TW201014156A - Piezoelectric device and method for manufacturing same - Google Patents

Description

201014156 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關將壓電振動片配置於封裝體内之 壓電裝置之製造方法。 【先前技術】 壓電振動器（Piezoelectric vibrator)及壓 電振i 器（piezoelectric 〇scillat〇r)等壓電裝 ❿置廣泛用於小型資訊機器及攜帶式電話、或移動體 通信機器及壓電陀螺儀（piezoelectric gyroscope)等中。隨著資訊機器及移動體通信機器 等之小型輕量化及高頻化，用於此等機器之壓電裝 置等亦要求作出進一步小型輕量化及高頻化的回 應。 .過去，壓電裝置係將壓電振動片 (PleZ〇electric vibrating reed)裝載於重疊了 金屬玻璃或陶瓷製蓋（lid)、與玻璃或陶瓷製封 裝構件而接5之封裝體内。於封褒體之底部設置表 面、、’虞用外#電極。外部電極層係於基底金屬層形 成Cl*、N或Tl層，並形成Au層或Ag層作為表面層。

Cr雖與破璃密貼，卻由於其係不適於表面組裝 時之焊接之金屬’因此，於Cr表面形成與^ (絡） 接合而屬於可焊接之金屬之Au。使用Cr/Au、

Cr/N!、Nl/Au、Ti/Au& W/Au等作為雙層膜，並使 201014156 用Cr/Ni/Pd及Cr/Ni/Au作為積層膜。此種壓電裝 置已知例如記载於專利文獻一。 使用此種玻璃或陶瓷封裝體所製造之壓電裝置 係以晶圓單位製造，其因自壓電晶圓切離各個壓電 裝置之際施加之力量而於外部電極與封裝體底部之 間發生剝離，例如無法獲得安裝壓電裝置於組裝基 板之際的強度。更因焊接組裝後之零件修正或重新 裝載（re-balling)時之焊接密貼性不充份，而有 電極部剝離之虞。 因此’專利文獻二揭示將封裝體底部粗面化， 藉固疋效果使外部電極與封裝體底部之間難以發生 剝離之技術。 【專利文獻一】日本專利特開2006-197278號 公報 【專利文獻二】日本專利特開2007-300460號 公報 然而，這些都不是於封襞體底部形成通孔之壓 電裝置。為提高壓電裝置之量產性，登場的是在大 氣中將蓋晶圓（lid wafer)及底部晶圓（base wafer) 接合於具有壓電振動子之壓電框晶圓之後，於真空 或惰性氣體中以密封材密封通孔之壓電裝置。此種 具有通孔之壓電裝置，密封材佔了稱為基腳圖案 (foot pattern )等之外部電極之一部分。密封材 雖使用含金（Au )之合金，導通情形卻較金（Au ) 201014156 於組裝基板之際’充份接合亦 本身更差’且在烊接 有困難。 發明内容】 因此，本發明之目的在於以矽氧烷鍵結合蓋晶 圓（lid waf er )、且古廠兩把u 〃有壓電振盛片之壓電框之晶圓 參 ❹ ^有通孔之底部晶圓（base他小形成封震 。此後’於真空或惰性氣體中以密封材密封通孔。 於密封後’形成外部電極層以覆蓋密封材，_此， 提供焊接之接合良好、導通亦佳之壓電裝置。 之壓電震置係結合以下構件者：一 ΐ十反’其包含形成有激發電極之壓電振盪 =刖述激發電極引出之引出電極;及一基； :…、t通孔。接著，前述基座具備：連接電極，其 2 側與前述引出電極連接；通孔電 極，其係導通至前述連 札冤 第一外部電極層，其係導通至前述通孔； 占於俞，七两 則述通孔電極，且形 成於則述壓電板之相反面； 前述通孔電極；以及第二外其：用：：封 述第一外邱雷# s 層’其係覆蓋前 这弟夕卜Μ極層及前述密封材而形成。 由於外部電極層為密封材费 電裝置焊接於組裝基板等之^ ’ ®此’在屢 極層牢牢固定及導通。’、可確保第二外部電 201014156 第二觀點之壓電裝置，，連接 及第-外部電極層係由第第、通孔電極 成，連接電極、通孔電極及第二：第-上面層構 電極層之第一上面：：電極、通孔電極及第-外部 θ又弟上面層亦同時形成。 由於第一底層或第一 屢電裝置之製造容易。 °時形成，因此，

