JP2003060288A

JP2003060288A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JP2003060288A
Application number: JP2001247187A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Kitamura; 智之北村; Shoji Hirata; 照二平田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-16
Filing date: 2001-08-16
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、注入キャリア密度に基づく屈
折率分布を均一にすることにより、ＦＦＰ形状を単峰化
し安定させた半導体レーザを提供することを目的とす
る。【解決手段】基板上に少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層がこの
順に積層されている積層構造を有し、第２クラッド層の
上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レー
ザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共
振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本
のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを
特徴とする半導体レーザ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、安定したＦＦＰを
有する半導体レーザ、特にブロードエリア型半導体レー
ザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、書き込み光ディスクの高速化、レ
ーザプリンタの高速化、光通信の高速化への要求が高ま
っており、それに伴い高出力半導体レーザの開発が盛ん
に行われている。例えば、半導体レーザで高出力を得る
ために、ストライプ幅を広くとるという手法がある。光
密度を光学損傷（ＣＯＤ）が生じるレベル以下に低減す
ることで、高出力を実現できる。そして、現に電流注入
領域のストライプ幅が約１０μｍ以上のブロードエリア
型半導体レーザと呼ばれる半導体レーザが、高出力半導
体レーザとして、例えばレーザプリンタの光源等に使用
されている。

【０００３】しかし、従来のブロードエリア型半導体レ
ーザは、下記のような問題点を有していた。すなわち、
一般的に注入電流の多いところでは、屈折率が下がる
（プラズマ効果）性質があるので、特にブロードエリア
型半導体レーザにおいては、注入キャリア密度に基づく
屈折率がストライプ端部で高くなり、中央部で低くな
る。そのためストライプ端部に光が集まり、それゆえに
ストライプ端部では位相が遅れ、逆に中央部では位相が
進み、導波波面が進行方向に対してストライプ中央部を
凸とした形状に湾曲する。この結果、出射される光の水
平方向の遠視野像（Far Field Pattern : FFP）が複峰
化するという問題があった。そのようなＦＦＰ形状は印
刷などのビームの均一性を要求する応用で、例えば印字
ムラが生じるなどの不都合の原因となっていた。そのた
め、半導体レーザ、特にブロードエリア型半導体レーザ
において、ＦＦＰが複峰化しないよう改善が望まれてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、注入キャリ
ア密度に基づく屈折率分布を均一にすることにより、Ｆ
ＦＰ形状を単峰化し安定させることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を行った結果、ゲインガイド構造または利得導波型構造
と呼ばれる構造、すなわち、活性層の一部のみに電流を
流すための電流狭窄構造を有しているブロードエリア型
半導体レーザにおいて、電流注入領域内に、電流注入領
域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称
に一本のストライプ状電流非注入領域が設けることによ
り、注入キャリア密度に基づく屈折率分布を均一化する
ことができるということを知見した。その結果、ＦＦＰ
を単峰化させ、安定したＦＦＰを得ることができる。本
発明者らは、さらに検討を重ね、本発明を完成させるに
至った。

【０００６】すなわち、本発明は、（１）基板上に少な
くとも第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電
型の第２クラッド層がこの順に積層されている積層構造
を有し、第２クラッド層の上部にストライプ状の電流注
入領域を有する半導体レーザであって、前記電流注入領
域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を
対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非注入領
域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ、
（２）半導体レーザが、ブロードエリア型レーザである
ことを特徴とする前記（１）に記載の半導体レーザ、
（３）電流非注入領域の厚さが、第２クラッド層の厚さ
より小であることを特徴とする前記（１）に記載の半導
体レーザ、（４）電流非注入領域のストライプ幅が、電
流注入領域のストライプ幅の１０〜５０％であることを
特徴とする前記（１）に記載の半導体レーザ、（５）レ
ーザ出射端面において、電流注入領域内に電流非注入領
域が設けられていないことを特徴とする前記（１）に記
載の半導体レーザ、（６）第１クラッド層と活性層の間
に第１導電型の第１ガイド層が、活性層と第２クラッド
層の間に第２導電型の第２ガイド層が設けられているこ
とを特徴とする前記（１）に記載の半導体レーザ、に関
する。

