JP6169369B2 - 電子デバイスのガラス封止方法 - Google Patents

Description

本発明は、素子搭載部材と蓋部材とによって形成された空間内に電子部品素子を収容した構造の電子デバイス（電子デバイス用蓋部材を含む。）、及びその電子デバイスを製造する際のガラス封止方法に関する。

電子デバイスは、一般的に、電子機器に用いられている。特に、移動通信機器等の電子機器には、電子デバイスの一例である水晶デバイスが多く用いられている。例えば特許文献１には、素子搭載部材と蓋部材とをガラス封止材により接合し、その空間内に電子部品素子としての水晶振動素子を収容した水晶デバイスが開示されている。

図６は、従来技術１の水晶デバイスを示す断面図である。以下、この図面に基づき説明する。

従来技術１の水晶デバイス９０は、素子搭載部材９２、蓋部材９３、水晶振動素子９４及びガラス封止材９５を備えており、素子搭載部材９２と蓋部材９３とがガラス封止材９５により接合され、素子搭載部材９２と蓋部材９３とで形成された空間９１内に水晶振動素子９４が気密封止された構造となっている。

水晶デバイス９０を製造する際のガラス封止方法は、蓋部材９３にペースト状のガラス封止材９５を塗布し軟化溶融温度で焼成（一次焼成）し、水晶振動素子９４を搭載した素子搭載部材９２にガラス封止材９５を挟んで蓋部材９３を重ね合せ、ガラス封止材９５の軟化溶融温度で再び焼成（二次焼成）することにより蓋部材９３と素子搭載部材９２とを接合する、というものである。

特許第３８１１４２３号公報 特開２００４−１０３６２９号公報

図７［Ａ１］［Ａ２］は従来技術１の問題点を示す蓋部材の部分断面図であり、図７［Ａ１］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図７［Ａ２］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。以下、図６及び図７に基づき従来技術１の問題点を説明する。

図７［Ａ１］に示すように、蓋部材９３の突端面９６を上にして、スクリーン印刷法などにより突端面９６にペースト状のガラス封止材９５を塗布し、この状態でガラス封止材９５の軟化溶融温度まで加熱することにより一次焼成をする。しかしながら、図７［Ａ２］に示すように、一次焼成時に流動化したガラス封止材９５が突端面９６の外側又は内側へ流れ出してしまうことがあった。こうなると、蓋部材９３の接合強度が低下して、水晶デバイスの製造歩留りが低下してしまう。また、流動化したガラス封止材９５が空間９１内へ流れ込んで水晶振動素子９４に付着すると、水晶デバイス９０の特性不良を引き起こす。

図７［Ｂ１］［Ｂ２］は従来技術２の問題点を示す蓋部材の部分断面図であり、図７［Ｂ１］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図７［Ｂ２］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。以下、これらの図面に基づき従来技術２の問題点を説明する。

従来技術２では、一次焼成時のガラス封止材９５の流れ出しを防止するため、蓋部材９３の突端に段差面９７，９８を形成している（特許文献２参照）。図７［Ｂ１］に示すように、蓋部材９３の段差面９７，９８を上にして、スクリーン印刷法などにより段差面９７，９８にペースト状のガラス封止材９５を塗布し、この状態でガラス封止材９５の軟化溶融温度まで加熱することにより一次焼成をする。しかしながら、図７［Ｂ２］に示すように、このような構造を採用しても、一次焼成時に流動化したガラス封止材９５が段差面９７，９８の外側又は内側へ流れ出してしまうことがあった。つまり、従来技術２の構造でも、一次焼成時のガラス封止材９５の流れ出しを防止するには不十分であった。

このような焼成時のガラス封止材９５の流れ出しは、前述の一次焼成に限らず、二次焼成でも生じることがあった。また、近年の水晶デバイス９０の更なる小型化に伴い、ガラス封止材９５を塗布する面積も縮小しているので、この問題は今後ますます顕著になるものと予想される。

