JP2008066567A5 - - Google Patents
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- エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する配線パターンにおいて、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする配線パターン。 - 前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする請求項1に記載の配線パターン。
- 前記第一の導電パターン層が、濡れ性変化層の高表面エネルギー部上に導電性液体を用いてインクジエット法により形成されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の配線パターン。
- エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電性パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された一組の電極対を含む第二の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子。 - エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された一組の電極対を含む第一の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、前記第一の導電性パターン層および前記有機半導体層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子。 - 前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする請求項4または5に記載の有機半導体素子。
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US6734029B2 (en) * | 2000-06-30 | 2004-05-11 | Seiko Epson Corporation | Method for forming conductive film pattern, and electro-optical device and electronic apparatus |
JP2002162630A (ja) | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Chisso Corp | ジアミン化合物およびこれを用いた高分子材料、該高分子材料を用いた液晶配向膜、および該配向膜を具備した液晶表示素子 |
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JP4894120B2 (ja) | 2001-09-27 | 2012-03-14 | Jnc株式会社 | フェニレンジアミン誘導体、液晶配向膜および液晶表示素子 |
JP4039035B2 (ja) | 2001-10-31 | 2008-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 線パターンの形成方法、線パターン、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体 |
US7483001B2 (en) * | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
JP4140252B2 (ja) | 2002-03-13 | 2008-08-27 | チッソ株式会社 | シロキサン部位を有するフェニレンジアミン、これを用いたポリマーを含む液晶配向材および該液晶配向材を含む液晶表示素子 |
JP2004039897A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Toshiba Corp | 電子デバイスの接続方法 |
JP4170700B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-10-22 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法 |
JP2004089754A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Canon Inc | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成物 |
US7166689B2 (en) * | 2003-02-13 | 2007-01-23 | Ricoh Company, Ltd. | Aryl amine polymer, thin film transistor using the aryl amine polymer, and method of manufacturing the thin film transistor |
JP3966293B2 (ja) | 2003-03-11 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
JP4742487B2 (ja) | 2003-05-09 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法 |
JP4629997B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2011-02-09 | 株式会社リコー | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ |
JP2005079560A (ja) | 2003-09-04 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ,表示装置、およびその製造方法 |
US7951710B2 (en) | 2004-02-17 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor and display device |
JP4879496B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2012-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パターン形成方法 |
JP4557755B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 基板、導電性基板および有機電界効果型トランジスタの各々の製造方法 |
JP4877865B2 (ja) | 2004-03-26 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 |
US20070195576A1 (en) * | 2004-05-27 | 2007-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic compound having functional groups different in elimination reactivity at both terminals, organic thin film, organic device and method of producing the same |
JP4678574B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2011-04-27 | 株式会社リコー | 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子アレイ及び表示装置 |
JP2006114585A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
EP1653294B1 (en) * | 2004-11-02 | 2013-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing solution, capsule, fixing method, fixing device and image forming apparatus |
JP5209844B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2013-06-12 | 株式会社リコー | 電子素子及びその製造方法、演算素子並びに表示素子 |
JP4371997B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2009-11-25 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法 |
US7508078B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd. | Electronic device, method for manufacturing electronic device, contact hole of electronic device, method for forming contact hole of electronic device |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7566633B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4994727B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2012-08-08 | 株式会社リコー | 有機トランジスタアクティブ基板とその製造方法および該有機トランジスタアクティブ基板を用いた電気泳動ディスプレイ |
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