WO2016111038A1 - 圧電振動部品及びその製造方法 - Google Patents

圧電振動部品及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016111038A1
WO2016111038A1 PCT/JP2015/074264 JP2015074264W WO2016111038A1 WO 2016111038 A1 WO2016111038 A1 WO 2016111038A1 JP 2015074264 W JP2015074264 W JP 2015074264W WO 2016111038 A1 WO2016111038 A1 WO 2016111038A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
substrate
piezoelectric
adhesive layer
surface roughness
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/074264
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和幸 能登
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2016568270A priority Critical patent/JPWO2016111038A1/ja
Publication of WO2016111038A1 publication Critical patent/WO2016111038A1/ja
Priority to US15/631,383 priority patent/US20170294568A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibration component and a manufacturing method thereof.
  • Piezoelectric vibrators are widely used as oscillators and bandpass filters.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-197615 describes a surface-mount crystal vibrator having a structure for sealing the crystal vibrator from the outside air.
  • the surface-mounted crystal resonator described in the publication includes a substrate on which the crystal resonator is mounted, and a lid that hermetically seals the crystal resonator with an adhesive (paragraph 0002).
  • the lid may peel from the substrate.
  • the roughness of the surface of the substrate is small, the wettability of the adhesive deteriorates, so that the bonding strength between the substrate and the adhesive tends to decrease.
  • the pressure in the lid increases at a reflow heating temperature of about 260 ° C., and the lid peels off from the substrate. May end up.
  • This invention is made in view of such a situation, and makes it a subject to raise the adhesive force between the board
  • a piezoelectric vibration component includes a recess having a flange portion protruding outward from the opening edge of the recess and the recess, a first region facing the recess, and a second region facing the flange portion.
  • the surface roughness of the second region is rougher than the surface roughness of the first region.
  • the adhesive force between the substrate and the adhesive layer for hermetically sealing the piezoelectric vibrator to the substrate can be increased.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a piezoelectric vibration component 40 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the piezoelectric vibration component 40 mainly includes a piezoelectric vibrator 20, a substrate 10 having a main surface 11 on which the piezoelectric vibrator 20 is mounted, and a piezoelectric vibrator 20 for sealing the piezoelectric vibrator 20 from outside air. And a lid 30.
  • the piezoelectric vibrator 20 is formed on a flat plate-shaped piezoelectric plate 21 having two surfaces facing in the thickness direction, an excitation electrode 22 formed on one surface of the piezoelectric plate 21, and the other surface of the piezoelectric plate 21.
  • the excitation electrode 23 is provided.
  • the piezoelectric plate 21 is made of a piezoelectric material exhibiting piezoelectric characteristics (for example, a quartz plate or piezoelectric ceramic).
  • the excitation electrodes 22 and 23 are made of a conductive thin film such as gold, chromium, nickel, aluminum, and titanium.
  • the substrate 10 has a flat plate shape having two surfaces facing each other in the thickness direction, and a surface on which the piezoelectric vibrator 20 is mounted is called a main surface 11 among the two surfaces. On the main surface 11, a wiring 13 that conducts to the excitation electrode 23 via the conductive adhesive 12 and a wiring 16 that conducts to the excitation electrode 22 via the conductive adhesive 15 are formed.
  • the substrate 10 is made of a material having appropriate mechanical strength and electrical insulation (for example, insulating ceramics such as alumina, synthetic resin, a composite material in which the surface of a metal plate is covered with an insulating layer).
  • the substrate 10 has cutout portions 14 and 17 formed so as to cut out a part of the corner portion (corner portion) into a cylindrical curved surface, and the wirings 13 and 16 have cutout portions, respectively. 14 and 17 can extend from the back surface of main surface 11 to be connected to an external circuit.
  • the lid 30 is a bottomed lid member for sealing the piezoelectric vibrator 20 from the outside air.
  • the lid 30 includes a recess 31 that is opened to face the main surface 11 and an opening edge of the recess 31. And a flange portion 32 protruding outward.
  • the concave portion 31 is a bottomed concave portion that sinks into the lid 30, and has an opening area and an opening depth that are necessary and sufficient for sealing the piezoelectric vibrator 20.
  • the flange portion 32 surrounds the periphery of the recess 31 in a substantially rectangular ring shape.