第三觀點之愿㈣置係前述基座之前述屢以 之相反面係成為算術平均粗度Ra在〇· 1/Wm以上 於其相反面形成前述第-外部電極^。 算術平均粗度Ra在〇. 1 # m以上，則第一外部 電極層不會剝離。因此，即使在組裝壓電裝置於组 裝基板後須卸下壓電裝置，仍可再度組裝此壓電裝 置。 第四觀點之壓電裝置係於形成第一外部電極層 之區域，朝向基座外周形成錐面。 若形成錐面，即可在壓電裝置焊接於組裝基板 之際充份獲得壓電裝置之焊接固裝強度，又容易在 壓電裝置組装於組裝基板之際確認焊接。 第五觀點之壓電裝置之製造方法係用以製造接 合有以下構件之壓電裝置：一蓋；一壓電板，其包 含形成有激發電極之壓電振盪片及自前述激發電極 201014156 引出之引出電極；及—其 甘曰士 方法孫n 基座，其具有通孔。該製造 :成下步驟：第一電極形成步驟，係用以 連 座Γ壓電板侧之連接電極、導通至前述 極而形成於前述通孔之通孔電極、以及導通

一：逑通孔電極而形成於前述壓電板之相反面之第 卜部電極層；密封步驟’係以密封材密封前述通 虽：以二第二電極形成步驟，係形成第二外部 “亟層以覆盍前述第一外部電極層及前述密封材。 在第冑極形成步驟所形成之通孔電極以密封 ^封之後’於第二電極形成步驟進行形成用以覆 雀封材之第二電極之步驟。因此，可確保第二外 部電極層牢牢固定及導通。 於第五觀點之壓電裝置之製造方法中，第六觀 點之第一電極形成步驟係形成第一底層，並於其上 形成第一上面層，第二電極形成步驟係形成第二底 層’並於其上形成第二上面層。 於第五觀點之壓電裝置之製造方法中，第七觀 點之壓電裝置之製造方法係於第一電極形成步驟之 前具備粗面化步驟，其係使基座之壓電板之相反面 形成算術平均粗度Ra在〇. 1 # m以上。 右基座之壓電板之相反面粗面化，第一外部電 極層即不會剝離。 7 201014156 於第五觀點之壓電裝置之製造方法中，第八觀 點之壓電裝置之製造方法係於粗面化步驟之前，在 形成第一外部電極層之區域，朝向基座外周形 面。 藉由形成錐面，可在壓電裝置焊接於組襄基板 之際充份獲得壓電裝置之焊接固裝強度。 本發明之壓電裝置係可重新裝載之表面組裝型 壓電裳置，可複數次進行壓電裝置之卸除，在攜帶 型資訊機器等電子機器之開發階段，壓電裝置之試 用，得备易。又，藉由外部電極成為多層膜構成=， 可薄化每一層金屬膜’藉由縮短製膜時間，可抑制 f膜時的溫度上昇’抑制於高溫製膜時所發生之稱 = =:°Ck)之異常突起的發生，可在焊接組 零件t正或重新裝載時獲得焊接之密貼性， :供卜邛電極與封裝體底部間難以剝離之壓電裝 【實施方式】 〈第一實施形態；第-堡電裳置_之構成> 第一圖顯示本實施例之具備音 30之第—壓電裝置100之概略圖； 白其β/ίΛ 第一圖（a)炎 基部側觀看分割狀態之第-塵㈣ _°第~圖⑴係第1⑷之^ 201014156 剖面圖。 