JP2003332667A

JP2003332667A - 半導体レーザモジュール

Info

Publication number: JP2003332667A
Application number: JP2002137635A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Funada; 知之船田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-05-13
Filing date: 2002-05-13
Publication date: 2003-11-21

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波数領域でのインピーダンスの整合を図
ることができる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】ステムベース３に形成された貫通孔１０
に貫通するリードピン１１を封止するガラス封止部１２
が、その寸法を調整して、所定のインピーダンスに調整
される。ステム２に実装されたレーザダイオード６に
は、抵抗素子７が直列に接続されることにより、ガラス
封止部１２のインピーダンスとの整合が取られている。
また、リードピン１１とレーザダイオード６の間には、
伝送線路１５Ｂを備える接続部材１５が介在されてい
る。この伝送線路１５Ｂの性状を調整することにより、
ガラス封止部１２のインピーダンスとの整合が取られて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザモジュールとして
は、たとえば特開平８−１２５２５９号公報に開示され
たものがある。図１２に示すように、この半導体レーザ
モジュール７０は、ステム７１を有している。ステム７
１は、ステムベース７２を備えており、ステムベース７
２には、ステムブロック７３が設けられている。ステム
ブロック７３には、ヒートシンク７４を介してレーザダ
イオード７５が取り付けられている。ステムベース７２
上におけるレーザダイオード７５の下方には、サブマウ
ント７６が配設されており、サブマウント７６上にフォ
トダイオード７７が配設されている。

【０００３】このフォトダイオード７７は、レーザダイ
オード７５が発する出射光を検出している。そして、ス
テムブロック７３に設けられたレーザダイオード７５お
よびサブマウント７６上に設けられたフォトダイオード
７７は、ステムベース７２の上に設けられた図示しない
ＣＡＮケースに収容されている。さらに、ステムベース
７２には複数の貫通孔７８が形成されており、それぞれ
の貫通孔７８にリードピン７９が貫通している。そのう
ちの１つのリードピン７９には、インナリードを介して
レーザダイオード７５が接続されている。そして、レー
ザダイオード７５に対して、インナリードを介してリー
ドピン７９から信号が供給される。また、リードピン７
９が貫通する貫通孔７８は、ガラス封止部８０によって
封止されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この種の半導体レーザ
モジュールには、一般に、高い高周波特性が要求されて
おり、この要求を満たすには、インピーダンスの整合を
図ることが重要であると発明者らは考えている。しか
し、上記公報に開示された従来の技術では、インピーダ
ンスの整合を図る点については特に考慮されていない。

【０００５】一方、たとえばＵＳ２００１／００２１０
５４Ａ１公報では、いわゆるＴＯ−ＣＡＮ型の光半導体
レーザモジュールで、ＣＡＮの高周波特性を補正するた
めに、ＣＡＮの外部に補正基板を搭載したものが開示さ
れている。この技術に対し、本発明者らは、ＣＡＮケー
スの内部についてはインピーダンスの整合が考慮されて
いないことを知見した。

【０００６】他方、特開平８−８８４３７号公報におい
ては、レーザパッケージ内に変圧器を設け、インピーダ
ンス整合を図るレーザパッケージが開示されている。こ
れに対して、本発明者らは、この公報に開示されたレー
ザパッケージでは、集中定数回路でインピーダンス整合
を図っている点を知見した。ところが、この技術では数
ＧＨｚを超える高周波数域でのインピーダンス整合を図
ることができないことをも知見した。また、変圧器のサ
イズが比較的大きく、レーザパッケージの小型化が難し
いという問題もある。

【０００７】そこで、本発明の課題は、高周波数領域で
のインピーダンスの整合を図ることができる半導体レー
ザモジュールを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明に係る半導体レーザモジュールは、ステムブロックを
備えるステムと、ステムに実装されたレーザダイオード
と、ステムに形成された孔部に貫通して配置され、レー
ザダイオードに対して信号を供給するリードピンと、回
路基板を備え、回路基板にはリードピンとレーザダイオ
ードとを接続する伝送線路が形成された接続部材と、リ
ードピンが貫通する孔部を封止するガラス封止部と、ス
テムに設けられ、レーザダイオードに対して直列に接続
された抵抗素子と、を備えるものである。

