TW202034624A - 用於超音波裝置的跨阻抗放大器（tia） - Google Patents

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Abstract

一種用於超音波裝置的可變電流的跨阻抗放大器(TIA)被描述。所述TIA可以耦接至一超音波換能器以放大所述超音波換能器的一代表藉由所述超音波換能器接收到的一超音波信號的輸出信號。在所述超音波信號藉由所述超音波換能器的獲取期間，在所述TIA中的一或多個電流源可被改變。所述可變電流的跨阻抗放大器可包含多個級，其包含一具有被配置以接收一輸入信號且產生單端放大的信號的NP電晶體對的第一級。

Description

用於超音波裝置的跨阻抗放大器(TIA)
本申請案是有關於具有一用於放大接收到的超音波信號的放大器之超音波裝置。 相關申請案之交互參照
此申請案是根據第35號美國法典第119條(e)項主張2018年11月9日申請的名稱為“用於超音波裝置的跨阻抗放大器(TIA)”的美國臨時專利申請案序號62/758,453的益處，所述美國臨時專利申請案的整個內容被納入在此作為參考。
超音波探頭通常包含一或多個超音波感測器，其感測超音波信號並且產生對應的電性信號。所述電性信號是在類比域或數位域中加以處理。有時，超音波影像是從所述經處理的電性信號而被產生的。
根據在此所述的本技術的一特點，一種超音波設備被提出，其包括一超音波感測器以及一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)。所述可變電流的TIA是耦接至所述超音波感測器，並且被配置以接收及放大來自所述超音波感測器的一輸出信號。所述可變電流的TIA具有一可變電流源。
根據本技術的一特點，一種方法被提出，其包括在一獲取期間利用一超音波感測器來獲取一超音波信號、以及從所述超音波感測器輸出一代表所述超音波信號的類比電性信號。所述方法進一步包括利用一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)來放大所述電性信號，其包含在所述獲取期間改變所述可變電流的TIA的一電流。
根據本申請案的一特點，一種方法被提出，其包括在一獲取期間利用一超音波感測器來獲取一超音波信號、以及從所述超音波感測器輸出一代表所述超音波信號的類比電性信號。所述方法進一步包括利用一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)來放大所述電性信號，其包含在所述獲取期間減小所述可變電流的TIA的一雜訊基底。
根據本技術的一特點，一種超音波設備被提出，其包括一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，所述可變電流的跨阻抗放大器(TIA)被配置以接收及放大來自一超音波感測器的一輸出信號，並且具有一可變電流源以及一包括兩對N-P電晶體的差動輸入級。
根據本技術的一特點，一種超音波設備被提出，其包括一超音波感測器、一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，其耦接至所述超音波感測器並且被配置以接收及放大來自所述超音波感測器的一輸出信號。所述可變電流的TIA具有一可變電流源，其具有一帶有電流均流的輸入正交電晶體配置。
根據本技術的一特點，一種超音波設備被提出，其包括一超音波感測器、以及一可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，其耦接至所述超音波感測器並且被配置以接收及放大一代表來自所述超音波感測器的一輸出信號的電性信號。所述可變電流的TIA具有一輸入級，其具有分別有一被配置以接收所述電性信號的控制端子的一第一對N及P電晶體、以及分別有一被配置以接收一偏壓信號的控制端子的一第二對N及P電晶體。
在此所述的本技術的特點是有關用於一超音波裝置的放大電路。一超音波裝置可包含一或多個超音波換能器，其被配置以接收超音波信號並且產生電性輸出信號。因此，所述超音波換能器可以被操作為超音波感測器。所述超音波裝置可包含一或多個放大器，以用於放大所述電性輸出信號。一放大器所消耗的一功率量、由所述放大器產生的一雜訊、以及由所述放大器提供的一線性信號的放大品質可能是依據由所述放大器消耗的一電流量而定的。在某些實施例中，所述放大器可具有一可變電流源。所述可變電流源可以在一超音波信號的獲取期間被調整，以維持所述放大器的雜訊位準低於所述放大器的信號位準，並且維持所述信號的一線性放大，同時降低由所述放大器消耗的功率量。在某些實施例中，所述放大器可以是一TIA。
根據本技術的一特點，一可變電流的TIA被設置，其針對於一給定的雜訊位準呈現有利的功率效能。所述可變電流的TIA可包含一輸入級，其被配置以在具有相反極性的電晶體，例如是N型及P型MOSFET接收一信號。具有相反極性的電晶體可被配置成輸入對，作為一種四輸入配置，其中代表具有相反極性的兩個電晶體的一輸入對(例如，一N型MOSFET以及一P型MOSFET)被配置以在其控制端子接收一相同的輸入電壓。通過所述輸入對的電晶體的電流可被控制為實質相等的，因此對於所述可變電流的TIA的一給定的功率消耗提供降低的雜訊。以此種方式，可以提供改善的效能。
