JP2022149786A - テスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直型発光ダイオードが不動作になり、信頼性が低下しコストと関連のリスクが増えるという問題を解決する。【解決手段】本発明はテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造であって、発光ダイオード素子と、側壁絶縁層と、溶接電極と、金属保護層とを含み、主に金属保護層は溶接電極に電気的に接続され、且つ金属保護層は側壁絶縁層を介して発光ダイオード素子のチップ側縁及びキャリア側縁を被覆しこれらを保護するものである。このようにして、金属保護層を被覆させて保護することにより、発光ダイオード素子は電気めっきや無電解めっき工程又は過酷な環境を必要とする他の工程で、側壁絶縁層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）が不動作になる問題は解消され、しかも金属保護層にはテスト接点が提供され、発光ダイオード素子の順方向降下電圧（Ｖｆ）、逆方向漏れ電流（Ｉｒ）を検出すれば側壁絶縁層の品質を評価できる。【選択図】図１
Description
本発明は垂直型発光ダイオード構造に関し、特にテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造に関する。
従来の垂直型発光ダイオードは、そのチップ構造がＮ型半導体層、発光層及びＰ型半導体層を含んでサンドイッチ構造が構成され、当該Ｐ型半導体層の下に反射層（Ｍｉｒｒｏｒ ｌａｙｅｒ）、緩衝層（Ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）、結合層、シリコン基板及びＰ型電極がこの順に設けられ、当該Ｎ型半導体層の表面には光出射率を高めるために粗化処理が行われ、Ｎ型電極が設けられたものであってもよい。このようにして、当該Ｎ型電極及び当該Ｐ型電極に電圧を印加すると、当該Ｎ型半導体層が電子、当該Ｐ型半導体層が正孔を提供し、当該電子と当該正孔が当該発光層において結合すると発光する。
垂直型発光ダイオードのチップのＰ－Ｎ接合の側縁に湿気が付着し又は導電性物質が接触した場合、電源投入後、時には素子が不動作になるため、垂直型発光ダイオードには絶縁側壁層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）を設けるのが一般的である。絶縁側壁層は一般に厚さが０．１μｍ～１μｍのＳｉＯ２で、湿気の付着や導電性物質の接触を防ぐことでチップ（ｃｈｉｐ）のＰ－Ｎ接合部を保護する。
垂直型発光ダイオードの絶縁側壁層においてコーティング品質の制御と確認が難しく、時には小さなクラックが発生するので、工程条件が芳しくない場合は、厚さを増やすと、品質改善につながらないどころか、ピーリング（Ｐｅｅｌｉｎｇ）が起きる。従来の垂直型発光ダイオードでは、後続のパッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ）工程で殆どダイボンディング－ワイヤーボンディング工程を採用するため、明らかな影響はない。垂直型発光ダイオードのパッケージ工程が済んだ時点から、垂直型発光ダイオードのチップが効果的に保護されているため、絶縁側壁層のコーティング品質に差があっても殆ど影響はない。
しかし、後続のパッケージ工程で電気めっきや無電解めっきなど厳しい工程を必要とする場合は、絶縁側壁層による保護が行き届かないチップは電気めっき又は無電解めっき工程において、電解液中の金属イオンが小さなクラックからＰ－Ｎ接合に入って付着すると、後続の工程で垂直型発光ダイオードが不動作となり、信頼性が低下しコストと関連のリスクが増えるのが問題であった。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたもので、金属層によって被覆された垂直型発光ダイオード構造を開示することを目的とし、当該金属層は垂直型発光ダイオード構造のチップ（ｃｈｉｐ）の４つの側縁のＰ－Ｎ接合部の外側にある絶縁層の緻密性及び品質を検出するために利用できる。また、当該安定的な金属層は後続の工程で湿気が付着し導電性物質がＰ－Ｎ接合に接触するのを防ぐ効果がある。
本発明は、導電性キャリアと、当該導電性キャリアに形成された発光ダイオードチップとを含み、当該発光ダイオードチップはチップ上縁と、当該チップ上縁に接続され且つ当該発光ダイオードチップを取り囲むチップ側縁とを有し、
当該導電性キャリアは当該チップ側縁に接続されたキャリア側縁と、キャリア上縁であって、当該キャリア側縁に接続され且つ当該キャリア上縁の上方には当該発光ダイオードチップがないキャリア上縁とを有する発光ダイオード素子と、