【０００９】本発明に係る半導体レーザモジュールで
は、インピーダンスの整合を図るにあたり、リードピン
からレーザダイオードに至る経路を３つに分けて考えて
いる。そのうちの１つ目は、ガラス封止部におけるリー
ドピン、２つ目はリードピンとレーザダイオードを接続
する接続部材、３つ目はレーザダイオードである。

【００１０】まず、ガラス封止部におけるリードピンの
インピーダンスについて、所定のインピーダンスとなる
ようにリードピンの径、ガラス封止部の径などの寸法を
調整することにより、ガラス封止部におけるリードピン
のインピーダンスを所定のインピーダンスとすることが
できる。ガラス封止部におけるリードピンのインピーダ
ンスが調整されたら、接続部材およびレーザダイオード
のインピーダンスを調整することにより、インピーダン
スの整合を図ることができる。

【００１１】ここで、本発明においては、レーザダイオ
ードのインピーダンスを調整するために抵抗素子がレー
ザダイオードに対して直列に接続されている。通常、レ
ーザダイオードのインピーダンスはガラス封止部におけ
るリードピンのインダクタンスよりも低くなっている。
このため、抵抗素子をレーザダイオードに直列に接続す
ることにより、レーザダイオードのインピーダンスを大
きくすることができ、もってレーザダイオードのインピ
ーダンスをガラス封止部におけるリードピンのインピー
ダンスに調整することができる。

【００１２】また、本発明において、接続部材として、
伝送線路が形成された回路基板を有するものが用いられ
ている。このように、伝送線路が形成された回路基板を
用いることにより、接続部材におけるインピーダンスの
整合を図ることができる。

【００１３】このようにして、インピーダンスの整合を
図ることにより、高周波域におけるインピーダンスの整
合を図ることができ、もって高周波特性を向上させるこ
とができる。

【００１４】ここで、レーザダイオードおよび抵抗素子
が、ステムに設けられたサブマウントに取り付けられて
いるのが好適である。レーザダイオードおよび抵抗素子
が同一のサブマウントに設けられていることにより、レ
ーザダイオードの直近の位置までインピーダンスの整合
を図ることができる。そのため、より高周波域までイン
ピーダンスの整合を取ることができる。また、レーザダ
イオードと抵抗素子でサブマウントを共用することによ
り、レーザダイオードおよび抵抗素子を狭い範囲であっ
ても設置することができる。

【００１５】また、抵抗素子が、レーザダイオードと伝
送線路の間に介在されているとともに、接続部材におけ
る回路基板上に設けられている態様とすることができ
る。

【００１６】このように、抵抗素子が、レーザダイオー
ドと伝送線路の間に介在されているとともに、接続部材
における回路基板上に設けられている態様とすることに
より、レーザダイオードと抵抗素子を離間して設けるこ
とができる。このため、抵抗素子による発熱がレーザダ
イオードに直接伝わらないようすることができるので、
高温時も安定して半導体レーザモジュールを動作させる
ことができる。

【００１７】さらに、抵抗素子と並列に接続されたイン
ダクタンス素子が設けられている態様とすることもでき
る。

【００１８】このように、抵抗素子と並列に接続された
インダクタンス素子が設けられていることにより、直流
成分を抵抗素子をバイパスさせて流すことにより抵抗素
子での電力損失を低減することができる。したがって、
抵抗素子における発熱と電圧降下を緩和することができ
る。

【００１９】また、伝送線路が、マイクロストリップラ
インであるのが好適である。このように、伝送線路をマ
イクロストリップラインで形成することにより、好適に
インピーダンスの調整を行うことができる。