そこで、本発明の目的は、焼成時のガラス封止材の流れ出しを確実に防止し得る、電子デバイス及びそのガラス封止方法を提供することにある。

本発明に係る第一の電子デバイスのガラス封止方法は、
表裏の関係にある一方及び他方の主面と、この一方の主面側に設けられた搭載パッドと、この搭載パッドに電気的に導通するとともに前記他方の主面側に設けられた外部接続端子と、を有する素子搭載部材と、
表裏の関係にある一方及び他方の主面を有し、この一方の主面側が前記素子搭載部材の前記一方の主面側に重ねられ、前記素子搭載部材とともに空間を形成する蓋部材と、
前記搭載パッドに電気的に接続された接続端子を有するとともに、前記空間内に収容された電子部品素子と、
前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に環状に形成された溝部と、
前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との間及び前記溝部内に設けられ、前記空間内を気密に保持するガラス封止材と、
を備えた電子デバイスを製造する際のガラス封止方法であって、
前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に、幅方向の断面が半円状の前記溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部が形成された、前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に、前記ガラス封止材を塗布し溶融軟化温度で焼成することにより、前記溝部の幅方向における前記ガラス封止材の断面を全体として円状にする封止材形成工程と、
前記電子部品素子が搭載された前記素子搭載部材の前記一方の主面側に、前記蓋部材の前記一方の主面側を、前記ガラス封止材を挟んで重ね合わせることにより、前記電子部品素子を前記空間内に収納する蓋部材配置工程と、
前記ガラス封止材を溶融軟化温度で再び焼成することにより前記素子搭載部材と前記蓋部材とを接合する接合工程と、
を含むものである。

本発明に係る第二の電子デバイスのガラス封止方法は、
本発明に係る第一の電子デバイスのガラス封止方法において、
前記素子搭載部材は、セラミックスからなり、平板状かつ矩形状であり、
前記蓋部材は、金属からなり、平板状かつ矩形状の基板部と、この基板部の周縁かつ当該蓋部材の前記一方の主面側に設けられた矩形状の枠部とを有し、
前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁とは、前記枠部の突端面であり、
前記溝部形成工程では、前記枠部の突端面にのみハーフエッチングを施すことにより前記溝部を形成し、
前記封止材形成工程では、前記溝部が形成された前記枠部の突端面にのみ前記ガラス封止材を形成するものである。

本発明に係る電子デバイス及びそのガラス封止方法によれば、蓋部材と素子搭載部材とによって形成された空間内を気密に保持するガラス封止材を溝部内に設けることにより、焼成時に流動化したガラス封止材が溝部内に留まろうとするため、焼成時のガラス封止材の流れ出しを確実に防止できる。

実施形態１の水晶デバイスを一部切り欠いて示す分解斜視図である。 実施形態１の水晶デバイスを示す図１におけるII−II線断面図である。 実施形態１における溝部を示す断面図であり、図３［Ａ］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図３［Ｂ］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。 実施形態２のガラス封止方法を示し、図４［Ａ１］は溝部形成工程前を示す平面図であり、図４［Ａ２］は図４［Ａ１］におけるＡ−Ａ線断面図であり、図４［Ｂ１］は溝部形成工程後を示す平面図であり、図４［Ｂ２］は図４［Ｂ１］におけるＢ−Ｂ線断面図である。 実施形態２のガラス封止方法を示し、図５［Ｃ１］は封止材形成工程中を示す平面図であり、図５［Ｃ２］は図５［Ｃ１］におけるＣ−Ｃ線断面図であり、図５［Ｄ１］は封止材形成工程後を示す平面図であり、図５［Ｄ２］は図５［Ｄ１］におけるＤ−Ｄ線断面図である。 従来技術１の水晶デバイスを示す断面図である。 図７［Ａ１］［Ａ２］は従来技術１の問題点を示す蓋部材の部分断面図であり、図７［Ａ１］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図７［Ａ２］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。図７［Ｂ１］［Ｂ２］は従来技術２の問題点を示す蓋部材の部分断面図であり、図７［Ｂ１］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図７［Ｂ２］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。以下、電子部品素子の一例として水晶振動素子、電子デバイスの一例として水晶デバイスを採り上げて説明する。また、本発明に係る電子デバイス（本発明に係る電子デバイス用蓋部材を含む。）の一実施形態を「実施形態１の水晶デバイス」とし、本発明に係る電子デバイスのガラス封止方法の一実施形態を「実施形態２のガラス封止方法」として説明する。