如第一圖（a)所示，第一壓電裝置1〇〇由基座 40'水晶框20及蓋10構成。蓋1〇及基座4〇由水 晶材料形成。水晶框20具有藉由蝕刻形成之音叉型 水晶振盪片3 〇。 第一壓電裝置1 〇〇以具備音又型水晶振盪片3〇 之水晶框20為中心，蓋1〇接合於水晶框2〇之下， © 基座40結合於水晶框20上，形成封裝體80。亦即， 作成盍ίο以矽氧烷鍵（Si_0_Si)結合於水晶框2〇、 基座40以石夕氧烧鍵（Si —s丨）結合於水晶框2 〇之 構成。蓋10於水晶框20側之單面具有蓋用凹部17。 水晶框20於其中央部具有所謂音叉型水晶振 盪片30，並於外側具有外框部21，於音又型水晶振 盪片30與外框部21之間形成空隙部22。音叉型水 ❹晶振盪片30具備圍繞基部32及振盪臂31之外框部 21。限定音叉型水晶振盪片3〇之外形之空隙部 係藉由水晶蝕刻形成。音叉型水晶振盪片3〇具有基 部32及自基部32伸出之一對振盪臂31。音又型水 晶振盪片30與外框部21之厚度相同。 如第一圖（a)、（b)所示，音叉型水晶振盪片 30於第一主面及第二主面形成第一激發電極 (exciting electrodes) 35 及第二激發電極 36(未 圖示），第一激發電極35與形成於基部32及外框部 201014156 21 之第—引出電極（leading electrodes ) 33 連接， 第一激發電極36與形成於基部32及外框部21之第 一引出電極34連接。又，於水晶振盪片30之振盪 臂31前端’形成錘部37及錘部38 (未圖示）。第 引出電極33和第二引出電極34、以及第一激發 電極35和第二激發電極36、以及錘部37和錘部38 同時藉由光刻製程製成。一對其等施加電壓，則水 晶振盪片30即以預定頻率振盪。錘部37及錘部38 係用以使水晶振盪片3〇之振盪臂3丨易於振盪的 鍾’且其等係為了頻率調整而設。 基座40於水晶框20側之單面具有基座用凹部 47。基座4〇具備朝向水晶框2〇側之相反面外周之 錐面45。基座40形成有通孔TH、第一連接電極42、 第二連接電極44以及由兩層構成之第一外部電極 5〇 ’於通孔TH形成有通孔配線15。關於基座4〇， 利用第二圖留待後述。 第壓電裝置在藉由矽氧烷鍵結合而形成 封裝體80之後，配置密封材7〇於朝上之通孔TH， 藉由於真空回熔爐，在既定溫度下加熱一定時間， 密封材70熔融而進行密封。密封材7〇係由共晶金 屬之金鍺（Aul2Ge)合金、金矽（Au3. 15Si)合金 以及金錫（Au20Sn)合金之—種所形成。 201014156 如第圖（a)、⑴所示，通孔τ 封裝體8〇,係形成由兩層構成 =封之 以覆蓋第-外部電極50及密封材'〇,卜::广 由四層構成之外部電極層之第-壓電裝置;:。具備 於第-圖中雖將第一壓電裝置1〇 品來描緣’惟實際上為了大量生產，於屡電晶：製 參