【０００７】また、本発明は、（７）基板上に少なくと
も第１導電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の
第２クラッド層がこの順に積層されている積層構造を有
し、第２クラッド層の上部をストライプ状に形成して電
流注入領域とし、かつストライプの両側を電流非注入領
域としたストライプ型半導体レーザであって、前記電流
注入領域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中
央線を対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非
注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レー
ザ、（８）半導体レーザが、ブロードエリア型レーザで
あることを特徴とする前記（７）に記載の半導体レー
ザ、（９）電流注入領域内の電流非注入領域の厚さが、
第２クラッド層の厚さより小であることを特徴とする前
記（７）に記載の半導体レーザ、（１０）電流注入領域
内の電流非注入領域のストライプ幅が、電流注入領域の
ストライプ幅の１０〜５０％であることを特徴とする前
記（７）に記載の半導体レーザ、（１１）レーザ出射端
面において、電流注入領域内に電流非注入領域が設けら
れていないことを特徴とする前記（７）に記載の半導体
レーザ、（１２）第１クラッド層と活性層の間に第１導
電型の第１ガイド層が、活性層と第２クラッド層の間に
第２導電型の第２ガイド層が設けられていることを特徴
とする前記（７）に記載の半導体レーザ、に関する。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体レーザは、基
板上に少なくとも第１導電型の第１クラッド層、活性
層、第２導電型の第２クラッド層がこの順に積層されて
いる積層構造を有する。さらに、本発明に係る半導体レ
ーザにおいては、第１クラッド層と活性層の間に第１導
電型の第１ガイド層を、活性層と第２クラッド層の間に
第２導電型の第２ガイド層を有していても良い。また、
基板と第１クラッド層との間に第１導電型の第１コンタ
クト層を、第２クラッド層の上に第２導電型の第２コン
タクト層を有していても良い。また、基板と第１クラッ
ド層との間に、または第１コンタクト層を有する場合は
基板と第１コンタクト層との間に、バッファ層を有して
いても良い。

【０００９】本発明の半導体レーザにおいて用いる基板
としては、サファイア基板、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、
ＧａＮ、スピネルまたはＺｎＯ等の公知の基板を用いて
よい。該基板上に積層される上記半導体層は、公知の半
導化合物を用いてよい。中でも、III−Ｖ族半導化合物
を用いるのが好ましい。III−Ｖ族半導化合物とは、化
学式Ｉｎ_ａＡｌ_ｂＧａ_ｃＮ_ｘＡｓ_ｙＰ_ｚ（ａ，ｂ，ｃ≦
１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）において組成比ａ，ｂおよびｃならびにｘ、ｙおよ
びｚをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半
導体を含むものを基本とする。さらに、III族元素であ
るＩｎ、Ａｌ、Ｇａの一部をＢに置き換えたものや、Ｖ
族元素であるＮ、Ａｓ、Ｐの一部をＳｂに置き換えたも
のも含まれる。本発明に係る半導体レーザにおいては、
活性層と、第１クラッド層および第２導電型の第２クラ
ッド層とが異なる半導化合物からなるいわゆるダブルヘ
テロ（ＤＨ）接合積層構造を備えていることが好まし
い。

【００１０】本発明に係る半導体レーザには、通常、ｐ
側電極およびｎ側電極が設けられている。ｐ側電極また
はｎ側電極の位置およびその構造・組成は特に限定され
ず、自体公知の構造・組成などに従ってよい。具体的に
は、例えば、第２導電型電極が、第２クラッド層上、第
２コンタクト層がある場合は第２コンタクト層上に設け
られ、第１導電型電極が基板の裏面に設けられている構
造が挙げられる。また、ｐ側電極としては、例えばパラ
ジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次
積層された構成の電極が挙げられる。また、ｎ側電極と
しては、例えばチタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）
および金（Ａｕ）が順次積層された電極が挙げられる。

【００１１】本発明に係る半導体レーザは、活性層の一
部のみに電流を流すための電流狭窄構造を有している。
すなわち、第２クラッド層の上部にストライプ状の電流
注入領域を有する。第２クラッド層の上部にストライプ
状の電流注入領域を有する構造としては特に限定されな
いが、好ましい実施態様として以下のような構造が挙げ
られる。

【００１２】上記構造としては、例えば、第２クラッド
層の上部にストライプ状の電流非注入領域を設け、電流
非注入領域以外の領域が電流注入領域となる構造が挙げ
られる。該ストライプ状の電流非注入領域は、半導体レ
ーザの両端に位置することが特に好ましい。すなわち、
２本のストライプ状の電流非注入領域で挟まれるよう
に、半導体レーザの中央部にストライプ状の電流注入領
域が設けられている構造が特に好ましい。

