RU2015132850A - Прибор с электродом, подключенным к сквозному проводу, и способ его изготовления - Google Patents

Прибор с электродом, подключенным к сквозному проводу, и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2015132850A
RU2015132850A RU2015132850A RU2015132850A RU2015132850A RU 2015132850 A RU2015132850 A RU 2015132850A RU 2015132850 A RU2015132850 A RU 2015132850A RU 2015132850 A RU2015132850 A RU 2015132850A RU 2015132850 A RU2015132850 A RU 2015132850A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
wire
electrode
substrate
conductive protective
capacitive
Prior art date
Application number
RU2015132850A
Other languages
English (en)
Inventor
Шинань ВАН
Ютака СЕТОМОТО
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2015132850A publication Critical patent/RU2015132850A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
    • B81C1/00611—Processes for the planarisation of structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)

Claims (34)

1. Емкостный преобразователь, содержащий:
подложку, имеющую первую поверхность и вторую поверхность, противоположную первой поверхности, причем подложка включает в себя сквозной провод, простирающийся через нее между упомянутой первой поверхностью и упомянутой второй поверхностью; и
ячейку на упомянутой первой поверхности, причем ячейка включает в себя первый электрод и второй электрод, разнесенный от первого электрода, с зазором между первым электродом и вторым электродом,
причем поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой первой поверхности подложки расположена проводящая защитная пленка, и поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой второй поверхности подложки расположена проводящая защитная пленка.
2. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором каждая из упомянутых проводящих защитных пленок содержит многослойную пленку, имеющую два или более слоев.
3. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором упомянутые поверхности сквозного провода утоплены относительно первой поверхности и второй поверхности подложки.
4. Емкостный преобразователь по п. 1, дополнительно содержащий контактную площадку, выполненную с возможностью электрического подключения к сквозному проводу через любую из проводящих защитных пленок.
5. Емкостный преобразователь по п. 1, дополнительно содержащий провод, выполненный с возможностью электрического подключения к сквозному проводу через любую из проводящих защитных пленок.
6. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором каждая из проводящих защитных пленок включает в себя пленку Au, образованную на ее самой наружной поверхности.
7. Емкостный преобразователь по п. 6, в котором каждая из проводящих защитных пленок включает в себя пленку Ni и пленку Au и имеет пленку Au, образованную на ее самой наружной поверхности.
8. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором сквозной провод выполнен из Cu или сплава Cu.
9. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором сквозной провод электрически подключен к упомянутому первому электроду или упомянутому второму электроду.
10. Емкостный преобразователь по п. 1, в котором проводящие защитные пленки образованы исключительно на поверхностях сквозного провода.
11. Прибор, содержащий:
подложку, имеющую первую поверхность и вторую поверхность, противоположную первой поверхности, причем подложка включает в себя сквозной провод, простирающийся через нее между упомянутой первой поверхностью и упомянутой второй поверхностью; и
электрод, электрически подключенный к сквозному проводу,
причем поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой первой поверхности подложки расположена проводящая защитная пленка, и поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой второй поверхности подложки расположена проводящая защитная пленка.
12. Способ изготовления емкостного преобразователя, включающего в себя подложку, имеющую первую поверхность и вторую поверхность, противоположную первой поверхности, причем подложка включает в себя сквозной провод, простирающийся через нее между упомянутой первой поверхностью и упомянутой второй поверхностью, и ячейку на первой поверхности, причем ячейка включает в себя первый электрод и второй электрод, разнесенный от первого электрода, с зазором между первым электродом и вторым электродом, при этом способ содержит:
образование проводящей защитной пленки поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой первой поверхности подложки и проводящей защитной пленки поверх поверхности сквозного провода на стороне упомянутой второй поверхности подложки; и
образование ячейки на первой поверхности подложки, причем ячейка включает в себя первый электрод и второй электрод, разнесенный от первого электрода, с зазором между первым
электродом и вторым электродом.
13. Способ по п. 12, дополнительно содержащий образование сквозного провода в подложке.
14. Способ по п. 12, в котором проводящие защитные пленки образуют исключительно на поверхностях сквозного провода.
15. Способ по п. 12, в котором проводящие защитные пленки образуют с использованием металлизации химическим восстановлением.
16. Способ по п. 12, в котором проводящие защитные пленки образуют с использованием металлизации химическим восстановлением, а затем подвергают выравниванию поверхности.
17. Устройство получения информации об объекте, содержащее:
емкостный преобразователь по п. 1; и
секцию обработки, выполненную с возможностью получения информации об объекте с использованием электрического сигнала, выведенного из емкостного преобразователя, и обработки упомянутой информации,
причем емкостный преобразователь выполнен с возможностью приема акустической волны от упомянутого объекта и вывода упомянутого электрического сигнала.
18. Устройство получения информации об объекте по п. 17, дополнительно содержащее источник света,
причем емкостный преобразователь выполнен с возможностью приема акустической волны, сгенерированной при облучении упомянутого объекта светом, сгенерированным из упомянутого источника света, и преобразования принятой акустической волны в электрический сигнал.
19. Измерительное устройство, содержащее:
емкостный преобразователь по п. 1, подвергающийся воздействию внешней силы,
причем измерительное устройство выполнено с возможностью измерения величины внешней силы, приложенной к поверхности упомянутого емкостного преобразователя, с использованием электрического сигнала от упомянутого емкостного преобразователя.
RU2015132850A 2014-08-08 2015-08-06 Прибор с электродом, подключенным к сквозному проводу, и способ его изготовления RU2015132850A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-161989 2014-08-08
JP2014161989A JP2016039512A (ja) 2014-08-08 2014-08-08 電極が貫通配線と繋がったデバイス、及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2015132850A true RU2015132850A (ru) 2017-02-09