【００２０】そして、ステムブロックの裏面に、レーザ
ダイオードに対して信号を供給する半導体レーザ駆動回
路基板と接続するための溝部が形成されている態様とす
るのが好適である。

【００２１】このような態様とすることにより、レーザ
ダイオードに対して信号を供給する半導体レーザ駆動回
路基板を安定した状態でステムブロックに取り付けるこ
とができる。したがって、両者の基準電位が安定するこ
とができる。その結果、高周波領域において半導体レー
ザモジュールを安定して動作させることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
好適な実施形態について詳細に説明する。なお、同一要
素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略
する。

【００２３】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半
導体レーザモジュールの側断面図、図２はその半導体レ
ーザモジュールの斜視図である。

【００２４】図１および図２に示すように、本実施形態
に係る半導体レーザモジュール１は、ステム２を有して
いる。ステム２は、たとえば鉄からなる金属製のステム
ベース３と、やはり金属製のステムブロック４とを備え
ている。ステムブロック４は、ステムベース３の上面に
載置して設けられている。

【００２５】ステムブロック４の正面には、たとえばＡ
ｌＮからなるＬＤ用サブマウント５が取り付けられてお
り、ＬＤ用サブマウント５には、光半導体素子であるレ
ーザダイオード６が設けられている。こうして、ステム
２にはレーザダイオード６が実装されている。このとし
ては、たとえばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰから構成される
多重量子井戸構造のファブリペロー型レーザダイオード
やＤＦＢ型レーザダイオードを適用することができる。
また、ＬＤ用サブマウント５には、抵抗素子７が設けら
れている。抵抗素子７は、レーザダイオード６に対して
直列に接続されており、レーザダイオード６におけるイ
ンピーダンスを調整している。また、レーザダイオード
６および抵抗素子７はいずれもＬＤ用サブマウント５に
設けられている。このため、レーザダイオード６および
抵抗素子７を設ける領域を狭い範囲で済ませることがで
きる。

【００２６】また、ステムベース３の上面には、ＰＤ用
サブマウント８が載置されて固定されている。ＰＤ用サ
ブマウント８の上面には、たとえば面受光型のフォトダ
イオード９がモニター用受光素子として載置されて固定
されている。フォトダイオード９は、その受光面がレー
ザダイオード６の方向を向いて配置されており、レーザ
ダイオード６が出射する出射光を受光する。

【００２７】さらに、ステムベース３には、複数の孔部
である貫通孔１０が形成されている。これらの貫通孔１
０には、それぞれリードピン１１が貫通した状態で挿入
されている。また、貫通孔１０は、それぞれガラス封止
部１２によって封止されている。これらのリードピン１
１のうち、第１リードピン１１Ａは、第１ボンディング
ワイヤ１３を介してレーザダイオード６に接続されてお
り、他の第２リードピン１１Ｂは、第２ボンディングワ
イヤ１４を介してフォトダイオード９に接続されてい
る。

【００２８】また、レーザダイオード６に接続される第
１リードピン１１Ａと、第１ボンディングワイヤ１３の
間には、接続部材１５が介在されている。接続部材１５
は、たとえばＡｌ₂Ｏ₃からなる回路基板１５Ａを備えて
おり、回路基板１５Ａの表面には、たとえばＡｕメッキ
からなる伝送線路１５Ｂが形成されている。伝送線路１
５Ｂは、線幅０．４ｍｍ、全長１ｍｍのいわゆるマイク
ロストリップラインである。この伝送線路１５Ｂの一端
部に第１リードピン１１Ａの上端部における側面が直接
接続され、伝送線路１５Ｂの他端部に第１ボンディング
ワイヤ１３が接続されている。

【００２９】さらに、ステム２のステムベース３におけ
る上面側には、ＣＡＮケース１６が被せらており、ステ
ムベース３に載置されたレーザダイオード６、フォトダ
イオード９、接続部材１５などは、ＣＡＮケースに収容
されている。こうして、半導体レーザモジュール１は、
いわゆるＴＯ−ＣＡＮ型の半導体レーザモジュールとし
て構成されている。

