JP2001024079A - 電子部品の封止構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 封止ガラスを用いて電子部品を封止する構造
において、小型で封止性能に優れた電子部品の封止構造
を提供すること。 【解決手段】 ベース２０の表面に形成した電極２４上
に電子部品２３を固定し、キャップ２２を被せて、この
キャップと前記ベースとの間に封止ガラスを充填して封
止する電子部品の封止構造であって、前記ベースには、
封止に際して加熱溶融させた前記封止ガラス２６の溶融
材料を逃がすための逃げ領域２８を設けた構造。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動素子をキ
ャップによって封止して構成した圧電振動子等の電子部
品の封止構造の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、上述のような封止構造を備え
た電子部品としての圧電振動子の概略断面図である。

【０００３】図において、圧電振動子１は、例えば１枚
構成のセラミック基板であるベース２を備えており、こ
のベース２上には、駆動用の電流が印加される電極が形
成されている。

【０００４】そして、ベース２の電極上に導電接着剤３
を介して、圧電振動片４が固定されており、さらに、窒
素雰囲気等の不活性なガスの雰囲気中でセラミック製の
蓋体であるキャップ５をかぶせて封止ガラス６により、
封止されて構成されている。

【０００５】また、ベース２の端部には、窪み２ａが設
けられており、例えば図示しない実装基板等へのハンダ
実装の際には、ベース２と実装基板のパッドとの間で、
この窪み２ａが位置して、狭い窪み２ａの箇所にて、フ
ィレットが形成された半田付けがなされ半田接続強度を
高めている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した圧
電振動子１は、携帯用の電子機器に数多く利用されてい
る。このような携帯用の電子機器は、小型，軽量化が急
速に進められており、このため、このような機器内にお
いて、圧電振動子１を実装するスペースはきわめて限ら
れてくる。

【０００７】この結果、圧電振動子１の外形寸法をでき
るだけ小さくする必要があり、そのためベース２やキャ
ップ５の寸法も小さく形成されることになる。これらの
寸法が小さくなると、キャップ５とベース２との僅かな
位置ずれにより、封止の際に溶融し流出した封止ガラス
を収容できなくなる。これにより、封止の際に溶融した
封止ガラスの溶融材料がベース２の側面や窪み２ａまで
流れだして、ハンダの付きを阻害し、実装後のハンダ強
度を確保できない場合があった。また、溶融ガラスがベ
ース２の下側まで回り込んで、実装できない場合もあっ
た。

【０００８】このような事態を防止するために、図１３
に示すような構造も提案されている。

【０００９】図示されているのは、圧電振動子とは異な
る半導体装置に関するものであって、図において、半導
体装置用ケース１ａの上には、半導体ペレット５ａが搭
載されている。半導体装置用ケース１ａの上面には電極
メタライズ部１４ａが形成されている。この半導体装置
用ケース１ａは、外部リード端子２ａ，２ａにロー付け
材３ａによって固定されており、外部リード端子２ａ，
２ａは上記電極メタライズ部１４ａと導通している。さ
らに半導体ペレット５ａは、電極メタライズ部１４ａに
対して、ワイヤボンディング部１１ａにて電気的に接続
されている。

【００１０】このような構造において、電子部品として
の半導体ペレット５ａは、半導体装置用ケース１ａにキ
ャップ６ａを被せるようにして、このキャップ６ａ下面
に封止用ガラス８ａを適用することによって封止されて
いる。

【００１１】この場合、図示されているように、キャッ
プ６ａの下端付近は、その側壁の厚み９ａを徐々に薄く
するようにして形成した切欠き部１２を設けている。こ
れによって、封止の際に、溶融した封止ガラスの材料が
切欠き部１２に流れ込むようにして、この溶融材料が外
側に大きくはみ出したりして、上述した点と共通する不
都合を回避するようにしようとするものである。

【００１２】しかしながら、このような手法は、以下の
理由により、実現することは困難である。

【００１３】すなわち、このような封止構造に用いられ
ているキャップ６ａは、セラミックスで形成されてお
り、封止ガラスをもちいて上述のような封止構造を得る
場合には、キャップ６ａは以下の手順により形成され
る。