【００１３】上記ストライプ状の電流非注入領域は、イ
オンインプランテーション、エッチング法または結晶成
長法により作製することができる。より具体的には、第
２クラッド層の上部に、例えばＢ^＋，Ｈ^＋，Ｎ^＋などの
イオンを注入すること（イオンインプランテーション）
により、かかる領域の電気抵抗を増大させ、電流非注入
領域とすることができる。また、第２クラッド層の上部
を選択的にエッチングすることにより、もしくは第２ク
ラッド層の途中から選択的に結晶成長させることによ
り、第２クラッド層の上部を凹凸形状とし、次いで、凹
部に例えばＳｉＯ _２等の絶縁膜を埋設することによっ
て、凹部を電流非注入領域、凸部を電流注入領域にする
ことができる。かかる方法により作製される構造を有す
る本発明に係る半導体レーザの具体的態様を図１および
２に示した。

【００１４】また、上記ストライプ状の電流非注入領域
は、第２クラッド層または第２コンタクト層がある場合
は第２コンタクト層の上に、例えばＳｉＯの絶縁膜を設
けることにより作製することもできる。かかる構造は、
いずれも公知の方法に従って作製することができる。か
かる方法により作製される構造を有する本発明に係る半
導体レーザの具体的態様を図３に示した。

【００１５】上記構造の他の態様としては、第２クラッ
ド層の上部をリッジ構造とすることが挙げられる。この
とき、かかるリッジ構造は、テーパー状であってもよい
し、垂直であっても良い。かかる構造は、例えば、フォ
トリソグラフィとエッチングの組み合わせなど公知の方
法に従って作製することができる。リッジ構造を有する
本発明に係る半導体レーザの具体的態様を図４に示し
た。

【００１６】上記構造のさらに他の態様としては、図５
に示したように、第２クラッド層３の上の一部に、第２
コンタクト層９を設けることが挙げられる。なお、図２
〜５に、それぞれの半導体レーザにおける電流注入幅Ｗ
を示した。

【００１７】本発明に係る半導体レーザでは、上述のよ
うな「第２クラッド層の上部にストライプ状の電流注入
領域を有する構造」において、前記電流注入領域内に、
電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸と
して線対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設け
られていることを特長とする。ここで、「電流注入領域
の共振器長方向と平行な中央線」とは、半導体レーザの
共振器長方向に垂直な任意の断面における電流注入幅の
中点を連続して結んだときに描かれる軌跡をいう。電流
注入領域内の中央部に上記のような電流非注入領域を設
けることにより、中央部の注入電流が少なくなるため、
プラズマ効果による屈折率の低下が緩和され、屈折率分
布が均一になるという利点を有する。その結果、光の位
相も均一化されるので、出射される光の水平方向の遠視
野像（ＦＦＰ）が安定する。

【００１８】本発明に係る半導体レーザでは、上記電流
注入領域内の電流非注入領域のストライプ幅が、電流注
入領域のストライプ幅の約１０〜５０％程度であること
が好ましい。なお、図２〜５で示した半導体レーザにお
いて、電流注入領域のストライプ幅をＷで、電流非注入
領域のストライプ幅をＢで表した。

【００１９】本発明に係る半導体レーザにおいて、電流
注入領域内の電流非注入領域を作製する方法は特に限定
されず、公知の方法に従ってよい。具体的には、例え
ば、上記電流非注入領域は、イオンインプランテーショ
ン、エッチング法または結晶成長法により作製すること
ができる。イオンインプランテーション、エッチング法
または結晶成長法は上述と全く同様に行えばよい。この
とき、上記電流注入領域内の電流非注入領域の厚さは、
第２クラッド層の厚さより小であることが好ましい。す
なわち、該電流非注入領域は、活性層までは達していな
いことが好ましい。

【００２０】本発明に係る半導体レーザにおいて、上述
した電流狭窄構造が「第２クラッド層の上部にストライ
プ状の電流非注入領域を設け、電流非注入領域以外の領
域を電流注入領域とする構造」である場合、電流注入領
域内の電流非注入領域は、イオンインプランテーショ
ン、エッチング法または結晶成長法により作製すること
が好ましい。イオンインプランテーションにより電流注
入領域の中央部においてストライプ状に電流非注入領域
を設けた本発明に係る半導体レーザの具体的態様を図１
および２に示した。

