JP5742099B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、半導体装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す半導体装置を側方から見た模式側面図である。以下、半導体装置の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。なお、図1に示す半導体装置は、ゲート電極及びゲート絶縁膜を除いた状態を示している。
図3〜図6は、半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、(a)は半導体装置を示す模式平面図、(b)は(a)に示す半導体装置を側方から見た模式側面図である。図7は、インクジェット法で用いられる吐出ヘッドの構成を示す分解斜視図である。以下、半導体装置の製造方法を、図3〜図7を参照しながら説明する。
図8は、上記した半導体装置を備えた電気泳動表示装置の構成を示す模式断面図である。図9は、その電気泳動表示装置を備えた電子機器の一例を示す電子ペーパーの構成を示す概略斜視図である。以下、半導体装置を備えた電気泳動表示装置、及び電子ペーパーの構成を、図8及び図9を参照しながら説明する。
上記したように、半導体装置11は、トップゲート構造に限定されず、図10に示すような、ボトムゲート構造を用いるようにしてもよい。ボトムゲート構造の半導体装置111は、基板21上にゲート電極23が形成され、その上にゲート絶縁膜24が形成されている。更に、ゲート絶縁膜24上に、ソース電極25、半導体層22、ドレイン電極26が形成されている。これによれば、トップゲート構造と比較して構造は異なるものの、形成方法は上記実施形態と同様にして形成することができる。
上記したようなソース電極25、ドレイン電極26、及び受容部32の形状に限定されず、例えば、図11〜図20に示すような形状であってもよい。なお、図11〜図20に示す半導体装置211a〜211jは、例えば、トップゲート構造であり、ゲート絶縁膜24及びゲート電極23の図示は省略している。
上記したように、ソース電極25及びドレイン電極26が基板21上に形成され、その形状に沿って液体35を濡れ広げていることに代えて、例えば、図21に示すようにしてもよい。図21に示す半導体装置311は、ソース電極325及びドレイン電極326が基板21に埋め込まれて形成されている。つまり、基板21の上面21aとソース電極325及びドレイン電極326の上面が同じ高さになっている。これによれば、それぞれの上面が同じ高さであるものの、濡れ性などの違いから、ソース電極325及びドレイン電極326の形状に沿って液体35を濡れ広げることができ、半導体層322を形成することができる。
上記したように、ソース電極25及びドレイン電極26を形成して、その形状に沿って液体35を濡れ広げることに代えて、例えば、ソース電極25及びドレイン電極26上にその形状と同じ形状の絶縁膜を形成するようにしてもよい(絶縁膜形成工程)。これによれば、受容部32及び開口部33の形状に沿って壁が高くなるので、より安定して液体35を濡れ広げることができる。更に、吐出ヘッド41から吐出した液滴35aが受容部32から外部に飛び散ることを抑えることができる。
上記したソース電極25及びドレイン電極26に撥液処理を施すようにしてもよい。撥液処理としては、フッ素系のプラズマ処理、フッ素系チオール処理などが挙げられる。これによれば、液体35が電極(ソース電極25、ドレイン電極26)上に広がることを抑えることができる。チオール(−SH)基を含む以外の材料としては、ジスルフィド(−S−S−)基、モノスルフィド(−S−)基、チオフェンなどの含硫黄官能基を有する有機分子であり、チオール基又はジスルフィド基を有する有機分子が好ましく、特にチオール基を有する有機分子が好ましい。
上記したように、半導体装置11をトランジスターとして用いることに限定されず、例えば、センサーとして用いるようにしてもよい。
上記したように、基板21は、プラスチック基板に限定されず、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、アルミニウムやステンレスなどの金属基板、ガリウム砒素基板などを用いても構わない。
上記半導体装置11は、電気泳動表示装置51に適用することに限定されない。例えば、液晶装置、有機EL装置、プラズマディスプレイ等に適用するようにしてもよい。
上記したように、電子機器は、電子ペーパー71に限定されない。例えば、携帯情報端末、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、DVDビューワー、カーナビゲーション装置などの車載用ディスプレイ、電子手帳、POS端末、オーディオ機器、デジタルサイネージと呼ばれる電子広告媒体等に適用してもよい。
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1電極及び第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間の第1領域と、
第2領域と、
前記第1領域と前記第2領域とに連続的に設けられた有機半導体層と、
前記第1電極及び前記第2電極と同じ材料によって形成され、前記第2領域を囲むように設けられると共に、前記第1領域と前記第2領域とを接続する開口部を有する前記有機半導体層の受容体と、
を備え、
前記開口部の幅は、前記第2領域の幅よりも狭いことを特徴とすることを特徴とする半導体装置。 - 前記開口部の幅は、前記第2領域から前記第1領域に向かって広くなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記開口部の幅は、前記第2領域から前記第1領域に向かって狭くなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記受容体は、前記第1電極と前記第2電極とのうち少なくとも一方に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記受容体の上面に前記受容体と同じ形状で形成された絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
少なくとも前記受容体の上面に撥液処理が施されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記受容体は、複数の部分に分割されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上の第1電極と第2電極との間の第1領域に有機半導体層が設けられた半導体装置の製造方法であって、
前記第1領域の近傍に設けられた第2領域を囲むと共に、前記第1領域と前記第2領域とを接続する開口部を有し、前記開口部の幅が、前記第2領域の幅よりも狭い受容体を、前記第1電極及び前記第2電極と同じ材料によって形成する受容体形成工程と、
有機半導体材料を含む液体を前記第2領域に付着させる付着工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程において、前記開口部は前記第2領域から前記第1領域に向かって広くなるように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程において、前記開口部は前記第2領域から前記第1領域に向かって狭くなるように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記付着工程の後に、前記液体を前記第2領域から前記第1領域に流出させる流出工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程は、前記第2領域から前記第1領域に流出させる前記液体の量に応じて、前記第2領域の大きさを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程は、前記第1電極と前記第2電極とのうち少なくとも一方に前記受容体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程の後に、前記受容体の上面に前記受容体と同じ形状で絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記受容体形成工程において前記受容体を形成する際に用いたレジスト膜を、前記受容体の上面に残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8乃至請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
少なくとも前記受容体の上面に撥液処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
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