【００３０】以上の構成を有する本実施形態に係る半導
体レーザモジュール１においては、高周波特性を高める
ために、ＣＡＮケース内でのインピーダンスの整合を図
っている。インピーダンスの整合を図るにあたり、本実
施形態では、ガラス封止部１２、レーザダイオード６、
および接続部材１５の間でインピーダンスの整合を図っ
ている。

【００３１】この点についてさらに具体的に説明する
と、ステムベース３に形成された貫通孔１０に設けられ
たガラス封止部１２における第１リードピン１１Ａが、
所定のインピーダンスとなるように、第１リードピン１
１Ａおよびガラス封止部１２の寸法が調整されている。
いま、図３に示す本実施形態に係る半導体レーザモジュ
ール１の等価回路も参照して説明すると、たとえば、第
１リードピン１１Ａの直径が０．４５ｍｍ、ガラス封止
部１２の外径１．０ｍｍとすると、ガラス封止部１２の
インピーダンスは２０Ωとなる。この第１リードピン１
１Ａの直径、幅等を調整することにより、ガラス封止部
１２のインピーダンスを調整することができる。なお、
ステムベース３の径は５．６ｍｍである。

【００３２】このように第１リードピン１１Ａのインピ
ーダンスを調整したら、ＣＡＮケース１６内におけるレ
ーザダイオード６のインピーダンスを調整する。いま、
レーザダイオード６を等価回路で示す抵抗６Ａの抵抗が
５Ωであり、コンデンサ６Ｂの容量が６ｐＦであったと
する。このように、通常、レーザダイオード６のインピ
ーダンスは第１リードピン１１Ａのインダクタンスより
も低くなっており、たとえばレーザダイオード６のイン
ピーダンスが数Ωである一方、第１リードピン１１Ａの
インピーダンスは数十Ωである。このレーザダイオード
６に対して、抵抗素子７が直列に接続されおり、レーザ
ダイオード６のインピーダンスを調整している。抵抗素
子７が直列に接続されていることから、抵抗素子７の抵
抗を１５Ωとすることにより、レーザダイオード６のイ
ンピーダンスは、５Ω＋１５Ωで２０Ωとすることがで
きる。このようにして、抵抗素子７を直列に接続するこ
とにより、レーザダイオード６のインピーダンスと第１
リードピン１１Ａのインピーダンスとを整合させること
ができる。なお、ステム２は、接地電位にされる。

【００３３】また、第１リードピン１１Ａとレーザダイ
オード６とを接続する接続部材１５におけるインピーダ
ンスも調整する。接続部材１５は、回路基板１５Ａ上に
伝送線路１５Ｂが形成されて構成されている。この伝送
線路１５Ｂの素材、線幅、長さ等の性状を調整すること
により、接続部材１５のインピーダンスを調整すること
ができる。本実施形態では、伝送線路１５ＢとしてＡｕ
メッキを用い、線幅０．４ｍｍ、全長１ｍｍに調整され
ている。この線幅、全長とすることにより、接続部材１
５のインピーダンスを２０Ωに調整することができる。

【００３４】このように、第１リードピン１１Ａのイン
ピーダンスを調整し、第１リードピン１１Ａのインピー
ダンスに合わせてレーザダイオード６、および接続部材
１５のそれぞれのインピーダンスを調整している。この
ため、第１リードピン１１Ａ、レーザダイオード６、お
よび接続部材１５の相互のインピーダンス、ひいてはＣ
ＡＮケース内部のインピーダンスの整合を図ることがで
きる。また、第１リードピン１１Ａ、レーザダイオード
６、および接続部材１５では、それぞれ独立してインピ
ーダンスの調整を行っているので、集中定数回路を用い
たものと異なり、高周波数領域でのインピーダンスの整
合を図ることができる。さらに、抵抗素子７がＬＤ用サ
ブマウント５に設けられていることにより、レーザダイ
オード６の直近の位置までインピーダンスの整合を図る
ことができる。そのため、より高周波域までインピーダ
ンスの整合を取ることができる。