【００１４】第１工程として、セラミックの粉体を所定
の型内に充填して加圧成形することにより、キャップ６
ａの外形を形成する。

【００１５】第２工程として、成形したキャップ６ａを
高温にて焼成することで成形を行う。

【００１６】第３工程として、封止部，すなわち、キャ
ップ６ａの封止材を適用すべき下端部（図１３参照）に
ペースト状のガラスを適用する。

【００１７】第４工程として、ペースト状のガラスを加
熱して固化させ、封止ガラスが下端部に適用された状態
のキャップ６ａを得る。

【００１８】そして、このような封止ガラス付きキャッ
プ６ａを上述の図１３のように半導体装置用ケース１ａ
に被せて、さらに加熱し、封止するのである。

【００１９】そうすると、図１３に示したようなキャッ
プ６ａの切欠き部１２は、上記第１工程にて既に形成さ
れていなければならない。そして、これを第２，第３工
程を経て第４工程においては、キャップ６ａの下端に封
止ガラスが適用された状態にて、一度加熱して、ペース
ト状のガラスを固化させる必要がある。しかしながら、
ペースト状のガラスは、加熱されると一端溶融してから
固化するから、このとき溶融したガラス材料は、封止工
程の前に上記切欠き部１２に流れ込んでしまい、実際上
は封止工程において、切欠き部１２は有効に機能し得な
いのである。

【００２０】本発明は上述のような課題を解決するため
になされたもので、封止ガラスを用いて電子部品を封止
する構造において、小型で封止性能に優れた電子部品の
封止構造を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明によれば、ベースの表面に形成した電極上に電子部
品を接続し、キャップを被せて、このキャップと前記ベ
ースとの間に封止ガラスを充填して封止する電子部品の
封止構造であって、前記ベースには、封止に際して加熱
溶融させた前記封止ガラスの溶融材料を逃がすための逃
げ領域を設けた、電子部品の封止構造により、達成され
る。

【００２２】請求項１の構成によれば、封止工程におい
ては、溶融した封止材としてのガラス材料は、ベース側
の逃げ領域に吸収されるので、キャップやベースからは
み出すことがない。また、封止ガラスは、封止工程にお
いてはみ出すことがないので、封止性能を損なわないよ
うに十分な量を適用することができる。

【００２３】また、請求項２の発明は、請求項１の構成
において、前記ベースの前記逃げ領域に一体に前記ベー
スの側面に窪み部を形成し、この窪み部の表面には、前
記電極が設けられていることを特徴とする。

【００２４】請求項２の構成によれば、ベース側面の表
面に電極を形成した窪み部を設け、この窪み部に前記逃
げ領域が一体に設けられているので、封止の際にはみ出
した溶融ガラスは、この逃げ領域に吸収保持されて窪み
部のフィレットを形成すべき部分に達することがなく、
上記半田フィレットの形成を阻害することがない。

【００２５】また、請求項３の発明は、請求項２の構成
において、前記ベースの前記逃げ領域が、前記窪み部の
表面に設けた段部でなることを特徴とする。

【００２６】請求項３の構成によれば、半田フィレット
を形成すべき窪み部に関して、段部より上で溶融ガラス
を保持することができる。

【００２７】また、請求項４の発明は、請求項３の構成
において、前記段部が、前記窪み部の表面に設けた電極
の厚みを部分的に変えることにより形成したことを特徴
とする。

【００２８】また、請求項５の発明は、請求項３の構成
において、前記ベースが複数のセラミック材料層を積層
してなり、前記段部は、前記窪み部途中にて、ベースを
構成するセラミック層の大きさを変えることにより段差
を形成することで構成したことを特徴とする。

【００２９】前記ベースには、その表裏両面に貫通する
貫通孔が形成されおり、この貫通孔の内部に導電材を充
填することで、この導電材によりベース表裏面に形成し
た電極どうしが接続され、また、請求項６の発明は、請
求項２ないし５の構成において、前記ベースには、その
表裏両面に貫通する貫通孔が形成されおり、この貫通孔
の内部に導電材を充填することで、この導電材によりベ
ース表裏面に形成した電極どうしが接続され、前記窪み
部において、積層されたセラミック材料層の少なくとも
封止側の層には電極を設けず、かつこれ以外の窪み部に
は、ベース裏面の電極と導通する電極部を形成したこと
を特徴とする。

