JP5194468B2 - 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
Description
ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心の円又は多角形である前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するための電極形成工程と、
有機半導体材料を滴下法により滴下することで前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを連結する前記有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、
前記電極形成工程により形成した電極上に撥水性を有する撥水層を形成する撥水層形成工程と、
前記有機半導体層を形成した基板上に保護層を形成するための保護層形成工程と、
前記撥水層を除去する撥水層除去工程と、
前記撥水層を除去した部分に前記保護層を貫通して該保護層の表面に達する導通部を設ける導通部形成工程と、
を含むことを特徴とする。
有機半導体材料を滴下法により滴下することで前記有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、
ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心の円又は多角形であり、前記有機半導体層により前記ソース電極及び前記ドレイン電極とが連結されるように前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するための電極形成工程と、
前記電極形成工程により形成した電極上に撥水性を有する撥水層を形成する撥水層形成工程と、
前記有機半導体層を形成した基板上に保護層を形成するための保護層形成工程と、
前記撥水層を除去する撥水層除去工程と、
前記撥水層を除去した部分に前記保護層を貫通して該保護層の表面に達する導通部を設ける導通部形成工程と、
を含むことを特徴とする。
本実施例は、ボトムゲート−ボトムコンタクト構成の図1に示す有機TFT100を製造した。図1に沿って説明する。
実施例1と同じボトムゲート−ボトムコンタクト構成で同じ構造、同じ材料、同じ製法により図12に示す有機TFT100Rを製造した。実施例1と異なるのは、ソース電極7s及びドレイン電極7dの形状を図2(a−1)で示した円形状ではなく、図12に示す櫛歯形状とした。
実施例1の有機TFT100と比較例1の有機TFT100Rとを各20個製造し、動作させて比較したところ以下の結果が得られた。
(1)比較例1のオン電流量(Ion)は、実施例1の1/2程度となった。
(2)比較例1のオフ電流量(Ioff)は、実施例1の2倍程度となった。
(3)有機TFT各素子のオンオフ電流比(Ion/Ioff)を求めて比較したところ、実施例1のバラツキが比較例1に比較して小さいことが確認できた。
本実施例は、ボトムゲート−ボトムコンタクト構成で、図4(a−1)に示すように円板の中央に穴が開いた形状のソース電極7s及び円板形状のドレイン電極7dとしたものであり、ソース電極7s及びドレイン電極7dの形状が異なり、ドレイン電極7dと画素電極とを結ぶコンタクトホール13をドレイン電極7dの上とした以外は、実施例1と同じ工程として有機TFT400を製造した。
本実施例は、ボトムゲート−ボトムコンタクト構成で、図5に示すように実施例2におけるコンタクトホール13をドレイン電極に撥水層19を設けて形成することで有機TFT500を製造した。
本実施例は、ボトムゲート−ボトムコンタクト構成で、図6に示すようにドレイン電極7dに設ける引き出し用配線7d−1の配置をドレイン電極7dと同じ層とした有機TFT600を製造した。
本実施例は、ボトムゲート−トップコンタクト構成の図7に示す有機TFT700を製造した。
本実施例は、トップゲート−ボトムコンタクト構成の図8に示す有機TFT800を製造した。
本実施例は、トップゲート−トップコンタクト構成の図9に示す有機TFT900を製造した。
3 ゲート電極
5 ゲート絶縁膜
7s ソース電極
7d ドレイン電極
9 有機半導体層
9d 滴下される有機半導体材料溶液
L2 チャネル長
Claims (7)
- 基板上にソース電極とゲート電極とドレイン電極と絶縁層と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心の円又は多角形である前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するための電極形成工程と、
有機半導体材料を滴下法により滴下することで前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを連結する前記有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、
前記電極形成工程により形成した電極上に撥水性を有する撥水層を形成する撥水層形成工程と、
前記有機半導体層を形成した基板上に保護層を形成するための保護層形成工程と、
前記撥水層を除去する撥水層除去工程と、
前記撥水層を除去した部分に前記保護層を貫通して該保護層の表面に達する導通部を設ける導通部形成工程と、
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体層形成工程の前記滴下法は、インクジェット法であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記滴下法による滴下は、1回であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上にソース電極とゲート電極とドレイン電極と絶縁層と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
有機半導体材料を滴下法により滴下することで前記有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、
ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心の円又は多角形であり、前記有機半導体層により前記ソース電極及び前記ドレイン電極とが連結されるように前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するための電極形成工程と、
前記電極形成工程により形成した電極上に撥水性を有する撥水層を形成する撥水層形成工程と、
前記有機半導体層を形成した基板上に保護層を形成するための保護層形成工程と、
前記撥水層を除去する撥水層除去工程と、
前記撥水層を除去した部分に前記保護層を貫通して該保護層の表面に達する導通部を設ける導通部形成工程と、
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体層形成工程の前記滴下法は、インクジェット法であることを特徴とする請求項4に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記滴下法による滴下は、1回であることを特徴とする請求項4に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
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