【００３５】図４は、本実施形態および比較例に係る半
導体レーザモジュールの通過特性をシミュレーションし
た結果を比較するグラフであり、（ａ）が本実施形態
例、（ｂ）が従来例である。図４から判るように、
（ｂ）に示す比較例に係る半導体レーザモジュールで
は、２〜３ＧＨｚ付近に共振による通過特性のピーキン
グが見られ、安定性に欠けるものとなった。これに対し
て、（ａ）に示す本実施形態に係る半導体レーザモジュ
ールでは、低周波数領域から５ＧＨｚまでの範囲に渡り
平坦な通過特性を示すものであった。このように、本実
施形態に係る半導体レーザモジュールでは、良好な高周
波特性を得ることができた。

【００３６】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図５は本実施形態に係る半導体レーザモジュー
ルの側断面図、図６はその等価回路の回路図である。

【００３７】図５に示すように、本実施形態に係る半導
体レーザモジュール２０においては、上記第１の実施形
態と比較して、抵抗素子２１の配置位置が異なってお
り、抵抗素子２１は伝送線路１５Ｂにおけるレーザダイ
オード６側の端部に設けられている。この抵抗素子２１
は、その一方が伝送線路１５Ｂに接続され、他方が第１
ボンディングワイヤ１３を介してレーザダイオード６に
接続されている。こうして、抵抗素子２１は、伝送線路
１５Ｂとレーザダイオード６の間に介在されている。こ
こで、図６に示すように、抵抗素子２１は、レーザダイ
オード６に対して直列に接続されている。また、抵抗素
子２１は、接続部材１５における回路基板１５Ａに取り
付けられている。その他の構成については、上記第１の
実施形態と実質的に同一の構成を有している。

【００３８】以上の構成を有する本実施に係る半導体レ
ーザモジュール２０においては、上記第１の実施形態と
同様に第１リードピン１１Ａのインピーダンスを調整す
るともに、このインピーダンスに合わせて、抵抗素子２
１によってレーザダイオード６のインピーダンスを調整
するとともに、伝送線路１５Ｂの線幅、長さ等の性状を
調整することにより、接続部材１５のインピーダンスを
調整する。こうして、ＣＡＮケース内部のインピーダン
スを整合させることができる。

【００３９】また、本実施形態に係る半導体レーザモジ
ュール２０では、抵抗素子２１が接続部材１５の上部位
置に取り付けられ、レーザダイオード６がＬＤ用サブマ
ウント５の上部位置に取り付けられていることにより、
抵抗素子２１がレーザダイオード６の近傍に配置されて
いる。このため、レーザダイオード６の直近までインピ
ーダンスの整合を図ることができる。しかも、抵抗素子
２１はＬＤ用サブマウント５には取り付けられておら
ず、抵抗素子２１とレーザダイオード６は離間している
ことから、抵抗素子２１による発熱がレーザダイオード
６に直接伝わらないようにすることができる。そのた
め、抵抗素子２１が高温となった時も安定して半導体レ
ーザモジュールを動作させることができる。

【００４０】続いて、本発明の第３の実施形態について
説明する。図７は本実施形態に係る半導体レーザモジュ
ールの側断面図、図８はその等価回路の回路図である。

【００４１】図７に示すように、本実施形態に係る半導
体レーザモジュール３０においては、上記第１の実施形
態と比較して、バイパス素子３１が設けられている点に
おいて主に異なる。バイパス素子３１は、ステムブロッ
ク４に設けられており、第３ボンディングワイヤ３２を
介してレーザダイオード６に接続されている。このバイ
パス素子３１は、図８に示すように、レーザダイオード
６に対して抵抗素子７と並列に接続されており、抵抗素
子７をバイパスして、レーザダイオード６を接地させて
いるものである。バイパス素子３１としては、チョーク
コイルやフェライトビーズなどが用いられている。その
他の構成については、上記第１の実施形態と実質的に同
一である。