図１は、実施形態１の水晶デバイスを一部切り欠いて示す分解斜視図である。図２は、実施形態１の水晶デバイスを示す図１におけるII−II線断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。

図１は蓋部材配置工程前の状態を示し、図２は接合工程後の状態を示している。これらの各工程については後述する。また、図１中及び図２中では、蓋部材の一部を拡大して示している。まず、本実施形態１の水晶デバイス１０の概要を説明する。

水晶デバイス１０は、素子搭載部材２０、蓋部材３０、水晶振動素子４０、溝部６０及びガラス封止材５０を備えている。素子搭載部材２０は、表裏の関係にある一方の主面２１及び他方の主面２２と、一方の主面２１側に設けられた搭載パッド２３と、搭載パッド２３に電気的に導通するとともに他方の主面２２側に設けられた外部接続端子２４と、を有する。蓋部材３０は、表裏の関係にある一方の主面３１及び他方の主面３２を有し、一方の主面３１側が素子搭載部材２０の一方の主面２１側に重ねられ、素子搭載部材２０とともに空間１１を形成する。水晶振動素子４０は、搭載パッド２３に電気的に接続された接続端子４１を有するとともに、空間１１内に収容されている。溝部６０は、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁と素子搭載部材２０の一方の主面２１側の周縁との、少なくとも一方に環状に形成されている。ガラス封止材５０は、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁と素子搭載部材２０の一方の主面２１側の周縁との間及び溝部６０内に設けられ、空間１１内を気密に保持する。

次に、本実施形態１の水晶デバイス１０について更に詳しく説明する。

水晶デバイス１０は、水晶振動素子４０が素子搭載部材２０に搭載された状態で、素子搭載部材２０と蓋部材３０とがガラス封止材５０によって接合され、素子搭載部材２０と蓋部材３０とで形成される空間１１内に水晶振動素子４０が気密封止された構造となっている。

水晶振動素子４０は、接続端子４１と水晶片４２と励振電極４３とから構成されており、水晶片４２の両主面に励振電極４３が設けられ、励振電極４３から水晶片４２の主面の端部にまで延びるように接続端子４１が設けられている。

蓋部材３０は、例えば金属からなり、平板状かつ矩形状の基板部３５と、基板部３５の周縁かつ蓋部材３０の一方の主面３１側に設けられた矩形状の枠部３６とを有する。つまり、枠部３６は、基板部３５の一方の主面３１側の周縁に沿って環状に設けられている。そのため、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁とは、枠部３６の突端面３６１である。突端面３６１には、突端面３６１の形状に沿って溝部６０が環状に形成されている。溝部６０の幅方向の断面は、半円状であるが、これに限らず矩形状などでもよい。

換言すると、蓋部材３０は、表裏の関係にある一方の主面３１及び他方の主面３２を有する平板状かつ矩形状の基板部３５と、基板部３５の周縁の一方の主面３１側に環状に設けられた枠部３６と、枠部３６の環状の先端である突端面３６１と、突端面３６１を一周するように突端面３６１上に形成された溝部６０と、溝部６０を含む突端面３６１上に設けられたガラス封止材５０と、を備えた電子デバイス用蓋部材である。蓋部材３０は、部品として独立して商取引の対象となる。

素子搭載部材２０は、例えばセラミックスからなり、一方の主面２１及び他方の主面２２が矩形形状の平板となっている。また、素子搭載部材２０は、空間１１の底面となる一方の主面２１側に搭載パッド２３が設けられ、他方の主面２２側に外部接続端子２４が設けられている。搭載パッド２３は、水晶振動素子４０の接続端子４１に対向する位置に設けられ、導電性接着材２７によって接続端子４１に電気的に接続されている。外部接続端子２４は、素子搭載部材２０の内部配線２８（図２）を介して搭載パッド２３に電気的に接続されている。

