JP2012521704A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ウエハー接合型ＣＭＵＴアレイであって、
   基板全体にわたって分配される複数のＣＭＵＴエレメントを備えており、
   各エレメントが、前記基板に形成されるキャビティおよび信号電極と、前記キャビティを閉じ、接地電極を形成する導電性膜とを有しており、
   前記複数のエレメントの導電性膜が前記アレイの表面全体にわたって連続した接地平面を形成しており、
   前記信号電極への電気接続部が、前記基板を通って、前記信号電極から前記基板の裏側まで延びている導電性ビアによって実現されてなる、ＣＭＵＴアレイ。
2. 前記ＣＭＵＴアレイが導電体伝達信号電圧のかかっていない正面を有していることにより、前記ＣＭＵＴアレイの前記正面自体を全体的に接地電位に維持することができる、請求項１に記載のＣＭＵＴアレイ。
3. 前記信号電極がそれぞれ対応するキャビティ内に形成されてなる、請求項１又は２に記載のＣＭＵＴアレイ。
4. 前記導電性ビアが、ウエハーの少なくともシリコンデバイス層を貫通するエッチングにより形成される孔部を含み、その中に、絶縁酸化物層および導電性材料を有してなる、請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記載のＣＭＵＴアレイ。
5. さらなるシリコン系のウエハーを用いて、膜が前記基板とは別に形成されてなる、請求項１乃至４のうちのいずれか一項に記載のＣＭＵＴアレイ。
6. 基板全体にわたって分配される複数のＣＭＵＴエレメントを有しているＣＭＵＴアレイを製造する方法であって、
   シリコン製の前記基板に、各エレメント用のキャビティおよび信号電極を形成し、これらの電極への電気的接続部を提供する導電性ビアを形成することと、
   各キャビティを閉じ、接地電極を形成する導電性膜を提供することにより、前記ＣＭＵＴアレイの表面全体にわたる連続した接地平面を形成することと
   を含んでおり、
   前記導電性膜が、前記基板に接合されるシリコンウエハーから形成される、方法。
7. 前記電極が前記キャビティ内に形成される、請求項６に記載の方法。
8. 前記ビアが、前記基板内に形成される孔部にポリシリコンを蒸着することにより形成される、請求項６又は７に記載の方法。
9. シリコン窒化物層が前記キャビティ上に位置するように、前記基板上に膜形成ウエハーを配置することを含む、請求項６乃至８のうちのいずれか一項に記載の方法。