側壁絶縁層であって、当該チップ上縁、当該チップ側縁及び当該キャリア側縁を覆い、且つ当該側壁絶縁層は当該チップ上縁において第１電極露出領域を有し、当該第１電極露出領域には当該発光ダイオードチップが露出する側壁絶縁層と、
当該第１電極露出領域を通過して当該発光ダイオードチップに電気的に接続された溶接電極と、
金属保護層であって、当該溶接電極に電気的に接続され、且つ当該金属保護層は当該側壁絶縁層を介して当該チップ側縁及び当該キャリア側縁を被覆してこれらを保護する金属保護層とを含むテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造である。
当該導電性キャリアは当該チップ側縁に接続されたキャリア側縁と、キャリア上縁であって、当該キャリア側縁に接続され且つ当該キャリア上縁の上方には当該発光ダイオードチップがないキャリア上縁とを有する発光ダイオード素子と、
側壁絶縁層であって、当該チップ上縁、当該チップ側縁及び当該キャリア側縁を覆い、且つ当該側壁絶縁層は当該チップ上縁において第１電極露出領域を有し、当該第１電極露出領域には当該発光ダイオードチップが露出する側壁絶縁層と、
当該第１電極露出領域を通過して当該発光ダイオードチップに電気的に接続された溶接電極と、
金属保護層であって、当該溶接電極に電気的に接続され、且つ当該金属保護層は当該側壁絶縁層を介して当該チップ側縁及び当該キャリア側縁を被覆してこれらを保護する金属保護層とを含むテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造である。
このようにして、本発明は金属保護層がチップ上縁、チップ側縁及びキャリア側縁を被覆することにより、湿気や導電性物質が発光ダイオード素子のＰ－Ｎ接合部に接触するのを防ぐことができる。
また金属保護層の緻密なコーティング層によって、バリア層が効果的に形成されるため、発光ダイオード素子の電気めっきや無電解めっき工程又は過酷な環境を必要とする他の工程で、側壁絶縁層が不動作となるリスクを解消できる。
しかも金属保護層にはテスト接点が提供され、発光ダイオード素子の順方向降下電圧（Ｖｆ）、逆方向漏れ電流（Ｉｒ）を検出すれば側壁絶縁層の品質を評価できる。
より詳しく言えば、金属保護層は側壁絶縁層の外側に形成され、例えば、金属蒸着、金属スパッタリングなどにより金属フィルムを堆積させて形成される。Ｐ－Ｎ接合の外側の側壁絶縁層に既にクラックや欠陥が存在する場合は、後に金属保護層を形成させる時は、堆積された金属がＰ－Ｎ接合の側壁に染み込む。これによって素子の漏電や導通が起きると、ＬＥＤチップの電気的特性から不良素子を検出でき、チップの段階で側壁絶縁層が不良な素子は外される。また、金属保護層には後続の工程でＬＥＤチップのＰ－Ｎ接合の側壁がより安定的であるよう、安定性に優れた金属が選ばれてもよい。
次に、本発明の特徴、目的及び効果の理解を促すために、好ましい実施例を示し図面を添えて説明する。
図１は本発明の第１実施例の構造断面図を示す。本発明は、発光ダイオード素子１０と、側壁絶縁層４０と、溶接電極５０と、金属保護層６０とを含むテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造を開示する。
図１は本発明の第１実施例の構造断面図を示す。本発明は、発光ダイオード素子１０と、側壁絶縁層４０と、溶接電極５０と、金属保護層６０とを含むテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造を開示する。
発光ダイオード素子１０は導電性キャリア２０と、導電性キャリア２０に形成された発光ダイオードチップ３０とを含む。発光ダイオードチップ３０はチップ上縁３０１と、チップ上縁３０１に接続され且つ発光ダイオードチップ３０を取り囲むチップ側縁３０２とを有する。導電性キャリア２０はチップ側縁３０２に接続されたキャリア側縁２０１と、キャリア上縁２０２であって、キャリア側縁２０１に接続され且つキャリア上縁２０２の上方には発光ダイオードチップ３０がないキャリア上縁２０２とを有する。
側壁絶縁層４０はチップ上縁３０１、チップ側縁３０２及びキャリア側縁２０１を覆い、且つ側壁絶縁層４０はチップ上縁３０１において第１電極露出領域４０１を有し、第１電極露出領域４０１には発光ダイオードチップ３０が露出し、側壁絶縁層４０の厚さは約０．５μｍである。
溶接電極５０は第１電極露出領域４０１を通過して発光ダイオードチップ３０に電気的に接続される。一実施例では、発光ダイオードチップ３０は積層された第１金属接触層３１、第１電気特性半導体層３２、アクティブ層３３及び第２電気特性半導体層３４をこの順に含んでもよく、発光ダイオードチップ３０の厚さは約３μｍである。溶接電極５０は第２電気特性半導体層３４に電気的に接続される。導電性キャリア２０は積層された金属電極２１、導電性ブロック２２及び金属接続層２３をこの順に含み、且つ第１金属接触層３１は金属接続層２３に形成される。
