JP2015509304A5

JP2015509304A5 -

Info

Publication number: JP2015509304A5
Application number: JP2014548280A
Authority: JP
Filing date: 2012-12-13
Publication date: 2016-01-28
Anticipated expiration: 2032-12-13

Claims

超音波トランスデューサデバイスであって、
超音波を送信及び／又は受信する少なくとも１つのｃＭＵＴセルであって、セルメンブレン及び前記セルメンブレンの下のキャビティを含む、ｃＭＵＴセルと、
第１の側面及び第２の側面を持つ基板であって、前記少なくとも１つのｃＭＵＴセルが、前記基板の前記第１の側面に構成される、基板とを有し、
前記基板が、
単一の層として形成される基板基層と、
前記基板側面に直交する方向において前記基板基層に延在する複数の隣接する溝であって、スペーサが、隣接する溝の間にそれぞれ形成される、複数の溝と、
前記溝を接続し、かつ前記基板側面に平行な方向において延在する接続キャビティであって、前記溝及び前記接続キャビティが、前記基板において基板キャビティを形成し、前記接続キャビティが、全体的に前記基板基層内に形成される、接続キャビティと、
前記基板キャビティを覆う基板メンブレンとを備え、
前記基板キャビティが、前記ｃＭＵＴセルの下の前記基板の領域に位置する、超音波トランスデューサデバイス。
前記基板キャビティが、前記ｃＭＵＴセルの前記セルメンブレンの下の、少なくとも前記基板の全体の領域に位置する、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記基板キャビティが、大気圧力より下の圧力を持つ、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記基板キャビティが、１０ｍＢａｒ以下の圧力を持つ、請求項３に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記基板メンブレンが、前記基板キャビティにわたり配置される非コンフォーマルに堆積される層を有する、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記基板メンブレンが、高密度物質で作られる高密度層を有する、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記高密度層が、前記超音波の送信の間、前記ｃＭＵＴセルにより発展される音響圧力に実質的に対抗する慣性力を提供するのに十分な質量を持つ、請求項６に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記セルメンブレンが、高密度物質で作られる高密度層を有する、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記高密度物質が、タングステン、金又はプラチナである、又はこれらのいずれかを有する、請求項６又は請求項８に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記高密度層が、前記基板側面に直交する方向において前記高密度層に延在する複数の隣接する溝を有する、請求項６又は請求項８に記載の超音波トランスデューサデバイス。
前記基板に対してそれぞれ取り付けられる複数のｃＭＵＴセルを有し、基板キャビティが、ｃＭＵＴセルの下の前記基板の各領域に位置する、請求項１に記載の超音波トランスデューサデバイス。
超音波トランスデューサデバイスを製造する方法において、
第１の側面及び第２の側面を持ち、単一の層として形成される基板基層を持つ基板を提供するステップと、
前記基板側面に直交する方向において前記基板基層に延在する複数の隣接する溝を形成するステップであって、スペーサが、隣接する溝の間でそれぞれ形成される、ステップと、
全体的に前記基板基層内に接続キャビティを形成するステップであって、前記接続キャビティが、前記溝を接続し、かつ前記基板側面に平行な方向において延在し、前記溝及び前記接続キャビティが、前記基板において基板キャビティを形成する、ステップと、
前記基板キャビティを覆う基板メンブレンを構成するステップと、
前記基板の前記第１の側面に少なくとも１つのｃＭＵＴセルを構成するステップとを有し、
前記基板キャビティが、前記ｃＭＵＴセルの下の前記基板の領域に位置する、方法。
前記複数の隣接する溝が、異方性のエッチングを用いて形成される、請求項１２に記載の方法。
前記接続キャビティが、等方性エッチングを用いて形成される。請求項１２に記載の方法。