JP2011004395A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 音響素子のアレイを有する音響層（１４６）と、
   該音響層（１４６）に結合されており該音響層の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有するデマッチング層（１５２）と、
   該デマッチング層（１５２）に結合されており基材（１５８）及び複数の伝導性素子（１６０）を含んでいる介在層（１５４）であって、前記デマッチング層（１５２）の前記音響インピーダンスよりも低い音響インピーダンスを有する介在層（１５４）と、
   該介在層（１５４）に結合されており前記デマッチング層（１５２）及び前記介在層（１５４）を通して前記音響素子のアレイ（１４６）に電気的に接続されている集積回路（１５６）と
   を備えた超音波トランスデューサ（１０６）。
2. 前記介在層の基材（１５８）は、複数のビア（１６６）を形成されて有する非導電性基材を含んでおり、
   前記複数の伝導性素子（１６０）は、前記複数のビア（１６６）の各々に導電性経路を含んでいる、請求項１に記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
3. 前記基材（１５８）及び前記導電性経路（１６０）の各々が、約１０MRayl未満の音響インピーダンスを有している、請求項２に記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
4. 前記導電性経路（１６０）は、前記複数のビア（１６６）の各々に充填された銀エポキシ（１８２）を含んでいる、請求項２または３に記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
5. 前記導電性経路（１６０）は、
   前記基材（１５８）の上に形成されており、前記複数のビア（１６６）の各々を通して延在している導電性の金属相互接続（１９６）と、
   各々の金属相互接続（１９６）を覆って前記複数のビア（１６６）の各々の残部に充填された非導電性エポキシ（１９８）と
   を含んでいる、請求項２乃至４のいずれかに記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
6. 前記介在層（１５４）は、前記基材（１５８）に埋め込まれて複数の穿孔（１７８）を形成されて有する金属芯材（１７６）をさらに含んでおり、
   前記複数のビア（１６６）は、前記複数の穿孔（１７８）の少なくとも一部を通して延在している、請求項２乃至５のいずれかに記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
7. 前記介在層（１５４）は、
   前記集積回路（１５６）を前記音響素子のアレイ（１４６）に電気的に接続するように構成されており、前記複数のビア（１６６）を形成されて有する第一の接続領域（２５２）と、
   信号入出力接続、電力及び制御接続、並びに接地及び二重電力接続の少なくとも一つを含むシステム接続に前記集積回路（１５６）を電気的に接続するように構成されている第二の接続領域（２５４）とを含んでいる、請求項２乃至５のいずれかに記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
8. 前記第二の接続領域（２５４）は、パッド接続、トレース接続、エポキシ充填単層ビア、及びエポキシ充填貫通ビアの少なくとも一つを含んでいる、請求項７に記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
9. 前記基材（１５８）に形成された前記複数のビア（１６６）のピッチが、前記音響素子のアレイ（１４６）のピッチに合致している、請求項２乃至８のいずれかに記載の超音波トランスデューサ（１０６）。
10. 前記介在層（１５４）の反対側で前記集積回路（１５６）の背面に結合された損失性バッキング層（１６３）をさらに含んでいる請求項１乃至９のいずれかに記載の超音波トランスデューサ（１０６）。