィルタ基板CFとの間を電気的に接続するための基板間導通材8が設けられている。
この半透過型液晶表示装置における1サブ画素10Aの概略構成は、図2及び図3に示
したとおりである。なお、図2及び図3においては図6及び図7に示した従来例の半透過
型液晶表示装置の1サブ画素と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。
この実施形態の半透過型液晶表示装置1Aのアレイ基板ARは、透明な絶縁性を有する
ガラス基板11上に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる第1の走査線12a及
び第2の走査線12bが平行に形成されている。このうち、第1の走査線12aは、従来
例の液晶表示装置の場合と同様に、各サブ画素10Aの間に形成されているが、第2の走
査線12bはそれぞれのサブ画素10A毎に中央部を行方向に横断するように形成されて
いる。また、それぞれのサブ画素10Aにおける隣り合う第1の走査線12aと第2の走
査線12bとの間には補助容量線21が平行に形成されている。そして、第1及び第2の
走査線12a及び12bからは、それぞれのサブ画素10A毎にそれぞれ第1のTFTの
ゲート電極Ga及び第2のTFTのゲート電極Gbが延設されている。
また、ガラス基板11上には第1及び第2の走査線12a及び12b、補助容量線21
、第1及び第2のゲート電極Ga及びGbを覆うようにして、窒化シリコンや酸化シリコ
ンなどからなるゲート絶縁膜14が積層されている。それぞれのサブ画素10A毎に形成
された第1及び第2のゲート電極Ga及びGbの表面にはそれぞれゲート絶縁膜14を介
して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる第1の半導体層22a及び第2の半導
体層22bが形成されている。また、ゲート絶縁膜14上にはアルミニウムやモリブデン
等の金属からなる複数の信号線13が第1及び第2の走査線12a及び12bと交差する
ようにして形成されている。なお、上述の1サブ画素10Aは第1の走査線12aと信号
線13とに囲まれた領域が相当する。
これらの信号線13からはそれぞれのサブ画素10A毎に第1のTFTの第1のソース
電極Sa及び第2のソース電極Sbが延設され、これらの第1及び第2のソース電極Sa
及びSbはそれぞれ第1及び第2の半導体層22a及び22bと接触している。更に、そ
れぞれのサブ画素10A毎に、信号線13及び第1及び第2のソース電極Sa及びSbと
同一の材料でかつ同時形成された第1のドレイン電極Da及び第2のドレイン電極Dbが
ゲート絶縁膜14上に設けられており、この第1及び第2のドレイン電極Da及びDbも
それぞれ第1及び第2の半導体層22a及び22bと接触している。
そして、第1のゲート電極Ga、ゲート絶縁膜14、第1の半導体層22a、第1のソ
ース電極Sa及び第1のドレイン電極Daによって一方のスイッチング素子となる第1の
TFTが構成される。また、第2のゲート電極Gb、ゲート絶縁膜14、第2の半導体層
22b、第2のソース電極Sb及び第2のドレイン電極Dbによって他方のスイッチング
素子となる第2のTFTが構成される。なお、それぞれのサブ画素10Aには第1及び第
2のTFTの両者が形成されている。この場合、第1のTFTのドレイン電極Daと補助
容量線21によって各サブ画素10Aの補助容量を形成することになる。
信号線13、第1及び第2のTFT、ゲート絶縁膜14を覆うようにして例えば無機絶
縁材料からなる保護絶縁膜23が積層され、この保護絶縁膜23上に、有機絶縁膜からな
り、光反射領域15の表面に微細な凹凸部が形成され、光透過領域16の表面は平坦とな
された層間膜17が積層されている。なお、図2及び図3においては光反射領域15にお
ける層間膜17の凹凸部は省略してある。そして保護絶縁膜23と層間膜17には、第1
のTFTのドレイン電極Daに対応する位置にコンタクトホール20aが、第2のTFT
のドレイン電極Dbに対応する位置にコンタクトホール20bが形成されている。
そして、それぞれのサブ画素10Aにおいて、光反射領域15には、コンタクトホール
20a上及び層間膜17の表面の一部分に、例えばアルミニウム金属からなる反射板18
とITOないしIZOからなる画素電極19aが積層されている。また、光透過領域16
には、コンタクトホール20b上及び層間膜17の表面の一部分に、例えばITOないし
IZOからなる画素電極19bが積層されている。この光反射領域15の画素電極19a
及び光透過領域16の画素電極19bは互いに電気的に分離されている。更に、光反射領
域15の画素電極19a及び光透過領域16の画素電極19bの表面には、全ての画素を
覆うように、垂直配向膜(図示せず)が積層されている。
なお、カラーフィルタ基板CFの構成は、図6及び図7に示した従来例の半透過型液晶
表示装置の場合と同様であるので、その詳細な説明は省略する。そして、前記アレイ基板