Family

ID=53761990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015132850A RU2015132850A (ru) 2014-08-08 2015-08-06 Прибор с электродом, подключенным к сквозному проводу, и способ его изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10090780B2 (ru)
EP (1) EP2982446A1 (ru)
JP (1) JP2016039512A (ru)
KR (1) KR20160018393A (ru)
CN (1) CN106211005A (ru)
BR (1) BR102015018931A2 (ru)
RU (1) RU2015132850A (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5578810B2 (ja) * 2009-06-19 2014-08-27 キヤノン株式会社 静電容量型の電気機械変換装置
JP2016122759A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 キヤノン株式会社 貫通配線を有する電子デバイスの作製方法
JP2017112187A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 キヤノン株式会社 貫通配線を有する基板に素子を設けたデバイス及びその製造方法
JP2018107337A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 大日本印刷株式会社 電子部品およびその製造方法
CN108362408B (zh) * 2018-03-08 2021-07-02 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 压力传感器及其制造方法
US11590532B2 (en) * 2018-03-09 2023-02-28 Bfly Operations, Inc. Ultrasound transducer devices and methods for fabricating ultrasound transducer devices
EP3856679B1 (en) 2018-09-28 2024-05-01 BFLY Operations, Inc. Fabrication techniques and structures for gettering materials in ultrasonic transducer cavities
JP7218134B2 (ja) * 2018-09-28 2023-02-06 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ、及びその製造方法
WO2020210470A1 (en) 2019-04-12 2020-10-15 Butterfly Network, Inc. Bottom electrode via structures for micromachined ultrasonic transducer devices
EP3953064B1 (en) * 2019-04-12 2024-09-11 BFLY Operations, Inc. Segmented getter openings for micromachined ultrasound transducer devices
CN113145431A (zh) * 2021-02-09 2021-07-23 深圳市赛禾医疗技术有限公司 一种微机电超声波换能器及阵列
KR102536838B1 (ko) * 2021-09-07 2023-05-26 한국과학기술원 정전용량형 미세가공 초음파 변환자 소자 및 그 제조 방법
WO2024024933A1 (ja) * 2022-07-29 2024-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4154913B2 (ja) * 2002-04-01 2008-09-24 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP2005303258A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Fujikura Ltd デバイス及びその製造方法
JP4369348B2 (ja) * 2004-11-08 2009-11-18 新光電気工業株式会社 基板及びその製造方法
JP4790315B2 (ja) 2005-05-31 2011-10-12 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 静電容量型超音波振動子
US8372680B2 (en) * 2006-03-10 2013-02-12 Stc.Unm Three-dimensional, ultrasonic transducer arrays, methods of making ultrasonic transducer arrays, and devices including ultrasonic transducer arrays
JP5193503B2 (ja) * 2007-06-04 2013-05-08 新光電気工業株式会社 貫通電極付き基板及びその製造方法
JP4594995B2 (ja) * 2008-04-16 2010-12-08 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 超音波トランスデューサ及び電子機器
KR20100021856A (ko) * 2008-08-18 2010-02-26 삼성전자주식회사 관통 전극을 갖는 반도체장치의 형성방법 및 관련된 장치
JP2010185798A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Toyota Motor Corp 静電容量センサ
US8598031B2 (en) * 2009-09-28 2013-12-03 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Reliable interconnect for semiconductor device
JP2011254281A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Canon Inc 容量型電気機械変換装置の作製方法、及び容量型電気機械変換装置
RU2427811C1 (ru) 2010-06-11 2011-08-27 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Резонанс" Устройство для измерения давления или силы
JP5754239B2 (ja) * 2011-05-24 2015-07-29 ソニー株式会社 半導体装置
US8623763B2 (en) * 2011-06-01 2014-01-07 Texas Instruments Incorporated Protective layer for protecting TSV tips during thermo-compressive bonding
JP2013138411A (ja) * 2011-11-28 2013-07-11 Canon Inc 静電容量型トランスデューサの製造方法
JP5986441B2 (ja) * 2012-07-06 2016-09-06 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ
JP2014130767A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Omron Corp 静電マイクロリレーおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160043660A1 (en) 2016-02-11
CN106211005A (zh) 2016-12-07
EP2982446A1 (en) 2016-02-10
US10090780B2 (en) 2018-10-02
BR102015018931A2 (pt) 2016-03-15
KR20160018393A (ko) 2016-02-17
JP2016039512A (ja) 2016-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015132850A (ru) Прибор с электродом, подключенным к сквозному проводу, и способ его изготовления
WO2012143784A8 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013168419A5 (ru)
JP2013243668A5 (ru)
JP2016518739A5 (ru)
WO2018090892A1 (zh) 一种压电传感装置及应用
EP2654388A3 (en) Semiconductor package, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor package
JP2017516428A5 (ru)
EA201390096A1 (ru) Стекло с электрическим присоединительным элементом
EP2886210A3 (en) Ultrasonic sensor and measuring method using the same, and method of manufacturing ultrasonic sensor
EP3010038A3 (en) Power overlay structure having wirebonds and method of manufacturing same
JP2013186030A5 (ru)
JP2016097033A5 (ru)
JP2011014888A5 (ru)
JP2014523689A5 (ru)
JP2016017882A5 (ru)
JP2019504534A5 (ru)
EP2907588A3 (en) Electro acoustic transducer
JP2015028425A5 (ru)
EA201991516A1 (ru) Устройства и датчики для аккумулирования энергии и способы их получения и применения
ATE554486T1 (de) Keramik-chip-anordnung
JP2014195494A5 (ru)
EP2763195A3 (en) Light emitting device
JP2014165238A5 (ru)
JP2015070473A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20180823