JP2014197617A - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板2にリッド1を樹脂層4で接着して、リッド1の内部を樹脂封止する電子デバイス及びその製造方法であって、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とし、その封止部を覆うようにガラス層7が形成されるものであり、リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上させることができるものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板2にリッド1を樹脂層4で接着して、リッド1の内部を樹脂封止する電子デバイス及びその製造方法であって、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とし、その封止部を覆うようにガラス層7が形成されるものであり、リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上させることができるものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子デバイス及びその製造方法に係り、特に、リッド(Lid:蓋)と封止材の樹脂との密着性を向上させることができる電子デバイス及びその製造方法に関する。
[従来の技術]
従来の電子デバイスとして、表面実装の水晶振動子等がある。
[従来の水晶振動子:図6]
従来の水晶振動子について図6を参照しながら説明する。図6は、従来の水晶振動子の断面説明図である。
従来の水晶振動子は、図6に示すように、金属又はセラミックのリッドを、水晶片5が導電性接着剤6で金属電極3に固定された基板2上にリッド1を、樹脂4を介して搭載し、リッド1を基板2に押さえ込んで樹脂4を押し広げ、樹脂封止を行うようになっていた。
従来の電子デバイスとして、表面実装の水晶振動子等がある。
[従来の水晶振動子:図6]
従来の水晶振動子について図6を参照しながら説明する。図6は、従来の水晶振動子の断面説明図である。
従来の水晶振動子は、図6に示すように、金属又はセラミックのリッドを、水晶片5が導電性接着剤6で金属電極3に固定された基板2上にリッド1を、樹脂4を介して搭載し、リッド1を基板2に押さえ込んで樹脂4を押し広げ、樹脂封止を行うようになっていた。
[フィレットなしの構成:図7]
樹脂4がリッド1の接触面によって押し広げられ、接触面からはみ出した状態(フィレットありの構成)であれば問題はないが、図7に示すように、樹脂4が広がっていない状態(フィレットなしの構成)となると、水分が浸透しやすくなって、耐湿性が悪くなることがある。
図7は、フィレットなしの構成を示す断面説明図である。
樹脂4がリッド1の接触面によって押し広げられ、接触面からはみ出した状態(フィレットありの構成)であれば問題はないが、図7に示すように、樹脂4が広がっていない状態(フィレットなしの構成)となると、水分が浸透しやすくなって、耐湿性が悪くなることがある。
図7は、フィレットなしの構成を示す断面説明図である。
[関連技術]
尚、関連する先行技術として、特許第3183065号公報「圧電部品の製造方法」(株式会社村田製作所)[特許文献1]、特許第4471015号公報「電子素子パッケージ」(パナソニック株式会社)[特許文献2]、特開2010−273200号公報「圧電部品の製造方法及びこれにより製造した圧電部品」(日本電波工業株式会社)[特許文献3]、特開2012−009969号公報「圧電デバイス及びその製造方法」(日本電波工業株式会社)[特許文献4]がある。
尚、関連する先行技術として、特許第3183065号公報「圧電部品の製造方法」(株式会社村田製作所)[特許文献1]、特許第4471015号公報「電子素子パッケージ」(パナソニック株式会社)[特許文献2]、特開2010−273200号公報「圧電部品の製造方法及びこれにより製造した圧電部品」(日本電波工業株式会社)[特許文献3]、特開2012−009969号公報「圧電デバイス及びその製造方法」(日本電波工業株式会社)[特許文献4]がある。
特許文献1には、金属製キャップの開口部を、内面側を外面側に向かって傾斜させ、当該開口部に接着剤を塗布して樹脂封止を行うことが示されている。
特許文献2には、電子素子パッケージにおいて、樹脂の接着剤が第1の容器部材と第2の容器部材を接着し、金属膜が第2の容器部材の外側と接着剤の外側を覆うことが示されている。
特許文献2には、電子素子パッケージにおいて、樹脂の接着剤が第1の容器部材と第2の容器部材を接着し、金属膜が第2の容器部材の外側と接着剤の外側を覆うことが示されている。
特許文献3には、圧電部品の保護のために、表面絶縁保護層が形成され、その具体的な製造方法として液状ガラス(SOG)を塗布することが示されている。
特許文献4には、接着剤の外側に低融点ガラスが形成された圧電デバイスが示されている。
特許文献4には、接着剤の外側に低融点ガラスが形成された圧電デバイスが示されている。
以上のように、従来の電子デバイスでは、リッドと基板の接合面では樹脂がむき出しになっており、特にフィレットなしの場合に、樹脂の横方向の長さが短いため、密着性が悪く、耐湿性も悪くなって、品質のバラツキが発生するという問題点があった。
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスであって、基板にリッドが搭載される部分には樹脂層が形成されており、樹脂層と、当該樹脂層に接する基板部分及びリッド部分を覆うようにガラス層が形成されていることを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスにおいて、あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うようにセラミック層が形成されていることを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスにおいて、あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うように金属層が形成されていることを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスにおいて、基板にはスルーホールが形成されており、スルーホール内及びスルーホールの開口部に撥水層が形成されていることを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスにおいて、基板にはスルーホールが形成されており、ガラス層が、スルーホールの開口部の縁まで形成されていることを特徴とする。