AR及びカラーフィルタ基板CFを互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けるこ
とにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶LCを充填すること
により実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aが得られる。
この実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aは、光反射領域15に第1のT
FTを備え、光透過領域16に第2のTFTを備え、しかも、光反射領域15の画素電極
19a及び光透過領域16の画素電極19bはそれぞれ個別に第1及び第2のTFTのド
レイン電極Da及びDbに接続されている。従って、光反射領域15の画素電極19a及
び光透過領域16の画素電極19bはそれぞれ独立して駆動することができる。なお、こ
の実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aにおいては、補助容量は、光反射領
域15にのみ形成され、光透過領域16には形成されていない。この補助容量を光透過領
域16に形成することもできるが、光透過領域16の開口度が小さくなるため、採用しな
い方がよい。
この実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aにおいて、通常の画像表示を行
う場合には、次のようにして作動させる。まず、バックライトを点灯して透過表示を行う
場合、それぞれの行毎に第1及び第2の走査線12a及び12bを電気的に並列に接続す
る。そうすると、サブ画素10A毎の第1及び第2の走査線12a及び12bには同じ信
号が印加されるから、従来例の半透過型液晶表示装置において透過表示を行う場合と等価
となる。この場合、光透過領域16には補助容量が形成されていないが、光反射領域15
に補助容量が形成されているので、正常な透過表示が可能となる。
また、バックライトを点灯せずに反射表示を行う場合、それぞれの行毎に第1及び第2
の走査線12a及び12bを電気的に遮断し、第1の走査線12aにのみ走査信号が印加
されるようにする。そうすると、光反射領域15のみを使用して画像を反射表示すること
ができるようになる。なお、反射表示を行う場合、それぞれの行毎に第1及び第2の走査
線12a及び12bを並列接続したままとすると、従来例の半透過型液晶表示装置におい
て反射表示を行う場合と等価となるが、光透過領域16の画像は視認できないため、消費
電力が多くなるだけで特に利点はない。
なお、以上に述べた実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aの作動は、いず
れも電源オン時にバックライトを点灯して透過表示する場合及びバックライトを点灯せず
に反射表示する場合を示している。このような表示時には、周知のように、焼き付きを防
止するため、図4の左側に示したように、信号線13には駆動電圧の極性がコモン電位に
対して周期的に反転する信号が印加されており、液晶LCは交流駆動されている。
それに対し、この実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aにおいて、電源オ
フ時に予め定めた所定の画像又は電源オフ直前に表示していた画像である特定画像を表示
するには次のようにして作動させる。最初に、バックライトが点灯されており、画像を透
過表示している場合について述べる。この状態で電源オフの信号が入力された際、特定画
像を表示させたまま、全てのサブ画素10Aの第2の走査線12bを第1の走査線12a
から電気的に切り離し、バックライトを消灯する。そうすると、第2の走査線12bに接
続されている第2のTFTは全てオフ状態となるから、全てのサブ画素10Aの光透過領
域16は暗表示となる。また、全てのサブ画素10Aの光反射領域15では正常に特定画
像が表示されている状態となる。次いで、図4の右側部分に示されているように、短時間
、交流駆動から直流駆動に変えた後、電源オフ状態に移行する。
液晶表示装置は直流駆動すると焼き付き現象が生じることが知られている。従って、実
施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aを一旦直流駆動した後に電源オフ状態と
すると、全てのサブ画素10Aにおける光反射領域15の画素電極19aないし反射板1
8と対向電極25との間及び補助容量に一定極性の電荷が蓄積された状態となり、液晶L
Cに直流電界が印加された状態、すなわち焼き付き状態となる。そうすると、光反射領域
15においては、電源オン時よりはコントラストは弱くなるが、電源オフ直前に表示した
特定画像を表示した状態が維持されることになる。このようにして、実施形態のVAモー