上述特點及實施例、以及額外的特點及實施例是在以下進一步加以描述。這些特點及/或實施例可以個別地、全部一起、或是以兩個或多個的任意組合而被利用，因為在此所述的本技術在此方面並不受限制。
圖1是描繪根據本技術的某些非限制性的實施例的一用於處理接收到的超音波信號的電路100。所述電路100包括N個超音波換能器102a…102n(在此有時全體被表示為“102”)，其中N是一整數，並且N=n。在某些實施例中，所述超音波換能器102可以是感測器，其產生代表接收到的超音波信號的電性信號。在某些實施例中，所述超音波換能器102亦可以發送超音波信號。所述超音波換能器102在某些實施例中可以是電容式微加工超音波換能器(CMUT)。所述超音波換能器在某些實施例中可以是壓電式微加工超音波換能器(PMUT)。如同將會體認到的，替代的類型的超音波換能器在其它實施例中可被使用於所述超音波換能器102。
所述電路100進一步包括N個電路通道104a…104n。所述電路通道分別可以對應於所述超音波換能器102a…102n。例如，可以有八個超音波換能器102a…102n以及八個對應的電路通道104a…104n。在某些實施例中，超音波換能器102a…102n的數量可以是大於電路通道的數量。
所述電路通道104a…104n可包含發送電路、或是接收電路、或是兩者。所述發送電路可包含分別耦接至脈衝產生器108a…108n的發送解碼器106a…106n。所述脈衝產生器108a…108n分別可以控制所述超音波換能器102a…102n來發射超音波信號。
所述電路通道104a…104n的接收電路可以接收分別從所述超音波換能器102a…102n輸出的電性信號。在所述舉例說明的例子中，每一個電路通道104a…104n包含一個別的接收開關110a…110n以及一個別的放大器112a…112n。所述接收開關110a…110n可以被控制以啟動/停止個別的電性信號從所述超音波換能器102a…102n的讀出。如同將會體認到的，所述接收開關110a…110n可以是接收電路，因為可以執行一開關的一或多個功能之替代的電路結構可被採用來執行一相同或類似的功能以作為一開關。所述放大器112a…112n以及圖3的一放大器300(在以下敘述)在某些實施例中可以是TIA。所述放大器112a…112n中的一或多個可以是可變電流的放大器。如同將會進一步在以下描述的，所述放大器112a…112n的電流可以在一獲取期間被改變，因此致能以下的任一者或是任意組合：功率消耗、雜訊位準、以及放大器的線性能夠被調整。所述放大器112a…112n可以輸出類比信號。
所述電路100進一步包括一平均電路114，其在此亦可被稱為一加總器或是一加總放大器。在某些實施例中，所述平均電路114可以是一緩衝器或是一放大器。所述平均電路114可以接收來自所述放大器112a…112n中的一或多個的輸出信號，並且可以輸出或提供一平均的輸出信號。所述平均的輸出信號可以部分是藉由相加或是相減來自所述各種的放大器112a…112n的信號來加以形成。所述平均電路114可包含一可變的回授電阻。所述變數回授電阻的值可以根據所述平均電路114接收信號所來自的放大器112a…112n的數量來動態地加以調整。在某些實施例中，所述可變的回授電阻可包含N個電阻設定。換言之，所述可變的回授電阻可以具有對應於所述電路通道104a…104n的數量之電阻設定的數量。因此，所述平均輸出信號亦可以部分藉由一所選的電阻至被輸入到所述平均電路114的一組合的信號的施加來加以形成。
所述平均電路114可以耦接至一自動歸零的區塊116。所述自動歸零的區塊116可以耦接至一可程式化的增益放大器118，其可包含一衰減器120以及一固定的增益放大器122。所述可程式化的增益放大器118可以經由ADC驅動器124來耦接至一ADC 126。在所述舉例說明的例子中，所述ADC驅動器124包含一第一ADC驅動器125a以及一第二ADC驅動器125b。所述ADC 126可以數位化來自所述平均電路114的信號。
儘管圖1是描繪一些構件為一超音波裝置的一電路的部分，但應該體認到的是在此所述的本技術的特點並不限於所描繪的確切的構件或是構件的配置。例如，本技術的特點可以有關於所述放大器112a…112n，因而在所述電路100中被描繪在所述放大器112a…112n的下游的一或多個構件在某些實施例中可以是選配的。
圖1的構件可以是位在單一基板上、或是在不同的基板上。例如，如同所繪的，所述超音波換能器102a…102n可以是在一第一基板128a上，並且其餘所描繪的構件可以是在一第二基板128b上。所述第一及/或第二基板128a、128b可以是半導體基板，例如是矽基板。在一替代實施例中，圖1的構件可以是在單一基板上。例如，所述超音波換能器102a…102n以及其它所描繪的電路可以是單體地整合在同一半導體晶粒上。此種整合可以藉由利用CMUT作為所述超音波換能器102a…102n而變得容易。
根據一實施例，圖1的構件可以構成一超音波探頭的部分。所述超音波探頭可以被製作尺寸及建構為手持式的。在某些實施例中，圖1的構件可以構成一被配置以被一病患戴上的超音波貼片的部分。