したがって、素子搭載部材２０には水晶振動素子４０が搭載され、水晶振動素子４０は空間１１内に収納されつつ接続端子４１が搭載パッド２３に電気的に接続されている。なお、蓋部材３０が凹部を有する構造、素子搭載部材２０が平板状になっているが、これとは逆に、蓋部材３０が平板状、素子搭載部材２０が凹部を有する構造としてもよい。

また、ガラス封止材５０及び溝部６０は、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁に沿って環状に形成されている。蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁とは、枠部３６の突端面３６１である。これにより、素子搭載部材２０の一方の主面２１側は、蓋部材３０の一方の主面３１側に接した状態で、ガラス封止材５０によって接合されている。なお、ガラス封止材５０及び溝部６０は、蓋部材３０に代えて又は蓋部材３０とともに素子搭載部材２０に形成してもよい。

また、環状に形成されているガラス封止材５０は、溶融又は軟化の後に再び硬化することにより、蓋部材３０と素子搭載部材２０とを接合している。このとき、蓋部材３０と素子搭載部材２０とで形成される空間１１内に、素子搭載部材２０に搭載されている水晶振動素子４０が気密封止されている。

ガラス封止材５０は、例えば、酸化鉛系ガラスや燐酸塩系ガラスなどの低融点ガラスからなる。ガラス封止材５０を用いた場合は、金属封止材を用いた場合に比べて、耐酸化性及び耐湿性に優れる。

図３は実施形態１における溝部を示す断面図であり、図３［Ａ］はガラス封止材の塗布後の状態を示し、図３［Ｂ］はガラス封止材の一次焼成後の状態を示す。以下、この図面に基づき、溝部６０について詳しく説明する。

溝部６０は、幅方向の断面が半円状であり、実質的な底面６１及び側面６２，６３という三つの凹面からなる。このとき、図３［Ａ］に示すように、蓋部材３０の突端面３６１を上にして、スクリーン印刷法などにより突端面３６１及び溝部６０内にペースト状のガラス封止材５０を塗布し、この状態でガラス封止材５０の軟化溶融温度まで加熱することにより一次焼成をする。すると、図３［Ｂ］に示すように、流動化したガラス封止材５０が溝部６０内に留まる。

次に、主に図１乃至図３に基づき、本実施形態１の水晶デバイス１０の作用及び効果について説明する。

（１）図７［Ａ１］［Ａ２］に示す従来技術１では、突端面９６という一つの平面だけでガラス封止材９５を保持している。図７［Ｂ１］［Ｂ２］に示す従来技術２では、一つの平面ではなく段差面９７，９８という二つの平面でガラス封止材９５を保持しているので、従来技術１に比べればガラス封止材９５の流れ出しを防止できるものの、その効果は不十分である。これに対し、図３［Ａ］［Ｂ］に示す本実施形態１では、二つの平面ではなく実質的な底面６１及び側面６２，６３という三つの面でガラス封止材５０をしっかりと保持している。すなわち、本実施形態１によれば、蓋部材３０と素子搭載部材２０とによって形成された空間１１内を気密に保持するガラス封止材５０を溝部６０内に設けることにより、焼成時に流動化したガラス封止材５０が溝部６０内に留まろうとするため、焼成時のガラス封止材５０の流れ出しを確実に防止できる。それにより、ガラス封止材５０が空間１１へ流れ込んで水晶振動子４０に付着することがないので、水晶デバイス１０の特性不良を防止できる。