【００２１】また、上記電流非注入領域は、ＳｉＯ_２な
どの絶縁膜により作製することができる。ＳｉＯ_２など
の絶縁膜により電流注入領域の中央部においてストライ
プ状に電流非注入領域が設けた本発明に係る半導体レー
ザの具体的態様を図３に示した。図３に示すように、こ
の場合、上述した電流狭窄構造も、同じく絶縁膜を積層
することにより作製することが好ましい。

【００２２】上述した電流狭窄構造が、図４に示すよう
な「第２クラッド層４の上部をリッジ構造とする構造」
である場合は、電流注入領域内の電流非注入領域は、イ
オンインプランテーション、エッチング法または結晶成
長法により作製してもよいし、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を
設けることにより作製してもよい。

【００２３】本発明に係る半導体レーザのさらに他の態
様としては、図５に示すように、第２クラッド層３の上
に２本のストライプ状の第２コンタクト層９を設けるこ
とが挙げられる。このとき、２本のストライプ状第２コ
ンタクト層９はそれぞれのストライプ幅が同じであるこ
とが好ましい。このような構造とすることによって、２
本のストライプ状の第２コンタクト層に挟まれている一
本のストライプ状電流非注入領域が、電流注入領域の中
央に設けられていることとなる。

【００２４】本発明に係る半導体レーザでは、上述のよ
うな電流注入領域内の電流非注入領域が、レーザ出射端
面においては設けられていないことが好ましい。すなわ
ち、電流注入領域内の電流非注入領域が、レーザ出射端
面にまで達していないことが好ましい。このように電流
注入領域内の電流非注入領域が半導体レーザ長手方向の
一部にのみ形成されている方が、ＦＦＰのみならずＮＦ
Ｐも安定化するためより好ましい。

【００２５】本発明に係る半導体レーザは、ブロードエ
リア型半導体レーザであることが好ましい。ブロードエ
リア型半導体レーザとは、横モードが多モード形状を示
す半導体レーザをいう。より具体的には、ブロードエリ
ア型半導体レーザとしては、ストライプ幅が約１０μｍ
程度以上である半導体レーザが挙げられる。

【００２６】以下、図面を参照して、本発明の好ましい
実施形態を説明する。しかし、本発明はこれに限定され
るものではない。図１は、本発明にかかる半導体レーザ
素子の斜視図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面
図である。本実施例に係る半導体レーザ素子１０は、ｎ
型ＧａＡｓ基板６上に、ｎ型Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ
からなるクラッド層５、活性層４およびｐ型Ａｌ_０．５
Ｇａ_０．５Ａｓからなるクラッド層３のダブルヘテロ
（ＤＨ）接合積層構造を備えている。また、活性層４
は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなるバリ
ア層と、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０＜ｙ＜１、ｘ＞ｙ）
からなる井戸層とからなる多重量子井戸構造を有してい
る。

【００２７】ｐ型クラッド層３の上部は、例えばストラ
イプ幅Ｗが約１００μｍ程度と広いリッジ状ワイドスト
ライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両
側は電流非注入領域１となっている。２本のストライプ
状電流非注入領域１に挟まれている領域が電流注入領域
となっている。さらに、ｐ型クラッド層３の上部には、
前記電流注入領域内に１本の帯状の電流非注入領域２が
共振器長方向に延在している。かかる電流非注入領域２
は、図１に示すようにレーザ出射端面には達していな
い。また、かかる電流非注入領域２のストライプ幅Ｂは
約１０μｍ程度である。電流非注入領域１および電流非
注入領域２は、Ｂ^＋等のイオンインプランテーションに
より電気抵抗を増大させた化合物半導体層として構成さ
れている。

【００２８】電流非注入領域１および電流非注入領域２
の厚さは、それぞれ独立して設定することができる。た
だし、上述したように電流非注入領域２は、活性層まで
達していないことが好ましい。本実施態様においては、
上記のようにイオンインプランテーションにより電流非
注入領域１および２を同時に形成しているので、半導体
レーザの両側に設けられている電流非注入領域１と電流
注入領域内にある電流非注入領域２とが同じ深さに形成
されている。

【００２９】また、本実施態様に係る半導体レーザにお
いては、図示していないが、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの
多層金属膜からなるｐ側電極が、ｐ型クラッド層３上お
よび電流非注入領域１および電流非注入領域２上に形成
される。また、例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕの多層金
属膜からなるｎ側電極が基板６の裏面に形成される。

【００３０】本発明に係る半導体レーザの製造方法の好
ましい実施態様として、図１および２に示した半導体レ
ーザの製造方法を以下に述べる。まず、減圧下、例えば
１００Ｔｏｒｒ程度の減圧下で、有機金属気層成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法によるエピタキシャル成長法により、Ｇａ
Ａｓ基板６上にｎ型クラッド層５、活性層４およびｐ型
クラッド層３の各化合物半導体層を成膜する。エピタキ
シャル成長法は、ＭＯＣＶＤ法に限定されず、例えばハ
ライド気相成長法または分子線エビタキシー（Molecula
r Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法など公知の方法を用いてよ
い。

【００３１】これらの窒化物半導体層の成長原料は、当
業界で常用されている公知の化合物を用いてよい。例え
ば、III族元素のＧａを原料としてはトリメチルガリウ
ム（（ＣＨ_３）_３Ｇａ；ＴＭＧ）を、III族元素のＡｌ
の原料としては、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ_３）
_３Ａｌ；ＴＭＡｌ）を、Ｖ族元素のＡｓの原料として
は、水素化ヒ素（ＡｓＨ_３）を用いるのが好ましい。ま
た、キャリアガスは、例えば、水素（Ｈ_２）と窒素（Ｎ
_２）との混合ガスを用いるのが好ましい。ドーパント
は、ｎ型ドーパントとして例えばモノシラン（Ｓｉ
Ｈ_４）を、ｐ型ドーパントとして例えばビス＝メチルシ
クロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ_３Ｃ_５Ｈ_４）
_２Ｍｇ；ＭｅＣｐ_２Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタ
ジエニルマグネシウム（（Ｃ_５Ｈ_５）_２Ｍｇ；Ｃｐ_２Ｍ
ｇ）を用いるのが好ましい。

【００３２】ついで、ｐ型クラッド層３の上部に電流非
注入領域１および電流非注入領域２をイオンインプラン
テーション（イオン注入法）により形成する。イオンイ
ンプランテーションは自体公知の方法に従ってよいが、
例えば、以下のような工程で行うことが好ましい。ま
ず、最上層に例えば光を受けると溶解するレジストを形
成する。通常のリソグラフィにより、電流非注入領域部
分が開口となるようにマスクを形成する。そして光照射
を行うと、マスクで覆われていない部分が溶解し、レジ
ストで覆われていない部分ができる。そこにイオン注入
を施すことにより、その領域の電気抵抗が増大し、電流
非注入領域１および電流非注入領域２が形成される。注
入されるイオン種としては、例えばＢ^＋、Ｈ^＋またはＮ
^＋等を用いることができる。

【００３３】上記イオンインプランテーションの他の好
ましい態様を以下に述べる。まず、ｐ型クラッド層３上
に電流非注入領域１を露出させるような開口パターンを
有するイオン注入用マスクを例えばＡｌ膜等で作り、例
えばＢ^＋等のイオンをイオン注入して電気抵抗を増大さ
せ、電流非注入領域１を形成する。続いて、電流非注入
領域２を露出させるような開口パターンを有するイオン
注入用マスクを例えばＡｌ膜等で作り、例えばＢ^＋等の
イオンをイオン注入して電気抵抗を増大させ、電流非注
入領域２を形成する。このようにすることにより、電流
非注入領域１と電流非注入領域２の厚さを、独立して設
定することができる。

【００３４】また、上記方法では、電流非注入領域１と
電流非注入領域２を別工程で形成させているが、これら
を同時に形成させてもよい。すなわち、ｐ型クラッド層
３に、電流非注入領域１および電流非注入領域２を露出
させるような開口パターンを有するイオン注入用マスク
を例えばＡｌ膜等で形成し、例えばＢ^＋等のイオンをイ
オン注入して電気抵抗を増大させ、電流非注入領域１お
よび電流非注入領域２を形成する。

