JP2017514556A5

JP2017514556A5 -

Info

Publication number: JP2017514556A5
Application number: JP2016559408A
Authority: JP
Filing date: 2015-03-31
Publication date: 2018-05-17
Anticipated expiration: 2035-03-31

Claims

ＩＣダイの少なくとも１つの縁部によって画定された主面を有する当該ＩＣダイであって、前記主面が、超音波検知領域を備え、キャビティ内に前記ＩＣダイを懸架するための複数の導電性コンタクトプレートを担持する、当該ＩＣダイと、
前記ＩＣダイを備える前記キャビティを画定する少なくとも１つの更なる縁部を有する本体であって、前記少なくとも１つの更なる縁部が、複数の第１の更なる導電性接触面部分を備える当該本体と、
を含む、先端を備える超音波プローブであって、
各導電性コンタクトプレートが、前記本体の前記更なる縁部にある前記更なる導電性接触面部分と対合するため前記少なくとも１つの縁部によって画定された露出された接触面部分を含むように、前記複数の導電性コンタクトプレートは、前記少なくとも１つの縁部を越えて前記ＩＣダイの前記主面から延び、前記少なくとも１つの更なる縁部が、前記ＩＣダイを受けるための前記キャビティを画定し、
各第１の更なる導電性接触面が、前記導電性コンタクトプレートの１つの接触面部分に導電結合される、
超音波プローブ。
前記超音波検知領域は、複数の微細加工された静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）要素によって画定される、請求項１に記載の超音波プローブ。
前記主面は、複数のボンドパッドを備え、前記各導電性コンタクトプレートが前記ボンドパッドの１つから延びる、請求項１又は２に記載の超音波プローブ。
前記導電性コンタクトプレートは、金属又は金属合金から形成される、請求項１乃至３の何れか一項に記載の超音波プローブ。
前記金属又は前記金属合金は、反磁性である、請求項４に記載の超音波プローブ。
前記導電性コンタクトプレートは、少なくとも２０ミクロンの厚さを有する、請求項１乃至５の何れか一項に記載の超音波プローブ。
前記各第１の更なる導電性接触面が、導電性はんだ又は導電性接着剤によって前記導電性コンタクトプレートの１つの接触面部分に導電結合される、請求項１に記載の超音波プローブ。
前記本体がフレックスフォイル上に複数の導電性トラックを含む当該フレックスフォイルを備え、各導電性トラックが、前記第１の更なる接触面の１つを含む、請求項１又は７に記載の超音波プローブ。
前記先端は、信号処理回路構成入力に導電結合された複数の回路基板コンタクトを担持するプリント回路基板上に当該信号処理回路構成を更に収容し、前記フレックスフォイルは、前記ＩＣダイを収容する環状区域と、前記環状区域から延びる弧状区域とを備え、前記弧状区域は、対向する縁部の対を備え、各縁部が、複数の第２の更なる導電性接触面を備え、各第２の更なる導電性接触面が、前記導電性トラックの１つの一部を形成し、前記各第２の更なる導電性接触面が、前記回路基板コンタクトの１つに導電結合される、請求項８に記載の超音波プローブ。
請求項７乃至９の何れか一項に記載の超音波プローブを備える、超音波診断システム。
ＩＣダイにコンタクトを提供する方法であって、当該方法は、
複数のＩＣダイを備えるウェハを提供するステップであって、各ＩＣダイが、複数の導電性コンタクトを担持する主面を備え、前記ＩＣダイが、犠牲領域によって互いから空間的に分離される、ステップと、
それぞれの前記主面のキャビティ内に前記ＩＣダイを懸架するための導電性コンタクトプレートを形成するステップであって、前記導電性コンタクトプレートのそれぞれが、前記導電性コンタクトの１つから前記犠牲領域の１つに延在する、ステップと、
前記各ＩＣダイの前記主面が前記ＩＣダイの少なくとも１つの縁部によって画定されるように、前記犠牲領域を除去することによって前記ＩＣダイをシンギュレーションするステップと、
前記キャビティを画定する少なくとも１つの更なる縁部を有する本体であって、前記少なくとも１つの更なる縁部が、複数の第１の更なる導電性接触面部分を備える当該本体を形成するステップと、
前記本体を前記ＩＣダイと対合させるステップと、
を含み、
各導電性コンタクトプレートが、前記本体の前記少なくとも１つの更なる縁部にある前記更なる導電性接触面部分と対合するため前記少なくとも１つの縁部によって画定された露出された接触面部分を含むように、前記導電性コンタクトプレートが、前記主面から前記少なくとも１つの縁部を越えて延在し、前記少なくとも１つの更なる縁部が、前記ＩＣダイを受けるための前記キャビティを画定し、
各第１の更なる導電性接触面が、前記導電性コンタクトプレートの１つの接触面部分に導電結合される、方法。
前記導電性コンタクトプレートを前記それぞれの主面上に形成するステップは、前記それぞれの主面上に導電性材料をめっきすることによって、少なくとも２０ミクロンの厚さに導電性コンタクトプレートを形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
前記それぞれの主面に複数のトレンチを形成するステップを更に含み、各トレンチは、前記導電性コンタクトの１つから前記犠牲領域の１つに延在し、前記導電性コンタクトプレートを前記それぞれの主面上に形成するステップは、前記トレンチに導電性材料を充填するステップを含む、請求項１１又は１２に記載の方法。