  • the lid 30 may be made of a metal material, an insulating material, or a composite material (for example, a composite material obtained by coating the surface of an insulating member with a metal thin film).
  • the main surface 11 of the substrate 10 includes a first region 11A that faces the recess 31 and a second region 11B that faces the flange portion 32.
  • the second region 11B is a region formed in a substantially frame shape so as to surround the piezoelectric vibrator 20 in accordance with the position where the flange portion 32 is to be joined to the main surface 11.
  • the adhesive layer 50 joins the second region 11B of the substrate 10 and the flange portion 32 of the lid 30 so as to hermetically seal the piezoelectric vibrator 20 in the space between the recess 31 and the first region 11A.
  • the adhesive layer 50 may be an insulating adhesive and is not particularly limited.
  • a non-conductive adhesive that is cured by heat treatment and exhibits an adhesive action can be used.
  • an epoxy adhesive mainly composed of an epoxy resin can be used.
  • the epoxy resin include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, and novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin.
  • the adhesive layer 50 is not limited to an epoxy adhesive, and may be, for example, a low melting point glass adhesive.
  • the low melting point glass adhesive may include lead-free vanadium glass that melts at a temperature of 300 ° C. or higher and 410 ° C. or lower. Vanadium-based glass exhibits an adhesive action when a binder and a solvent are added in a paste, melted and then solidified. This vanadium-based glass has high reliability such as airtightness at the time of bonding, water resistance and moisture resistance. Furthermore, the vanadium-based glass can also control the thermal expansion coefficient flexibly by controlling the glass structure.
  • the lid 30 can also be called a cap, a cover, or a package member.
  • a substrate 10 having a second region 11B that has been roughened so as to have a surface roughness rougher than the surface roughness of the first region 11A is prepared.
  • the rough surface processing for example, plasma processing or sand blast processing can be used.
  • Sand blasting is a process in which, for example, fine particles (for example, abrasive particles such as alumina and diamond) are jetted together with compressed air toward the surface to be processed so that the cross section of the surface to be processed becomes rough. is there.
  • a mask is applied so that each second region 11B is exposed, and sandblasting is performed.
  • the piezoelectric vibrator 20 is mounted in the first region 11A, and the adhesive layer 50 is formed in the second region 11B.
  • the piezoelectric vibrator 20 is sealed in a space between the recess 31 of the lid 30 and the first region 11 ⁇ / b> A of the substrate 10 by relatively pressing the lid 30 and the substrate 10. To do. Then, by applying heat to the adhesive layer 50, bonding between molecules constituting the adhesive layer 50 is promoted, and the adhesive layer 50 is shifted to a cured state. In this way, the piezoelectric vibrator 20 can be hermetically sealed in the space between the recess 31 and the first region 11A.
  • the contact angle of a droplet is sensitive to surface roughness.
  • the surface roughness can be defined as the area ratio of the rough surface to the flat surface.
  • the material of the lid 30 is selected so as to be lyophilic with respect to the adhesive layer 50, and the surface roughness of the second region 11B is made rougher than the surface roughness of the first region 11A.
  • the contact angle of the adhesive layer 50 with respect to the second region 11B can be reduced, and it can be easily spread uniformly. According to such a structure, when the lid 30 and the substrate 10 are relatively pressed, the adhesive layer 50 can easily enter the gaps between the minute irregularities in the second region 11B. Etc.
  • the adhesive layer 50 does not enter the recess 31.
  • the flange portion 32 of the lid 30 has a bonding surface 33 bonded to the second region 11B of the substrate 10 via the adhesive layer 50.
  • the surface roughness of the bonding surface 33 is the first surface roughness of the substrate 10. It is preferable that the surface roughness of the first region 11A is rougher. Thereby, since the adhesive layer 50 can be easily spread and spread also on the joint surface 33 of the flange portion 32, the adhesive force between the adhesive layer 50 and the lid 30 can be increased.
  • each embodiment described above is for facilitating understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof.
  • those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • each element included in each embodiment can be combined as much as technically possible, and combinations thereof are included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

