JP2014523689A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 通常の送信方向に超音波を送信するための超音波振動素子を有する超音波振動子アセンブリであって、前記超音波振動素子のそれぞれ又は一部のそれぞれは、
   ―前記通常の送信方向に対して、上面、下面、及び側面を持つ圧電層、
   ―下部電極層、
   ―上部電極層、及び
   ―前記上部電極層に付与される少なくとも１つのマッチング層
   を有し、
   導電層が、前記圧電層の少なくとも１つの特定の圧電層の前記上部電極層及び前記下部電極層に接続されるように、前記圧電層の前記少なくとも１つの特定の層の前記側面に、少なくとも部分的に付与される超音波振動子アセンブリにおいて、
   前記導電層が、前記少なくとも１つのマッチング層の側面に更に付与されることを特徴とする、超音波振動子アセンブリ。
2. 前記特定の圧電層を有する前記超音波振動素子は、超音波を送信又は受信するように動作しないダミー素子である、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
3. 前記特定の圧電層を有する前記超音波振動素子は、前記超音波振動素子の行又はアレイの中で最も外側の超音波振動素子である、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
4. 前記導電層が付与される前記側面は、前記超音波振動素子の行又はアレイの中で外側に面している側面である、請求項３に記載の超音波振動子アセンブリ。
5. 前記超音波振動素子の前記上部電極層に電気的に接続する導電接続層を更に有する、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
6. 前記下部電極層に付与される少なくとも１つのデマッチング層を更に有する、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
7. 前記導電層は、前記少なくとも１つのデマッチング層の側面に更に付与される、請求項６に記載の超音波振動子アセンブリ。
8. 一番上のマッチング層に付与される上部導電層及び／又は一番下のデマッチング層に付与される下部導電層を更に有する、請求項７に記載の超音波振動子アセンブリ。
9. 前記超音波振動素子の前記下部電極層のそれぞれ又は一部は、少なくとも１つの半導体チップに接続される、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
10. 前記特定の圧電層を有する前記超音波振動素子の前記下部電極層は、外部電気的接続のためにフレキシブル回路に接続される、請求項１に記載の超音波振動子アセンブリ。
11. 通常の送信方向に超音波を送信するための超音波振動素子を有する超音波振動子アセンブリの製造方法であって、前記方法は、前記超音波振動素子のそれぞれ又は一部のそれぞれに対して、
    ―前記通常の送信方向に対して、上面、下面、及び側面を持つ圧電層を提供するステップ、
    ―下部電極層を付与するステップ、
    ―上部電極層を付与するステップ、
    ―前記上部電極層にマッチング層の少なくとも１つを付与し、前記下部電極層に少なくとも１つのデマッチング層を付与するステップ、及び
    ―前記圧電層の少なくとも１つの特定の圧電層の前記上部電極層及び前記下部電極層に接続されるように、導電層を、前記圧電層の少なくとも１つの特定の層の前記側面に、少なくとも部分的に付与するステップ
    を有する方法において、
    前記マッチング層及び前記デマッチング層の少なくとも１つの側面に前記導電層を付与するステップを更に有することを特徴とする、超音波振動子アセンブリの製造方法。
12. 前記導電層が、メタライゼーションによって付与される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記メタライゼーションが、スパッタリング又は導電性エポキシの付与によって行われる、請求項１２に記載の方法。
14. 前記下部電極層、前記上部電極層、及び前記導電層は、圧電材料でできた共通層への１つの共通メタライゼーションステップで付与される、請求項１１に記載の方法。
15. 前記超音波振動素子は、前記共通メタライゼーションステップが行われた後に、圧電材料でできた前記共通層から切り出される又はダイシングされる、請求項１４に記載の方法。