JP2009088425A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009088425A5 JP2009088425A5 JP2007259429A JP2007259429A JP2009088425A5 JP 2009088425 A5 JP2009088425 A5 JP 2009088425A5 JP 2007259429 A JP2007259429 A JP 2007259429A JP 2007259429 A JP2007259429 A JP 2007259429A JP 2009088425 A5 JP2009088425 A5 JP 2009088425A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser according
- current confinement
- convex portion
- confinement structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
Claims (17)
- 半導体基板上に、活性層と、前記活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造と、前記電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部とを含む積層構造を備えた
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記積層構造は、第１導電型半導体層、前記活性層および第２導電型半導体層を前記半導体基板側からこの順に有し、
前記凸部は、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の少なくとも一方の内部に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部が、前記第１導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板側に突出しており、前記第２導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板とは反対側に突出している
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部の高さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記凸部の幅は、２μｍ以上５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ。 - 前記半導体基板は、前記凸部に対応する領域に、前記凸部の高さよりも深く、かつ前記凸部の幅よりも広い帯状の凹部を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凹部の深さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
前記凹部の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ。 - 前記活性層は、凹凸の無い平坦な面内に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部が複数形成され、
前記凸部同士の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域を挟み込む一対の領域に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅と略等しい
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向の中心軸に関して線対称に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と平行な方向に延在して形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と交差する方向に延在して形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記電流狭窄構造は、リッジ形状となっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 前記電流狭窄構造は、電流注入領域を一対の高抵抗領域で挟んだ構造となっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007259429A JP2009088425A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US12/237,547 US7965749B2 (en) | 2007-10-03 | 2008-09-25 | Laser diode and method of manufacturing the same |
| KR1020080095119A KR20090034738A (ko) | 2007-10-03 | 2008-09-29 | 반도체 레이저 및 그 제조방법 |
| US13/085,150 US8520712B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-04-12 | Laser diode and method of manufacturing the same |
| US13/099,503 US8179941B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-05-03 | Laser diode and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007259429A JP2009088425A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009088425A JP2009088425A (ja) | 2009-04-23 |
| JP2009088425A5 true JP2009088425A5 (ja) | 2010-05-13 |
Family
ID=40523201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007259429A Pending JP2009088425A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7965749B2 (ja) |
| JP (1) | JP2009088425A (ja) |
| KR (1) | KR20090034738A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007061458A1 (de) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
| DE102009035639B4 (de) | 2009-07-31 | 2019-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Breitstreifenlaser mit einem epitaktischen Schichtenstapel und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP2387081B1 (en) * | 2010-05-11 | 2015-09-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| KR101243475B1 (ko) | 2011-03-30 | 2013-03-13 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 단락 부재를 구비한 이차 전지 |
| JP2012231000A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2014165328A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Sony Corp | 半導体発光素子及び表示装置 |
| JP2015012018A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP6123561B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-05-10 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置 |
| CN103872579B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-08-24 | 江苏华芯半导体科技有限公司 | 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法 |
| WO2016129618A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子およびレーザ光照射装置 |
| DE102017113389B4 (de) | 2017-06-19 | 2021-07-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaserdiode |
| DE112017008037T5 (de) * | 2017-09-14 | 2020-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiter-Laservorrichtung |
| DE102018123019A1 (de) | 2018-09-19 | 2020-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gewinngeführter halbleiterlaser und herstellungsverfahren hierfür |
| WO2022190275A1 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513991A (en) * | 1978-07-18 | 1980-01-31 | Nec Corp | Method of manufacturing semiconductor laser |
| JPS62147794A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62257783A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-10 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62282483A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6381996A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6384086A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ素子 |
| JPS6422088A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser element |
| JPS6425591A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser |
| JP2929599B2 (ja) * | 1989-01-20 | 1999-08-03 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2546127B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| US5465266A (en) * | 1994-06-28 | 1995-11-07 | Xerox Corporation | Index-guided laser on a ridged (001) substrate |
| JP3791584B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
| JP2003031906A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JP2003060288A (ja) | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JP4378955B2 (ja) | 2003-01-16 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | ブロードエリア型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP4395702B2 (ja) | 2003-01-16 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 屈折率導波型ブロードエリア半導体レーザおよびその駆動方法 |
| JP4292833B2 (ja) | 2003-03-11 | 2009-07-08 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2005116728A (ja) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JP2006269988A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| KR101423721B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2014-07-31 | 서울바이오시스 주식회사 | 나노 패턴들을 갖는 레이저 다이오드 및 그것을 제조하는방법 |
-
2007
- 2007-10-03 JP JP2007259429A patent/JP2009088425A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-25 US US12/237,547 patent/US7965749B2/en active Active
- 2008-09-29 KR KR1020080095119A patent/KR20090034738A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-04-12 US US13/085,150 patent/US8520712B2/en active Active
- 2011-05-03 US US13/099,503 patent/US8179941B2/en not_active Expired - Fee Related