JP2014209728A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 複数の振動膜が配置された基体と、
   前記振動膜上に配置される圧電素子と、
   前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、
   前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域外のみにおいて前記導電体上に配置される第１絶縁膜と、
   前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内のみにおいて、前記第１絶縁膜の膜厚よりも小さい膜厚を有し、かつ、少なくとも前記圧電素子の一部の上に配置される第２絶縁膜と、
   を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
2. 請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第２絶縁膜の膜厚よりも小さい膜厚を有して前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とに接続される第３絶縁膜をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
3. 請求項１または２に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記圧電素子は、
   前記振動膜上に配置される第１電極と、
   前記第１電極の少なくとも一部を覆うように配置される圧電体膜と、
   前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように配置される第２電極と、を有し、
   前記導電体は、
   前記第１電極と接続される第１導電体部と、
   前記第２電極と接続される第２導電体部と、を有し、
   前記超音波トランスデューサー装置は、前記第２電極または前記第２導電体部に覆われていない前記圧電体膜を覆うように配置される第４絶縁膜をさらに有する
   ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
4. 請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第４絶縁膜は前記第２電極を挟んで前記第２電極の両側に分離して配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
5. 請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記圧電体膜は、前記第１電極の少なくとも一部および前記振動膜の一部を覆い、
   前記第２絶縁膜は、前記第２電極上に配置されて、第１膜厚を有する第１膜体部と、前記圧電素子の側面の前記圧電体膜を覆い前記第１膜厚よりも大きい第２膜厚を有する第２膜体部とを有する
   ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
6. 請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記圧電体膜は、前記第１電極上に配置されて、前記第１電極により前記振動膜の表面から隔てられて配置されており、
   前記第２電極は、前記圧電体膜上に配置されて、前記圧電体膜により前記第１電極から隔てられて配置されており、
   前記第２絶縁膜は、前記第２電極上に配置されて、第１膜厚を有する第１膜体部と、前記圧電素子の側面で前記第２電極、前記圧電体膜および前記第１電極を覆い、前記第１膜厚よりも大きい第２膜厚を有する第２膜体部とを有することを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
7. 複数の振動膜が配置された基体と、
   前記振動膜上に配置される圧電素子と、
   前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、を備える超音波トランスデューサー装置であって、
   前記基体の厚み方向からの平面視で前記複数の振動膜は長辺および短辺を有する矩形形状を有し、
   前記基体の厚み方向からの平面視で、前記振動膜の領域外および前記振動膜の二つの長辺の一部のみを覆うように配置される絶縁膜を有する
   ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
8. 請求項７に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記絶縁膜は、前記基体の厚み方向からの平面視で、前記振動膜の領域外および前記振動膜の二つの短辺を覆うように配置される
   ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
9. 請求項７または８に記載の超音波トランスデューサー装置において、
   前記圧電素子は、
   前記振動膜上に配置される第１電極と、
   前記第１電極の少なくとも一部を覆うように配置される圧電体膜と、
   前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように配置される第２電極と、を有し、
   前記導電体は、
   前記第１電極と接続される第１導電体部と、
   前記第２電極と接続される第２導電体部と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記第２電極または前記第２導電体部に覆われていない前記圧電体膜を覆うように配置される
   ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
10. 請求項９に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記絶縁膜は前記第２電極を挟んで前記第２電極の両側に配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
11. 複数の振動膜が配置された基体と、
    前記振動膜上に配置される圧電素子と、
    前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、
    前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域外のみの前記導電体上に配置される絶縁膜と、
    を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置を支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
13. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理する処理部とを備えることを特徴とする電子機器。
14. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理し、画像を生成する処理部と、前記画像を表示する表示装置と、を備えることを特徴とする超音波画像装置。