Abstract

　圧電振動子を基板に密閉封止する基板と接着層との間の接着力を高める。圧電振動部品（４０）は、凹部（３１）及び凹部凹部（３１）の開口縁から外側に向かって突出するフランジ部（３２）を有するリッド（３０）と、凹部（３１）に対向する第１の領域（１１Ａ）及びフランジ部（３２）に対向する第２の領域（１１Ｂ）を有する基板（１０）と、第１の領域（１１Ａ）に実装される圧電振動子（２０）と、圧電振動子（２０）を凹部（３１）と第１の領域（１１Ａ）との間の空間に密閉封止するように、第２の領域（１１Ｂ）とフランジ部（３２）とを接合する接着層（５０）とを備える。第２の領域（１１Ｂ）の表面粗さは、第１の領域（１１Ａ）の表面粗さより粗い。

Description

圧電振動部品及びその製造方法
　本発明は、圧電振動部品及びその製造方法に関する。
　発振子や帯域フィルタとして圧電振動子が広く用いられている。従来の圧電振動子の一態様として、例えば特開２０１４－１９７６１５号公報では、水晶振動子を外気から密封するための構造を有する表面実装水晶振動子が記載されている。同公報に記載の表面実装水晶振動子は、水晶振動子が実装される基板と、接着剤を介して水晶振動子を密閉封止するリッドとを備えている（同文献段落０００２）。
特開２０１４－１９７６１５号公報
　しかし、基板と接着剤との間の接合強度が不十分であると、リッドが基板から剥離してしまうことがある。例えば、基板の表面の粗さが小さいと、接着剤の濡れ性が劣化するため、基板と接着剤との間の接合強度の低下を招きやすい。特に、熱硬化性接着剤を用いてリッドと基板とを接合して水晶振動子を密閉封止する場合、２６０℃前後のリフロー加熱温度でリッド内の圧力が上昇し、リッドが基板から剥離してしまうことがある。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、圧電振動子を基板に密閉封止するための基板と接着層との間の接着力を高めることを課題とする。
　本発明の一側面に係る圧電振動部品は、凹部及び凹部の開口縁から外側に向かって突出するフランジ部を有するリッドと、凹部に対向する第１の領域及びフランジ部に対向する第２の領域を有する基板と、第１の領域に実装される圧電振動子と、圧電振動子を凹部と第１の領域との間の空間に密閉封止するように、第２の領域とフランジ部とを接合する接着層とを備える。第２の領域の表面粗さは、第１の領域の表面粗さより粗い。
　本発明によれば、圧電振動子を基板に密閉封止するための基板と接着層との間の接着力を高めることができる。
本発明の実施形態１に係る圧電振動部品の分解斜視図である。 本発明の実施形態１に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。 本発明の実施形態１に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。
　以下、図１乃至図４を参照しながら本発明の実施形態１について説明する。
　図１は、本発明の実施形態１に係る圧電振動部品４０の分解斜視図である。同図に示すように、圧電振動部品４０は、主に、圧電振動子２０と、圧電振動子２０が実装される主面１１を有する基板１０と、圧電振動子２０を外気から密閉するためのリッド３０とを備えている。圧電振動子２０は、厚み方向に対向する二つの面を有する平板状の圧電板２１と、圧電板２１の一方の面に形成された励振電極２２と、圧電板２１の他方の面に形成された励振電極２３とを備えている。励振電極２２，２３に交流電圧を印加すると、圧電板２１は、厚みすべりモードで振動する。圧電板２１は、圧電特性を示す圧電材質（例えば、水晶板や圧電セラミックスなど）からなる。励振電極２２，２３は、例えば、金、クロム、ニッケル、アルミニウム、チタン等の導電性薄膜からなる。
　基板１０は、その厚み方向に対向する二つの面を有する平板状をなしており、二つの面のうち圧電振動子２０が実装される面を主面１１と称する。主面１１には、導電性接着剤１２を介して励振電極２３に導通する配線１３と、導電性接着剤１５を介して励振電極２２に導通する配線１６とが形成されている。基板１０は、適度な機械的強度及び電気絶縁性を有する材質（例えば、アルミナ等の絶縁セラミックス、合成樹脂、金属板の表面を絶縁層で被覆した複合材など）からなる。なお、基板１０は、コーナー部分（角部分）の一部を円筒曲面状に切り欠くように形成された切欠き部１４，１７を有しており、配線１３，１６は、それぞれ、切欠き部１４，１７から主面１１の裏面まで延在して外部回路に接続することができる。
