JP2018530196A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 過電流状態から保護されるマイクロマシン超音波トランスデューサアレイであって、
   基板と、
   前記基板上に形成される複数のマイクロマシン超音波トランスデューサセルであって、各々の前記セルは、前記基板に結合される上部電極及び下部電極を有する膜を有し、前記上部電極は、共通基準電位に結合されるように構成される共通電極であり、前記下部電極は、交流駆動信号に結合されるように構成される信号電極である、複数のマイクロマシン超音波トランスデューサセルと
   を有し、
   各々の前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルは、前記信号電極に結合される1つのヒューズを更に有し、前記ヒューズは、前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルの過電流状態の場合に前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルを前記アレイの他の前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルから分離するように開くように構成される、
   マイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
2. 各々の前記ヒューズは、マイクロマシン超音波トランスデューサセルの前記下部電極と直列に結合される、請求項１に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
3. 各々の前記ヒューズは、加熱又はエレクトロマイグレーションを通じて開くヒューズを更に有する、請求項1乃至２の何れか1項に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
4. 前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルの動作を制御するために前記マイクロマシン超音波トランスデューサアレイに結合される集積回路
   を更に有し、
   前記ヒューズは前記集積回路上に配置される、
   請求項1乃至２の何れか1項に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
5. 前記集積回路は、特定用途向け集積回路を更に有する、請求項４に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
6. 前記特定用途向け集積回路は、前記マイクロマシン超音波トランスデューサ基板から分離される基板を更に有し、前記集積回路は前記基板上に形成され、
   前記集積回路は、前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルの動作を制御するように、前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルに電気的に結合される、請求項５に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
7. 前記特定用途向け集積回路は、前記マイクロマシン超音波トランスデューサ基板上に形成される集積回路を更に有し、前記集積回路は、前記アレイの動作を制御するように前記マイクロマシン超音波トランスデューサアレイに電気的に結合される、請求項５に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
8. 前記ヒューズは、前記集積回路を備える前記基板上に形成される、請求項７に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
9. 前記ヒューズは、半導体材料を備える前記集積回路を有する前記基板上に更に形成される、請求項８に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
10. 前記半導体材料は、集積回路金属層又はポリシリコン層を更に有する、請求項９に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
11. 前記ヒューズは、半導体材料の狭いトレースを更に有する、請求項１０に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
12. 前記ヒューズは、所定の寸法のビアを更に有する、請求項９に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
13. 前記特定用途向け集積回路は、マイクロビームフォーマを更に有する、請求項７又は9に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
14. 前記複数のマイクロマシン超音波トランスデューサセルの共通電極は相互結合される、請求項1乃至２の何れか1項に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。
15. 各々の前記マイクロマシン超音波トランスデューサセルの前記共通電極は、接地電位に結合されるように構成され、前記信号電極は、直流基準電位及び前記交流駆動信号の両方に結合されるように更に構成される、請求項１４に記載のマイクロマシン超音波トランスデューサアレイ。