JP2007519244A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 電磁放射を生成するための機器であって、
   スーパールミネッセント発光ダイオードを含み、スーパールミネッセント発光ダイオードは、ＰＮ接合部と光ビーム経路を規定する導波路とを形成する半導体ヘテロ構造を含み、
   ヘテロ構造は、光ビーム経路において、利得領域と、利得領域と直列の吸収領域とを備え、前記機器はさらに、
   利得領域におけるＰＮ接合部に電圧を順方向に印加して、利得領域から光ビーム経路に沿って光の放出を発生させるための第１の接点と、
   吸収領域におけるＰＮ接合部と接触する第２の接点とを含み、第２の接点は、吸収領域におけるＰＮ接合部のＰドープされた側とＮドープされた側との間に永久的な電気接点を形成し、その結果、吸収領域におけるＰＮ接合部はバイアスがかかっておらず、
   前記機器はさらに、スーパールミネッセント発光ダイオードを担持するハウジングを含み、ハウジングは対称軸を含み、前記光ビーム経路は前記対称軸と平行であり、
   ハウジングは、２つの平行な面を有する円盤形のボディを含み、対称軸は、前記ボディの対称軸であり、前記面に対して垂直であり、ハウジングはさらに、対称軸の方向にボディを貫通する電気接点を含み、スーパールミネッセント発光ダイオードは、前記ボディの面に取り付けられた半導体チップに設けられる、機器。
2. 前記第２の接点は、Ｐ側の電位を有する層とＮ側の電位を有する層との間にワイヤ接点を備える、請求項１に記載の機器。
3. ＰＮ接合部はｎドープされた側とｐドープされた側とを含み、ｎドープされた側とｐドープされた側の少なくとも一方は、第２の接点によって、ヘテロ構造の外側の金属面に接続される、請求項１に記載の機器。
4. 導波路は、光ビーム経路に平行な長手方向において導波構造を制限する２つの端面を含み、端面は光ビーム経路に対して垂直である、請求項１から３のいずれかに記載の機器。
5. 利得領域および吸収領域におけるＰＮ接合部は、ｐドープされた構成要素とｎドープさ
   れた構成要素とを含むバルクｐｎ接合部であり、そのいずれもが１０ｎｍを超える層厚を有する、請求項１から４のいずれかに記載の機器。
6. 半導体ヘテロ構造は利得領域において多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を備え、かつＰＮ接合部は前記多重量子井戸構造において形成され、または半導体ヘテロ構造は利得領域において量子細線もしくは量子ドットを備える、請求項１から５のいずれかに記載の機器。
7. 導波路は屈折率誘導型である、請求項１から６のいずれかに記載の機器。
8. 導波路は利得誘導型である、請求項１から６のいずれかに記載の機器。
9. 半導体ヘテロ構造は、第１のクラッド層と、第２のクラッド層とを含み、ＰＮ接合部は、第１および第２のクラッド層の間にＰＮ接合積層構造を含み、ＰＮ接合積層構造は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造またはｐドープされた材料のバルク層とｎドープされた材料のバルク層とを含み、ヘテロ構造はさらに、第１の金属電極と電気的に接触している第１のクラッド層と、第２の金属電極と電気的に接触している第２のクラッド層とを含み、第１の金属電極または第２の金属電極または両方の金属電極は、利得領域と吸収領域との間で中断される、請求項１から８のいずれかに記載の機器。
10. 前記ハウジングはＴＯ缶である、請求項１に記載の機器。
11. スーパールミネッセント発光ダイオードは、ハウジングの中心に配置され、ビーム経路は対称軸と一致している、請求項１に記載の機器。
12. ビーム経路は、円盤形のボディと同心である、請求項１から１１のいずれかに記載の機器。
13. 利得領域において放出される放射によって生じ、かつＰＮ接合部の吸収領域において吸収される光電流をモニタリングし、それによって利得領域において放出される光の尺度であるモニタリング信号を生成するためのモニタリング手段をさらに含む、請求項１に記載の機器。