Si::藉第由切割步驟而單片化作為二Ϊ rr及第二外部電極層-係在藉=二:： 塗電曰曰圓切離成各個第一壓電裝i 1〇〇之際，尤 因此時所施加的力量使第一外部電極層5〇丁、會 外部電極層50a自封裝體之底部6〇剝離 二 成電性可靠性高的第—壓電裝置i 〇〇。 形 (基座40之構成） 第二圖U)係基座40之俯視圖，（b 之部分放大B-B剖面圖。 “ U) 第一基座40由Z切割之氽曰似； 及⑴所示，為了不^又型:^易第二圖… 於水晶框20側之單面且有μ3〇連接’ 干两舟有基座用凹部47。糞产 係於基座用㈣47之周圍全體形成梯級部V。4: 此梯級部49之-部分形成第一連接電極42於 連接電極44。第-連接電極42及第二連接電二 之高度為2〇〇埃（人）〜_埃（人），若不設_2 201014156 邛49，在第一基座4〇之外周部與水晶框別之外框 部21以矽氧烷鍵（Si-0-Si)結合之際，會造成妨 礙。梯級部49形成15〇埃（A)〜2_埃（A)之深 度0 基座40藉由濕蝕等在梯級部49形成貫通基座 4〇底面之通孔TH°於通孔TH設置有通孔配線15。 於梯級部49之—部分形成與通孔TH連接之第一連 接電極42及第二連接電極44。然後，第—連接電 參 f/2及第二連接電極44通過通孔TH之通孔配線 與》又於基座40之第—外部電極層5()電性連接。 又，於基座40之底部6〇具備朝基座4〇外周之 2面45。基座40之底部6〇被施以表面粗面化， 异術平均粗度Ra在0.1/zm以上。於基座4〇之底部 形成有第一外部電極層5〇。第一 - 參 :二連接電極“、通孔配線15以及第一外部= 1 50係構成為兩層，藉由減鑛或真空蒸 =鉻之第-金屬…金層之第二金屬成 ，座40之底部60之表面粗面化使第一外部電極岸 =易剝離。藉由於基座4〇之周邊部設置錐面‘ 使侍表面組裝時的焊接容易進行，藉由 接固裝強度，使之不易受到來自外部衝擊的影 表面粗面化之方法有：使用氟酸之濕蝕方法、 使用礬土磨粒之喷砂方法、❹四氟化碳之電㈣ 12 201014156 刻方法、及使用離子化氬之離子銑削法等。本實施 例採取使用礬土磨粒之喷砂方法。藉由對基座4〇之 底部60施以表面粗面化，可形成膜密貼性提高，膜 不會剝離之封裝體。 第三圖係藉由到痕試驗，對表面粗面化之算術 平均粗度Ra之電極臈確認其剥離狀態的表。

刮痕試驗法係將具有—定㈣待之金剛石壓 件壓抵於第一外部電極層5〇, 一面使該壓抵之負荷 增加一面刮擦第—外部電極層5G，根據第一外部電 極層50發生破壞之負荷值求出密貼強度。於此次試 驗中’乃疋應用-面以—定負荷將金剛石壓件壓抵 於第外部電極層50 一面刮擦時，作用於界面之磨 tr、應力大於雄、貝占強度時則不會發生界面剝離這— 點來破3忍第一外部電極層5〇可否剝離。結果 ，平均粗度Ra在〇1"以上時，不會造成第—外 邛電極層50剝離’算術平均粗度肋在〇. “田以 下則會造成第—外部電極層⑽剝離。且 粗度係根據川（曰本產業標準）簡測定η (第一壓電襞置100之形成） 圖係衣k第一壓電裝置100之準備歩 驟’其為說明以密本m 7 步 在封材70岔封通孔TH之封裝體80 〇電極50之圖式。第四A圖係結合蓋1〇、 日日框2〇與基座40 ’以密封材70密封通孔TH之 13 201014156 狀4 °省略與第二圖所說明之基座4〇重複之說明。 又由於未圖示之第二連接電極44周邊之構造亦係 與第一連接電極42相同之構造，因此省略說明。 首先’於大氣狀態下，以矽氧烷鍵結合蓋丨〇、 水晶框20與基座4〇，形成封裝體80。封裝體80配 置成基座40在上，金、鍺（Aul2Ge)合金之球狀密 封材70配置於基座4〇底面侧之通孔TH。配置此球 狀密封材70之封裴體8〇被搬送至350度C左右之 真空回炼爐。封裝體80内之空氣自球狀密封材70 Ο 與通孔TH間之間隙排出，使封裝體8〇内部成為真 空。 此後’密封材70開始慢慢熔融。雖然密封材 7〇 —開始熔融，密封材7〇内即多少發生氣體，惟 由於此氣體為真空回熔爐所吸收，因此，氣體不會 滯留於封裝體80内。由於球狀密封材7〇即使熔融， 仍大多因表面張力而維持球狀狀態，因此，使用未參 圖示之板央具壓潰密封材70。藉此，如第四A圖所 示，密封材70進入通孔TH。由於在通孔TH内形成 有通孔配線15，因此，熔融密封材7〇沿通孔配線 15流出。亦即，通孔配線15使濕潤性增進，密封 材70密封通孔TH。如以上，封裝體8〇内部以既 真空度密封。 14 201014156 70之封裝體80搬送 ’惟亦可在使真空回 ’使惰性氣體充滿封 且，雖然對配置有密封材 至真空回熔爐之情形加以說明 熔爐成真空後’裝入惰性氣體 裝體8 0内。 第四B圖係說明以密封材