【００４２】以上の構成を有する本実施形態に係る半導
体レーザモジュール３０においては、上記第１の実施形
態と同様の作用効果を奏する。また、このバイパス素子
３１が接続されていることにより、レーザダイオード６
に対して、抵抗素子７をバイパスさせてバイアス電流を
供給することができる。そのため、抵抗素子７における
電力損失を低減させることができる。その結果、抵抗素
子７における発熱を低減させることができるとともに、
抵抗素子７における電圧低下を緩和することができる。

【００４３】さらに、本発明の第４の実施形態について
説明する。図９は本実施形態に係る半導体レーザモジュ
ールの側断面図、図１０はその等価回路の回路図であ
る。

【００４４】図９に示すように、本実施形態に係る半導
体レーザモジュール４０においては、上記第２の実施形
態と比較して、バイパス素子４１が設けられている点に
おいて主に異なる。バイパス素子４１は、回路基板１５
Ａに取り付けられたバイパス素子用マウント４２に取り
付けられている。また、バイパス素子４１は、図１０に
示すように、抵抗素子２１をまたいで接続されており、
一端部は伝送線路１５Ｂに接続され、他端部は第１ボン
ディングワイヤ１３を介してレーザダイオード６に接続
されている。このバイパス素子４１としては、上記第３
の実施形態と同様に、チョークコイルやフェライトビー
ズなどが用いられる。

【００４５】以上の構成を有する本実施形態に係る半導
体レーザモジュールでは、上記第２の実施形態と同様の
効果を奏する。また、バイパス素子４１が設けられてい
ることにより、レーザダイオード６に対して、抵抗素子
２１をバイパスさせてバイアス電流を供給することがで
きる。そのため、抵抗素子２１における電力損失を低減
させることができる。その結果、抵抗素子２１における
発熱を防止することができるとともに、抵抗素子２１に
おける電圧低下を緩和することができる。

【００４６】さらに、本発明の第５の実施形態について
説明する。図１１は本実施形態に係る半導体レーザモジ
ュールの側断面図である。

【００４７】図１１に示すように、本実施形態に係る半
導体レーザモジュール５０には、光ファイバを挿入する
ためのスリーブ５１が取り付けられ、ステムベース３の
裏面には、半導体駆動回路基板６０と接続するための溝
部５２が形成されている。さらに、この溝部５２から棒
状のリードピン５３が突出して設けられている。この他
の構成要素については、上記第１の実施形態と同様の構
成を有している。

【００４８】この半導体レーザモジュール５０に対し
て、半導体駆動回路基板６０が取り付けられる。半導体
駆動回路基板６０は、金属製である板状のベース部材６
１を備えている。ベース部材６１の上面にはセラミック
基板６２が設けられており、セラミック基板６２の内側
にレーザダイオードドライバ６３が設けられている。そ
して、セラミック基板６２の表面にはマイクロストリッ
プライン６４Ａ，６４Ｂが形成されており、マイクロス
トリップライン６４Ａ，６４Ｂとレーザダイオードドラ
イバ６３は、それぞれＡｕワイヤ６５Ａ，６５Ｂで接続
されている。

【００４９】さらに、一方のマイクロストリップライン
６４Ａにはリードピン６６が接続されており、他方のマ
イクロストリップライン６４Ｂには、半導体レーザモジ
ュール５０が取り付けられた際に、半導体レーザモジュ
ール５０のリードピン１１が接続される。また、ベース
部材６１における半導体レーザモジュール５０側の端部
６７には、嵌合凹部６８が形成されている。この嵌合凹
部６８は、半導体レーザモジュール５０に設けられたリ
ードピン５３が嵌る形状をなしている。

