JP2010521806A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 外部共振器の第１の端部ミラーを形成する外部ミラーと、
   前記外部共振器の第２の端部ミラーを形成する、レーザ発生波長に対する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ；distributed Bragg reflector）と、
   前記分布ブラッグ反射器の内側に設けられる、発光のための活性化領域と、
   前記活性化領域及び前記分布ブラッグ反射器が少なくとも自身の一部を形成する積層部に取り付けられる、前記外部共振器の内部の光学的に透明な基板と、
   前記分布ブラッグ反射器の外側で前記積層部に取り付けられるヒートシンクとを少なくとも有し、
   電流注入層が、前記活性化領域と前記光学的に透明な基板との間に挟まれ、レーザ動作を可能にするように設計され又は設けられ、
   追加の金属層が、前記電流注入層と前記透明な基板との間に挟まれる、垂直外部共振器形面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ; vertical extended cavity surface emission laser）。
2. 追加の分布ブラッグ反射器が、前記活性化領域と前記電流注入層との間に挟まれ、前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器の反射率よりもレーザ発生波長に対して低い反射率をもち、
   前記追加の分布ブラッグ反射器は、４〜１３対の層で形成される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
3. 前記透明な基板は、前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器の反射率よりもレーザ発生波長に対して低い反射率を伴うダイクロイックのコーティングを有する、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
4. 前記光学的に透明な基板は、ガラス基板である、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
5. 他の光学部品が、前記外部ミラーと前記透明な基板との間の前記外部共振器の内部に設けられる、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
6. 前記第２の端部ミラーを形成する前記分布ブラッグ反射器は、２０よりも多い対の層で形成される、請求項２に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
7. 前記金属層は、前記活性化領域における電流分布、及び／又は、レーザの光学的挙動に影響を与えるように構造化される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
8. 前記金属層は、外部共振器内に形成するレーザ放射の定常波のノードに設けられる、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
9. 前記ヒートシンクは、前記積層部に電気的に接触するための導体構造を有する、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
10. 前記透明な基板は、光学機能を実行するように設計される、特に、偏光子、レンズ又は周波数倍増結晶を形成するように設計される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
11. 前記透明な基板は、少なくとも幾つかが異なる光学機能を有する複数の異なる材料層のサンドイッチで形成される、請求項１に記載の垂直外部共振器形面発光レーザ。
12. 垂直外部共振器形面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ; vertical extended cavity surface emission laser）の発光部品を製造する方法であって、
    発光のための活性化領域、上部の分布ブラッグ反射器を形成する上部層シーケンス、及び、半導体基板と前記活性化領域との間に挟まれたｎ又はｐドープ電流注入層を形成する少なくとも複数の層を有する積層部を、前記半導体基板上にエピタキシャルに成長させるステップと、
    機械的サポート又はサブマウントを前記積層部の上側に取り付けるステップと、
    前記半導体基板を除去するステップと、
    光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップとを少なくとも有し、
    メタライズ層は、前記半導体基板を除去するステップと光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップとの間において、前記積層部の下側に堆積される、方法。
13. エピタキシャルに成長された前記積層部は、前記活性化領域と前記ｎ又はｐドープ電流注入層との間に下部の分布ブラッグ反射器を形成する下部層シーケンスを有する、請求項１２に記載の方法。
14. 前記機械的サポートは、前記積層部の上側に接合され、前記光学的に透明な基板を前記積層部の下側に接合させるステップの後に除去される、請求項１２に記載の方法。
15. 前記サブマウントは、前記積層部の上側に接合又ははんだ付けされる、請求項１２に記載の方法。
16. 前記メタライズ層は、光伝送のためのホールを提供するために、及び／又は、偏光子若しくはモデル制御のような追加の光学機能性を提供するために、構造化される、請求項１２に記載の方法。
17. 前記半導体基板は、ウエハー基板であり、
    前記積層部は、前記ウエハー基板に複数の垂直発光部品を並べて形成するためにエピタキシャルに成長され、前記光学的に透明な基板の結合の後に、生ずる基板及び前記積層部が、各部品が１又は幾つかの発光部品を有する単一の部品に切断される、請求項１２に記載の方法。