　リッド３０は、圧電振動子２０を外気から密閉するための有底蓋部材であり、図３に示すように、主面１１に対向するように開口された凹部３１と、凹部３１の開口縁から外側に向かって突出するフランジ部３２とを有する。凹部３１は、リッド３０の内部に陥没する有底凹部であり、圧電振動子２０を封止するために必要十分な開口面積と開口深さを有している。フランジ部３２は、凹部３１の周縁を略矩形環状に囲繞する。リッド３０は、金属材質、絶縁材質、又は複合材（例えば、絶縁部材の表面を金属薄膜で被覆してなる複合材など）からなるものでもよい。基板１０の主面１１は、凹部３１に対向する第１の領域１１Ａ及びフランジ部３２に対向する第２の領域１１Ｂを有する。第２の領域１１Ｂは、フランジ部３２が主面１１に接合されるべき位置に合わせて圧電振動子２０を囲繞するように略枠状に形成された領域である。接着層５０は、圧電振動子２０を凹部３１と第１の領域１１Ａとの間の空間に密閉封止するように、基板１０の第２の領域１１Ｂとリッド３０のフランジ部３２とを接合する。接着層５０は、絶縁性の接着剤であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、加熱処理により硬化して接着作用を示す非導電性接着剤を用いることができる。このような接着剤として、例えば、エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤を用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものも適用することができる。接着層５０は、エポキシ系接着剤に限られるものではなく、例えば、低融点ガラス接着剤でもよい。低融点ガラス接着剤は、３００℃以上４１０℃以下の温度で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含んでもよい。バナジウム系ガラスは、バインダーと溶剤とがペースト状に加えられ、溶融された後固化されることで接着作用を示す。このバナジウム系ガラスは、接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。更に、バナジウム系ガラスは、ガラス構造を制御することにより、熱膨張係数も柔軟に制御できる。なお、リッド３０は、キャップ、カバー、或いはパッケージ部材と称することもできる。
　次に、図１乃至図３を参照しながら、圧電振動部品４０の製造工程について説明する。まず、図１に示すように、第１の領域１１Ａの表面粗さより粗い表面粗さを有するように粗面加工が施された第２の領域１１Ｂを有する基板１０を準備する。粗面加工として、例えば、プラズマ処理やサンドブラスト加工などを用いることができる。サンドブラスト加工は、例えば、微粒子（例えば、アルミナやダイヤモンド等の研磨粒子）を圧縮空気とともに被加工面に向けて噴射することにより、被加工面の断面が凹凸状に粗くなるように加工する処理である。一枚の母基板から複数の基板１０を切り出して複数の圧電振動部品４０を製造する場合は、各第２の領域１１Ｂが露出するようにマスクを施して、サンドブラスト加工を施せばよい。次に、図２に示すように、圧電振動子２０を第１の領域１１Ａに実装し、第２の領域１１Ｂに接着層５０を形成する。このとき、接着層５０が第２の領域１１Ｂに均一に塗れ広がるように接着層５０を均一の膜厚で塗布するのが好ましい。
　次に、図３示すように、リッド３０及び基板１０を相対的に押圧することにより、圧電振動子２０をリッド３０の凹部３１と基板１０の第１の領域１１Ａとの間の空間に封止する。そして、接着層５０に熱を加えることにより、接着層５０を構成する分子間の結合を促進し、接着層５０を硬化状態に移行させる。このようにして、圧電振動子２０を凹部３１と第１の領域１１Ａとの間の空間に密閉封止することができる。ところで、液滴の接触角は、表面粗さに敏感であることが一般的に知られている。ここで、表面粗さは、平坦面に対する粗面の面積比として定義することができる。例えば、表面粗さが増加するにつれて、親液性表面では、液滴の接触角が小さくなる（濡れ性が増大する）のに対し、疎液性表面では、液滴の接触角が大きくなる（濡れ性が低下する）。このような知見に基づき、接着層５０に対して親液性を有するようにリッド３０の材質を選択するとともに、第２の領域１１Ｂの表面粗さを第１の領域１１Ａの表面粗さより粗くすることにより、第２の領域１１Ｂに対する接着層５０の接触角を小さくし、均一に濡れ広がりやすくすることができる。このような構造によれば、リッド３０及び基板１０を相対的に押圧したときに、接着層５０が第２の領域１１Ｂの微小な凹凸の隙間に入り込み易くなるため、投錨効果やファンデルワールス力等が複合的に作用し、第２の領域１１Ｂと接着層５０との間の界面に作用する接着力を高めることができる。また、第２の領域１１Ｂの表面粗さを第１の領域１１Ａの表面粗さより粗くすることにより、凹部３１内部への接着層５０の侵入を抑制することができる。接着層５０が凹部３１内部へ侵入すると、例えば、接着層５０から放出されるガスが圧電振動子２０の振動領域を構成する励振電極２２，２３に吸着し、圧電振動子２０の発振周波数が変動する虞があるため、接着層５０は、凹部３１内部へ侵入しない方が好ましい。
　なお、リッド３０のフランジ部３２は、接着層５０を介して、基板１０の第２の領域１１Ｂに接合する接合面３３を有しており、接合面３３の表面粗さは、基板１０の第１の領域１１Ａの表面粗さより粗いのが好ましい。これにより、フランジ部３２の接合面３３にも接着層５０を塗れ広がりやすくできるため、接着層５０とリッド３０との間の接着力を高めることができる。
　なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
１０…基板
１１…主面
１１Ａ…第１の領域
１１Ｂ…第２の領域
１２…導電性接着剤
１３…配線
１４…切欠き部
１５…導電性接着剤
１６…配線
１７…切欠き部
２０…圧電振動子
２１…圧電板
２２…励振電極
２３…励振電極
３０…リッド
３１…凹部
３２…フランジ部
４０…圧電振動部品
５０…接着層
 