【００３０】請求項６の構成によれば、前記窪み部の電
極を形成しない領域と電極を形成した領域の境界が、封
止ガラスの溶融材料の逃げ領域として機能する。

【００３１】また、請求項７の発明は、請求項６の構成
において、前記ベースには、その表裏両面に貫通する貫
通孔が形成されおり、この貫通孔の内部に導電材を充填
することで、この導電材によりベース表裏面に形成した
電極どうしが接続され、さらに、前記ベースは大きさの
異なるセラミック材料層を含む複数のセラミック材料層
を積層して段差を形成し、この段差による段部に電極を
形成せずに前記逃げ領域を設け、かつこの段部以外の窪
み部にはベース裏面の電極と導通する電極部が設けられ
ていることを特徴とする。

【００３２】請求項７の構成によれば、この構成は、請
求項６の構成に対して、段差の要素を加えたものであ
り、逃げ領域を段差構造にて構成し、この逃げ領域に
は、電極を形成する必要性がないので、逃げ領域が十分
確保される。

【００３３】また、上記目的は、請求項８の発明によれ
ば、ベースの表面に形成した電極上に電子部品を接続
し、キャップを被せて、このキャップと前記ベースとの
間に封止ガラスを充填して封止する電子部品の封止構造
であって、前記キャップには、封止ガラスが適用される
面に、封止に際して加熱溶融させた前記封止ガラスの溶
融材料を逃がすための逃げ領域が設けられており、この
逃げ領域は、封止ガラスの適用面と反対の面まで貫通し
た貫通孔である、電子部品の封止構造により、達成され
る。

【００３４】請求項８の構成によれば、溶融ガラスの逃
げ領域をキャップ側に形成しても、この逃げ領域である
前記貫通孔は十分な容積を備えているので、封止の際に
溶融ガラスを十分受容することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面を参照して説明する。

【００３６】図１は、本発明の実施形態である封止構造
が適用される圧電振動子の外観を示す概略斜視図であ
り、図２は、図１の鎖線で示した仮想の切断面Ｃにて切
断した状態を示す圧電振動子の概略斜視図、図３は、図
２と同じ断面を表す概略断面図である。 これらの図に
おいて、圧電振動子２０は、本発明の第１の実施形態を
示すものであり、この圧電振動子２０は、ベース２１
と、ベース２１上に固定される電子部品としての圧電振
動素子２３と、この電子部品を封止するために、ベース
２１に被せられて固定されるキャップ２２とを有してい
る。

【００３７】ベース２１は、セラミックス材料で形成さ
れており、本実施形態では２枚構成で、下ベース２１ａ
の上に、上ベース２１ｂを積層して形成されている。こ
のベース２１上には、所定の電極２４が印刷，焼成，メ
ッキ等の手法により設けられていて、この電極２４は、
ベース２１の上面だけでなく、後述するベース２１の窪
み部や裏面にも延長されている。

【００３８】圧電振動素子２３は、本実施形態の場合、
例えば水晶振動片が用いられている。この圧電振動素子
２３は、後述するように短冊状に形成されていて、図示
しない励振電極を有している。

【００３９】そして、圧電振動素子２３は、例えば図３
に示されているように、その一端部が導電性接着剤２５
によって、ベース２１の上記電極上に固定され、ベース
２１の電極２４と圧電振動素子２３の励振電極が電気的
に接続されることによって、外部からの駆動電圧が印加
され、その駆動電圧に対応した振動をするようになって
いる。

【００４０】キャップ２２は、セラミックス材料でなっ
ており、ほぼ四角形状の浅い蓋体でなっている。このキ
ャップ２２は、伏せるようにしてベース２１上に配置さ
れ固定されることによって、図２及び図３に示すように
内部空間Ｓ内に上記圧電振動素子２３を収容した状態に
て封止するようになっている。

【００４１】そして、この封止工程においては、後述す
るように、キャップ２２の下端部に予め適用された封止
材としての封止ガラス２６が用いられる。

【００４２】ここで、ベース２１の側面部には、凹状の
窪み部（キャスタレーション）２７が形成されている。
この窪み部２７は、具体的には、例えば、ベース２１の
両短辺の中央付近にそれぞれ設けられており、後述する
ベース２１の成形の際に形成される。

