JP2013046086A5 - - Google Patents

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  1. 基板と、前記基板上に配列された複数のセンサー素子と、を備え、
    前記センサー素子は、振動板と、前記振動板の一面に形成された第1電極と、前記第1電極に連続する第1電極の引き出し部と、前記第1電極および前記第1電極の引き出し部の一面に形成された圧電体層と、前記圧電体層の前記第1電極および前記第1電極の引き出し部が形成された側と反対側の面に形成された第2電極と、前記第1電極の引き出し部と電気的に接続された第1電極引き回し配線と、前記第2電極と電気的に接続された第2電極引き回し配線と、を備え、
    前記圧電体層の平面パターンの外縁が前記第1電極および前記第1電極の引き出し部の平面パターンの外縁よりも外側にはみ出しておらず、
    前記第2電極の平面パターンの外縁が前記圧電体層の平面パターンの外縁よりも外側にはみ出しておらず、
    前記圧電体層を貫通して前記第1電極の引き出し部に達するコンタクトホールが設けられ、
    前記第1電極引き回し配線が、前記コンタクトホールの内壁に沿って形成されて前記第1電極の引き出し部と電気的に接続されるとともに、前記コンタクトホールの箇所を除いて前記圧電体層の一面上に配置され、
    前記第2電極引き回し配線が、前記第1電極引き回し配線の延在方向と交差する方向に延在して前記第2電極と一体に形成されるとともに、前記圧電体層の一面上に配置されたことを特徴とする超音波アレイセンサー。
  2. 前記圧電体層の平面パターンの外縁と前記第1電極および前記第1電極の引き出し部の平面パターンの外縁とが一致していることを特徴とする請求項1に記載の超音波アレイセンサー。
  3. 前記第2電極の平面パターンの外縁が前記圧電体層の平面パターンの外縁よりも内側に位置していることを特徴とする請求項1または2に記載の超音波アレイセンサー。
  4. 基板の一面に振動板となる絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に第1電極および前記第1電極に連続する第1電極の引き出し部となる第1導電膜、圧電体層となる圧電材料層、第2電極となる第2導電膜を順次積層する工程と、
    第1フォトマスクを用いて前記第2導電膜および前記圧電材料層を開孔することにより、前記第2導電膜および前記圧電材料層を貫通して前記第1導電膜に達するコンタクトホールを形成する工程と、
    第1電極引き回し配線および第2電極引き回し配線となる第3導電膜を成膜する工程と、
    第2フォトマスクを用いて前記第3導電膜および前記第2導電膜をパターニングすることにより、前記第2電極、前記第2電極引き回し配線、および前記第1電極引き回し配線を形成する工程と、
    第3フォトマスクを用いて前記圧電材料層および前記第1導電膜をパターニングすることにより、前記圧電体層、前記第1電極および前記第1電極の引き出し部を形成する工程と、
    第4フォトマスクを用いて前記絶縁膜が形成された側と反対側の面から前記基板を前記絶縁膜が露出するまで開孔することにより、前記基板に空洞部を形成して前記絶縁膜からなる前記振動板を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする超音波アレイセンサーの製造方法。
  5. 前記第3フォトマスクの前記圧電体層、前記第1電極および前記第1電極の引き出し部の平面パターンの外縁が、前記第2フォトマスクの前記第2電極の平面パターンの外縁よりも外側に位置していることを特徴とする請求項4に記載の超音波アレイセンサーの製造方法。
  6. ゾル・ゲル法を用いて前記圧電材料層を形成することを特徴とする請求項4または5に記載の超音波アレイセンサーの製造方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6136464B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6314777B2 (ja) * 2014-09-30 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー並びにプローブおよび電子機器
JP6855686B2 (ja) * 2016-04-27 2021-04-07 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッドの製造方法及びmemsデバイスの製造方法
JP6862820B2 (ja) * 2016-12-26 2021-04-21 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス及び超音波装置
JP6834538B2 (ja) * 2017-01-30 2021-02-24 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、超音波探触子、及び超音波装置
JP6874463B2 (ja) 2017-03-27 2021-05-19 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、圧電アクチュエーター、超音波探触子、超音波装置、電子機器、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置
JP6365726B2 (ja) * 2017-04-28 2018-08-01 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー装置及び電子機器
WO2020027138A1 (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 株式会社村田製作所 Memsデバイス
JP7380323B2 (ja) * 2020-02-27 2023-11-15 サクサ株式会社 動き検出デバイス及び動き検出デバイスの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274573A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Olympus Optical Co Ltd マイクロ圧電振動子、その製法及び圧電トランスデューサ
JP3296158B2 (ja) * 1995-09-01 2002-06-24 株式会社村田製作所 圧電薄膜振動子
JPH11205898A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp 誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子
JP2005051688A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Matsushita Electric Works Ltd 超音波アレイセンサおよびその製造方法
JP5293557B2 (ja) * 2008-12-17 2013-09-18 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波トランスデューサーアレイ及び超音波デバイス
JP2011082624A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 近接超音波センサ

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