JP2009010248A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 活性層の近傍に設けられ、該活性層に注入する電流の経路となる開口部の周辺が絶縁化して形成された電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、
   前記活性層と該活性層の近傍の前記電流狭窄領域を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、
   前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成されていることを特徴とする面発光レーザ。
2. 前記電流狭窄領域の光強度分布の強度は、前記活性層における光強度分布の最大強度の５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
3. 前記電流注入領域における電流注入経路の径をＤｉとし、前記開口部の径をＤｏとするとき、つぎの関係式（１）を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の面発光レーザ。
   Ｄｉ＜Ｄｏ−４（μｍ）………（１）
4. 前記電流注入領域は、基板に形成された配線パターンに接合させて構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
5. 前記配線パターンが形成された基板は、シリコンによる基板、アルミナによる基板、絶縁膜が形成されたＣｕＷによる基板、のうちのいずれかの基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
6. 前記配線パターンが形成された基板がシリコン基板であり、該基板に面発光レーザを駆動する駆動回路が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の面発光レーザが、一次元または、二次元に配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
8. 活性層に電流を注入する経路となる開口部を備えた電流狭窄領域を有する面発光レーザの製造方法であって、
   基板上に、前記電流狭窄領域を形成するための層を含むメサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程と、
   前記電流狭窄領域を形成するための層に、活性層に注入する電流の経路となる開口部を備え、該開口部の周辺を絶縁化して電流狭窄領域を形成する工程と、
   前記メサ構造の頂部中央に、電流注入経路の径が前記電流狭窄領域の開口部の径よりも小さい径を備えた電流注入領域を、前記活性層を挟んで光出射側と反対側に形成する工程と、
   を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
9. 前記電流注入領域を形成した後、該電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程を、更に有することを特徴とする請求項８に記載の面発光レーザの製造方法。
10. 前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合した後、面発光レーザパターンを形成する工程で用いた前記基板を除去する工程を、更に有することを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザの製造方法。
11. 前記メサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程で用いる基板がＧａＡｓ基板であり、
    前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程で用いる基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の面発光レーザの製造方法。