（２）ガラス封止材５０を塗布する面積が縮小しても、焼成時のガラス封止材５０の流れ出しを確実に防止できることから、水晶デバイス１０の更なる小型化にも対応できる。

（３）蓋部材３０の突端面３６１及び溝部６０内にガラス封止材５０を設けることにより、溝部６０の無い突端面３６１のみにガラス封止材５０を設ける場合に比べて、蓋部材３０とガラス封止材５０との接触面積を拡大できる。これにより、蓋部材３０と素子搭載部材２０との接合強度を向上できる。換言すると、突端面３６１に溝部６０を設けたことにより、溝部６０の無い平面に比べて蓋部材３０とガラス封止材５０との接触面積が増大して、これらの密着強度が上がるので、水晶デバイス１０の封止強度を向上できる。

（４）セラッミクスからなり平板状かつ矩形状の素子搭載部材２０と、金属からなり平板状かつ矩形状の基板部３５及び矩形状の枠部３６を有する蓋部材３０とを組み合わせ、枠部３６の突端面３６１に溝部６０を形成する場合は、安価かつ製造容易な電子デバイス１０が得られる。その理由は、高価な材料であるセラミックスからなる素子搭載部材２０を単純な形状とし、安価な材料である金属からなる蓋部材３０を複雑な形状とし、セラミックスよりもエッチングによる形状加工が容易な金属の蓋部材３０に溝部６０を形成するからである。

（５）溝部６０の幅方向の断面が半円状である場合は、前述の実質的な底面６１及び側面６２，６３が全て凹面になるため、これらが平面であるときに比べて、ガラス封止材５０を更にしっかりと保持できる。

（６）蓋部材３０によれば、枠部３６の突端面３６１に溝部６０を形成し、溝部６０を含む突端面３６１にガラス封止材５０を設けたことにより、焼成時に流動化したガラス封止材５０が溝部６０内に留まろうとするため、焼成時のガラス封止材５０の流れ出しを確実に防止できる。それにより、ガラス封止材５０が空間１１へ流れ込んで水晶振動子４０に付着することがないので、水晶デバイス１０の特性不良を防止できる。

図４は実施形態２のガラス封止方法における溝部形成工程を示し、図４［Ａ１］は工程前を示す平面図、図４［Ａ２］は図４［Ａ１］におけるＡ−Ａ線断面図、図４［Ｂ１］は工程後を示す平面図、図４［Ｂ２］は図４［Ｂ１］におけるＢ−Ｂ線断面図である。図５は実施形態２のガラス封止方法における封止材形成工程を示し、図５［Ｃ１］は工程中を示す平面図、図５［Ｃ２］は図５［Ｃ１］におけるＣ−Ｃ線断面図、図５［Ｄ１］は工程後を示す平面図、図５［Ｄ２］は図５［Ｄ１］におけるＤ−Ｄ線断面図である。図４及び図５では、わかりやすくするために、突端面の幅方向を他の部分に比べて拡大して示している。以下、図１乃至図５に基づき説明する。

本実施形態２のガラス封止方法は、実施形態１の水晶デバイス１０を製造する際のガラス封止方法であり、次の工程を含む。

蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁と素子搭載部材２０の一方の主面２１側の周縁との少なくとも一方に、溝部６０を形成する溝部形成工程（図４）。本実施形態２では、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁にのみ、溝部６０を形成する。蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁とは、枠部３６の突端面３６１である。

溝部６０が形成された、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁と素子搭載部材２０の一方の主面２１側の周縁との少なくとも一方に、ガラス封止材５０を塗布し溶融軟化温度で焼成（一次焼成）する封止材形成工程（図５）。本実施形態２では、蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁すなわち枠部３６の突端面３６１にのみ、ガラス封止材５０を塗布する。

水晶振動素子４０が搭載された素子搭載部材２０の一方の主面２１側に、蓋部材３０の一方の主面３１側を、ガラス封止材５０を挟んで重ね合わせることにより、水晶振動素子４０を空間１１内に収納する蓋部材配置工程（図１）。本実施形態２では、蓋部材３０の一方の主面３１側は枠部３６の突端面３６１に相当する。