一壓電裝i 10Q之卜冰“釘通孔1Η之弟 β圖所示第一麗5〇a之圖式。第四 梦髀sn η/裝置0係於第四A圖狀態之封 …，’成第二外部電極5〇a的狀態。 金屬=3:^圖：示’藉由蒸鑛或濺鑛形成由第三 以覆i第^、，屬層54構成之第二外部電極50a 電㈣及密封材7°。第三金屬層 1居係錦或鎳鉻⑺.⑴合金，第四金屬層54係 广 帛-壓電裝置1〇〇之外部電極由第 ，50及第二外部電極心以四層構成。又，第二： 4電極5Ga覆蓋密封材7()，密封材7()不出現於表 面作為外部電極。由於第四金屬層54之金層出現於 表面’因此’在第—壓電裝置剛焊接於組裳基板 85 (參考第六圖）之際，第四金屬層54之金層亦擴 散至焊料75 (第六圖），將第-壓電裝置100牢牢 固定。 :第一外部電極50a之第四金屬層54之金層雖會 因最初的焊接而擴散於焊料中，不過，第三金屬層 53之鎳或鎳鉻合金卻殘留於第二外部電極層中而可 15 201014156 反覆焊接。第三金屬層53之链弋4自处人人& ," ⑨θ 乏鎳或鎳鉻合金雖係容易 形成氧化被膜之金屬，卻可藉第四金屬層54之金層 而防止氧化。在第一壓電裝置100反覆焊接之際7 第三金屬層53雖喪失第四金屬層54之金層，卻因 受焊料被膜所覆蓋而可防止氧化。 從形成有複數個第一壓電裝置1〇〇之壓電晶圓 各自切離之際，第一外部電極5〇、第二外部電極曰5〇a 與封裝體之底部60之間不會剝離。亦即，封裝體之 底部60因表面粗面化而利用固定效果抑制剝離。因❹ 此，即使第一壓電裝置1〇〇反覆焊接，第一外部電 極50及第二外部電極50a仍維持住。 <第二實施形態；第二壓電裝置11〇之構成〉 第五圖係具備本實施例之音叉型水晶振盤片3〇 之第二壓電裝置11〇之放大剖面圖。第一壓電裝置 100與第二壓電裝置11〇之不同在於形成四層的第 —外部電極層50b以覆蓋第一外部電極層5〇及密封鲁 材7 〇 點。以下以相同符號標示與第一實施形態相 同之構件’說明與第一實施形態間的不同點。 第五圖係以密封材70密封通孔TH，此後形成 第二外部電極層50b之狀態。 如第五圖所示’藉由蒸鑛或濺鑛形成由第三金 屬層53和第四金屬層54以及第五金屬層55和第六 16 201014156 金屬層56構成之第二外部 部電極層5〇及密封材〇=層：以覆蓋第-外 鉻合全材 苐二屬層53係鎳或鎳 烙口金，第四金屬層54 鎳或鎳鉻合金，第丄今麗= 層第五金屬層55係 壓電裝置m之外二 金層。亦即，第二 二外：由第一外部電極層5〇及第 一卜。卩電極層50b以六層構成。 且第四B圖及第石阁故扯、 + 固汉弟五圖雖然以第一金屬層51至第 2屬層52與第三金屬層53至第六金屬層％之厚 二问之厚度描繪’不過’可使第三 六金屬㈣之厚度报薄。亦即，對各層 所花時間縮短。進而，可抑制於第 六金屬層56成膜時，在全屬声 / 第 之微細突起。 纟金屬層的表面形成所謂突起 魯 外：電極層_之第六金屬層56之金屬雖 會因最㈣焊接而擴散於焊财，^過，第五八 中而可反覆二外部電極層 亦ΠΓ^Λ 金屬層56之金層厚度 亦TU，因此，擴散於焊财的金量亦變少 55之鎳或鎳鉻合金雖係容易形成氧化被 膜之金屬’部可在焊接之前藉第六金屬層56之金芦 防：氧化。