JP2009088425A5 - - Google Patents

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Claims (17)

  1. 半導体基板上に、活性層と、前記活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造と、前記電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部とを含む積層構造を備えた
    ことを特徴とする半導体レーザ。
  2. 前記積層構造は、第１導電型半導体層、前記活性層および第２導電型半導体層を前記半導体基板側からこの順に有し、
    前記凸部は、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の少なくとも一方の内部に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  3. 前記凸部が、前記第１導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板側に突出しており、前記第２導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板とは反対側に突出している
    ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。
  4. 前記凸部の高さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
    前記凸部の幅は、２μｍ以上５μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ。
  5. 前記半導体基板は、前記凸部に対応する領域に、前記凸部の高さよりも深く、かつ前記凸部の幅よりも広い帯状の凹部を有している
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  6. 前記凹部の深さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
    前記凹部の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ。
  7. 前記活性層は、凹凸の無い平坦な面内に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  8. 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  9. 前記凸部が複数形成され、
    前記凸部同士の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも狭い
    ことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。
  10. 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域を挟み込む一対の領域に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  11. 前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
    前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも広い
    ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。
  12. 前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
    前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅と略等しい
    ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。
  13. 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向の中心軸に関して線対称に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  14. 前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と平行な方向に延在して形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  15. 前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と交差する方向に延在して形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  16. 前記電流狭窄構造は、リッジ形状となっている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
  17. 前記電流狭窄構造は、電流注入領域を一対の高抵抗領域で挟んだ構造となっている
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
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