金属保護層６０は溶接電極５０に電気的に接続され、且つ金属保護層６０は側壁絶縁層４０を介してチップ側縁３０２及びキャリア側縁２０１を被覆してこれらを保護し、金属保護層６０を明瞭に示すために、金属保護層６０の一部だけ断面線を作成した。実施上、側壁絶縁層４０の材料はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ２／ＳｉＮ、ＴｉＯ２及びＴｉＯ２／ＳｉＯ２／ＴｉＯ２からなる群から選ばれ、金属保護層６０の材料はＰｔ、ＴｉＷ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＣｕＷ、Ｃｒ／Ａｕ、Ａｌ／Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｂｅ／Ａｕ及びＮｉ／Ａｕからなる群から選ばれる。且つ好ましくは、金属保護層６０の厚さは０．０５μｍ～３μｍである。より好ましくは、金属保護層６０の厚さは１．５μｍである。
図２は本発明の第１実施例の後続の工程における構造断面図を示す。導電性キャリア２０は基板７０に形成され、基板７０は第１電極パッド７１と、第２電極パッド７２とを有し、第２電極パッド７２は導電性キャリア２０に電気的に接続され、第１電極パッド７１は溶接電極５０に電気的に接続される。実施上、第１電極パッド７１は金属接続ブロック７３によって溶接電極５０に電気的に接続される。金属接続ブロック７３は水平部７３１と、垂直部７３２とを含み、水平部７３１は溶接電極５０に電気的に接続され、垂直部７３２は第１電極パッド７１に電気的に接続される。且つ垂直部７３２と金属保護層６０の間に充填部８０を有してもよい。
図２の実施例に示すように、金属接続ブロック７３は従来のワイヤーボンディング工程の代わりに電気めっき又は無電解めっき工程により製造されてもよく、とりわけ量産化に適する。電気めっき又は無電解めっき工程では、側壁絶縁層４０に欠陥（クラック）があるかどうかに関わらず、金属保護層６０により湿気や導電性物質（金属イオン）を隔離又は遮断する効果を得る。しかも電気めっき又は無電解めっき工程を行う前、金属保護層６０をテスト接点に利用して、発光ダイオード素子１０の順方向降下電圧（Ｖｆ）、逆方向漏れ電流（Ｉｒ）などの電気特性を検出し、測定データで側壁絶縁層４０の品質を評価すれば、不良品を外して、後続の工程の歩留まりを高めることができる。
図３は本発明の第２実施例の構造断面図を示す。側壁絶縁層４０はキャリア上縁２０２を覆い、金属保護層６０は側壁絶縁層４０を介してキャリア上縁２０２を被覆する。一実施例では、キャリア上縁２０２の幅は１０μｍ～５０μｍで、キャリア上縁２０２の外側に金属保護層６０のない部分の幅は少なくとも５μｍである。
図１から図３の第１実施例及び第２実施例に示すように、導電性キャリア２０及び発光ダイオードチップ３０は直方体であってもよくチップ側縁３０２は４つのチップ側面３０３を、キャリア側縁２０１は４つのキャリア側面２０３をそれぞれ有し、金属保護層６０は４つのチップ側面３０３及び４つのキャリア側面２０３を被覆して、保護効果を果たす。
図４は本発明の第３実施例を示す。製造コストを低減するために、金属保護層６０は溶接電極５０に最も近いチップ側面３０３及びキャリア側面２０３だけを被覆してこれらを保護するようにしてもよく、これは電気めっき又は無電解めっき工程で、溶接電極５０に最も近いチップ側面３０３及びキャリア側面２０３は湿気や導電性物質（金属イオン）が生じる可能性が最も高いからでる。したがって、製造コストの低減のために、溶接電極５０に最も近いチップ側面３０３及びキャリア側面２０３に金属保護層６０を被覆させてもよい。
上述した内容から分かるように、本発明は少なくとも次の利点を含む。
１．金属保護層を被覆させることで、湿気や導電性物質（金属イオン）を隔離又は遮断する効果を得、側壁絶縁層に対する補強や二重の保護を果たせる。
１．金属保護層を被覆させることで、湿気や導電性物質（金属イオン）を隔離又は遮断する効果を得、側壁絶縁層に対する補強や二重の保護を果たせる。
２．金属保護層をテスト接点に利用して、発光ダイオード素子の順方向降下電圧（Ｖｆ）、逆方向漏れ電流（Ｉｒ）などを検出し、測定データで側壁絶縁層の品質を評価できる。
３．製造コストの低減のために、溶接電極に最も近いチップ側面及びキャリア側面に限って金属保護層を被覆させてもよい。
１０ 発光ダイオード素子
２０ 導電性キャリア
２０１ キャリア側縁
２０２ キャリア上縁
２０３ キャリア側面
２１ 金属電極
２２ 導電性ブロック