【００４３】図４は、この窪み部２７に関して、図２の
一部を拡大して示す図であり、この図４に詳細に示され
ているように、窪み部２７の表面は、ベース２１の上面
及び下面から連続して設けられた電極２４により覆われ
ている。そして、窪み部２７の途中には、下ベース２１
ａと上ベース２１ｂとの境界付近に上述した封止ガラス
の逃げ領域としての段部２８が設けられている。この実
施形態では、段部２８は、電極２４を形成する際の下地
層であるタングステンの被膜の厚みを変えることによ
り、電極部２４自体に段差を形成することで構成されて
いる。

【００４４】本発明の第１の実施形態は以上のように構
成されており、次に図５を参照して圧電振動子２０の製
造工程の概略を説明しつつ、本実施形態の封止構造の作
用を説明する。

【００４５】図５（ａ）に示すように、板状のセラミッ
クス材料を焼成して得たベース２１の表面及び裏面と、
これらを接続する側面に電極２４を形成する。

【００４６】また、これとは別に所定の水晶素板を形成
し、これに必要な励振電極（図示せず）を形成して圧電
振動素子２３を得る。

【００４７】そして、図５（ｂ）に示すように、ベース
２１の電極上に、このベース２１の上面から所定の距離
を隔てるように平行な関係を保つようにして、導電性接
着剤２５にて、上記圧電振動素子２３を固定する。

【００４８】一方、ベース２１に被せるためのキャップ
２２は、既述した手順により形成される。すなわち、第
１工程として、セラミックの粉体を所定の型内に充填し
て加圧成形することにより、キャップ２２の外形を形成
する。そして、第２工程として、成形したキャップ２２
を高温にて焼成することで成形を行う。次いで、図５
（ｃ）の右側に示すように、第３工程として、封止部，
すなわち、キャップ２２の封止材を適用すべき下端部の
周縁２２ａに沿ってペースト状の封止ガラスを適用す
る。ここで、第４工程として、キャップ２２だけを加熱
することにより、ペースト状のガラスを加熱して固化さ
せ、封止ガラスが下端部に適用された状態のキャップ２
２を得る。

【００４９】したがって、キャップ２２の下端には、従
来のように切欠き部等を形成していないので、キャップ
２２の下端周縁２２ａに沿って適切に封止ガラスが適用
されて固化されている。

【００５０】この状態のキャップ２２を、図５（ｃ）に
示すように、ベース２１の上方にて伏せた状態で位置さ
せ、図５（ｄ）に示すように、窒素雰囲気等の不活性な
ガス雰囲気中で、ベース２１上にキャップ２２を載置し
て加熱し、封止する（封止工程）。

【００５１】この場合、図３に示されているように、封
止工程における加熱処理により、封止ガラス２６の一部
が溶融して流れ、図において横方向に移動しても、この
余分な溶融材料は、ベース２１の縁を越えて下方に導か
れ、ベース２１の各短辺の側面に形成した逃げ領域であ
る段部２８，２８にとらえられて、ここに止まり硬化さ
れることになる。

【００５２】したがって、製品サイズを小型化しても、
本実施形態にかかる電子部品の封止構造によれば、余分
な溶融ガラスがキャップ２２やベース２１から大きくは
み出すことがことがないので、半田付け品質の確認が容
易で半田付けの信頼性が向上し、製品の外観を損なうこ
とがない。また、封止ガラス２６は、その分量が多少多
くても封止工程においてはみ出すことがないので、十分
な量適用することができる。このため、封止品質が確実
となり、製品の信頼性が向上する。

【００５３】また、上述の実施形態では、以上の作用に
加えて、ベース２１の側面に窪み部２７を備え、その表
面に電極２４を形成したので、圧電振動子２０を所定の
基板上等に実装する場合には、圧電振動子２０の下面と
基板の実装用パッド等の間にクリームハンダを適用し
て、リフローソルダリングの手法によりハンダ実装する
場合に、ハンダが窪み部にて適切なフィレットを生じる
ことができる。つまり、圧電振動子２０の実装における
ハンダ強度が向上するとともに、この窪み部２７におい
ては、段部２８にて溶融ガラスは止まり、それより下に
は流れないことから、上記半田フィレットの形成を阻害
することがない。したがって、ハンダ強度を確保すると
ともに、実装後に窪み部２７における半田フィレットを
外部から簡単に視認することができ、検査も容易とな
る。