【００５０】このように、本実施形態に係る半導体レー
ザモジュール５０には、これに取り付けられる半導体駆
動回路基板６０を接続するための溝部５２が形成されて
いる。このため、半導体レーザモジュール５０に半導体
駆動回路基板６０を接続する際に、容易に位置決めを行
うことができる。また、ベース部材６１の電位を接地電
圧とすることにより、半導体駆動回路基板６０の基準電
位と半導体レーザモジュール５０の基準電位を直接嵌合
させることができる。したがって、両者間の基準電圧を
安定させることができるので、高周波数域においても、
安定してレーザダイオード６を動作させることができ
る。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明のとおり、高周波数領域での
インピーダンスの整合を図ることができる半導体レーザ
モジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の側断面図である。

【図２】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の斜視図である。

【図３】第１の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の等価回路の回路図である。

【図４】本実施形態および比較例に係る半導体レーザモ
ジュールのＡＣ特性をシミュレーションした結果を比較
するグラフであり、（ａ）が本実施形態例、（ｂ）が従
来例である。

【図５】第２の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の側断面図である。

【図６】第２の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の等価回路の回路図である。

【図７】第３の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の側断面図である。

【図８】第３の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の等価回路の回路図である。

【図９】第４の実施形態に係る半導体レーザモジュール
の側断面図である。

【図１０】第４の実施形態に係る半導体レーザモジュー
ルの等価回路の回路図である。

【図１１】第５の実施形態に係る半導体レーザモジュー
ルの側断面図である。

【図１２】従来の半導体レーザモジュールの斜視図であ
る。

【符号の説明】

１，２０，３０，４０，５０…半導体レーザモジュー
ル、２…ステム、３…ステムベース、４…ステムブロッ
ク、５…ＬＤ用サブマウント、６…レーザダイオード、
６Ａ…抵抗、６Ｂ…コンデンサ、７，２１…抵抗素子、
８…ＰＤ用サブマウント、９…フォトダイオード、１０
…貫通孔、１１…リードピン、１１Ａ…第１リードピ
ン、１１Ｂ…第２リードピン、１２…ガラス封止部、１
３…第１ボンディングワイヤ、１４…第２ボンディング
ワイヤ、１５…接続部材、１５Ａ…回路基板、１５Ｂ…
伝送線路、１６…ＣＡＮケース、３１，４１…バイパス
素子、３２…ボンディングワイヤ、４２…バイパス素子
用マウント、５１…スリーブ、５２…溝部、５３…リー
ドピン、６０…半導体駆動回路基板、６１…ベース部
材、６２…セラミック基板、６３…レーザダイオードド
ライバ、６４Ａ，６４Ｂ…マイクロストリップライン、
６５Ａ，６５Ｂ…ワイヤ、６６…リードピン、６７…
（ベース部材の）端部、６８…嵌合凹部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ステムブロックを備えるステムと、前記ステムに実装されたレーザダイオードと、前記ステムに形成された孔部に貫通して配置され、前記
レーザダイオードに対して信号を供給するリードピン
と、回路基板を備え、前記回路基板には前記リードピンと前
記レーザダイオードとを接続する伝送線路が形成された
接続部材と、前記リードピンが貫通する前記孔部を封止するガラス封
止部と、前記ステムに設けられ、前記レーザダイオードに対して
直列に接続された抵抗素子と、を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】前記レーザダイオードおよび前記抵抗素
子が、前記ステムに設けられたサブマウントに取り付け
られている請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】前記抵抗素子が、前記レーザダイオード
と前記伝送線路の間に介在されているとともに、前記接
続部材における回路基板上に設けられている請求項１ま
たは請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】前記抵抗素子と並列に接続されたインダ
クタンス素子が設けられている請求項１から請求項３の
うちのいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】前記伝送線路が、マイクロストリップラ
インである請求項１から請求項４のうちのいずれか１項
に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】前記ステムブロックの裏面に、前記レー
ザダイオードに対して信号を供給する半導体レーザ駆動
回路基板と接続するための溝部が形成されている請求項
１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の半導体レ
ーザモジュール。