JP2015532768A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 発光トランジスタデバイスであって、
   基板と、
   ゲート電極と、
   １つ以上の有機副層を含むチャネル層であって、前記１つ以上の有機副層が、
   電子輸送半導体材料を含む第１の副層、
   正孔輸送半導体材料を含む第２の副層、および
   エレクトロルミネッセンス半導体材料を含み前記第１の副層と前記第２の副層との間に配置される第３の副層、
   を含むチャネル層と、
   前記ゲート電極と前記チャネル層との間に配置されるゲート絶縁層と、
   正孔電極および電子電極であって、前記正孔電極を通過して正電荷キャリアが前記チャネル層に注入され、前記電子電極を通過して負電荷キャリアが前記チャネル層に注入され、前記正孔電極および前記電子電極は、それらの間のチャネル領域の長さ（Ｌ）を画定する平面距離で互いに離れて配置され、前記正孔電極が前記チャネル層の前記第２の副層に接触し、前記電子電極が前記チャネル層の前記第１の副層に接触している正孔電極および電子電極と、
   を含み、
   前記チャネル層は、前記正孔電極と前記チャネル層の前記第１の副層との間に配置される第１の電気絶縁素子、および、前記電子電極と前記チャネル層の前記第２の副層との間に配置される第２の電気絶縁素子をさらに含み、前記第１の電気絶縁素子および前記第２の電気絶縁素子は、前記チャネル領域の長さより短い平面距離で互いに離れて配置され、
   第１のバイアス電圧が前記ゲート電極に印加されると共に、前記電子電極と前記正孔電極との間で第２のバイアス電圧が維持され、当該発光トランジスタデバイスは、前記第３の副層の平面に平行なストライプとして発光するよう構成されている、
   発光トランジスタデバイス。
2. 前記第１の電気絶縁素子および／または前記第２の電気絶縁素子が前記第３の副層に接触している、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記第１の電気絶縁素子および前記第２の電気絶縁素子の両方が前記第３の副層中に配置される、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記第１の電気絶縁素子が前記第２の副層と前記第３の副層との間の界面に配置され、前記第２の電気絶縁素子が前記第１の副層と前記第３の副層との間の界面に配置される、請求項１に記載のデバイス。
5. 前記電子電極が前記第２の電気絶縁素子に接触している、請求項４に記載のデバイス。
6. 前記電子電極が前記第１の副層中に配置され、および／または、前記正孔電極は前記第２の副層中に配置される、請求項５に記載のデバイス。
7. 前記正孔電極が前記第１の電気絶縁素子に接触している、請求項６に記載のデバイス。
8. 前記第１の電気絶縁素子および前記第２の電気絶縁素子の両方が前記第１の副層と前記第３の副層との間の界面に配置される、請求項１に記載のデバイス。
9. 前記第１の電気絶縁素子および前記第２の電気絶縁素子の両方が前記第２の副層と前記第３の副層との間の界面に配置される、請求項１に記載のデバイス。
10. 前記第１の電気絶縁素子、前記第２の電気絶縁素子、および前記エレクトロルミネッセンス半導体材料を合わせたものが前記第３の副層を構成している、請求項１に記載のデバイス。
11. 前記電子輸送半導体材料と前記電子電極との間に堆積された電子注入層をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
12. 前記正孔輸送半導体材料と前記正孔電極との間に堆積された正孔注入層をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
13. 前記チャネル層の上面を覆うパッシベーション層をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
14. 前記基板が、前記基板の表面上に堆積された表面改質材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
15. 前記ゲート電極が、Ｌと同じ長さ（Ｌ_G）を有し、前記ゲート電極の端部が、前記正孔電極の端部および前記電子電極の端部の位置と合わせられる、請求項１に記載のデバイス。
16. 前記ゲート電極がＬを超える長さ（Ｌ_G）を有し、前記ゲート電極の少なくとも１つの端部が前記正孔電極および前記電子電極の一方と重なり合う、請求項１に記載のデバイス。
17. 互いに相互接続され基板上に堆積された、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の複数の同一または異なる発光トランジスタデバイスを含む、画像を形成するための光電子デバイス。