JP5161773B2 - 曲がった二次元アレイ・トランスデューサ - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 裏打ち物質の層と;
前記裏打ち物質の上に載る集積回路の層と;
前記集積回路の層の上に載り、これに電気的に結合された圧電物質の層とを有しており;
前記圧電物質の層が直交する第一および第二の方向にダイシングされ、前記集積回路の層が前記第二の方向にダイシングされており、当該アレイ・トランスデューサは前記第一の方向において曲がっている、曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。 - 前記圧電物質の層および前記集積回路の層が前記第二の方向にダイシングされるのが共通のダイシング・カットによってである、請求項1記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記圧電物質の層と前記集積回路の層との間に位置されるマッチング解除物質の層をさらに有する、請求項1記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記第一の方向のダイシング・カットが前記圧電物質の層を通じて延び、前記圧電物質の層と前記集積回路の層との間で終わる、請求項3記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記マッチング解除物質の層と前記集積回路の層との間に、電気的接続をなす伝導性セグメントの層および該伝導性セグメントによって作られる空隙をさらに有しており、
前記第一の方向の前記ダイシング・カットが前記空隙中で終わる、請求項4記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。 - 前記集積回路の層がさらに、前記圧電物質の層の前記第二の方向のダイシングによって形成される諸圧電要素と整列された複数の位置に接続された複数の信号導体を有しており、
前記複数の位置が、前記集積回路の層の、前記第二の方向に突き出る部分である、請求項1記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。 - 前記集積回路の層がさらに、前記集積回路の層の前記第二の方向に突き出る部分に複数の制御信号導体を有する、請求項6記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記制御信号導体が前記集積回路の層の上面からアクセスされる、請求項7記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記制御信号導体が前記集積回路の層の下面からアクセスされる、請求項7記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- フレックス回路の層と;
前記フレックス回路の層の下にあり、これに電気的に結合された集積回路の層と;
前記フレックス回路の層の上にあり、これに電気的に結合された圧電物質の層とを有しており、
前記圧電物質の層が直交する第一および第二の方向にダイシングされ、前記集積回路の層が前記第二の方向にダイシングされており、
当該アレイ・トランスデューサは前記第一の方向において曲がっている、
曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。 - 前記フレックス回路が、前記圧電物質の層の諸要素を下にある前記集積回路の層の回路と電気的に接続する複数の導体を含む、請求項10記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記複数の導体が、送信信号導体または受信信号導体の少なくとも一つを含む、請求項11記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記集積回路の層の回路が、上にある前記圧電物質の要素と同じピッチを示す、請求項11記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記集積回路の層の回路が、上にある前記圧電物質の要素と、少なくとも一つの方向において異なるピッチを示す、請求項11記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
- 前記集積回路の層が、前記圧電層の諸要素の各要素に関連付けられた複数の制御された電気的要素を含んでおり、
前記フレックス回路層が、前記集積回路の層の前記制御された電気的要素に電気的に結合された複数の制御信号導体を含んでいる、
請求項10記載の曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
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