JP2011124973A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 開口部を有する支持体と、
   前記開口部を閉塞するダイアフラムと、
   前記ダイアフラムに設けられるとともに、電圧の印加により面内方向に伸縮する圧電体と、を備え、
   前記ダイアフラムは、前記開口部に臨む一面側とは反対側の面に、凹状に形成される凹溝部を備え、
   前記圧電体は、前記ダイアフラムにおける前記凹溝部の外側に固定されて、前記凹溝部を覆って配置され、前記凹溝部の底面との間に空間を介して対向配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー。
2. 請求項１に記載の超音波トランスデューサーにおいて、
   前記圧電体は、前記凹溝部に対向する位置に、前記空間および外部空間を連通する少なくとも１つ以上の連通部を有することを特徴とする超音波トランスデューサー。
3. 請求項１または請求項２に記載の超音波トランスデューサーと、
   第二開口部を有する第二支持体、前記第二開口部を閉塞する第二ダイアフラム、および前記第二ダイアフラム上に積層され、前記第二ダイアフラムの変位を電気信号に変換して出力する第二圧電体を備えた第二超音波トランスデューサーと、
   を備えることを特徴とする超音波センサー。
4. 請求項３に記載の超音波センサーにおいて、
   前記超音波トランスデューサーおよび前記第二超音波トランスデューサーは、複数設けられ、二次元アレイ構造に配置されることを特徴とする超音波センサー。
5. 請求項４に記載の超音波センサーにおいて、
   前記超音波トランスデューサーは、前記二次元アレイ構造における中央領域に設けられており、
   前記第二超音波トランスデューサーは、前記中央領域の周辺において三箇所以上の領域に設けられており、
   前記超音波トランスデューサーと前記第二超音波トランスデューサーとの間の領域に定電位と接続された定電位配線が設けられていることを特徴とする超音波センサー。
6. 請求項３または請求項５に記載の超音波センサーにおいて、
   前記超音波トランスデューサーの前記支持体、および前記第二超音波トランスデューサーの前記第二支持体を構成するセンサーアレイ基板を備えることを特徴とする超音波センサー。
7. 超音波トランスデューサーの製造方法であって、
   基板上にダイアフラム形成用膜を形成するダイアフラム積層工程と、
   前記ダイアフラム形成用膜の表面の一部をエッチングにより除去し、前記凹溝部を形成する凹溝形成工程と、
   前記凹溝部に、表面が前記ダイアフラム形成用膜の表面と同一平面となる犠牲層を埋める犠牲層埋め込み工程と、
   前記凹溝部を覆う前記圧電体を形成する圧電体形成工程と、
   前記圧電体に外部空間と前記犠牲層とを連通する連通部を形成する連通部形成工程と、
   前記連通部から前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
   前記基板をエッチングして前記開口部を形成し、前記支持体を形成する支持体形成工程と、
   を備えたことを特徴とする超音波トランスデューサーの製造方法。
8. 超音波センサーの製造方法であって、
   請求項７に記載の超音波トランスデューサーの製造方法により前記超音波トランスデューサーを製造する第一製造工程と、
   基板上に前記第二ダイアフラムを形成する第二ダイアフラム積層工程、
   前記第二ダイアフラム上に前記第二圧電体を積層形成する第二圧電体形成工程、
   および、前記基板をエッチングして前記第二開口部を形成し、前記第二支持体を形成する第二支持体形成工程、を備える第二製造工程と、
   を具備したことを特徴とする超音波センサーの製造方法。
9. 請求項８に記載の超音波センサーの製造方法において、
   前記ダイアフラム積層工程および前記第二ダイアフラム積層工程、前記圧電体形成工程および前記第二圧電体形成工程、前記支持体形成工程および前記第二支持体形成工程は、それぞれ同一工程であることを特徴とする超音波センサーの製造方法。