２３ 金属接続層
３０ 発光ダイオードチップ
３０１ チップ上縁
３０２ チップ側縁
３０３ チップ側面
３１ 第１金属接触層
３２ 第１電気特性半導体層
３３ アクティブ層
３４ 第２電気特性半導体層
４０ 側壁絶縁層
４０１ 第１電極露出領域
５０ 溶接電極
６０ 金属保護層
７０ 基板
７１ 第１電極パッド
７２ 第２電極パッド
７３ 金属接続ブロック
７３１ 水平部
７３２ 垂直部
８０ 充填部
２０ 導電性キャリア
２０１ キャリア側縁
２０２ キャリア上縁
２０３ キャリア側面
２１ 金属電極
２２ 導電性ブロック
２３ 金属接続層
３０ 発光ダイオードチップ
３０１ チップ上縁
３０２ チップ側縁
３０３ チップ側面
３１ 第１金属接触層
３２ 第１電気特性半導体層
３３ アクティブ層
３４ 第２電気特性半導体層
４０ 側壁絶縁層
４０１ 第１電極露出領域
５０ 溶接電極
６０ 金属保護層
７０ 基板
７１ 第１電極パッド
７２ 第２電極パッド
７３ 金属接続ブロック
７３１ 水平部
７３２ 垂直部
８０ 充填部
Claims (10)
- 導電性キャリアと、前記導電性キャリアに形成された発光ダイオードチップとを含み、前記発光ダイオードチップはチップ上縁と、前記チップ上縁に接続され且つ前記発光ダイオードチップを取り囲むチップ側縁とを有し、前記導電性キャリアは前記チップ側縁に接続されたキャリア側縁と、キャリア上縁であって、前記キャリア側縁に接続され且つ前記キャリア上縁の上方には前記発光ダイオードチップがないキャリア上縁とを有する発光ダイオード素子と、
側壁絶縁層であって、前記チップ上縁、前記チップ側縁及び前記キャリア側縁を覆い、且つ前記側壁絶縁層は前記チップ上縁において第１電極露出領域を有し、前記第１電極露出領域には前記発光ダイオードチップが露出する側壁絶縁層と、
前記第１電極露出領域を通過して前記発光ダイオードチップに電気的に接続された溶接電極と、
金属保護層であって、前記溶接電極に電気的に接続され、且つ前記金属保護層は前記側壁絶縁層を介して前記チップ側縁及び前記キャリア側縁を被覆してこれらを保護する金属保護層とを含むことを特徴とするテスト可能で側壁を保護する金属層を備える垂直型発光ダイオード構造。 - 前記発光ダイオードチップは積層された第１金属接触層、第１電気特性半導体層、アクティブ層及び第２電気特性半導体層をこの順に含み、前記溶接電極は前記第２電気特性半導体層に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記導電性キャリアは積層された金属電極、導電性ブロック及び金属接続層をこの順に含み、且つ前記第１金属接触層は前記金属接続層に形成されることを特徴とする請求項２に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記側壁絶縁層は前記キャリア上縁を覆い、前記金属保護層は前記側壁絶縁層を介して前記キャリア上縁を被覆することを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記キャリア上縁の幅は１０μｍ～５０μｍで、前記キャリア上縁の外側に前記金属保護層のない部分の幅は少なくとも５μｍであることを特徴とする請求項４に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記側壁絶縁層の材料はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ２／ＳｉＮ、ＴｉＯ２及びＴｉＯ２／ＳｉＯ２／ＴｉＯ２からなる群から選ばれ、前記金属保護層の材料はＰｔ、ＴｉＷ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＣｕＷ、Ｃｒ／Ａｕ、Ａｌ／Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｂｅ／Ａｕ及びＮｉ／Ａｕからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記金属保護層の厚さは０．０５μｍ～３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記金属保護層の厚さは１．５μｍであることを特徴とする請求項７に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記導電性キャリア及び前記発光ダイオードチップは直方体で、前記チップ側縁は４つのチップ側面を、前記キャリア側縁は４つのキャリア側面をそれぞれ有し、前記金属保護層は前記４つのチップ側面及び前記４つのキャリア側面を被覆してこれらを保護することを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
