JP2010087573A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. リッドと、励振電極が形成された圧電振動片と前記励振電極から引き出された引出電極とを含む圧電プレートと、スルーホールを有するベースとが接合された圧電デバイスにおいて、
   前記ベースは、
   前記圧電プレート側で前記引出電極と接続される接続電極と、
   前記接続電極に導通し前記スルーホールに形成されたスルーホール電極と、
   前記スルーホール電極に導通し、前記圧電プレートの反対面に形成された第１外部電極層と、
   前記スルーホール電極を封止する封止材と、
   前記第１外部電極層と前記封止材とを覆うように形成された第２外部電極層と、
   を備えることを特徴とする圧電デバイス。
2. 前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層は第１下地層と第１上面層とからなり、前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層の第１下地層は同時に形成され、前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層の第１上面層も同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記ベースの前記圧電プレートの反対面は算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上になっており、その反対面に前記第１外部電極層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
4. 前記第１外部電極層が形成される領域に、前記ベース外周に向かってテーパ面が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
5. 前記第１外部電極層は、第１下地層とその上に形成された第１上面層とからなり、
   前記第２外部電極層は、第２下地層とその上に形成された第２上面層とからなる請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
6. 前記第１下地層と前記第２下地層とは同じ材料からなり、
   前記第１上面層と前記第２上面層とは同じ材料からなる５に記載の圧電デバイス。
7. 前記第２外部電極層は、前記第２上面層の上に、第３下地層とその上に形成された第３上面層とが形成されている請求項５又は請求項６に記載の圧電デバイス。
8. 前記第１下地層と前記第２下地層と前記第３下地層とは同じ材料からなり、
   前記第１上面層と前記第２上面層と前記第３上面層とは同じ材料からなる７に記載の圧電デバイス。
9. 前記圧電振動片は、ＡＴ振動片、弾性表面波片又は音叉型水晶振動片であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
10. リッドと、励振電極が形成された圧電振動片と前記励振電極から引き出された引出電極とを含む圧電プレートと、スルーホールを有するベースとが接合された圧電デバイスの製造方法において、
    前記ベースの圧電プレート側の接続電極と、前記接続電極に導通し前記スルーホールに形成されたスルーホール電極と、前記スルーホール電極に導通し前記圧電プレートの反対面に形成された第１外部電極層とを形成する第１電極形成工程と、
    前記スルーホール電極を封止材で封止する封止工程と、
    前記第１外部電極層と前記封止材とを覆うように第２外部電極層を形成する第２電極形成工程と、
    を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
11. 前記第１電極形成工程は、第１下地層を形成しその上に第１上面層を形成し、前記第２電極形成工程は、第２下地層を形成しその上に第２上面層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の圧電デバイスの製造方法。
12. 前記第１電極形成工程の前に、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上に前記ベースの前記圧電プレートの反対面を形成する粗面化工程を備えることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の圧電デバイスの製造方法。
13. 前記粗面化工程の前に、前記第１外部電極層が形成される領域に、前記ベース外周に向かってテーパ面を形成することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。