JP2015066203A5 - - Google Patents

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基体２１の表面には絶縁膜２４が被さる。絶縁膜２４は例えば酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ２）から形成される。絶縁膜２４は例えば基体２１の表面に全面にわたって広がる。絶
縁膜２４の表面には複数本のバス配線２５が配置される。バス配線２５は配列の列方向に
相互に平行に延びる。ここでは、３列の素子２３ごとに１本のバス配線２５が割り当てら
れる。バス配線２５は複数のセグメント２６に素子アレイ２２を分割する。バス配線２５には例えばチタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）およびチタン（Ｔｉ）の積層膜が用いられることができる。ただし、バス配線２５にはその他の導電材が利用されてもよい。
基体２１には第１フレキシブルプリント配線板（以下「第１配線板」という）３４が連
結される。第１配線板３４は第１端子アレイ２８ａに覆い被さる。第１配線板３４の一端
には共通配線端子２９および信号配線端子３１に個別に対応して導電線すなわち第１信号
線３５が形成される。第１信号線３５は共通配線端子２９および信号配線端子３１に個別
に向き合わせられ個別に接合される。同様に、基体２１には第２フレキシブルプリント配
線板（以下「第２配線板」という）３６が連結される。第２配線板３６は第２端子アレイ
２８ｂに覆い被さる。第２配線板３６の一端には共通配線端子３２および信号配線端子３
３に個別に対応して導電線すなわち第２信号線３７が形成される。第２信号線３７は共通
配線端子３２および信号配線端子３３に個別に向き合わせられ個別に接合される。
絶縁膜２４には３列目の素子２３ごとに貫通導電体４９が埋め込まれる。貫通導電体４
９は、図５から明らかなように、絶縁膜２４の表面から配線層２７の表面まで絶縁膜２４
を貫通する。貫通導電体４９は配線層２７に３列目の素子２３の上電極４３を接続する。
貫通導電体４９は３列目の素子２３の上電極４３から配線層２７まで連続すればよい。貫
通導電体４９は例えば上電極４３と同様の導電材から形成されることができる。こうして
バス配線２５から配線層２７まで同一行の素子２３は電気的に直列に接続される。
超音波の反射波は振動膜４１を振動させる。振動膜４１の超音波振動は所望の周波数で
圧電体膜４５を超音波振動させる。圧電素子４２の圧電効果に応じて圧電素子４２から電
圧が出力される。個々の素子２３では上電極４３と下電極４４との間で電圧が生成される。電圧は共通配線端子２９、３２および信号配線端子３１、３３から電気信号として出力
される。こうして超音波は検出される。
超音波デバイス１７では表層膜５２と絶縁膜２４とで積層構造が確立される。表層膜５
２と絶縁膜２４とは振動膜４１を形成する。個々の開口５３ごとに振動膜４１上に圧電素
子４２が形成される。振動膜４１および圧電素子４２は素子２３を形成する。このとき、
配線層２７の導電体は絶縁膜２４下に配置される。配線層２７の導電体は圧電素子４２の
上電極４３や下電極４４とは異なる階層で広がる。したがって、配線層２７の導電体は上電極４３や下電極４４に邪魔されずに広がりを有することができる。配線層２７の導電体は圧電素子４２に対してバス配線として機能することができる。配線抵抗は低減されることができる。
（４）第３実施形態に係る超音波デバイス
図７は第３実施形態に係る超音波デバイス１７ｂの拡大部分平面図を示す。超音波デバ
イス１７ｂでは絶縁膜２４上のバス配線２５に代えて導電体の配線層６１が用いられる。
導電体の配線層６１は絶縁膜２４下で基体２１の表面に形成される。配線層６１の導電体はセグメント２６ごとに１対の導電膜６２ａ、６２ｂを有する。導電膜６２ａ、６２ｂは配列の列方向に延びる。ここでは、３列の素子２３ごとに２筋の導電膜６２ａ、６２ｂが割り当てられる。導電膜６２ａ、６２ｂには銅その他の導電材が用いられればよい。こうして絶縁膜２４の表面ではバス配線は省略される。したがって、素子２３の配置密度は高められることができる。ここでは、導電膜６２の幅Ｗｅは第１接続配線４６、第２接続配線４７および第３接続配線４８の幅Ｗｃよりも大きい。
絶縁膜２４には１列目の素子２３ごとに第１貫通導電体６３が埋め込まれる。第１貫通
導電体６３は、貫通導電体４９と同様に、絶縁膜２４の表面から配線層６１の表面まで絶
縁膜２４を貫通する。第１貫通導電体６３は一方の導電膜６２ａに第１接続配線４６を接続する。第１貫通導電体６３は第１接続配線４６から導電膜６２ａまで連続すればよい。第１貫通導電体６３は例えば下電極４４と同様の導電材から形成されることができる。

Claims (1)

  1. アレイ状に配列された開口ごとに振動膜の基部層が形成されている基体と、
    前記基部層上に形成される導電体の配線層と、
    前記配線層上に形成されて、前記基部層に対して積層構造を形成する絶縁膜と、
    前記絶縁膜上で圧電体膜を挟む第１電極および第２電極を有し、前記絶縁膜で前記配線層から隔てられる複数の圧電素子と、
    前記絶縁膜を貫通し、前記配線層の導電体に少なくとも前記第１電極および第２電極の一方を接続する貫通導電体と、
    を備えることを特徴とする超音波デバイス。
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