【００３５】本発明においては、イオンインプランテー
ションの代わりに、エッチング法を用いてもよい。エッ
チング法は自体公知の方法に従ってよいが、例えば、以
下のような工程で行うことが好ましい。まず、第２クラ
ッド層３の上の電流注入領域を形成したい部分にＳｉＯ
_２等でマスクし、エッチングを行う。これによりマスク
されていない部分のみがエッチングされるため、第２ク
ラッド層３の上部は凹凸形状になる。次いで、凹部に、
例えばＳｉＯ_２等の絶縁膜を埋設することにより、凹部
を電流非注入領域１および２、凸部を電流注入領域にす
ることができる。なお、上記と同様に、電流非注入領域
１と電流非注入領域２を、それぞれ個別に設けてもよ
い。すなわち、まず、上記のような方法で電流非注入領
域１を作製し、次いで同じ操作を繰り返して電流非注入
領域２を作製しても良い。

【００３６】エッチング方法としては、ウェットエッチ
ング法およびドライエッチング法などの方法が挙げられ
るが、ドライエッチング法が好ましい。ドライエッチン
グ法としては、具体的には、例えば反応性イオンドライ
エッチング（ＲＩＥ)法または反応性イオンビームドラ
イエッチング（ＲＩＢＥ）法が挙げられる。

【００３７】また、イオンインプランテーションの代わ
りに、結晶成長法を用いてもよい。結晶成長法は自体公
知の方法に従ってよいが、例えば、以下のような工程で
行うことが好ましい。まず、第２クラッド層３を途中ま
で結晶成長させたのち、電流非注入領域を形成したい部
分にマスクし、結晶成長を続ける。これによりマスク開
口部になった部分は結晶成長を続けるため、第２クラッ
ド層の上部が凹凸形状になる。次いで、凹部に、例えば
ＳｉＯ_２等の絶縁膜を埋設することにより、凹部を電流
非注入領域１および２、凸部を電流注入領域にすること
ができる。なお、上記と同様に、電流非注入領域１と電
流非注入領域２を、それぞれ個別に設けてもよい。ま
た、結晶成長をさせる方法としては、上述のような公知
の方法を用いてよい。

【００３８】次いで、第２クラッド層３上に、パラジウ
ム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を順次蒸着
してｐ側電極を形成する。一方、基板６の裏面にチタン
（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）および金（Ａｕ）を順
次蒸着してｎ側電極を形成する。これにより、図１およ
び２に示す半導体レーザ１０を作製することができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明の半導体レーザは、電流注入領域
の中央部に電流非注入領域を設けることにより、注入キ
ャリア密度が均一化される。その結果、注入キャリア密
度が不均一であることにより生じる導波波面の凸湾曲を
矯正することができ、水平方向の遠視野像（ＦＦＰ）を
単峰化することができる。このように、ＦＦＰが単峰化
されている半導体レーザは、例えばプリンターなどに応
用した場合印字ムラが生じにくいなど、ビームの均一性
を要求する分野において有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体レーザの斜視模式図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ’断面の模式図である。

【図３】本発明に係る他の態様の半導体レーザにおける
共振器長方向に垂直な断面の模式図である。

【図４】本発明に係るさらに他の態様の半導体レーザに
おける共振器長方向に垂直な断面の模式図である。

【図５】本発明に係るさらに他の態様の半導体レーザに
おける共振器長方向に垂直な断面の模式図である。

【符号の説明】

１電流非注入領域２電流非注入領域３ｐ型クラッド層４活性層５ｎ型クラッド層６ＧａＡｓ基板８絶縁膜９コンタクト層１０半導体レーザ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層がこの
順に積層されている積層構造を有し、第２クラッド層の
上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レー
ザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共
振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本
のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを
特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】半導体レーザが、ブロードエリア型レー
ザであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レー
ザ。
【請求項３】電流非注入領域の厚さが、第２クラッド
層の厚さより小であることを特徴とする請求項１に記載
の半導体レーザ。
【請求項４】電流非注入領域のストライプ幅が、電流
注入領域のストライプ幅の１０〜５０％であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項５】レーザ出射端面において、電流注入領域
内に電流非注入領域が設けられていないことを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項６】第１クラッド層と活性層の間に第１導電
型の第１ガイド層が、活性層と第２クラッド層の間に第
２導電型の第２ガイド層が設けられていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項７】基板上に少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド層がこの
順に積層されている積層構造を有し、第２クラッド層の
上部をストライプ状に形成して電流注入領域とし、かつ
ストライプの両側を電流非注入領域としたストライプ型
半導体レーザであって、前記電流注入領域内に、電流注
入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線
対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設けられて
いることを特徴とする半導体レーザ。