ドの半透過型液晶表示装置1Aは、電源オフ時にも光反射領域15において特定画像を表
示させておくことができるわけである。
なお、実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aにおいては、電源オフ時に表
示する特定画像に制限はなく、文字、企業のロゴマーク、花柄、市松模様などを含む予め
定めた表示させたい画像とすることができるほか、電源オフ状態とする前に表示していた
任意の画像を表示させることができる。加えて、電源オフ時に特定画像を表示していた後
に電源オンとされた場合、電源オン時に光反射領域15に焼き付き現象が残っていても、
光透過領域15で通常の画像表示を行う際には、光反射領域16は交流駆動されるし、し
かも、光反射領域15の焼き付き現象はほとんど目立たないため、実質的に表示画質に影
響を与えることはない。
ここで、第1の実施形態の半透過型液晶表示装置1Aの具体的表示例を図5を用いて説
明する。図5Aは、半透過型液晶表示装置1Aにおいて、風景画像31の中央に題字AB
CDE32を表示した例を背景33と共にバックライトを点灯して透過表示させた際の一
例を示している。この状態で、半透過型液晶表示装置1Aの光反射領域15を短時間直流
駆動して同じ画像を表示させた後に電源オフ状態とすると、表示画像は図5Bに示した状
態となる。すなわち、図5Bに示した状態では、バックライトは消灯されているため、光
反射領域15において外部から入射した光によって反射表示されるが、半透過型液晶表示
装置1Aは電源オフとされているので、表示画像のコントラストは電源オン時の反射表示
の場合と比すると弱くなる。しかしながら、この場合においても、十分に視認できる特定
画像をかなりの時間にわたって表示することができる。
なお、実施形態のVAモードの半透過型液晶表示装置1Aにおいては、電源オフ時にど
のような特定画像を表示させるかは、使用者が選択できるようにしてもよい。また、製造
業者が製造時にどのような特定画像を表示するかを決定し、電源オフ時にこの特定画像の
みを表示するようにしてもよい。
また、上記の光反射領域15における焼き付き現象は、短時間直流駆動した際の光反射
領域15における画素電極19aないし反射板18と対向電極25との間及び補助容量に
蓄積された電荷に基づくものであるが、この蓄積された電荷は時間の経過と共に減少する
ために、徐々に表示が薄くなる。そのため、長時間、電源オフ時に特定画像を表示させて
おきたい時間に応じて種々の対応を取ることが可能である。
例えば、前記光反射領域17を直流駆動する際の駆動電圧を変化させ、予め指定された
電源オフ時に特定画像を継続して表示させる時間に比例して前記駆動電圧を高くすること
ができる。電源オフ時に特定画像を継続して表示させたい時間に比例して直流駆動する際
の駆動電圧を高くすれば、光反射領域15における画素電極19aないし反射板18と対
向電極25との間及び補助容量に蓄積された電荷の実質的に全てがなくなるまでに長時間
かかるようになるので、特定画像が見えなくなるまでの時間を長くすることができるよう
になる。なお、この予め指定された電源オフ時に特定画像を継続して表示させる時間は、
最低限の長さの時間を決めておき、この最低限の長さを超える時間が指定された場合に、
駆動電圧を高くするようにすると、焼き付き現象による液晶表示装置への悪影響を抑制す
ることができるようになる。
別の形態としては、予め直流駆動によって表示された表示画像を記憶する記憶手段と電
源オフ時からの経過時間をカウントする計時手段を設け、計時手段が、電源オフ時から所
定の時間毎に前記記憶手段から特定画像を読み出して、前記光反射領域を一旦直流駆動し
て前記特定画像を表示した後に再度電源オフ状態となるようにすることもできる。このよ
うな構成とすると、時間の経過と共に特定画像の表示が薄くなっても、所定の時間毎に光
反射領域15を一旦直流駆動して特定画像を表示した後に再度電源オフ状態とするので、
最初の電源オフ直後の状態にもどるため、薄くなった特定画像を回復できる。この場合、
電源オフ時には経時手段等、極一部の構成のみを駆動させておけばすむので、あまり消費
電力が増大することはない。
以上、本発明の実施形態として、縦電界方式のVAモードの半透過型液晶表示装置につ
いて述べた。しかしながら、本発明は、半透過型液晶表示装置において光透過領域の画素
電極と光反射領域の画素電極ないし反射板がそれぞれ独立して駆動されるようになってい
るものであれば、横電界方式の半透過型液晶表示装置、例えば、IPS(In-Plane Switc
hing)モードないしFFS(Fringe Field Switching)モードの半透過型液晶表示装置に
対しても適用可能である。特に、本発明の構成をFFSモードの半透過型液晶表示装置に
適用すると、FFSモードの半透過型液晶表示装置はIPSモードのものよりも焼き付き
現象が生じやすいことが知られているので、電源オフ時により長い時間特定画像を表示さ