本発明は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスであって、基板にリッドが搭載される部分には樹脂層が形成されており、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うように撥水層が形成されていることを特徴とする。
本発明は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスの製造方法であって、基板にリッドを、樹脂層を介して搭載し、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層を形成することを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスの製造方法において、あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うようにセラミック層を形成することを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスの製造方法において、あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うように金属層を形成することを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスの製造方法において、基板にはスルーホールが形成され、スルーホール内及びスルーホールの開口部に撥水層を形成して、基板にリッドを、樹脂層を介して搭載することを特徴とする。
本発明は、上記電子デバイスの製造方法において、基板にはスルーホールが形成され、スルーホールの開口部の縁までガラス層を形成することを特徴とする。
本発明は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスの製造方法であって、基板にリッドを、樹脂層を介して搭載し、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うように撥水層を形成することを特徴とする。
本発明によれば、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスであって、基板にリッドが搭載される部分には樹脂層が形成されており、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層が形成されているものであり、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる効果がある。
本発明によれば、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止する電子デバイスの製造方法であって、基板にリッドを、樹脂層を介して搭載し、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層を形成するものであり、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる効果がある。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る電子デバイス及びその製造方法は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止するものであり、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層を設けたものであり、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる効果がある。
[実施の形態の概要]
本発明の実施の形態に係る電子デバイス及びその製造方法は、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止するものであり、リッドが基板に樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層を設けたものであり、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる効果がある。
尚、電子デバイスとして、以下、表面実装の水晶振動子を例に説明するが、基板にリッドを樹脂層で接着して、リッドの内部を封止(樹脂封止)する構成の電子デバイスであれば、本発明は適用可能である。
[第1の水晶振動子:図1]
本発明の実施の形態に係る第1の水晶振動子(第1の水晶振動子)について図1を参照しながら説明する。図1は、第1の水晶振動子の断面説明図である。
第1の水晶振動子は、図1に示すように、セラミックの基板2に金属電極3が形成され、水晶片5が導電性接着剤6を解して金属電極3に接続し、水晶片5を覆うように金属又はセラミックのリッド1が搭載される。
本発明の実施の形態に係る第1の水晶振動子(第1の水晶振動子)について図1を参照しながら説明する。図1は、第1の水晶振動子の断面説明図である。
第1の水晶振動子は、図1に示すように、セラミックの基板2に金属電極3が形成され、水晶片5が導電性接着剤6を解して金属電極3に接続し、水晶片5を覆うように金属又はセラミックのリッド1が搭載される。
基板2とリッド1の基板2に対する搭載面との間には、樹脂層4が設けられ、リッド1を押さえ込んで樹脂封止を行うものである。
樹脂層4としては、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。
樹脂層4としては、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。
更に、第1の水晶振動子の特徴として、樹脂層4の外側にガラス層7を形成している。
ガラス層7は、樹脂層4の外側だけでなく、樹脂層4が接する基板2の部分、樹脂層7が接するリッド1の部分も覆うようになっている。つまり、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とすると、その封止部を覆うようにガラス層7が形成される。特に、リッド1の樹脂層7との接触面の裏面部分を覆うよう形成される。
ガラス層7は、樹脂層4の外側だけでなく、樹脂層4が接する基板2の部分、樹脂層7が接するリッド1の部分も覆うようになっている。つまり、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とすると、その封止部を覆うようにガラス層7が形成される。特に、リッド1の樹脂層7との接触面の裏面部分を覆うよう形成される。
ガラス層7は、液状ガラス(SOG:Spin On Glass)の絶縁膜をディスペンサにより、樹脂層4に接触するリッド1の周辺部分に塗布され、熱処理して固定するものである。
リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成(アンダーカットの構成)となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分(樹脂層4が形成されず、リッド1と基板2との空間部分)にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上できる効果がある。
リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成(アンダーカットの構成)となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分(樹脂層4が形成されず、リッド1と基板2との空間部分)にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上できる効果がある。
[第2の水晶振動子:図2]
次に、本発明の実施の形態に係る第2の水晶振動子(第2の水晶振動子)について図2を参照しながら説明する。図2は、第2の水晶振動子の断面説明図である。
第2の水晶振動子は、図2に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、あらわになっているリッド1の部分、ガラス層7、基板1の部分の全体を、更にセラミック層8で覆うようにしたものである。
次に、本発明の実施の形態に係る第2の水晶振動子(第2の水晶振動子)について図2を参照しながら説明する。図2は、第2の水晶振動子の断面説明図である。
第2の水晶振動子は、図2に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、あらわになっているリッド1の部分、ガラス層7、基板1の部分の全体を、更にセラミック層8で覆うようにしたものである。
セラミック層8として、例えば、非酸化物のセラミックで、窒化ケイ素(Si3N4:シリコンナイトライド)の膜が考えられる。
第2の水晶振動子では、第1の水晶振動子を更にセラミック層8で覆うようにしているので、耐湿性が更に向上し、製品の品質を向上させることができる効果がある。
第2の水晶振動子では、第1の水晶振動子を更にセラミック層8で覆うようにしているので、耐湿性が更に向上し、製品の品質を向上させることができる効果がある。
また、第2の水晶振動子において、セラミック層8の代わりに、金属膜(金属層)を形成してもよい。
金属層としては、例えば、酸化しにくいアルミニウム等が考えられる。
金属層としては、例えば、酸化しにくいアルミニウム等が考えられる。
[第3の水晶振動子:図3]
次に、本発明の実施の形態に係る第3の水晶振動子(第3の水晶振動子)について図3を参照しながら説明する。図3は、第3の水晶振動子の断面説明図である。
第3の水晶振動子は、図3に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、基板2にスルーホールが形成されており、当該スルーホール内(内壁)及びスルーホールの開口部(上面開口部)に撥水層9を形成したものである。
撥水層9は、例えば、フッ素系の撥水剤を用いてディスペンサによりコーティングして塗布される。
次に、本発明の実施の形態に係る第3の水晶振動子(第3の水晶振動子)について図3を参照しながら説明する。図3は、第3の水晶振動子の断面説明図である。
第3の水晶振動子は、図3に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、基板2にスルーホールが形成されており、当該スルーホール内(内壁)及びスルーホールの開口部(上面開口部)に撥水層9を形成したものである。
撥水層9は、例えば、フッ素系の撥水剤を用いてディスペンサによりコーティングして塗布される。
第1の水晶振動子では、基板2にスルーホールが形成されている場合に、ガラス層7がスルーホール内に流れ込むおそれがあった。
そこで、第3の水晶振動子では、スルーホールの内面とその開口部に撥水層9を形成しているので、その部分にガラス層8が形成されず、スルーホールへのガラス層8の流れ込みを防止できる効果がある。
そこで、第3の水晶振動子では、スルーホールの内面とその開口部に撥水層9を形成しているので、その部分にガラス層8が形成されず、スルーホールへのガラス層8の流れ込みを防止できる効果がある。
[第4の水晶振動子:図4]
次に、本発明の実施の形態に係る第4の水晶振動子(第4の水晶振動子)について図4を参照しながら説明する。図4は、第4の水晶振動子の断面説明図である。
第4の水晶振動子は、図4に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、基板2にスルーホールが形成されており、当該スルーホールの開口部(上面開口部)の縁までガラス層7´が形成されているものである。
次に、本発明の実施の形態に係る第4の水晶振動子(第4の水晶振動子)について図4を参照しながら説明する。図4は、第4の水晶振動子の断面説明図である。
第4の水晶振動子は、図4に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、基板2にスルーホールが形成されており、当該スルーホールの開口部(上面開口部)の縁までガラス層7´が形成されているものである。
スルーホールの開口部の縁までガラス層8を形成するには、スルーホールに水(純水)を滴下し、その後に封止部を覆うようにガラス層7´を形成すれば、スルーホールへのガラス層7´の流れ込みを防止できる。その後に、加熱して水分を蒸発させる。
以上の方法により、スルーホールの開口部において、その縁のぎりぎりまでガラス層7´を形成することが可能となる。
以上の方法により、スルーホールの開口部において、その縁のぎりぎりまでガラス層7´を形成することが可能となる。
第3の水晶振動子では、スルーホールに撥水処理を施して撥水層9を形成しているので、基板2の裏面からスルーホール内への半田の這い上がりが少ないが、第4の水晶振動子では、撥水層9を形成していないので、スルーホール内への半田の這い上がりが多く、基板2の裏面の金属膜との接着の強度を高めることができ、更に、第3の水晶振動子に比べて安価に耐湿性を向上させることができる効果がある。
[第5の水晶振動子:図5]
次に、本発明の実施の形態に係る第5の水晶振動子(第5の水晶振動子)について図5を参照しながら説明する。図5は、第5の水晶振動子の断面説明図である。
第5の水晶振動子は、図5に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、ガラス層7の代わりに、撥水層10で封止部を覆うようになっている。
撥水層10は、例えば、フッ素系の撥水剤を用いてディスペンサによりコーティングして塗布される。
次に、本発明の実施の形態に係る第5の水晶振動子(第5の水晶振動子)について図5を参照しながら説明する。図5は、第5の水晶振動子の断面説明図である。
第5の水晶振動子は、図5に示すように、第1の水晶振動子の構成に対して、ガラス層7の代わりに、撥水層10で封止部を覆うようになっている。
撥水層10は、例えば、フッ素系の撥水剤を用いてディスペンサによりコーティングして塗布される。