圖2更加詳細地描繪圖1的放大器112a的一非限制性的例子。相同的配置可被使用於圖1的其它放大器112a…112n。作為背景，所述超音波換能器102a以及所述平均電路114亦在圖2中被描繪，而為了簡化起見，所述接收開關110a則從圖2被省略。
在此非限制性的實施例中，所述放大器112a被實施為一個兩級的運算放大器(簡稱“運算放大器”)。一第一級202可以耦接至所述超音波換能器102a。第二級204可以耦接在所述第一級202以及所述平均電路114之間。在此非限制性的例子中，所述第二級204可以提供所述放大器112a的一輸出信號。
所述第一級202以及所述第二級204分別可以具有一可變電流源203、205。所述可變電流源203可被設置用於所述第一級202並且可以灌(sink)一電流I1。所述可變電流源205可被設置用於所述第二級204並且可以灌一電流I2。儘管所述可變電流源203及205被描繪為不同於所述個別的級202及204，但是它們可被視為所述個別的級202及204的部分。
在如同圖2中所示的一個兩級的放大器結構之下，放大後的信號的雜訊及線性可以獨立地加以控制。所述放大器112a的雜訊可以主要是藉由所述第一級202來影響。所述放大器112a的線性可以主要是藉由所述第二級204來影響。更一般而言，同理對於一個具有兩級或多級的多級放大器而言也可以成立，使得所述放大器的雜訊可以主要藉由所述第一級來影響，並且所述放大器的線性可以主要藉由最後一級來影響。本發明人已經體認到在一超音波信號的獲取期間(在此被稱為一獲取期間)，所述放大後的信號的雜訊及線性在重要性上可能變化。當所述超音波信號最初被接收時，在所述獲取期間的早期並且對應於形成所述超音波信號為一反射的信號的反射的超音波所來自的相對較淺的深度，和此早期或最初的獲取期間相關的雜訊在振幅上相較於所述接收到的信號的振幅將會是相對較低的，但是所述放大後的信號的線性可能具有相對較高的重要性。然而，在所述獲取期間的稍後並且對應於形成所述超音波信號為一反射的信號的反射的超音波所來自的相對較大的深度，所述超音波信號在振幅上可能是相對較小的，並且因此所述信號的雜訊是具有增大的重要性。因此，圖2的放大器112a被設計以容許雜訊及線性有獨立且可變的控制。此種控制可以經由所述可變電流源203及205來加以提供。
在一獲取期間的早期，所述可變電流源203可以被控制以灌一相對小量的電流，而所述電流源205可以被控制以灌一相對大量的電流。在此種情節中，所述第二級204可以操作以控制藉由所述放大器112a產生的放大後的信號的線性，而所述第一級202可以操作以比其所能夠的較小程度地控制所述放大後的信號202的雜訊。在所述獲取期間稍後，所述可變電流源203可被控制以灌一增大的電流量，而所述可變電流源205可被控制以灌一減少的電流量。由於藉由所述可變電流源203所灌的電流被增大，因此所述第一級202可以操作來較大程度地控制所述放大器112a的雜訊。由於藉由所述可變電流源205所灌的電流被減少，因此所述第二級204可以操作來較小程度地控制所述放大器112a的線性。因此，所述放大器112a的動態電流偏壓，並且更明確地說所述第一級202以及所述第二級204的動態偏壓可加以實施，以在一獲取期間控制所述放大器112a的功率、雜訊、以及線性特徵。
所述電流源203及205的動態控制可以利用在圖3A中所示的一範例的配置中的一數位控制器330而被達成。所述可變電流源203及205分別可包含兩個或多個可程式化的電流設定。設定的數量越大，則對於藉由所述電流源203及205所灌的電流的控制越大。
所述放大器112a亦可包含一可變的回授阻抗206。在某些實施例中，所述可變的回授阻抗206可以是一可變的RC回授電路。此種可變的RC回授電路的一個例子被描繪在圖3A中，並且相關所述圖來加以敘述。回授阻抗可以決定一跨阻抗放大器(TIA)的一跨阻抗增益，使得一輸入電流信號可被轉換成為一具有變化的振幅的輸出電壓。
從圖2以及先前的說明應該體認到本技術的一實施例可以提供一具有兩個或多個獨立可控制的可變電流源的多級的TIA，其具有一可變的回授阻抗。所述可變電流源可以例如在一獲取期間容許所述TIA的動態電流偏壓。因此，所述放大器的功率消耗、雜訊、以及線性可以在所述獲取期間加以調整。
圖3A是描繪根據本申請案之一非限制性的實施例的圖2的放大器112a的一實施方式的電路圖。所述放大器300具有一輸入302以及一輸出304。如先前相關圖1及2所敘述的，所述輸入302可以耦接至一超音波換能器或是一接收開關，並且可以接收一代表藉由所述超音波換能器接收到的一超音波信號的電性信號。所述輸出304可以提供所述放大器112a的一經放大的輸出信號，並且可以耦接至一平均電路、或是提供所述放大後的輸出信號是所要的其它構件。
所述放大器300包含一第一級306以及一第二級308，其分別可以是圖2的第一級202以及第二級204的實施方式。所述第一級306包含一NMOS電晶體310，其具有一被配置以在所述輸入302接收所述信號的閘極。一PMOS電晶體312以及一PMOS電晶體314可以使得其閘極耦接的，其中所述PMOS電晶體312的汲極耦接至所述NMOS電晶體310的汲極。所述電晶體312的閘極可以耦接至其汲極。所述電晶體312及314亦可被配置以接收一電源電壓VDDA。所述第一級306可以進一步包括一NMOS電晶體316，其具有一被配置以接收由一RC電路提供的一偏壓電壓的閘極。所述RC電路包含兩個具有值R的電阻器、以及與所述兩個電阻器中之一並聯耦接的一電容器Cb ；所述兩個電阻器的另一個可以接收電源電壓VDDA。所述PMOS電晶體314的汲極可以耦接至所述NMOS電晶體316的汲極。一用於R的範例值是50kOhm，並且一用於Cb 的範例值是10pF，儘管用於兩者的替代值是可行的，例如是那些列出的值的+/-20%、或是在此種範圍之內的任何值、或是值的範圍。