【００５４】図６は、本発明の第２の実施形態を示す概
略断面図である。

【００５５】この第２の実施形態の圧電振動子３０にお
いて、第１の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、相違点を
中心に説明する。

【００５６】この圧電振動子３０を構成するベース２１
の下ベース２１ａは、上ベース２１ｂよりも大きく形成
されている。これにより下ベース２１ａと上ベース２１
ｂとの間は、ベース２１の短辺部において、段差を生じ
て、この段差が段部３８となっている。このベース２１
の一部で構成された段差３８が溶融ガラスの逃げ領域と
して機能する。

【００５７】また、ベース２１には、その表裏両面に貫
通する貫通孔３５，３５が形成されており、各貫通孔３
５，３５の内部には、電極部２４と導通する導電材が充
填されている。

【００５８】具体的には、この実施形態の場合、ベース
２１の製造段階で、下ベース２１ａと上ベース２１ｂに
対応する各グリーンシートがプレス加工され、この段階
で、貫通孔３５，３５が形成される。そして、下ベース
２１ａと上ベース２１ｂに対応する各グリーンシートに
対して、それぞれタングステンやモリブデン等の導電材
が印刷される。この時、貫通孔３５，３５には、この導
電材が充填される。ここで、下ベース２１ａの窪み部２
７の内面及び下面に電極２４が形成されるが、上ベース
２１ｂの窪み部２７には電極２４を形成しない。

【００５９】そして、下ベース２１ａと上ベース２１ｂ
とを重ねて加圧状態にて焼成炉内で焼成し、硬化させ
る。次いで、電極２４にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等の
メッキを施して、シートから各個片を分割する。

【００６０】これにより、ベース２１には、導電材で充
填された導通路が貫通孔３５を介して形成されているの
で、ベース２１の表裏面（図において上面と下面）の電
極どうしが導通し、駆動電圧が圧電振動素子２３に供給
されるようになっている。

【００６１】したがって、本実施形態においても、第１
の実施形態と同一の作用を発揮することができる。これ
に加えて、本実施形態では、第１の実施形態のように、
窪み部２７に形成した電極２４を介して、ベース２１の
表裏面を電気的に接続する必要がないことから、段部３
８である溶融ガラス逃げ領域には電極を形成する必要が
ない。したがって、この段部３８に十分な段差を設ける
ことで、溶融ガラスを十分受容できる溶融ガラスの逃げ
領域を得ることができる。

【００６２】しかも、このような電極を形成しない段部
３８を得るにあたり、本実施形態では、２枚以上の構造
でなるベース部を利用しているので、上述のように窪み
部２７の一部（下ベース２１ａに対応する箇所）領域だ
け、容易に電極形成が可能となるのである。

【００６３】また、この実施形態の場合は、ベース２１
とキャップ２２との封止部には電極が形成されていな
い。このため、ベース２１とキャップ２２の接着強度が
向上し、その分封止品質も向上する。

【００６４】図７は、本発明の第３の実施形態を示す概
略断面図である。

【００６５】この第３の実施形態の圧電振動子４０にお
いて、第１の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、相違点を
中心に説明する。

【００６６】この圧電振動子４０は、第１の実施形態の
圧電振動子２０と比較すると、溶融ガラスの逃げ領域４
８の構成が異なる。

【００６７】具体的には、この逃げ領域４８は、図８に
示すように、ベース２１の形成過程において、上記逃げ
領域４８は図示されているように形成される。

【００６８】すなわち、図において、各ベース２１は、
例えば、セラミックス材料の１枚のグリーンシート４１
を、焼成前に図示するように縦横の複数もしくは多数の
領域に分割する。そして、各製品単位となる領域（ベー
ス２１）の上面側の周囲に、所定の間隔にて、プレスに
より斜めの溝部４８を形成する。さらに、焼成後図示さ
れているように、電極２４等を形成した後、各分割領域
毎に割り取って、図７に示す製品単位のベース２１を得
る。