在第二壓電裝置11〇反覆烊接之際，： ί第因六此金Τ層^ 6之金層喪失，仍因受悍料被膜所覆 方止第五金屬層55之鎳或鎳鉻合金氧化。 17 201014156 即使假設第二壓電裝置110反覆焊接，第五金 屬層55之鎳或鎳鉻合金及第六金屬層％之金層喪 失仍因存在第二金屬層53之鏵或鎳鉻合金及第四 金屬層54之金層而可進一步焊接。 又，在自形成有複數個第二壓電裝置11()之壓 電晶圓切離各個第二壓電裝置11〇之際，雖然施加 剝離力量於第一外部電極層50、第二外部電極層 50b與封裝體之底部6〇之間，卻可藉由表面粗面化 所獲致之固定效果抑制剝離。 _ 第六圖係裝載第一壓電裝置100於組裝基板85 而進行焊接之剖面圖。由於第二壓電裝置HQ之基 座40具備朝向外周之錐面45，因此，焊料75與組 裝基板85之密貼面積擴大，可充份獲得焊接固裝強 度，藉此，不易受到來自外部之衝擊的影響。又由 於有錐面45，因此，在將第二壓電装置11〇表面組 裝於組裝基板85之際可容易確認焊接，可減輕製程 之檢查工數。 ❹ 以上雖然對實施形態詳加說明，惟如該業者所 知，本發明可在其技術範圍内，添加種種變更、變 形於上述各實施例，予以實施。例如，藉由使音叉 型水晶振盪片30較外框部薄，可不設置凹部於基座 及蓋而使用平板狀基座及蓋。又，可使用AT振盈 器、表面聲波（SAW )片來替代音又型水晶振盪片 30 〇 18 201014156 佶用：而’雖然於上述實施形態中’第-全屬層 使用絲或絡之材料，惟亦可使用鋅絡人第人，屬層51 又，雖然第：全屑声二了吏用鎳鉻合金、鈦或组。 鎳鉻合金之：ΓΓ 屬層55使用鎳或 、之材科，惟亦可使用鉻、鈦或钽。 此二之較佳可行實施例，非因 說明保護範圍，故舉凡運用本發明 曰θ式内容所為之等效技術變化，均包含於 ^明之權利保護範圍内，合予陳明。 、 【圖式簡單說明】 Α第圖（a )係自基座40之基部側觀看分割狀 態之第一壓電裝置100之立體圖。第一圖（b)係第 一圖（a)之A-A剖面圖。 第二圖（a)係基座40之俯視圖。第二圖 係第二圖（a)之B-B剖面圖。 參第二圖係藉由到痕試驗對表面粗面化之底面之 算術平均粗度Ra之電極膜確認其剝離狀態的圖表。 第四A圖係封裝體80之放大剖面圖。第四b圖 係第一壓電裝置1〇〇之放大剖面圖。 第五圖係具備音叉型水晶振盪片30之第二壓 電裝置110之放大剖面圖。 第六圖係裝載第一壓電裝置100於組裝基板85 而進行焊接之剖面圖。 19 201014156 【主要元件符號說明 10 蓋 15 通孔配線 17 蓋用凹部 20 水晶框 21 外框部 22 空隙部 30 音叉型水晶振盡片 31 振盪臂 32 基部 33 第一引出電極 34 第二引出電極 35, 36 激發電極 37,38 錘部 40 基座 42 第一連接電極 44 第二連接電極 45 錐面 47 基座用凹部 49 梯級部 50 第一外部電極