所述第二級308包含一PMOS電晶體318，其被配置以接收所述第一級306的輸出。尤其，所述PMOS電晶體318的閘極耦接至一在所述第一級306的電晶體314及316之間的節點。所述PMOS電晶體318的源極接收所述電源電壓VDDA。一可變的阻抗電路320亦被設置在所述第二級308中。所述可變的阻抗電路320包含與一可變電阻器RZ 串聯的一可變電容器CC ，並且因此在此實施例中是一可變的RC電路。當所述放大器300的一增益、或是當可變電流源321、325的電流被改變時，所述可變的阻抗電路320可以提供所述放大器300穩定的操作。因此，所述可變的阻抗電路320可被設置以對於藉由所述可變電流源321及325所灌的所有電流大小，都維持所述放大器300的一穩定的操作。換言之，所述可變電容器CC 以及所述可變電阻器RZ 的值可以在所述放大器300的操作期間被調整，以考量可藉由所述數位控制器330程式化的不同的電流設定。
更明確地說，一可變電流源分別被設置用於所述級306及308的每一個。用於所述第一級306的可變電流源321包含三個並聯連接的電流源322a、322b及322c。所述電流源322a灌一電流IA ，所述電流源322b灌一電流2IA ，並且所述電流源322c灌一電流4IA 。所述電流源322a-322c是藉由個別的開關324a、324b及324c來耦接至所述第一級306，此有效地提供3位元(8個狀態)的電流控制。舉例而言，所述電流IA 可以等於100微安培、或是所述值的+/-20%、或是在此種範圍之內的任何值、或是值的範圍。
用於所述第二級308的可變電流源325包含三個並聯連接的電流源326a、326b及326c。所述電流源326a灌一電流IB ，所述電流源326b灌一電流2IB ，並且所述電流源326c灌一電流4IB 。所述電流源326a-326c是藉由個別的開關328a、328b及328c來耦接至所述第二級308，此有效地提供3位元(8個狀態)的電流控制。舉例而言，所述電流IB 可以等於50微安培、或是所述值的+/-20%、或是在此種範圍之內的任何值、或是值的範圍。
儘管圖3A描繪分別包含三個並聯耦接的電流源的可變電流源，但應該體認到的是，並非本技術的所有特點都受限於此種方式。換言之，可變電流源可以用各種方式而被實施，其包含那些所描繪者的替代方式。例如，比三個更多或較少的電流源可以並聯耦接來產生一可變電流源。再者，所述電流源可具有可以是不同於那些在此所揭露者的大小。任何適當的大小都可被提供，以容許在一所要的電流範圍上的操作。
所述數位控制器330可被配置以控制所述可變電流源321及325的操作。所述數位控制器330可以提供控制信號以(數位地)程式化所述可變電流源321、325的電流。在圖3A的舉例說明的例子中，所述數位控制器330提供一或多個開關信號S1以控制所述開關324a-324c的操作、以及一或多個開關信號S2以控制所述開關328a-328c的操作。以此種方式，藉由所述可變電流源321、325所灌的一電流量可以在所述放大器300的操作期間，例如是在一獲取期間獨立地加以改變。根據一非限制性的例子，所述數位控制器330透過所述開關信號S1及S2的適當的操作，在所述獲取期間減小藉由所述可變電流源325所灌的一電流量，並且在所述獲取期間增加藉由所述可變電流源321所灌的一電流量。
所述數位控制器330可以是任何適當類型的控制器。所述數位控制器330可包含積體電路。在某些實施例中，所述數位控制器330可包含一特殊應用積體電路(ASIC)、或是一ASIC的部分。在某些實施例中，所述數位控制器330可以不是所述放大器300所專用的。例如，所述數位控制器300可被配置以控制圖1的電路的超過一構件，其中的任一個可以是所述放大器112a…112n。
所述放大器300進一步包含藉由一可變電容器Cf 以及一可變電阻器Rf 所形成的一可變的回授阻抗332。所述電容器Cf 以及所述電阻器Rf 可以耦接在所述輸出304以及所述輸入302之間，並且可以彼此並聯地加以配置。所述可變的回授阻抗332可以控制所述放大器300的一增益。因此，所述電容器Cf 以及所述電阻器Rf 的值可被調整以改變所述放大器300的增益。
所述可變的回授阻抗332以及所述可變的阻抗電路320可以用任何適當的方式來加以控制。在一實施例中，所述數位控制器330可以設定回授阻抗的值。然而，替代的控制方式可被利用。
應該體認到的是，相關圖3A所述的構件分組並非限制性的。例如，儘管在該圖中描繪的某些構件被描述為一第一級或是一第二級的部分，但是所述第一及第二級的識別並非限制性的。所述第一及第二級可包含比那些所描繪者更多、較少、或是不同的構件。