第5の水晶振動子では、熱膨張と衝撃に強いものとすることができる効果がある。
また、第5の水晶振動子では、封止部を覆うように撥水層10を形成しているので、耐湿性を向上させることができる効果がある。
また、第5の水晶振動子では、封止部を覆うように撥水層10を形成しているので、耐湿性を向上させることができる効果がある。
[実施の形態の効果]
第1の水晶振動子によれば、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とし、その封止部を覆うようにガラス層7が形成されるものであり、リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上できる効果がある。
第1の水晶振動子によれば、リッド1が基板2に樹脂層4によって接着された部分を封止部とし、その封止部を覆うようにガラス層7が形成されるものであり、リッド1における樹脂層4との接触面で、フィレットなしの構成となっても、ガラス層7の液状ガラスがフィレットのない部分にも充填されるので、リッド1と基板2との間に形成される樹脂層4に対する気密性を向上させ、耐湿性を向上できる効果がある。
第2の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の全体をセラミック層8で覆うようにしているので、耐湿性を更に向上させることができる効果がある。
また、第2の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の全体を金属層で覆うようにしているので、耐湿性を更に向上させることができる効果がある。
また、第2の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の全体を金属層で覆うようにしているので、耐湿性を更に向上させることができる効果がある。
第3の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の基板にスルーホールが形成され、スルーホールの内面とその開口部に撥水層9を形成しているので、その部分にガラス層8が形成されず、スルーホールへのガラス層8の液状ガラスの流れ込みを防止できる効果がある。
第4の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の基板にスルーホールが形成され、スルーホールの開口部の縁までガラス層7´が形成されているものであり、スルーホール内への半田の這い上がりがよく、基板2の裏面の金属膜との接着の強度を高めることができ、更に、撥水層9を形成する第3の水晶振動子に比べて安価に耐湿性を向上させることができる効果がある。
第5の水晶振動子によれば、第1の水晶振動子の封止部を撥水層10で覆うようにしているので、熱膨張と衝撃に強いものとし、耐湿性を向上させることができる効果がある。
本発明は、基板とリッドを接着する樹脂の気密性を高め、耐湿性を向上させることができる電子デバイス及びその製造方法に好適である。
1...リッド、 2...基板、 3...金属電極、 4...樹脂層、 5...水晶片、 6...導電性接着剤、 7,7´...ガラス層、 8...セラミック層、 9...撥水層、 10...撥水層
Claims (12)
- 基板にリッドを樹脂層で接着して、前記リッドの内部を封止する電子デバイスであって、
前記基板に前記リッドが搭載される部分には前記樹脂層が形成されており、
前記リッドが前記基板に前記樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層が形成されていることを特徴とする電子デバイス。 - あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うようにセラミック層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子デバイス。
- あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うように金属層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子デバイス。
- 基板にはスルーホールが形成されており、
前記スルーホール内及び前記スルーホールの開口部に撥水層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子デバイス。 - 基板にはスルーホールが形成されており、
ガラス層が、前記スルーホールの開口部の縁まで形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子デバイス。 - 基板にリッドを樹脂層で接着して、前記リッドの内部を封止する電子デバイスであって、
前記基板に前記リッドが搭載される部分には前記樹脂層が形成されており、
前記リッドが前記基板に前記樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うように撥水層が形成されていることを特徴とする電子デバイス。 - 基板にリッドを樹脂層で接着して、前記リッドの内部を封止する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板に前記リッドを、前記樹脂層を介して搭載し、
前記リッドが前記基板に前記樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うようにガラス層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うようにセラミック層を形成することを特徴とする請求項7記載の電子デバイスの製造方法。
- あらわになっている基板部分、ガラス層、リッド部分を覆うように金属層を形成することを特徴とする請求項7記載の電子デバイスの製造方法。
- 基板にはスルーホールが形成され、
前記スルーホール内及び前記スルーホールの開口部に撥水層を形成して、
前記基板にリッドを、樹脂層を介して搭載することを特徴とする請求項7記載の電子デバイスの製造方法。 - 基板にはスルーホールが形成され、
前記スルーホールの開口部の縁までガラス層を形成することを特徴とする請求項7記載の電子デバイスの製造方法。 - 基板にリッドを樹脂層で接着して、前記リッドの内部を封止する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板に前記リッドを、前記樹脂層を介して搭載し、
前記リッドが前記基板に前記樹脂層によって接着された部分を封止部とし、当該封止部を覆うように撥水層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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