50a，50b第二外部電極 51 第一金屬層 52 第二金屬層 20 201014156 53 第三金屬層 54 第四金屬層 55 第五金屬層 56 第六金屬層 60 表面粗面化之底部 70 密封材 75 焊料 80 封裝體 85 組裝基板 100 第一壓電裝置 110 第二壓電裝置 ΤΗ 通孔

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Claims (1)

1. 201014156 七、申請專利範圍： 1、一種壓電裝置，係接合有： 一蓋； 一壓電板’係包含形成有激發電極之壓電振盪片及 自前述激發電極引出之引出電極；及 一基座’其具有通孔， 其中’前述基座具備： 連接電極，係於前述壓電板側與前述引出電 接； .通孔電極’係導通至前述連接電極，形成於前述通 外°卩電極層’係導通至前述通孔電極，形成於 則述壓電板之相反面； 风於 岔封材，係密封前述通孔電極；以及 ::外部電極層，係覆蓋前述第一外部 述抢封材而形成。 5久月,J 2如巾請專利範圍第i項所述之壓電裝置， 别述連接電極、前述通孔 ：中 孔電極面層構成’前述連接電極、前述通 成，前述連接電極一:電極層之第一底層係同時形 層之第-上面層亦同時形成。雜及⑽卜外部電極 ^、如宇請專利範圍第i項所述 刖述基座之前述壓雷 电展罝，其中 電板之相反面係成為算術平 22 201014156 層在〇.l//m以上’於其相反面形成前述第一外部電極 厂，4、如申請專利範圍第1項至第3項中任-項所述 之壓電裝置’其中於开彡士、、+、络 、 形成則述弟一外部電極層之區域， 朝向刖述基座外周形成錐面。 5 ά申。月專利範圍第1項所述之壓電裝置， 前述壓電振盪片係Ατ㈣H ’罝”中 晶振盈片。AT振邊片、表面聲波片或音叉型水 ❹ 以下谱杜I種壓電扁置之製造方法’該壓電裝置係接合 之壓電州一蓋；—壓電板，係包含形成有激發電極 電：盧片及自前述激發電極引出之引出電一 基座，其具有通孔， a 該製造方法係具備以下步驟·· 極形成步驟’係用以形成前述基座之廢電板 之極、導通至前述連接電極而形成於前述通孔 ==、以及導通至前述通孔電極而形成於前述麼 電板之相反面之第一外部電極屠； 进封步驟’係以密封材密封前述通孔電極；以及 =二妹形成步驟，係形成第二外部電極層以覆蓋 别述第一外部電極層及前述密封材。 方去7直1 ^專利園第6項所述之壓電裝置之製造 ^上極形成步驟係形成第一底層，並 第:、m面層;前述第二電極形成步驟係形成 第一底層，並於其上形成第二上面層。 23 201014156 8、 如申請專利範圍第6項或第7項所述之壓電裝 置’其中於前述第一電極形成步驟之前，具備粗面化步 驟’係使前述基座之前述壓電板之相反面形成算術平均 粗度Ra在〇. 1以m以上。 9、 如申請專利範圍第6項所述之壓電農置之製造 方法’其中於前述粗面化步驛之前’在形成有前述第一 外部電極層之區域，朝向前述基座外周形成錐面。

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