Claims (5)

  1. 　凹部及び前記凹部の開口縁から外側に向かって突出するフランジ部を有するリッドと、
    　前記凹部に対向する第１の領域及び前記フランジ部に対向する第２の領域を有する基板と、
    　前記第１の領域に実装される圧電振動子と、
    　前記圧電振動子を前記凹部と前記第１の領域との間の空間に密閉封止するように前記第２の領域と前記フランジ部とを接合する接着層とを備え、
    　前記第２の領域の表面粗さは、前記第１の領域の表面粗さより粗い、圧電振動部品。
  2. 　請求項１に記載の圧電振動部品であって、
    　前記フランジ部は、前記接着層を介して、前記第２の領域に接合する接合面を有しており、前記接合面の表面粗さは、前記第１の領域の表面粗さより粗い、圧電振動部品。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載の圧電振動部品であって、
    　前記接着層は、低融点ガラス接着剤である、圧電振動部品。
  4. 　凹部及び前記凹部の開口縁から外側に向かって突出するフランジ部を有するリッドを準備する工程と、
    　前記凹部に対向する第１の領域、及び前記フランジ部に対向する第２の領域であって、前記第１の領域の表面粗さより粗い表面粗さを有する第２の領域を有する基板を準備する工程と、
    　前記第１の領域に圧電振動子を実装する工程と、
    　前記第２の領域に接着層を形成する工程と、
    　前記リッド及び前記基板を相対的に押圧することにより、前記圧電振動子を前記凹部と前記第１の領域との間の空間に密閉封止する工程と、
    　を備える圧電振動部品の製造方法。
  5. 　請求項４に記載の圧電振動部品の製造方法であって、
    　前記基板を準備する工程は、サンドブラスト加工により前記第２の領域を粗面加工する処理を含む、圧電振動部品の製造方法。
     