【００６９】この場合、図９の部分拡大図に示すよう
に、例えば、ベース２１の各短辺の上縁部に斜めの溝部
４８が４箇所形成され、また、各長辺側には、図８に示
されているように、その上縁部に８箇所形成される。そ
して、これらの各溝部４８は、ベース２１の短辺側に形
成された場合にも、図９に示されているように窪み部２
７と干渉しない位置に、窪み部２７とは別に設けられて
いる。このようにして、溝部４８は、ベース２１の上縁
部に、その全周にわたって設けられている。

【００７０】第３の実施形態にかかる封止構造は以上の
ように構成されており、第１の実施形態と同様の作用を
発揮する。

【００７１】そして、特に第３の実施形態においては、
ベースを単層にて形成することができ、容易に逃げ領域
を形成することができる。さらに、ベース全周にわた
り、逃げ領域を形成することができるので、このベース
全周にわたって、封止の際における溶融ガラスを十分受
容することができる。

【００７２】図１０は、本発明の第４の実施形態を示す
概略断面図である。

【００７３】この第４の実施形態の圧電振動子５０にお
いて、第１の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、相違点を
中心に説明する。

【００７４】この圧電振動子５０は、第１の実施形態の
圧電振動子２０と比較すると、溶融ガラスの逃げ領域５
８の構成が異なる。

【００７５】圧電振動子５０は、キャップ２２の下端２
２ａが対向するベース２１の上面領域に、溶融ガラスの
逃げ領域としての溝５８を有している。封止の際には、
封止ガラス２６が加熱されて溶融し、この溝５８内に入
り込む。

【００７６】したがって、第４の実施形態においても第
１の実施形態と同一の作用を発揮するとともに、さら
に、溶融ガラス溝５８内に入り込んで固化することによ
り、一層強固な封止性能を得ることができる。

【００７７】しかも、溶融した封止ガラス２６は、ベー
ス２１に設けた溝５８に入り込むことから、他の実施形
態のように、図において横方向にはみ出すことがなく、
製品形状を適正に整えることができる。

【００７８】図１１は、本発明の第５の実施形態を示す
概略断面図である。

【００７９】この第５の実施形態の圧電振動子６０にお
いて、第１の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、相違点を
中心に説明する。

【００８０】この圧電振動子６０は、第１の実施形態の
圧電振動子２０と比較すると、溶融ガラスの逃げ領域６
８の構成が異なる。

【００８１】すなわち、キャップ２２には、図示されて
いるように、封止ガラス２６が適用される面２２ａか
ら、キャップ２２の上面に至る貫通孔６８が形成されて
いる。この貫通孔６８が溶融ガラスの逃げ領域として機
能する。

【００８２】つまり、この第５の実施形態は、他の実施
形態と異なり、溶融ガラスの逃げ領域がベース２１側で
はなく、キャップ２２側に設けられているのである。

【００８３】ところで、既述したように、封止ガラス２
６は、封止前にキャップ２２の下端部２２ｂに適用さ
れ、加熱されて固定される。この実施形態の場合には、
そのような処理がされた後に封止工程が行われても、逃
げ領域６８は、貫通孔であるから、封止工程における加
熱で再度封止ガラスが溶融すると、貫通孔６８が十分な
容積を持つために、ふたたび溶融ガラスが逃げるスペー
スとして機能することができる。したがって、本実施形
態も、第１の実施形態と全く同様に作用することができ
る。

【００８４】本発明は、上述の実施形態に限定されるも
のではない。例えばベース２１は、単層でも２層でも、
さらに多数の層により積層されて構成されてもよい。ま
た、各実施形態の各要素は、これらを選択して相互に組
み合わせて実施することもできる。

【００８５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、封
止工程において、溶融した封止材としてのガラス材料
は、ベース側の逃げ領域に吸収されるので、キャップや
ベースからはみ出すことがない。また、封止ガラスは、
封止工程において，電子部品のはんだ付け領域にまでは
み出すことがないので、封止性能を損なわないように十
分な量適用することができる。このため、封止ガラスを
用いて電子部品を封止する構造において、小型で封止性
能に優れた電子部品の封止構造を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の圧電振動子を示す概略斜
視図。

【図２】 図１の圧電振動子の断面を表した概略斜視
図。

【図３】 図１の圧電振動子の概略断面図。

【図４】 図２の圧電振動子の窪み部付近の拡大斜視
図。

【図５】 図１の圧電振動子の製造工程の概略説明図。

【図６】 本発明の第２の実施形態の圧電振動子を示す
概略断面図。

【図７】 本発明の第３の実施形態の圧電振動子を示す
概略断面図。

【図８】 図７の圧電振動子のベースの製造工程の一部
を示す斜視図。

【図９】 図７の圧電振動子の窪み部付近の拡大斜視
図。

【図１０】 本発明の第４の実施形態の圧電振動子を示
す概略断面図。

【図１１】 本発明の第５の実施形態の圧電振動子を示
す概略断面図。

【図１２】 従来の圧電振動子の一例を示す概略断面
図。

【図１３】 電子部品の封止構造の一例を示す概略断面
図。

【符号の説明】

２０ 圧電振動子 ２１ ベース ２２ キャップ ２３ 圧電振動素子 ２４ 電極 ２５ 導電性接着剤 ２６ 封止ガラス ２７ 窪み部（逃げ領域）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邊 康治 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 加藤 秀明 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベースの表面に形成した電極上に電子部
   品を接続し、キャップを被せて、このキャップと前記ベ
   ースとの間に封止ガラスを充填して封止する電子部品の
   封止構造であって、 前記ベースには、封止に際して加熱溶融させた前記封止
   ガラスの溶融材料を逃がすための逃げ領域を設けたこと
   を特徴とする、電子部品の封止構造。
2. 【請求項２】 前記ベースの前記逃げ領域と一体に前記
   ベースの側面に窪み部を形成し、この窪み部の表面に
   は、前記電極が設けられている、請求項１に記載の電子
   部品の封止構造。
3. 【請求項３】 前記ベースの前記逃げ領域は、前記窪み
   部の表面に設けた段部でなる、請求項２に記載の電子部
   品の封止構造。
4. 【請求項４】 前記段部は、前記窪み部の表面に設けた
   電極の厚みを部分的に変えることにより形成した、請求
   項３に記載の電子部品の封止構造。
5. 【請求項５】 前記ベースが複数のセラミック材料層を
   積層してなり、前記段部は、前記窪み部の途中にて、ベ
   ースを構成するセラミック層の大きさを変えることによ
   り段差を形成することで構成した、請求項３に記載の電
   子部品の封止構造。
6. 【請求項６】 前記ベースには、その表裏両面に貫通す
   る貫通孔が形成されおり、この貫通孔の内部に導電材を
   充填することで、この導電材によりベース表裏面に形成
   した電極どうしが接続され、 前記窪み部において、積層されたセラミック材料層の少
   なくとも封止側の層には電極を設けず、かつこれ以外の
   窪み部には、ベース裏面の電極と導通する電極部を形成
   した請求項２ないし５に記載の電子部品の封止構造。
7. 【請求項７】 前記ベースには、その表裏両面に貫通す
   る貫通孔が形成されおり、この貫通孔の内部に導電材を
   充填することで、この導電材によりベース表裏面に形成
   した電極どうしが接続され、 さらに、前記ベースは大きさの異なるセラミック材料層
   を含む複数のセラミック材料層を積層して段差を形成
   し、この段差による段部に電極を形成せずに前記逃げ領
   域を設け、 かつこの段部以外の窪み部にはベース裏面の電極と導通
   する電極部が設けられている、請求項６に記載の電子部
   品の封止構造。
8. 【請求項８】 ベースの表面に形成した電極上に電子部
   品を接続し、キャップを被せて、このキャップと前記ベ
   ースとの間に封止ガラスを充填して封止する電子部品の
   封止構造であって、 前記キャップには、封止ガラスが適用される面に、封止
   に際して加熱溶融させた前記封止ガラスの溶融材料を逃
   がすための逃げ領域が設けられており、 この逃げ領域は、封止ガラスの適用面と反対の面まで貫
   通した貫通孔であることを特徴とする、電子部品の封止
   構造。