JP2009260166A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 貫通孔を有する絶縁膜と、
   前記貫通孔の内壁面に付着するように設けられた有底筒状の領域を有した薄膜と、
   前記薄膜の一面に接すように設けられた補強膜と、
   前記補強膜との間に接着層が介在するように設けられた基板と、
   を備えていることを特徴とする薄膜素子。
2. 前記薄膜は、薄膜トランジスタにおけるソース電極とドレイン電極の何れか一方に接続された画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜素子。
3. 前記薄膜は、前記絶縁膜の一部が該薄膜から露出するように設けられ、
   前記補強膜は、前記薄膜から露出する領域における前記絶縁膜の一部の領域に対しても接すように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜素子。
4. 前記絶縁膜は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上層側に成膜された第２の絶縁層と、を有し、
   前記薄膜トランジスタは、ゲート電極が前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間の層として設けられているとともに、前記第２の絶縁層がゲート絶縁膜とされていることを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜素子。
5. 前記補強膜は、前記有底筒状の領域に対応する領域おいて該筒の内部側に位置するように設けられていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の薄膜素子。
6. 前記薄膜は、前記有底筒状の領域において該筒の底部が前記貫通孔から前記絶縁膜の厚み方向に突出していることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の薄膜素子。
7. 仮基板上に分離層を成膜する工程と、
   前記分離層上に絶縁膜を成膜する工程と、
   前記絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔の内壁面に付着することで前記貫通孔に対応する領域が有底筒状になるように薄膜を成膜する工程と、
   前記薄膜における有底筒状の領域及び前記絶縁膜における前記薄膜から露出する領域を覆うように補強膜を設ける工程と、
   前記補強膜上に接着層を介して基板を接着する工程と、
   前記仮基板および前記分離層を除去する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜素子の製造方法。