JP2017170156A - 超音波トランスデューサー装置及び電子機器 - Google Patents
超音波トランスデューサー装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017170156A JP2017170156A JP2017089381A JP2017089381A JP2017170156A JP 2017170156 A JP2017170156 A JP 2017170156A JP 2017089381 A JP2017089381 A JP 2017089381A JP 2017089381 A JP2017089381 A JP 2017089381A JP 2017170156 A JP2017170156 A JP 2017170156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- piezoelectric
- conductive
- ultrasonic transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】基体21には複数の振動膜24がアレイ状に配置される。振動膜24上では第1電極膜27上に圧電体膜53が形成される。圧電体膜53上には第2電極膜26が形成される。第1電極膜27には第1電極膜27の膜厚よりも大きい膜厚で形成される第1導電膜54が接続される。第1電極膜54は第1電極膜27の配線膜として機能する。痔1導電膜54には十分な膜厚が確保される。
【選択図】図4
Description
図1は本発明の一実施形態に係る電子機器の一具体例すなわち超音波診断装置11の構成を概略的に示す。超音波診断装置11は装置端末12と超音波プローブ(プローブ)13とを備える。装置端末12と超音波プローブ13とはケーブル14で相互に接続される。装置端末12と超音波プローブ13とはケーブル14を通じて電気信号をやりとりする。装置端末12にはディスプレイパネル(表示装置)15が組み込まれる。ディスプレイパネル15の画面は装置端末12の表面で露出する。装置端末12では、後述されるように、超音波プローブ13で検出された超音波に基づき画像が生成される。画像化された検出結果がディスプレイパネル15の画面に表示される。
図5に示されるように、超音波診断装置11は素子ユニット17に電気的に接続される集積回路チップ59を備える。集積回路チップ59はマルチプレクサー60および送受信回路61を備える。マルチプレクサー60は素子ユニット17側のポート群60aと送受信回路61側のポート群60bとを備える。素子ユニット17側のポート群60aには配線62経由で第1信号線38および第2信号線42が接続される。こうしてポート群60aは素子アレイ22に繋がる。ここでは、送受信回路61側のポート群60bには集積回路チップ55内の規定数の信号線63が接続される。規定数はスキャンにあたって同時に出力される素子23の列数に相当する。マルチプレクサー60はケーブル14側のポートと素子ユニット17側のポートとの間で相互接続を管理する。
次に超音波診断装置11の動作を簡単に説明する。処理回路74は駆動/受信回路72に超音波の送信および受信を指示する。駆動/受信回路72はマルチプレクサー60に制御信号を供給するとともに個々のパルサー67に駆動信号を供給する。パルサー67は駆動信号の供給に応じてパルス信号を出力する。マルチプレクサー60は制御信号の指示に従ってポート群60bのポートにポート群60aのポートを接続する。パルス信号はポートの選択に応じて上電極端子34、36および下電極端子35、37を通じて列ごとに素子23に供給される。パルス信号の供給に応じて振動膜24は振動する。その結果、対象物(例えば人体の内部)に向けて所望の超音波ビームは発せられる。
次に素子ユニット17の製造方法を簡単に説明する。図6に示されるように、基体21が用意される。基体21ではアレイ状に振動膜24が配置される。基体21の表面に一面に第1素材膜81が形成される。第1素材膜81は均一な膜厚を有する。第1素材膜81は導電材から形成される。第1素材膜81は振動膜24の表面に被さる。
Claims (5)
- 振動膜が配置された基体と、
前記振動膜上に形成される第1電極膜と、
前記第1電極膜上に形成される圧電体膜と、
前記圧電体膜上に形成される第2電極膜と、
前記第1電極膜の膜厚よりも大きい膜厚で形成されて前記第1電極膜に接続される第1導電膜と、
前記第2電極膜から離隔され、かつ、前記第1導電膜に接続されて前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように形成される第2導電膜と、を備え、
前記第1導電膜は、前記基体の厚み方向からの平面視で前記第1電極膜と前記振動膜の第1方向端部との間に形成される第1方向導電体部と、前記第1電極膜と前記振動膜の前記第1方向端部とは前記第1電極膜を挟んで反対側の第2方向端部との間に形成される第2方向導電体部とを有し、
前記第2導電膜は、前記第1方向導電体部に接続されて前記圧電体膜上で前記第2電極膜から離隔される第1上層導電体部と、前記第2方向導電体部に接続されて前記圧電体膜上で前記第2電極膜から離隔される第2上層導電体部とを有し、
前記圧電体膜上で前記第2電極膜と前記第1上層導電体部との間に第1絶縁膜が形成され、前記圧電体膜上で前記第2電極膜と前記第2上層導電体部との間に第2絶縁膜が形成され、前記第1絶縁膜と第2絶縁膜とは前記第2電極膜上で離隔していることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。 - 請求項1に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置を支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
- 請求項1に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理する処理部とを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理し、画像を生成する処理部と、前記画像を表示する表示装置と、を備えることを特徴とする超音波画像装置。
- 基体に配置される振動膜に導電材料を含む第1素材膜を形成する工程と、
前記第1素材膜から、第1電極膜、および、前記第1電極膜から連続する第1導電膜を形成する工程と、
圧電体材料を含む第2素材膜を形成し、前記第2素材膜をエッチング処理を含むパターニング処理により前記第1電極膜上に圧電体膜を形成する工程と、
少なくとも前記第1導電膜および前記圧電体膜を覆うように導電材料を含む第3素材膜を形成する工程と、
前記第3素材膜をエッチング処理を含むパターニング処理により、前記圧電体膜上に第2電極膜を形成し、かつ前記圧電体膜上で前記第2電極膜と離隔し前記第1導電膜に接続する第2導電膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017089381A JP6365726B2 (ja) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 超音波トランスデューサー装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017089381A JP6365726B2 (ja) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 超音波トランスデューサー装置及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013071582A Division JP6136464B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017170156A true JP2017170156A (ja) | 2017-09-28 |
JP6365726B2 JP6365726B2 (ja) | 2018-08-01 |
Family
ID=59971564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017089381A Active JP6365726B2 (ja) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 超音波トランスデューサー装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6365726B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019071361A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置、超音波発生装置及び電気機械変換素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011211164A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電センサー、電子機器、および圧電素子の製造方法 |
JP2013046086A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 超音波アレイセンサーおよびその製造方法 |
-
2017
- 2017-04-28 JP JP2017089381A patent/JP6365726B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011211164A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電センサー、電子機器、および圧電素子の製造方法 |
JP2013046086A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 超音波アレイセンサーおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019071361A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置、超音波発生装置及び電気機械変換素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6365726B2 (ja) | 2018-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5990930B2 (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6136464B2 (ja) | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
JP6078994B2 (ja) | 超音波トランスデューサー素子ユニットおよびプローブおよびプローブヘッド並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP5990929B2 (ja) | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6102075B2 (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6089499B2 (ja) | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6442821B2 (ja) | 超音波デバイス及び電子機器 | |
JP6252279B2 (ja) | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
US10042044B2 (en) | Ultrasonic device, probe, electronic device, and ultrasonic imaging apparatus | |
JP2013211604A (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6273743B2 (ja) | 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
JP2014195495A (ja) | 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
JP2015130994A (ja) | 超音波デバイスおよび超音波トランスデューサー装置並びに電子機器および超音波画像装置 | |
JP6365726B2 (ja) | 超音波トランスデューサー装置及び電子機器 | |
JP2015160104A (ja) | 超音波デバイスユニットおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
JP2017000792A (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6311815B2 (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 | |
JP6222259B2 (ja) | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180410 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6365726 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |