JP2013175877A5 - - Google Patents

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(11)超音波トランスデューサー素子チップはプローブヘッドに組み込まれて利用されることができる。プローブヘッドは、超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体と、前記筐体に固定されて前記筐体の外面で露出し、少なくとも前記付加配線に電気的に接続されるコネクターとを備えることができる。
(10)他の実施形態に係る超音波プローブの構成
図1は他の実施形態に係る超音波プローブ(プローブ)121の構成を概略的に示す。超音波プローブ121は筐体122を備える。筐体122は筐体本体123とヘッドカバー124とを備える。筐体本体123には回路基板19が組み込まれる。本体筐体123とヘッドカバー124とは協働でヘッド室125を区画する。ヘッド室125には素子チップユニット126が配置される。ヘッドカバー124は筐体本体123に着脱自在に取り付けられる。

Claims (18)

  1. 複数の開口がアレイ状に配置された基板と、前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記超音波トランスデューサー素子に接続される配線と、を有する超音波トランスデューサー素子チップであって、
    前記基板の厚み方向から見たときの平面視において、前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との間である周縁領域に位置し、かつ前記配線と電気的に絶縁されている付加配線と、を備え、
    前記付加配線は、前記平面視において前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との最短距離より長いことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  2. 請求項1に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記配線の末端は、前記平面視で前記周縁領域に位置する信号端子を含むことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  3. 請求項1または2に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記平面視における前記基板の輪郭は、直線状の一辺を有し、前記配線の末端および前記付加配線の末端は前記一辺と前記アレイの輪郭との間に配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  4. 請求項3に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板は前記平面視で矩形に形成され、前記付加配線は、矩形の三辺の各辺と前記アレイの輪郭との間に位置する部分を有することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、
    前記配線は、前記超音波トランスデューサー素子の一方の電極に接続される第1配線と、前記超音波トランスデューサー素子の他方の電極に接続される第2配線とを有し、
    前記付加配線は前記第1配線および前記第2配線のいずれか一方とともに単一の導電層内に形成される
    ことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  6. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、
    前記配線は、前記超音波トランスデューサー素子の一方の電極に接続される第1配線と、前記超音波トランスデューサー素子の他方の電極に接続される第2配線とを有し、
    前記付加配線の一部は前記第1配線とともに単一の導電層を形成し、残部は前記第2配線とともに単一の導電層を形成する
    ことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記付加配線は、
    前記付加配線の一端に形成されて、前記平面視において前記周縁領域に位置する第1検査端子と、
    前記付加配線の他端に形成されて、前記第1検査端子から離れて前記平面視において前記周縁領域に位置する第2検査端子と、
    前記平面視において前記周縁領域に位置し、前記第1検査端子および前記第2検査端子を相互に接続する相互接続配線と
    を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  8. 請求項1または2に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記平面視における前記基板の輪郭は、相互に平行な直線状の第1辺および第2辺を有し、前記付加
    配線の末端の一部は前記配線の末端とともに前記第1辺と前記アレイの輪郭との間に配置され、前記付加配線の末端の残部は前記配線の末端とともに前記第2辺と前記アレイの輪郭との間に配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  9. 請求項8に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板は前記平面視で矩形に形成され、前記付加配線は第1付加配線および第2付加配線を有し、前記第1付加配線は、前記第1辺および前記第1辺に隣接する第3辺と前記アレイの輪郭との間に位置する部分を有し、前記第2付加配線は、前記第3辺に向き合う第4辺および前記第2辺と前記アレイの輪郭との間に位置する部分を有することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  10. 請求項8または9に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、
    前記配線は、前記超音波トランスデューサー素子の一方の電極に接続される第1配線と、前記超音波トランスデューサー素子の他方の電極に接続される第2配線とを有し、
    前記付加配線は前記第1配線および前記第2配線のいずれか一方とともに単一の導電層内に形成される
    ことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサー素子チップと、
    前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体と、
    前記筐体に固定されて前記筐体の外面で露出し、少なくとも前記付加配線に電気的に接続されるコネクターと
    を備えることを特徴とするプローブヘッド。
  12. 請求項11に記載のプローブヘッドと、前記プローブヘッドに前記コネクターで着脱自在に連結されるプローブ本体とを備えることを特徴とするプローブ。
  13. 請求項12に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理する処理回路とを備えることを特徴とする電子機器。
  14. 請求項12に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、前記画像を表示する表示装置とを備えることを特徴とする超音波診断装置。
  15. 複数の開口がアレイ状に配置された基板と、前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記超音波トランスデューサー素子に接続される配線と、を有するプローブであって、
    前記基板の厚み方向から見たときの平面視において、前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との間である周縁領域に位置し、かつ前記配線と電気的に絶縁されている付加配線と、を備え、
    前記付加配線は、前記平面視において前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との最短距離より長いことを特徴とするプローブ。
  16. 複数の開口がアレイ状に配置された基板と、前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記超音波トランスデューサー素子に接続される配線と、を有する電子機器であって、
    前記基板の厚み方向から見たときの平面視において、前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との間である周縁領域に位置し、かつ前記配線と電気的に絶縁されている付加配線と、を備え、
    前記付加配線は、前記平面視において前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁
    との最短距離より長いことを特徴とする電子機器。
  17. アレイ状に配置された開口を有する基板と、
    前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
    前記超音波トランスデューサー素子に接続される配線と、
    前記配線の破断に応じて前記基板の割れを検出する検出回路と
    を備えることを特徴とする電子機器。
  18. 複数の開口がアレイ状に配置された基板と、前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記超音波トランスデューサー素子に接続される配線と、を有するプローブであって、前記基板の厚み方向から見たときの平面視において、前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との間である周縁領域に位置し、かつ前記配線と電気的に絶縁されている付加配線と、を備え、前記付加配線は、前記平面視において前記複数の開口のアレイの輪郭と前記基板の外縁との最短距離より長いプローブと、
    前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、
    前記画像を表示する表示装置と
    を備えることを特徴とする超音波診断装置。
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