PCT/JP2015/074264 2015-01-08 2015-08-27 圧電振動部品及びその製造方法 WO2016111038A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016568270A JPWO2016111038A1 (ja) 2015-01-08 2015-08-27 圧電振動部品及びその製造方法
US15/631,383 US20170294568A1 (en) 2015-01-08 2017-06-23 Piezoelectric oscillation component and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-002384 2015-01-08
JP2015002384 2015-01-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/631,383 Continuation US20170294568A1 (en) 2015-01-08 2017-06-23 Piezoelectric oscillation component and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016111038A1 true WO2016111038A1 (ja) 2016-07-14

Family

ID=56355751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/074264 WO2016111038A1 (ja) 2015-01-08 2015-08-27 圧電振動部品及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170294568A1 (ja)
JP (1) JPWO2016111038A1 (ja)
WO (1) WO2016111038A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1051265A (ja) * 1996-08-02 1998-02-20 Daishinku Co 表面実装型水晶振動子
JP2001308213A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Seiko Epson Corp セラミックパッケージの封止方法と封止構造
JP2006319130A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体装置
JP2012074937A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
JP2012074837A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス
JP2013171907A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Seiko Epson Corp 電子デバイスの封止方法及び電子デバイス
JP2014197615A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59213189A (ja) * 1983-05-18 1984-12-03 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2505868B2 (ja) * 1988-10-15 1996-06-12 富士通株式会社 半導体装置
JP2004172752A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器
JP4809410B2 (ja) * 2008-09-29 2011-11-09 日本電波工業株式会社 圧電デバイスとその製造方法
JP2013051512A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2014116388A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Seiko Epson Corp 電子デバイス、および電子機器、電子デバイスの製造方法
JP2014197617A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1051265A (ja) * 1996-08-02 1998-02-20 Daishinku Co 表面実装型水晶振動子
JP2001308213A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Seiko Epson Corp セラミックパッケージの封止方法と封止構造
JP2006319130A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体装置
JP2012074837A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス
JP2012074937A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
JP2013171907A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Seiko Epson Corp 電子デバイスの封止方法及び電子デバイス
JP2014197615A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170294568A1 (en) 2017-10-12
JPWO2016111038A1 (ja) 2017-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014174945A1 (ja) 水晶振動装置
JP2012044105A (ja) 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法
CN111108688B (zh) 压电振子以及压电振子的制造方法
JP6133609B2 (ja) 圧電部品
JP2011217301A (ja) 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP6607408B2 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
JP6179681B2 (ja) 圧電振動部品の製造方法
JP6481697B2 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
JP5148659B2 (ja) 圧電デバイス
WO2016111038A1 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
US10938368B2 (en) Piezoelectric-resonator-mounting substrate, and piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the piezoelectric resonator unit
JP6191787B2 (ja) 圧電振動部品の製造方法
JP2006033413A (ja) 圧電振動デバイス
JP6487169B2 (ja) 圧電デバイス
JP4673670B2 (ja) 圧電デバイスの製造方法
WO2021210214A1 (ja) 圧電振動子及びその製造方法
WO2021186790A1 (ja) 水晶振動素子、水晶振動子及び水晶発振器
WO2021059576A1 (ja) 圧電振動子
JP2010147054A (ja) 電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法
JP4693387B2 (ja) 圧電部品
US20200075836A1 (en) Cap and piezoelectric device
JP2020077995A (ja) キャップ及び圧電デバイス
WO2013161554A1 (ja) 水晶振動装置及びその製造方法
WO2016132765A1 (ja) 圧電振動デバイス及びその製造方法
WO2016132767A1 (ja) 圧電振動デバイス及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15876911

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016568270

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15876911

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1