ガラス封止材５０を溶融軟化温度で再び焼成（二次焼成）することにより、素子搭載部材２０と蓋部材３０とを接合する接合工程（図２）。

次に、本実施形態２のガラス封止方法について具体的な一例を説明する。

素子搭載部材２０は、セラミックスからなり、平板状かつ矩形状である。蓋部材３０は、金属からなり、平板状かつ矩形状の基板部３５と、基板部３５の周縁かつ蓋部材３０の一方の主面３１側に設けられた矩形状の枠部３６とを有する。蓋部材３０の一方の主面３１側の周縁とは、枠部３６の突端面３６１である。溝部形成工程（図４）では、枠部３６の突端面３６１にのみハーフエッチングを施すことにより溝部６０を形成する。「ハーフエッチング」とは、被エッチング材を貫通しないエッチングという意味である。封止材形成工程（図５）では、溝部６０が形成された枠部３６の突端面３６１にのみガラス封止材５０を形成する。

次に、本実施形態２のガラス封止方法の各工程について更に詳しく説明する。

＜溝部形成工程（図４）＞
溝部形成工程では、枠部３６の突端面３６１にのみ、ウェットエッチングを用いて、溝部６０を環状に形成する。まず、図４［Ａ１］［Ａ２］に示す状態で、一般的なフォトリソグラフィ技術を用い、エッチングを施さない箇所をレジスト膜で覆う。そして、一部がレジスト膜で覆われた蓋部材３０をエッチング液中に浸すことにより、溝部６０を形成する。蓋部材３０がコバール（Kovar）などの金属からなる場合は、エッチング液として例えば塩化第二鉄（FeCl3）水溶液を用いる。このとき、ウェットエッチングは等方性エッチングとなるので、図４［Ｂ１］［Ｂ２］に示すように、幅方向の断面が半円状の溝部６０が得られる。なお、この工程において、溝部６０以外に、蓋部材３０の外形や凹部をエッチングによって形成するようにしてもよい。

＜封止材形成工程（図５）＞
封止材形成工程では、溝部６０を含む突端面３６１にのみ、ガラス封止材５０を環状に形成する。まず、図５［Ｃ１］［Ｃ２］に示すように、溝部６０を含む突端面３６１にペースト状のガラス封止材５０を環状に塗布する。そして、この状態でガラス封止材５０の軟化溶融温度まで加熱すると、図５［Ｄ１］［Ｄ２］に示すように、流動化したガラス封止材５０が表面張力によって溝部６０上に集まって、幅方向の断面が円状のガラス封止材５０が得られる。なお、ガラス封止材５０の密着性をよくするために、溝部６０内に活性ろう材層を形成してから、その上にガラス封止材５０を形成してもよい。

＜素子搭載工程（図１）＞
素子搭載工程では、水晶振動素子４０の接続端子４１を素子搭載部材２０の搭載パッド２３に電気的及び機械的に接続することにより、水晶振動素子４０を素子搭載部材２０に搭載する。まず素子搭載部材２０の搭載パッド２３に導電性接着材２７を塗布し、導電性接着材２７に水晶振動素子４０の接続端子４１を接触させ、導電性接着材２７を硬化させることにより、搭載パッド２３と接続端子４１とを電気的に接続する。なお、この素子搭載工程は、水晶デバイスの製造方法の工程に含まれ、本実施形態２のガラス封止方法の工程には必ずしも含まれない。

＜蓋部材配置工程（図１）＞
蓋部材配置工程では、素子搭載部材２０の一方の主面２１側に蓋部材３０の一方の主面３１側すなわち枠部３６の突端面３６１を接触させることにより、空間１１内に水晶振動素子４０を収納するように蓋部材３０を配置する。このとき、蓋部材３０を接着剤などによって素子搭載部材２０上に仮止めするようにしてもよい。

＜接合工程（図２）＞
接合工程では、素子搭載部材２０上に蓋部材３０が配置された状態において、ガラス封止材５０を溶融軟化温度で再び焼成することにより、素子搭載部材２０と蓋部材３０とを接合する。

次に、本実施形態２のガラス封止方法の作用及び効果について説明する。

（１）枠部３６の突端面３６１に溝部６０を形成し、溝部６０を含む突端面３６１にガラス封止材５０を形成することにより、焼成時に流動化したガラス封止材５０が溝部６０内に留まろうとするため、焼成時のガラス封止材５０の流れ出しを確実に防止できる。

（２）セラッミクスからなり平板状かつ矩形状の素子搭載部材２０と、金属からなり平板状かつ矩形状の基板部３５及び矩形状の枠部３６を有する蓋部材３０とを組み合わせ、枠部３６の突端面３６１にハーフエッチングによって溝部６０を形成する場合は、安価かつ製造容易な電子デバイス１０が得られる。その理由は、実施形態１の説明で述べたとおりである。

（３）その他の作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、電子部品素子として、セラミックスからなる圧電振動素子や、コンデンサ素子、半導体素子などを用いてもよい。電子デバイスは、複数の電子部品素子を収容するものとしてもよい。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

１０ 水晶デバイス（電子デバイス）
１１ 空間
２０ 素子搭載部材
２１ 一方の主面
２２ 他方の主面
２３ 搭載パッド
２４ 外部接続端子
２７ 導電性接着材
２８ 内部配線
３０ 蓋部材（電子デバイス用蓋部材）
３１ 一方の主面
３２ 他方の主面
３５ 基板部
３６ 枠部
３６１ 突端面
４０ 水晶振動素子（電子部品素子）
４１ 接続端子
４２ 水晶片
４３ 励振電極
５０ ガラス封止材
６０ 溝部
６１ 底面
６２，６３ 側面

９０ 水晶デバイス
９１ 空間
９２ 素子搭載部材
９３ 蓋部材
９４ 水晶振動素子
９５ ガラス封止材
９６ 突端面
９７，９８ 段差面

Claims (2)

1. 表裏の関係にある一方及び他方の主面と、この一方の主面側に設けられた搭載パッドと、この搭載パッドに電気的に導通するとともに前記他方の主面側に設けられた外部接続端子と、を有する素子搭載部材と、
   表裏の関係にある一方及び他方の主面を有し、この一方の主面側が前記素子搭載部材の前記一方の主面側に重ねられ、前記素子搭載部材とともに空間を形成する蓋部材と、
   前記搭載パッドに電気的に接続された接続端子を有するとともに、前記空間内に収容された電子部品素子と、
   前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に環状に形成された溝部と、
   前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との間及び前記溝部内に設けられ、前記空間内を気密に保持するガラス封止材と、
   を備えた電子デバイスを製造する際のガラス封止方法であって、
   前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に、幅方向の断面が半円状の前記溝部を形成する溝部形成工程と、
   前記溝部が形成された、前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁と前記素子搭載部材の前記一方の主面側の周縁との少なくとも一方に、前記ガラス封止材を塗布し溶融軟化温度で焼成することにより、前記溝部の幅方向における前記ガラス封止材の断面を全体として円状にする封止材形成工程と、
   前記電子部品素子が搭載された前記素子搭載部材の前記一方の主面側に、前記蓋部材の前記一方の主面側を、前記ガラス封止材を挟んで重ね合わせることにより、前記電子部品素子を前記空間内に収納する蓋部材配置工程と、
   前記ガラス封止材を溶融軟化温度で再び焼成することにより前記素子搭載部材と前記蓋部材とを接合する接合工程と、
   を含む電子デバイスのガラス封止方法。
2. 前記素子搭載部材は、セラミックスからなり、平板状かつ矩形状であり、
   前記蓋部材は、金属からなり、平板状かつ矩形状の基板部と、この基板部の周縁かつ当該蓋部材の前記一方の主面側に設けられた矩形状の枠部とを有し、
   前記蓋部材の前記一方の主面側の周縁とは、前記枠部の突端面であり、
   前記溝部形成工程では、前記枠部の突端面にのみハーフエッチングを施すことにより前記溝部を形成し、
   前記封止材形成工程では、前記溝部が形成された前記枠部の突端面にのみ前記ガラス封止材を形成する、
   請求項１記載の電子デバイスのガラス封止方法。

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