- 前記導電性キャリア及び前記発光ダイオードチップは直方体で、前記チップ側縁は４つのチップ側面を、前記キャリア側縁は４つのキャリア側面をそれぞれ有し、且つ前記金属保護層は前記溶接電極に最も近い前記チップ側面及び前記キャリア側面を被覆してこれらを保護することを特徴とする請求項１に記載の垂直型発光ダイオード構造。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353144A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Ricoh Co Ltd | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置 |
| JP2006190854A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sony Corp | 発光ダイオード |
| JP2007288089A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Opnext Japan Inc | 光素子および光モジュール |
| JP2011029290A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ |
| JP2012209529A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-25 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2014154808A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Meijo University | 半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| JP2020120051A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 株式会社リコー | 窒化物半導体多層構造、発光素子、光源装置及び窒化物半導体多層構造の製造方法 |
-
2021
- 2021-03-25 JP JP2021052092A patent/JP2022149786A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353144A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Ricoh Co Ltd | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置 |
| JP2006190854A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sony Corp | 発光ダイオード |
| JP2007288089A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Opnext Japan Inc | 光素子および光モジュール |
| JP2011029290A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ |
| JP2012209529A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-25 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2014154808A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Meijo University | 半導体発光素子、及び、その製造方法 |
| JP2020120051A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 株式会社リコー | 窒化物半導体多層構造、発光素子、光源装置及び窒化物半導体多層構造の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7459358B1 (ja) | 2023-07-26 | 2024-04-01 | 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 | 垂直型ｌｅｄ画素パッケージのコモンカソード構造 |
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