圖3B是根據本技術的一非限制性的實施例的圖3A的可變的阻抗電路320的一實施方式的電路圖。所述可變的阻抗電路320包含一些並聯配置的開關340a…340n，並且被配置以接收個別的控制信號SWa…SWn。在某些實施例中，所述數位控制器330可以提供所述控制信號SWa…SWn，儘管替代方式可被利用。所述開關340a…340n的每一個是與一個別的電容器CC 以及一個別的電阻器RZ 串聯耦接。所述可變的阻抗電路320的一阻抗可以在一獲取期間，透過所述控制信號SWa…SWn的適當的提供來加以調整。任意適當數量的平行的信號路徑都可加以設置，因而所舉例的兩個平行的信號路徑的例子並非限制性的。所述開關340a…340n的平行的信號路徑的數量以及在所述信號路徑中設置的電容器CC 及電阻器RZ 的電容及電阻值可被選擇以提供所述可變的回授阻抗332的充分的控制，以獲得所述放大器300橫跨產生自所述可變電流源321、325的變化的一操作情節範圍的可變的操作。例如，針對於藉由可變的回授阻抗332所主導的一給定的放大器增益，可變的阻抗電路320的適當的設定可加以選擇。在某些實施例中，一查看表可被利用以根據藉由所述可變的回授阻抗332設定的一給定的增益來決定所述可變的阻抗電路320的適當的設定。
在圖3A及3B兩者中，CC 以及RZ 的值可被選擇以提供所要的操作特徵。舉例而言，RZ 在某些實施例中可以是等於3kOhms，並且CC 可以是等於300fF。用於兩者的替代值是可行的。例如，它們可以採用在那些列出的值的+/-20%之內的值、或是在此種範圍之內的任何值、或是值的範圍。
圖3C是根據本技術的一非限制性的實施例的圖3A的可變的阻抗電路332的一實施方式的電路圖。所述可變的阻抗電路332包含一些互補開關350a、350b、…350n。所述互補開關350a、350b、…350n接收個別的控制信號SLa、SLb…SLn以及SHa、SHb…SHn。所述控制信號SLa、SLb…SLn以及SHa、SHb…SHn在某些實施例中可以是由所述數位控制器330提供的，儘管替代方式可被利用。所述互補開關350a、350b、…350n被耦接至個別的並聯連接的RC電路Cf 、Rf 。儘管三個互補開關350a、350b、350n被展示在圖3C中，但是任何適當的數量都可被設置以容許充分的控制所述放大器300的增益。
在圖3A及3C兩者中，Cf 以及Rf 的值可被選擇以提供所要的操作特徵。舉例而言，Rf 在某些實施例中可以是等於180kOhms，並且Cf 可以是等於84fF。用於兩者的替代值是可行的。例如，它們可以採用在那些列出的值的+/-20%之內的值、或是在此種範圍之內的任何值、或是值的範圍。
根據本技術的一特點，一替代的兩級的可變電流的TIA被配置以在一第一級中提供一增大的跨阻抗增益、以及針對於一給定的功率消耗提供一降低的雜訊。所述可變電流的TIA可以利用共用一相同電流的輸入N型及P型電晶體(在此被簡稱為“N型”以及“P型”)，其因此導致如上所述的效能特徵。圖3D描繪一非限制性的例子。
更明確地說，圖3D描繪圖3A的放大器300的第一級306的一部分之一替代的電路圖。明確地說，在圖3D中所示的一第一級360是圖3A的第一級306的一替代。所述第一級360包含一包括電晶體362a、362b、362c及362d的放大部分、一包括一電晶體364的本地的回授、一包括電晶體366及368的電流源、以及包含具有一電阻值R的電阻器以及一電容值Cb 的先前敘述的RC電路。
所述第一級360的放大構件可包含兩個N-P電晶體對，其可以更大致被視為成對的相反極性的電晶體。亦即，PMOS電晶體362a以及NMOS電晶體362b形成一第一N-P電晶體對，並且PMOS電晶體362c以及NMOS電晶體362d形成一第二N-P電晶體對。這四個電晶體亦可被稱為具有電流均流的一差動輸入四元組(quad)、或是一輸入四元組(正交)電晶體配置，因為一相同的電流傳導通過所述兩個電晶體對。所述舉例說明的四個電晶體配置亦可被稱為一電流再利用的差動對。由於所述電晶體對傳導和彼此實質相同的電流，因此針對於一給定的電流消耗，所述第一級360的雜訊相較於在圖3A中的第一級306的配置可被降低一半。或者是，針對於一給定的雜訊位準，所述第一級360可以消耗所述第一級306所消耗的功率的大約一半。
如同所繪的，一輸入信號InN被輸入到所述電晶體362a及362b的控制端子(例如，閘極)。所述電晶體362c及362d的控制端子(例如，閘極)藉由所述舉例說明的RC網路而被偏壓。換言之，所述電晶體362a及362b接收一相同的輸入信號，並且所述電晶體362c及362d接收一相同的輸入信號(一偏壓信號)。以此種方式配置所述電晶體362a-362d表示一給定的電晶體對的N型及P型電晶體都接收一相同的輸入信號。
如同在圖3A中，所述第一級360的一經放大的輸出信號Vamp 可被提供至所述PMOS電晶體318的一閘極以及所述可變的阻抗電路320。
如上所述，所述第一級360包含一電流源，其包括電晶體366及368。所述舉例說明的電流源代表一可變電流源的一個例子。然而，一被建構成如同圖3A的可變電流源321、325的任一個的可變電流源可以替代地加以實施。換言之，多個可切換的電流源可以用在圖3A中所示的針對於電流源322a、322b及322c的方式來耦接在一起，並且使用作為圖3D的可變電流源，以取代所述電晶體366、368。
