JP2007288089A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 半導体基板上にメサ型形状の活性領域が形成された光素子において、
その光素子を構成する前記半導体基板を含む半導体層の中で前記半導体基板または前記半導体基板近傍に配置された第１の半導体層は、第１の導電性を有し、
前記光素子の活性領域に対して、前記半導体基板とは逆側に配置された第２の半導体層から配線の少なくとも一部と、前記配線の一端に形成されたボンディング用電極パッドとは、前記メサ型形状の活性領域の周囲に接して成長された高抵抗の半導体層上に誘電体層を介して形成されていることを特徴とする光素子。 - 前記光素子の前記誘電体膜の厚さが０.４μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
- 前記光素子の前記メサ型形状の活性領域の頂部と底部の段差が２μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
- 前記光素子の前記高抵抗の半導体層の厚さが０.６μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
- 請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載された光素子であって、
前記半導体基板が前記第１の導電性を有することを特徴とする光素子。 - 請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載された光素子であって、
前記半導体基板が半絶縁性を有し、前記半導体基板近傍に配置された前記第１の半導体層が前記第１の導電性を有することを特徴とする光素子。 - 請求項１ないし請求項６のいずれか一つに記載された光素子であって、
前記光素子は、受光素子または発光素子であることを特徴とする光素子。 - 少なくとも受光素子と、この受光素子に接続され電流入力を電圧出力に変換する負帰還アンプとからなる光モジュールにおいて、
前記受光素子は、その受光素子を構成する半導体基板を含む半導体層の中で前記半導体基板または前記半導体基板近傍に配置された第１の半導体層は、第１の導電性を有し、
前記受光素子の活性領域に対して、前記半導体基板とは逆側に配置された第２の半導体層から配線の少なくとも一部と、前記配線の一端に形成されたボンディング用電極パッドとは、前記メサ型形状の活性領域の周囲に接して成長された高抵抗の半導体層上に誘電体層を介して形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 少なくとも発光素子と、この発光素子を駆動するドライバとからなる光モジュールにおいて、
前記発光素子は、その発光素子を構成する半導体基板を含む半導体層の中で前記半導体基板または前記半導体基板近傍に配置された第１の半導体層は、第１の導電性を有し、
前記発光素子の活性領域に対して、前記半導体基板とは逆側に配置された第２の半導体層から配線の少なくとも一部と、前記配線の一端に形成されたボンディング用電極パッドとは、前記メサ型形状の活性領域の周囲に接して成長された高抵抗の半導体層上に誘電体層を介して形成されていることを特徴とする光モジュール。
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