せておくことが可能となる。
以上、本発明の実施形態としてVAモードの半透過型液晶表示装置について述べた。こ
のような本発明の半透過型液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯
情報端末、携帯音楽再生機などの電子機器に使用することができる。ただし、これらの電
子機器の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する。
本発明の実施形態のVAタイプの半透過型液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。 図1の1サブ画素分の概略平面図である。 図2のIII−III線に沿った断面図である。 本発明のVAタイプの半透過型液晶表示装置駆動波形を示す図である。 図5Aは本発明の半透過型液晶表示装置の電源オフ前の表示状態を示す平面図であり、図5Bは電源オフ後の表示状態を示す平面図である。 従来例のVAモードの半透過型液晶表示装置の一サブ画素分の概略平面図である。 図6のVII−VII線に沿った模式断面図である。
符号の説明
1A、1B:半透過型液晶表示装置 2:シール材 3:走査線駆動回路 4、7:配線
5:信号線駆動回路 6:接続端子 8:基板間導通材 10A、10B:サブ画素
11:ガラス基板 12、12a、12b:走査線 13:信号線 14:ゲート絶縁膜
15:光反射領域 16:光透過領域 17:層間膜 18:反射板 19、19a、
19b:画素電極 20、20a、20b:コンタクトホール 21:補助容量線 22
、22a、22b:半導体層 23:保護絶縁膜 24:ガラス基板 25:対向電極
26:カラーフィルタ層 27:トップコート G、Ga、Gb:ゲート電極 S、Sa
、Sb:ソース電極 D、Da、Db:ドレイン電極 LP:液晶パネル LC:液晶
DA:表示領域 BL:遮光膜(周辺見切り) AR:アレイ基板 CF:カラーフィル
タ基板

Claims (8)

  1. 液晶を挟持して対向配置された一対の基板を備え、前記一対の基板のそれぞれに光反射
    領域及び光透過領域を有するサブ画素が複数形成された表示領域を有していると共に、バ
    ックライトを備えた液晶表示装置において、
    前記複数のサブ画素のそれぞれの前記光反射領域及び光透過領域は互いに独立して駆動
    され、
    電源オフ時に特定画像を継続して表示させる際に、前記光反射領域を一旦直流駆動して
    前記特定画像を表示した後に電源オフ状態とすることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記複数のサブ画素のそれぞれは、前記光透過領域及び光反射領域毎にそれぞれ異なる
    走査線に接続されている独立したスイッチング素子により駆動されることを特徴とする請
    求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記特定画像は、予め定めた所定の画像又は電源オフ直前に表示していた画像であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 前記複数のサブ画素は縦電界方式で駆動されるものであり、前記複数のサブ画素のそれ
    ぞれは前記光反射領域に補助容量が形成されており、前記バックライトが点灯されている
    際には前記光透過領域及び前記光反射領域が同時に駆動され、電源オン時の前記バックラ
    イト非点灯時には前記光反射領域のみが駆動されることを特徴とする請求項1〜3のいず
    れかに記載の液晶表示装置。
  5. 前記複数のサブ画素は横電界方式で駆動されるものであることを特徴とする請求項1〜
    3のいずれかに記載の液晶表示装置。
  6. 前記複数のサブ画素は、前記バックライトが点灯されている際には前記光透過領域のみ
    が駆動され、電源オン時の前記バックライト非点灯時には前記光反射領域のみが駆動され
    ることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
  7. 前記光反射領域を直流駆動する際、電源オフ時に予め指定された特定画像を継続して表
    示させる時間に比例して直流駆動電圧を高くすることを特徴とする請求項1に記載の液晶
    表示装置。
  8. 前記光反射領域を直流駆動する際、予め直流駆動によって表示させる特定画像を記憶す
    る記憶手段と電源オフ時からの経過時間をカウントする計時手段を用い、電源オフ時から
    所定の時間毎に前記記憶手段から特定画像を読み出し、前記光反射領域を一旦直流駆動し
    て前記特定画像を表示した後に再度電源オフ状態とすることを特徴とする請求項1に記載
    の液晶表示装置。
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