如上所述，所述第一級360亦包含具有所述電晶體364的形式的本地的回授。在所描繪的非限制性的例子中，所述電晶體364是一PMOS電晶體。所述本地的回授是操作以確保通過所述兩個N-P電晶體對的電流是實質相等的。理論上，所述本地的回授對於此種功能而言並非必要的，但實際上在所述兩個N-P電晶體對的電晶體362a-362d之間的製造差異可能會導致不相等的電流通過那些N-P電晶體對。所述本地的回授是操作來校正該特性。
所述第一級360可以用和所述第一級306相同的方式，和圖3A的其它電路構件一起加以利用。
大致而言，如同圖3A的放大器300，在圖3D的第一級360中的電晶體362a-362d的極性可以反過來。換言之，所述PMOS電晶體可以反過來是NMOS電晶體，並且反之亦然。此種極性反過來的第一級的操作將會和所述第一級360的操作實質相同的。因此，應該體認到的是，在此所描繪及敘述的放大器並不限於一特定極性的電晶體，並且其中一給定電路的電晶體極性可以反過來的一種“反過來的”極性配置被思及為本揭露內容的部分。
圖4是描繪一可變電流的放大器的兩個可變電流源在一獲取期間的特性的圖，所述可變電流的放大器是如同可藉由圖2及3A的放大器而被實施的，其同樣可以是TIA。例如，所述舉例說明的特性可以藉由圖2的可變電流源203及205來實施。x軸是代表在一獲取期間的時間，範圍從t0到t8。y軸是代表所述電流源的一電流，其具有範圍從I0到I7的值。t0-t8以及I0-I7的值可以是用於一給定的超音波系統的操作之任何適當的值，因為在此所述的各種特點並不限於任何特定的時間或電流值的實施方式。再者，在一獲取期間的時間間隔數量並非限制性的，因為更多或較少都可被實施。可被實施的電流值數量並非限制性的，因為更多或較少都可被實施。
曲線402是代表一可變電流的放大器的一第二級的一可變電流源的一電流。因此，所述曲線402可以代表圖2的電流源205的一電流。曲線404是代表所述可變電流的放大器的一第一級的一可變電流源的一電流。因此，所述曲線404可以代表圖2的電流源203的一電流。
圖4是描繪所述可變電流的放大器的第一及第二級的電流在所述獲取期間是在相反的方向上移動。換言之，所述曲線402從時間t0移動到時間t8是減小的，而所述曲線404在相同的時間跨度期間是增加的。如先前相關圖2所述的，所述可變電流的放大器的第一及第二級可以影響所述可變電流的放大器的不同的操作特徵，例如是雜訊及線性。因此，當以在圖4中描繪的方式操作時，所述可變電流的放大器的兩個級的影響可以在所述獲取期間變化。換言之，所述第二級的影響從最初到時間t4可以是較大的，而所述第一級的影響之後從時間t4到時間t8可以是較大的。
如先前相關圖3A所述的，被用來實施一可變電流的放大器的一個兩級的放大器(例如，一個兩級的運算放大器)的兩個級的電流可以藉由數位碼來控制。因此，圖4的電流值I0-I7可以對應於藉由一數位控制器，例如是圖3A的數位控制器330所設定的不同的數位碼。
儘管圖4是描繪在所述放大器的第一及第二級中的電流同時切換，但並非所有的實施例都在此方面受到限制。例如，在所述第二級中的電流可以在時間上與在所述第一級中的電流被調整所在的那些時間偏移地被調整。同樣地，所述兩個級的電流在一獲取期間並不需要被調整相同的次數。
如先前所述，本申請案的一特點提供具有一可變電流源的一放大器，所述可變電流源在一獲取期間被控制來調整所述放大器的雜訊。圖5是描繪此種操作的一個例子。
在圖5中，藉由一超音波換能器輸出的一電性信號502的電壓，並且因此其代表一偵測到的超音波信號是被描繪為時間的一函數。虛線504代表一被用來放大所述電性信號502的放大器的一雜訊基底，並且可以對應於一具有在此所述類型的放大器(例如放大器112a)的一雜訊基底。可看出的是在所述獲取期間，所述電性信號的大小減小。同樣地，所述放大器的雜訊基底被降低。此種在所述雜訊基底上的減小可以藉由用在此先前敘述的方式來控制所述放大器的一可變電流源所灌的電流而被達成。例如，參照圖2，所述可變電流源203可以在所述獲取期間被增大，以減小所述放大器112a的雜訊基底。所述雜訊基底可被調整到提供一可接受的信號雜訊比(SNR)的一位準。
圖5亦描繪一固定的雜訊基底506。可看出的是儘管所述固定的雜訊基底506隨著虛線504朝向所述獲取期間的結束都是在相同的位準，但所述固定的雜訊基底506直到該點都是低於所述虛線504的值。如同已經在此所述的，一放大器的雜訊位準可以是根據由放大器所消耗的電流而定；在此種情況中應該體認到的是，在所述固定的雜訊基底506下操作需要比根據所述雜訊基底504來操作顯著更大的電流(以及因此的功率)。因此，相較於在一固定的雜訊位準下操作的放大器，本申請案的特點使得一可變電流的放大器能夠在相當大的功率節省下放大超音波信號。
功率節省的量可以是顯著的。例如，在所述電路100中，所述放大器112a…112n可能消耗一顯著的功率量。在某些實施例中，所述放大器112a…112n可能比所述電路100的任何其它構件消耗更大的功率。於是，降低所述放大器112a…112n的功率消耗可以在由所述電路100消耗的功率上提供一顯著的縮減。在某些實施例中，利用具有在此所述類型的可變電流的放大器就所述放大器的操作而論可以提供高達一25%的功率縮減、高達一40%的功率縮減、高達一50%的功率縮減、或是在此種範圍之內的任何範圍或值。對於所述電路100所產生的功率縮減可以是高達10%、高達20%、高達25%、或是在此種範圍之內的任何範圍或值。
