JP2017516428A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
   半導体基板と、
   超音波トランスデューサであって、
   前記ＣＭＯＳウェーハの第１金属化層の部分的除去により作成された空洞、
   前記空洞と前記半導体基板との間に配された電極、及び
   前記ＣＭＯＳウェーハの誘電層と第２金属化層とを備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配されるようにする音響膜を備える超音波トランスデューサと、
   前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路とを備え、
   前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記超音波トランスデューサの第１電極であり、前記超音波トランスデューサはさらに、前記第１電極と反対側に配される第２電極を備え、前記第２電極は、前記空洞と前記第２金属化層との間の前記音響膜内に配される、
   ＣＭＯＳウェーハ。
2. 前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記部分的に除去された第１金属化層のライナ層を備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
3. 前記音響膜は、１つ以上の導電性ビアを備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
4. 前記音響膜の前記１つ以上の導電性ビアのうちの少なくとも１つは、前記第２電極に電気的に接続される、請求項３に記載のＣＭＯＳウェーハ。
5. 前記音響膜の少なくとも一部を通って前記空洞まで通過する少なくとも１つの充填アクセス穴をさらに備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
6. 前記超音波トランスデューサを含む複数の超音波トランスデューサを備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
7. 前記第２金属化層は、前記音響膜の前記誘電層に組み込まれる、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
8. 前記音響膜を通過しないよう配置される少なくとも１つの穴をさらに備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
9. 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
   半導体基板と、
   超音波トランスデューサであって、
   前記ＣＭＯＳウェーハの第１金属化層の部分的な除去により作成された空洞、
   前記空洞と前記半導体基板との間に配された電極、及び
   前記ＣＭＯＳウェーハの誘電層と第２金属化層とを備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配されるようにする音響膜を備える超音波トランスデューサと、
   前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路とを備え、
   前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記超音波トランスデューサの底部電極であり、前記超音波トランスデューサはさらに、前記空洞と前記第２金属化層との間の前記音響膜内に配された上部電極を備え、前記空洞が前記底部電極と前記上部電極との間に配されるようにし、前記底部電極及び前記上部電極は、前記部分的に除去された第１金属化層のライナ層を備える、
   ＣＭＯＳウェーハ。
10. 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
    半導体基板と、
    第１金属化層と、
    前記第１金属化層内に形成された空洞と、前記空洞と前記半導体基板との間に配され、かつ前記第１金属化層の第１部分を備える第１電極と、を備えた超音波トランスデューサと、
    誘電層、第２電極、及び第２金属化層を備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配され、前記第２電極が、前記第１金属化層の第２部分を備え、かつ前記空洞と前記第２金属化層との間に配される、音響膜と、
    前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路と、を備える
    ＣＭＯＳウェーハ。
11. 前記第１金属化層は、前記基板の周辺領域において電気信号を送信するように構成された、請求項１０に記載の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハ。
12. 前記第１金属化層には、複数の空洞が形成され、各空洞は、異なる超音波トランスデューサに対応する、請求項１０に記載の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハ。