JP2019504534A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板に集積され、第１グループの超音波トランスデューサ及び第２グループの超音波トランスデューサを含む、複数の超音波トランスデューサと、
   前記第１グループの超音波トランスデューサに対応し、前記第１グループの超音波トランスデューサの共通のメンブレンを含む第１バイアス電極、及び
   前記第２グループの超音波トランスデューサに対応し、前記第１グループの超音波トランスデューサの共通のメンブレンを含む第２バイアス電極
   を含む、複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極と、を備える超音波デバイス。
2. 前記第１グループの超音波トランスデューサが、複数の容量型微細加工超音波トランスデューサである、請求項１に記載の超音波デバイス。
3. 前記基板が半導体ダイであり、前記複数の容量型微細加工超音波トランスデューサが前記半導体ダイとモノリシックに一体化される、請求項２に記載の超音波デバイス。
4. 前記基板が、およそ２０ｍｍからおよそ４０ｍｍまでの間の幅及びおよそ２ｍｍからおよそ１０ｍｍまでの間の高さのデバイス表面を有し、前記複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極が、前記複数の超音波トランスデューサのそれぞれのグループに対応する４個から１０個までの間のバイアス電極を含む、請求項２に記載の超音波デバイス。
5. 前記複数の個々に電気的に制御可能なバイアス電極に対応する複数のバイアスラインをさらに備え、前記第１バイアス電極及び第１電源に結合される第１バイアスラインと、前記第２バイアス電極及び第２電源に結合される第２バイアスラインとを含む、請求項２に記載の超音波デバイス。
6. 前記基板に集積され、前記第１グループの超音波トランスデューサの電気的応答を検出するように構成された検出回路をさらに備える、請求項１に記載の超音波デバイス。
7. 前記基板に集積され、前記第１グループ及び前記第２グループの超音波トランスデューサに結合された、集積回路をさらに備える、請求項１に記載の超音波デバイス。
8. 基板と前記基板に集積された複数の超音波トランスデューサとを有する超音波デバイスを動作させる方法であって、
   第１の共通のメンブレンを含み、複数の超音波トランスデューサのうちの第１グループの超音波トランスデューサに対応する第１バイアス電極に第１バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、
   第２の共通のメンブレンを含み、前記第１バイアス電極にバイアスを印加するのと同時に、前記複数の超音波トランスデューサのうちの第２グループの超音波トランスデューサに対応する第２バイアス電極に前記第１バイアス電圧とは異なる第２バイアス電圧で電気的バイアスを印加することと、
   を含む方法。
9. 前記第１グループの超音波トランスデューサが複数の容量型微細加工超音波トランスデューサである、請求項８に記載の方法。
10. 前記第１バイアス電極への電気的バイアス印加に応答して、前記第１グループの超音波トランスデューサの電気的応答を検出することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
11. 前記第１バイアス電圧が前記第２バイアス電圧よりも最大でおよそ３０％高い、請求項８に記載の方法。
12. 前記第１バイアス電極への電気的バイアス印加が、前記基板に集積された集積回路を用いて行われる、請求項８に記載の方法。