至此已經敘述此申請案的技術的數個特點及實施例，所體認到的是各種的改變、修改、以及改良都將會被該項技術中具有通常技能者輕易地思及。此種改變、修改、以及改良係欲在本申請案中所述技術的精神及範疇之內。因此，將理解到的是先前的實施例只是藉由舉例來加以提出而已，並且在所附的申請專利範圍及其等同者的範疇之內，本發明的實施例可以與明確所述者不同地加以實施。
舉例而言，在此所述的某些實施例已經聚焦在兩級的放大器。然而，在此所述的技術可以應用到具有兩級或多級之多級的放大器。當超過兩級被使用時，所述第一級可以主要控制所述放大器的雜訊，而最後一級可以主要控制所述放大器的線性。
如先前所述，某些特點可以被體現為一或多種方法。被執行作為所述方法的部分的動作可以用任何適當的方式來加以排序。於是，其中動作是以一不同於所描繪的順序來加以執行的實施例可加以建構，其可包含同時執行某些動作，即使所述動作在舉例說明的實施例中是被展示為依序的動作。
如同在此所界定及使用的所有定義都應該被理解為優於字典的定義、在被納入作為參考的文件中的定義、及/或所定義的術語之普通的意義。
如同在此的說明書中以及在申請專利範圍中所用的措辭"及/或"應該被理解為表示該些因此聯合的元件的"任一或是兩者"，亦即元件在某些情形中是結合地存在，而在其它情形中則是分離地存在。
如同在此的說明書中以及在申請專利範圍中所用的，關於一或多個元件的一表列的措辭"至少一個"應該被理解為表示至少一選自所述表列的元件中的任一個或多個元件之元件，但是不一定包含明確地被表列在所述表列的元件內的每一個元件的至少一個，而且並不排除在所述表列的元件中之元件的任意組合。
如同在此所用的，除非另有指出，否則用在一數字的背景的術語"介於…之間"是含括性的。例如，除非另有指出，否則"介於A與B之間"是包含A及B。
在該申請專利範圍中、以及在以上的說明書中，例如是"包括"、"包含"、"載有"、"具有"、"內含"、"涉及"、"保有"、"由…所構成"與類似者的所有連接的措辭欲被理解為開放式的，亦即表示包含但不限於。只有所述連接的措辭"由…所組成"以及"實質由…所組成"分別應該是封閉式或半封閉式的連接的措辭。
100:電路 102、102a…102n:超音波換能器 104a…104n:電路通道 106a…106n:發送解碼器 108a…108n:脈衝產生器 110a…110n:接收開關 112a…112n:放大器 114:平均電路 116:自動歸零的區塊 118:可程式化的增益放大器 120:衰減器 122:固定的增益放大器 124:ADC驅動器 125a:第一ADC驅動器 125b:第二ADC驅動器 126:ADC 128a:第一基板 128b:第二基板 202:第一級 203:可變電流源 204:第二級 205:可變電流源 206:可變的回授阻抗 300:放大器 302:輸入 304:輸出 306:第一級 308:第二級 310:NMOS電晶體 312:PMOS電晶體 314:PMOS電晶體 316:NMOS電晶體 318:PMOS電晶體 320:可變的阻抗電路 321:可變電流源 322a、322b、322c:電流源 324a、324b、324c:開關 325:可變電流源 326a、326b、326c:電流源 328a、328b、328c:開關 330:數位控制器 332:可變的回授阻抗 340a…340n:開關 350a、350b、…350n:互補開關 360:第一級 362a、362b、362c、362d:電晶體 364:電晶體 366:電晶體 368:電晶體 402:曲線 404:曲線 502:電性信號 504:雜訊基底 506:固定的雜訊基底
本申請案的各種特點及實施例將會參考以下的圖來加以描述。應該體認到的是，所述圖並不一定按照比例繪製。出現在多個圖中的項目是在它們出現的所有圖中都藉由相同的元件符號來加以指出。
圖1是根據本申請案之一非限制性的實施例的一超音波裝置的方塊圖，其包含用於放大一超音波信號的一放大器。
圖2是根據本申請案之一非限制性的實施例的更加詳細地展示圖1的放大器的方塊圖。
圖3A是描繪根據本申請案之一非限制性的實施例的圖2的放大器的一實施方式的電路圖。
圖3B是根據本申請案之一非限制性的實施例的圖3A的一可變的阻抗電路的一實施方式的電路圖。
圖3C是根據本申請案之一非限制性的實施例的圖3A的另一可變的阻抗電路的一實施方式的電路圖。
圖3D是圖3A的放大器的一部分之一替代的電路圖。
圖4是描繪根據本申請案之一非限制性的實施例的如同可以藉由圖2及3A的放大器來實施的一放大器的兩個可變電流源在一獲取期間的一特性的圖。
圖5是描繪根據本申請案之一非限制性的實施例的代表一超音波信號的一電性信號、以及一放大器在一獲取期間的一雜訊基底的圖。
300:放大器
302:輸入
304:輸出
306:第一級
308:第二級
310:NMOS電晶體
312:PMOS電晶體
314:PMOS電晶體
316:NMOS電晶體
318:PMOS電晶體
320:可變的阻抗電路
321:可變電流源
322a、322b、322c:電流源
324a、324b、324c:開關
325:可變電流源
326a、326b、326c:電流源
328a、328b、328c:開關
