JP2007531031A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. ＳＯＩ型基板中にリッジまたはリブ導波路と、活性領域とを含む、光信号を制御するためのオプトエレクトロニクス部品であって、
   該活性領域は、Ｎ＋型にドープまたはＰ＋型にドープ（δドープ）された複数の極薄シリコン層により形成されており、Ｎ＋ドープ領域およびＰ＋ドープ領域の間に配置されており、これらＮ＋ドープ領域およびＰ＋ドープ領域はＰＩＮダイオードを形成し、該活性領域の両側に配置されていて該活性領域をバイアスすることを可能とすることを特徴とし、
   更に、該オプトエレクトロニクス部品は、オールシリコンであり、キャリア散逸により動作することを特徴とする、
   オプトエレクトロニクス部品。
2. 前記シリコン層がすべてＮ＋型にドープされるか、またはすべてＰ＋型にドープされるかのいずれであることを特徴とする請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
3. ドーピング面が基板に対して平行であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
4. 上部電極が、マイクロ導波路のリッジまたはリブにより規定される活性領域に対して側面に沿って突き合わされることを特徴とする請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
5. 第２電極が活性領域を超えて側面に沿って延びる下部シリコンドープ層と接触することを特徴とする請求項２、３、または４に記載のオプトエレクトロニクス部品。
6. 二つの電極の少なくとも一つが、シリサイド層を介して（Ｎ＋またはＰ＋）ドープシリコン層と接触することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
7. ドーピング面が基板に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
8. それが、極薄Ｎ＋またはＰ＋（δドーピング）シリコン層をエピタキシャル成長させることに存する方法を用いて製造されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
9. それがレーザードーピングによりＮ＋またはＰ＋ドーピング面を形成することに存する方法を用いて製造されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
10. オプトエレクトロニク・スイッチの形成用の請求項１〜９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
11. オプトエレクトロニク変調器の形成用の請求項１〜９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。