JP2015195351A5 - - Google Patents
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Description
第1配線板19aは基体21に連結される。第1配線板19aは第1端子アレイ33aに覆い被さる。第1配線板19aの一端には上電極端子34および下電極端子35に個別に対応して導電線すなわち第1信号線39が形成される。第1信号線39は上電極端子34および下電極端子35に個別に向き合わせられ個別に接合される。同様に、第2配線板19bは基体21に連結される。第2配線板19bは第2端子アレイ33bに覆い被さる。第2配線板19bの一端には上電極端子36および下電極端子37に個別に対応して導電線すなわち第2信号線42が形成される。第2信号線42は上電極端子36および下電極端子37に個別に向き合わせられ個別に接合される。
振動膜24の表面に酸化シリコン層48(下電極)と、酸化ジルコニウム層49(圧電体膜28)および上電極26が順番に積層される。圧電体膜28は例えばジルコン酸チタン酸鉛(PZT)で形成されることができる。圧電体膜28にはその他の圧電材料が用いられてもよい。ここでは、第1導電体29の下で圧電体膜28は完全に第2導電体32を覆う。圧電体膜28の働きで第1導電体29と第2導電体32との間で短絡は回避されることができる。
基体21の第1辺21aと受信アレイRRの輪郭との間に1ラインの第3端子アレイ69が配置される。第3端子アレイ69は第1辺21aに平行に1ラインを形成することができる。第3端子アレイ69は信号端子71および共通端子72で構成される。信号端子71は第3導電体67に接続される。共通端子72は第4導電体68に接続される。ここでは、第3端子アレイ69は第1端子アレイ33aとともに1ラインを形成する。第1配線板19aは第1端子アレイ33aおよび第3端子アレイ69に覆い被さる。第1配線板19aの一端には信号端子71および共通端子72に個別に対応して導電線すなわち第3信号線73が形成される。第3信号線73は信号端子71および共通端子72に個別に向き合わせられ個別に接合される。
受信アレイRRでは個々の行内で第1圧電素子57の第1電極61に隣接する第1圧電素子57の第2電極62が接続される。1行の第1圧電素子57は電気的に直列に接続される。したがって、変形によって発生する電圧が増加し感度は向上する。
前述のように、超音波デバイス17では第1圧電素子57は超音波の受信にあたって利用されることができ、第2圧電素子23は超音波の発信にあたって利用されることができる。第1圧電素子57は第2圧電素子23に比べて高い感度を有することから、超音波の解像度は向上する。
(7)第1超音波トランスデューサー素子の検証
本発明者は圧電体膜63上の溝64の働きを検証した。検証にあたって音圧に対する歪みの大きさ(歪み音圧比)が算出された。算出にあたって縦横比10:1の振動膜が設定された。溝の幅Wtは、振動膜24の幅に対して17%、42%および67%に設定された。従来構造として圧電体膜に溝なしの振動膜が用意された。長手方向からの中心線からの距離に応じて振動膜の歪み音圧比が変化する様子を図11に示す。溝64では圧電体膜の厚みの減少に応じて歪みが増大することが確認された。しかも、溝ありでは、溝なしに比べて振動膜の縁近辺で歪みが抑制されることが見出された。
本発明者は圧電体膜63上の溝64の働きを検証した。検証にあたって音圧に対する歪みの大きさ(歪み音圧比)が算出された。算出にあたって縦横比10:1の振動膜が設定された。溝の幅Wtは、振動膜24の幅に対して17%、42%および67%に設定された。従来構造として圧電体膜に溝なしの振動膜が用意された。長手方向からの中心線からの距離に応じて振動膜の歪み音圧比が変化する様子を図11に示す。溝64では圧電体膜の厚みの減少に応じて歪みが増大することが確認された。しかも、溝ありでは、溝なしに比べて振動膜の縁近辺で歪みが抑制されることが見出された。
図18に示されるように、厚み比が変化しても振動膜24の固有周波数は1MHz以上大きく変化しないことが確認された。したがって、圧電体膜63に溝64を形成して受信感度を高める手段をとったとしても、本実施形態の範囲であれば圧電素子57の振動特性が変動しないことがわかる。固有周波数は音波の波長に反比例し、波長を介して圧電素子57の空間分解能を決定するため、固有周波数の低下は分解能の低下につながる。そのため受信感度が向上する圧電素子57の構造をとったとしても、固有周波数が低下することは、素子の設計上好ましくない。
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