330:數位控制器
332:可變的回授阻抗

Claims (20)

  1. 一種超音波設備，其包括： 可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，其被配置以接收及放大來自超音波感測器的輸出信號，所述可變電流的TIA包括可變電流源以及包括兩對N-P電晶體的差動輸入級。
  2. 如請求項1所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA是具有第一級以及第二級的兩級的運算放大器，其中所述第一級包括所述差動輸入級，並且其中所述可變電流源包含耦接至所述第一級的第一可變電流源以及耦接至所述第二級的第二可變電流源。
  3. 如請求項2所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是獨立可控制的。
  4. 如請求項2所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是數位可程式化的。
  5. 如請求項2所述之超音波設備，其中所述第一級被配置以從所述超音波感測器接收所述輸出信號，並且所述第二級被配置以提供所述可變電流的TIA的輸出信號。
  6. 如請求項2所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA進一步包括可變的回授RC電路，其耦接在所述可變電流的TIA的輸出端子以及代表所述第二級的輸入的節點之間。
  7. 如請求項1所述之超音波設備，其進一步包括耦接至所述可變電流源並且配置以控制通過所述可變電流源的電流量的控制電路。
  8. 如請求項1所述之超音波設備，其進一步包括所述超音波感測器，其中所述超音波感測器以及所述可變電流的TIA被單體整合在一半導體晶片上。
  9. 如請求項1所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA是具有第一級以及最後一級的多級的運算放大器，並且其中所述可變電流源包含耦接至所述第一級的第一可變電流源以及耦接至所述最後一級的第二可變電流源。
  10. 如請求項1所述之超音波設備，其中所述差動輸入級包括本地的回授電路，其被配置以維持實質相等的電流通過所述兩對N-P電晶體。
  11. 一種超音波設備，其包括： 超音波感測器； 可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，其耦接至所述超音波感測器並且被配置以接收及放大來自所述超音波感測器的輸出信號，所述可變電流的TIA包括可變電流源，其包含被配置以共用電流的輸入正交電晶體配置。
  12. 如請求項11所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA包括本地的回授電路，其被配置以維持實質相等的電流通過所述輸入正交電晶體配置。
  13. 如請求項11所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA是包括第一級以及第二級的兩級的運算放大器，其中所述第一級包括所述被配置以共用電流的輸入正交電晶體配置，並且其中所述可變電流源包含耦接至所述第一級的第一可變電流源以及耦接至所述第二級的第二可變電流源。
  14. 如請求項13所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是獨立可控制的。
  15. 如請求項13所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是數位可程式化的。
  16. 一種超音波設備，其包括： 超音波感測器； 可變電流的跨阻抗放大器(TIA)，其耦接至所述超音波感測器並且被配置以從所述超音波感測器接收及放大代表輸出信號的電性信號，所述可變電流的TIA包括輸入級，其包含分別具有被配置以接收所述電性信號的控制端子的第一對N及P電晶體、以及分別具有被配置以接收偏壓信號的控制端子的第二對N及P電晶體。
  17. 如請求項16所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA包括本地的回授電路，其被配置以維持實質相等的電流通過所述第一及第二對的N及P電晶體。
  18. 如請求項16所述之超音波設備，其中所述可變電流的TIA是包括第一級以及第二級的兩級的運算放大器，其中所述第一級包括所述第一及第二對的N及P電晶體，並且其中所述可變電流源包含耦接至所述第一級的第一可變電流源以及耦接至所述第二級的第二可變電流源。
  19. 如請求項18所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是獨立可控制的。
  20. 如請求項18所述之超音波設備，其中所述第一及第二可變電流源是數位可程式化的。
TW108140577A 2018-11-09 2019-11-08 用於超音波裝置的跨阻抗放大器（tia） TW202034624A (zh)

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