JP2014195494A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 振動膜が配置された基体と、
   前記振動膜上に形成される第１電極膜と、
   前記第１電極膜上に形成される圧電体膜と、
   前記圧電体膜上に形成される第２電極膜と、
   前記第１電極膜の膜厚よりも大きい膜厚で形成されて前記第１電極膜に接続される第１導電膜と、
   を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
2. 請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第２電極膜から離隔され、かつ、前記第１導電膜に接続されて前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように形成される第２導電膜を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
3. 請求項２に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記圧電体膜上で前記第２電極膜および前記第２導電膜の間には絶縁膜が形成されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
4. 請求項２または３に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第２電極膜の膜厚と前記第２導電膜の膜厚とは等しいことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
5. 請求項２に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記第１導電膜は、前記基体の厚み方向からの平面視で前記第１電極膜と前記振動膜の第１方向端部との間に形成される第１方向導電体部と、前記第１電極膜と前記振動膜の前記第１方向端部とは前記第１電極膜を挟んで反対側の第２方向端部との間に形成される第２方向導電体部とを有し、
   前記第２導電膜は、前記第１方向導電体部に接続されて前記圧電体膜上で前記第２電極膜から離隔される第１上層導電体部と、前記第２方向導電体部に接続されて前記圧電体膜上で前記第２電極膜から離隔される第２上層導電体部とを有し、
   前記圧電体膜上で前記第２電極膜と前記第１上層導電体部との間に第１絶縁膜が形成され、前記圧電体膜上で前記第２電極膜と前記第２上層導電体部との間に第２絶縁膜が形成され、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜とは前記第２電極膜上で離隔していることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置を支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理する処理部とを備えることを特徴とする電子機器。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理し、画像を生成する処理部と、前記画像を表示する表示装置と、を備えることを特徴とする超音波画像装置。
9. 基体に配置される振動膜に導電材料を含む第１素材膜を形成する工程と、
   前記第１素材膜から、第１電極膜、および、前記第１電極膜から連続する第１導電膜を形成する工程と、
   圧電体材料を含む第２素材膜を形成し、前記第２素材膜をエッチング処理を含むパターニング処理により前記第１電極膜上に圧電体膜を形成する工程と、
   少なくとも前記第１導電膜および前記圧電体膜を覆うように導電材料を含む第３素材膜を形成する工程と、
   前記第３素材膜をエッチング処理を含むパターニング処理により、前記圧電体膜上に第２電極膜を形成し、かつ前記圧電体膜上で前記第２電極膜と離隔し前記第１導電膜に接続する第２導電膜を形成する工程と、
   を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置の製造方法。